一種銅絲焊接保護裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于芯片封裝領(lǐng)域，具體涉及一種銅絲焊接保護裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件及集成電路的封裝就是把芯片、引線框架經(jīng)過金屬焊絲連接后，再用塑封料進(jìn)行包封，為芯片提供輸出和支撐保護，銅絲焊接工藝就是利用銅絲作為焊絲進(jìn)行半導(dǎo)體器件封裝的一種壓焊工藝。由于銅材在常溫下自身易氧化，在焊線過程中，銅絲經(jīng)劈刀尖端放電燒結(jié)時，形成的銅球很容易因高溫氧化，導(dǎo)致焊點的牢固度大大降低，同時其接觸電阻變大，影響芯片的電性能參數(shù)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，有一種銅絲焊接保護裝置，包括內(nèi)部中空的空腔體，所述空腔體上設(shè)有豎直貫穿空腔體本體的圓柱形貫穿洞，所述貫穿洞內(nèi)設(shè)有用于焊接待焊芯片并可豎直上下運動的劈刀，所述空腔體的一側(cè)設(shè)有延伸進(jìn)入空腔體的內(nèi)腔并與所述貫穿洞相連通的第一通氣管。該裝置工作時，向第一通氣管中通入保護氣體，劈刀在對待焊芯片植球打絲時，周圍有保護氣體，可以防止銅球氧化，其不足之處在于:目前的半導(dǎo)體器件往往是由多個芯片組裝而得，需要在芯片之間連線，即要在某個芯片上先用銅絲植球，再從另一個芯片上焊絲，最終連接到已經(jīng)植球的芯片上；該裝置在對另一個芯片植球打絲時，之前已經(jīng)植好的銅球容易因為暴露在空氣中而氧化，造成局部電阻變大，影響芯片的電性能。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種銅絲焊接保護裝置，使其進(jìn)行多個芯片之間的焊線連接時，能夠防止已經(jīng)植好的銅球發(fā)生氧化，保護之前已經(jīng)完成焊接的芯片。
[0005]本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的:一種銅絲焊接保護裝置，包括內(nèi)部中空的空腔體，所述空腔體上設(shè)有豎直貫穿空腔體本體的圓柱形貫穿洞，所述貫穿洞內(nèi)對應(yīng)設(shè)有用于焊接待焊芯片并可豎直上下運動的劈刀，所述空腔體的一側(cè)設(shè)有延伸進(jìn)入空腔體的內(nèi)腔并與所述貫穿洞相連通的第一通氣管，所述空腔體的下側(cè)設(shè)有若干通氣孔，所述通氣孔周向均布設(shè)置在所述貫穿洞下端洞口的外周，所述空腔體的一側(cè)設(shè)有與空腔體內(nèi)腔相連通的第二通氣管。
[0006]本實用新型工作時，第一通氣管和第二通氣管中均通入有保護氣體，劈刀周圍的貫穿洞內(nèi)始終覆蓋有保護氣體，劈刀在對芯片植球過程中銅球不會發(fā)生氧化，劈刀對下一個芯片進(jìn)行植球時，第二通氣管中的保護氣體進(jìn)入空腔體的空腔內(nèi)再從通氣孔中垂直向下噴出，之前已經(jīng)植好球的芯片被通氣孔中噴射出的保護氣體所保護。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于:劈刀在對芯片植球過程中，周圍始終覆蓋有保護氣體，有效避免銅球銅絲氧化，劈刀完成前一個芯片的植球打絲，再對下一個芯片進(jìn)行植球時，通氣孔中噴出的保護氣體垂直吹向之前焊接好的芯片上的銅球，防止前一個芯片上的銅球氧化，避免進(jìn)行多個芯片的焊線連接時銅球氧化，從而避免局部電阻過大而影響芯片的電性能。
[0007]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，與所述空腔體的側(cè)面相對應(yīng)的外側(cè)設(shè)有第三通氣管。在進(jìn)行多個芯片之間的焊線連接時，空腔體會隨著劈刀的移動而移動，第三通氣管中的保護氣體直接吹向待焊芯片，可以防止空腔體和劈刀離開已完成植球的芯片的瞬間，導(dǎo)致銅球發(fā)生氧化，確保芯片始終處在保護氣體的氛圍中，避免芯片上的銅球氧化。
[0008]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一通氣管、第二通氣管和第三通氣管內(nèi)部均通有保護氣體，所述保護氣體為N2和H2的混合氣體。N2和H2的混合氣體可以更好地保護銅材不被氧化。
[0009]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述空腔體設(shè)置為長方體狀，空腔體的材料采用陶瓷。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]其中，I空腔體，2貫穿洞，3劈刀，4第一通氣管，5通氣孔，6第二通氣管，7第三通氣管，8待焊芯片。
