專利名稱：一種二極管芯片的焊接工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的焊接工藝，尤其涉及焊接工藝中對原材料成分的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)對二極管芯片的焊接工藝流過程是 ①銅粒裝填 噴助焊劑③焊片裝填④芯片裝填⑤焊片裝填⑥銅粒裝填⑦噴助焊劑,⑧
將裝填好的焊接治具進(jìn)爐焊接。其次將焊接半成品進(jìn)行正溴丙烷清洗以及酸洗。原先焊接時采用的焊片成分有Pb、Sn、Ag，在高溫后與芯片的接合性不好，需用助焊劑輔助焊接，待助焊劑風(fēng)干后才放焊接定位治具，造成生產(chǎn)效率低，助焊劑焊接后會殘留在芯片側(cè)表面，使清洗不夠徹底，造成材料電性不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供可以提高生產(chǎn)效率的同時并使材料電性穩(wěn)定的一種二極管芯片焊接工藝。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種二極管芯片的焊接工藝，它包括以下步驟
①將銅粒裝填到焊接治具中；
Φ將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；
③將芯片裝填到焊接治具中;
④將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；
⑤將銅粒裝填到焊接治具中；
⑥將裝填好的焊接治具進(jìn)爐焊接。進(jìn)一步，所述含有助焊劑的焊片的制法為將助焊劑刷在焊錫絲表面后經(jīng)模具沖壓制成。進(jìn)一步，所述助焊劑的重量份數(shù)為松香4份，異丙醇I份。進(jìn)一步，所述焊錫絲的重量比是鉛占92. 5%，錫占5%，銀占2. 5%。采用上述方案的有益效果是采用本發(fā)明方法是二極管焊接工序不需要噴助焊劑， 使生產(chǎn)工藝更加簡單；采用經(jīng)過改造的焊片后，在原材料組裝后不需要等助焊劑風(fēng)干，可直接放焊接定位治具，不僅減少了焊接工序，提高生產(chǎn)效率；采用改造的焊片進(jìn)行焊接后，酸洗時可以有效去除因清洗工序不徹底，附和在芯片側(cè)表面的雜質(zhì)污染，從而使材料的高溫特性更加穩(wěn)定，降低由于材料因表面漏電大而導(dǎo)致電性不穩(wěn)定。


圖I為本發(fā)明的焊接工藝流程圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。實施例I
如圖I所示，本發(fā)明包括以下步驟
①將銅粒裝填到焊接治具中，再將芯片導(dǎo)正板固定于焊接治具內(nèi)部；
@將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；
③將芯片裝填到焊接治具中；
Φ將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；從焊接治具中取出芯片導(dǎo)正板；
⑤將銅粒裝填到焊接治具中；
(S)將裝填好的焊接治具進(jìn)爐焊接。所述含有助焊劑的焊片的制法為將助焊劑刷在焊錫絲表面后經(jīng)模具沖壓制成。所述助焊劑的重量份數(shù)為松香4份，異丙醇I份。所述焊錫絲的重量比是鉛占92. 5%，錫占5%，銀占2. 5%。焊接完成后再將焊接半成品進(jìn)行酸洗。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種二極管芯片的焊接工藝，其特征在于，它包括以下步驟 將銅粒裝填到焊接治具中；f將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；基將芯片裝填到焊接治具中； 將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；.1將銅粒裝填到焊接治具中；I將裝填好的焊接治具進(jìn)爐焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種二極管芯片焊接工藝，其特征在于所述含有助焊劑的焊片的制法為將助焊劑刷在焊錫絲表面后經(jīng)模具沖壓制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種二極管芯片焊接工藝，其特征在于所述助焊劑的重量份數(shù)為松香4份，異丙醇I份。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種二極管芯片焊接工藝，其特征在于所述焊錫絲的重量比是鉛占92. 5%，錫占5%，銀占2. 5%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片的焊接工藝中對原材料成分的改進(jìn)。它包括以下步驟將銅粒裝填到焊接治具中；將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；將芯片裝填到焊接治具中；將含有助焊劑的焊片裝填到焊接治具中；將銅粒裝填到焊接治具中；將裝填好的焊接治具進(jìn)爐焊接。本發(fā)明一種二極管芯片的焊接工藝不僅減少了焊接工序，提高生產(chǎn)效率；而且可以在焊接之后的酸洗過程中有效去除因清洗工序不徹底，附和在芯片側(cè)表面的雜質(zhì)污染，從而使材料的高溫特性更加穩(wěn)定，降低由于材料因表面漏電大而導(dǎo)致電性不穩(wěn)定的幾率。
文檔編號B23K1/008GK102581410SQ20121004950
公開日2012年7月18日 申請日期2012年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月29日
發(fā)明者劉磊, 李燕 申請人:揚州虹揚科技發(fā)展有限公司