【具體實施方式】
[0012]如圖1所示，為本實用新型的一種銅絲焊接保護裝置，包括內(nèi)部中空的空腔體1，空腔體I上設(shè)有豎直貫穿空腔體本體的圓柱形貫穿洞2，貫穿洞2內(nèi)對應(yīng)設(shè)有用于焊接待焊芯片8并可豎直上下運動的劈刀3，空腔體I的一側(cè)設(shè)有延伸進(jìn)入空腔體I的內(nèi)腔并與貫穿洞2相連通的第一通氣管4，空腔體I的下側(cè)設(shè)有若干通氣孔5，通氣孔5周向均布設(shè)置在貫穿洞2下端洞口的外周，空腔體I的一側(cè)設(shè)有與空腔體I內(nèi)腔相連通的第二通氣管6。與空腔體I的側(cè)面相對應(yīng)的外側(cè)設(shè)有第三通氣管7。第一通氣管4、第二通氣管6和第三通氣管7內(nèi)部均通有保護氣體，所述保護氣體為N2和H2的混合氣體?？涨惑wI設(shè)置為長方體狀，空腔體I的材料采用陶瓷。
[0013]本裝置工作時，第一通氣管4和第二通氣管6中均通入有保護氣體，劈刀3周圍的貫穿洞內(nèi)始終覆蓋有保護氣體，劈刀3在對芯片植球過程中銅球不會發(fā)生氧化，劈刀3對下一個芯片進(jìn)行植球時，第二通氣管6中的保護氣體進(jìn)入空腔體I的空腔內(nèi)再從通氣孔5中垂直向下噴出，之前已經(jīng)植好球的芯片被通氣孔5中噴射出的保護氣體所保護。本裝置的優(yōu)點在于:劈刀3在對芯片植球過程中，周圍始終覆蓋有保護氣體，有效避免銅球銅絲氧化，劈刀3完成前一個芯片的植球打絲，再對下一個芯片進(jìn)行植球時，通氣孔5中噴出的保護氣體垂直吹向之前焊接好的芯片上的銅球，防止前一個芯片上的銅球氧化，避免進(jìn)行多個芯片的焊線連接時銅球氧化，從而避免局部電阻過大而影響芯片的電性能。
[0014]本實用新型并不局限于上述實施例，在本實用新型公開的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)所公開的技術(shù)內(nèi)容，不需要創(chuàng)造性的勞動就可以對其中的一些技術(shù)特征作出一些替換和變形，這些替換和變形均在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種銅絲焊接保護裝置，包括內(nèi)部中空的空腔體，所述空腔體上設(shè)有豎直貫穿空腔體本體的圓柱形貫穿洞，所述貫穿洞內(nèi)對應(yīng)設(shè)有用于焊接待焊芯片并可豎直上下運動的劈刀，所述空腔體的一側(cè)設(shè)有延伸進(jìn)入空腔體的內(nèi)腔并與所述貫穿洞相連通的第一通氣管，其特征在于:所述空腔體的下側(cè)設(shè)有若干通氣孔，所述通氣孔周向均布設(shè)置在所述貫穿洞下端洞口的外周，所述空腔體的一側(cè)設(shè)有與空腔體內(nèi)腔相連通的第二通氣管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅絲焊接保護裝置，其特征在于:與所述空腔體的側(cè)面相對應(yīng)的外側(cè)設(shè)有第三通氣管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種銅絲焊接保護裝置，其特征在于:所述第一通氣管、第二通氣管和第三通氣管內(nèi)部均通有保護氣體，所述保護氣體為N2和H2的混合氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項所述的一種銅絲焊接保護裝置，其特征在于:所述空腔體設(shè)置為長方體狀，空腔體的材料采用陶瓷。
【專利摘要】本實用新型公開了芯片封裝領(lǐng)域內(nèi)的一種銅絲焊接保護裝置，旨在解決進(jìn)行多個芯片之間的焊線連接時，前一個植好銅球的芯片因暴露在空氣中而氧化的問題，它包括內(nèi)部中空的空腔體，所述空腔體上設(shè)有豎直貫穿空腔體本體的圓柱形貫穿洞，所述貫穿洞內(nèi)對應(yīng)設(shè)有用于焊接待焊芯片并可豎直上下運動的劈刀，所述空腔體的一側(cè)設(shè)有延伸進(jìn)入空腔體的內(nèi)腔并與所述貫穿洞相連通的第一通氣管，所述空腔體的下側(cè)設(shè)有若干通氣孔，所述通氣孔周向均布設(shè)置在所述貫穿洞下端洞口的外周，所述空腔體的一側(cè)設(shè)有與空腔體內(nèi)腔相連通的第二通氣管。本實用新型的劈刀在對芯片植球過程中，待焊芯片周圍始終覆蓋有保護氣體，有效避免進(jìn)行多個芯片間的焊線連接時銅材氧化。
【IPC分類】H01L21-60, B23K37-00
【公開號】CN204584580
【申請?zhí)枴緾N201520236057
【發(fā)明人】高潮, 黃素娟
【申請人】揚州江新電子有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月20日