一種二極管芯片的酸洗工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及屬于二極管領(lǐng)域，特別設(shè)及一種二極管忍片的酸洗工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 根據(jù)二極管半導(dǎo)體生產(chǎn)原理，忍片要發(fā)揮作用時(shí)，必須經(jīng)過(guò)酸腐蝕及酸純化，二極 管忍片的酸洗工藝包括一次酸洗，二次酸洗，氨水與雙氧水混合清洗，最后水超聲波清洗。
[0003]目前一次酸洗中清洗液為硝酸、硫酸、氨氣酸W及冰醋酸的混合物；二次酸洗中清 洗液現(xiàn)有兩種：1.憐酸、雙氧水和水的混合物，缺點(diǎn)：焊料中存在化，一次酸洗時(shí)，會(huì)與清洗 液中的硫酸反應(yīng)形成化S〇4,硫酸鉛為不溶物，會(huì)吸附到忍片的表面，而該酸洗液不能將吸 附在忍片表面的PbS〇4溶解，進(jìn)而影響產(chǎn)品的質(zhì)量；2.憐酸、雙氧水、水和冰醋酸的混合物， 其體積比為1:0.8:3:0.2,能夠溶解忍片表面的化S〇4,減少忍片表面游離的金屬離子，提高 其常溫下電性能和高溫電性能，缺點(diǎn)：殘留的冰醋酸中金屬含量高，會(huì)導(dǎo)致二次污染，從而 降低電性能。
[0004] 因此，研發(fā)一種能夠提高二極管電性能的二極管忍片的酸洗工藝是非常有必要 的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠提高二極管電性能的二極管忍片的酸 洗工藝。
[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種二極管忍片的酸洗工藝，其創(chuàng) 新點(diǎn)在于：所述工藝依次為一次酸洗、二次酸洗、雙氧水與氨水清洗及水超聲清洗，其中一 次酸洗的時(shí)間為115~125s，二次酸洗的時(shí)間為73~75s，雙氧水與氨水清洗是時(shí)間為 2~3min，水超聲清洗的時(shí)間為5~Smin;所述一次酸洗的清洗液為歴〇3、HF、CH3COOH和 H2SO4的混合液，所述HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的體積比為9:9:12:4 ;所述二次酸洗的清 洗液為H3PO4、&〇2、&0和CH3COOH的混合液，所述H3PO4、&〇2、&0和CH3COOH的體積比為 1:0.4:3:0. 4;所述雙氧水與氨水清洗的清洗液為畑3'&0、&0和&〇2的混合液，所述NH3 &0、&0和&〇2的體積比為2:1:5。
[0007] 進(jìn)一步地，所述&?〇4、&〇2、&0和CH3COOH的混合液的配置為：先加入水，再加入雙 氧水，接著加入憐酸，最后加入冰醋酸。
[000引進(jìn)一步地，所述畑3'&0、&0和&化的混合液的配置為：先加入水，再加入雙氧水， 最后加入氨水。
[000引本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：二次酸洗中，改進(jìn)的H3PO4、&02、&0和CH3COOH的體積比為 1:0. 4:3:0. 4,提高了冰醋酸的濃度，采用該濃度的冰醋酸溶解忍片表面時(shí)，能夠完全溶解 忍片表面的化S04,且通過(guò)體積比為2:1:5的饑V&0、&0和電02清洗二次酸洗后的忍片表 面，使得忍片表面殘留冰醋酸中的金屬離子大大減少，進(jìn)而提高了二極管常溫下電性能和 高溫電性能，同時(shí)通過(guò)水超聲清洗工藝，解決了殘留的氨水的清洗的問(wèn)題。
【具體實(shí)施方式】
[0010] 下面的實(shí)施例可W使本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員更全面地理解本發(fā)明，但并不因此將本發(fā) 明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。
[0011] 實(shí)施例1 本實(shí)施例二極管忍片的酸洗工藝，該酸洗工藝具體步驟如下： (1) 一次酸洗：將二極管忍片置于體積比為9:9:12:4的HN03、HF、CH3COOH和H2SO4的 混合溶液中酸洗115s; (2) 二次酸洗：將一次酸洗結(jié)束的二極管忍片再用體積比為1:0. 4:3:0. 4的H3PO4、 &〇2、&0和CH3COOH的混合溶液酸洗75s; (3) 雙氧水與氨水清洗：將二次酸洗結(jié)束的二極管忍片用體積比為2:1:5的饑VH2O、 &0 和 &〇2清洗 3min; (4) 水超聲清洗：最后將經(jīng)上述清洗的二極管忍片用水超聲清洗8min。
[001引 實(shí)施例2 本實(shí)施例二極管忍片的酸洗工藝，該酸洗工藝具體步驟如下： (1) 一次酸洗：將二極管忍片置于體積比為9:9:12:4的HN03、HF、CH3COOH和H2SO4的 混合溶液中酸洗125s; (2) 二次酸洗：將一次酸洗結(jié)束的二極管忍片再用體積比為1:0. 4:3:0. 4的&口04、&02、 &0和CH3COOH的混合溶液酸洗73s; (3) 雙氧水與氨水清洗：將二次酸洗結(jié)束的二極管忍片用體積比為2:1:5的饑VH2O、 &0和 &02清洗2min; (4) 水超聲清洗：最后將經(jīng)上述清洗的二極管忍片用水超聲清洗5min。
[001引實(shí)施例3 本實(shí)施例二極管忍片的酸洗工藝，該酸洗工藝具體步驟如下： (1) 一次酸洗：將二極管忍片置于體積比為9:9:12:4的HN03、HF、CH3COOH和H2SO4的 混合溶液中酸洗120s; (2) 二次酸洗：將一次酸洗結(jié)束的二極管忍片再用體積比為1:0. 4:3:0. 4的&口04、&02、 &0和CH3COOH的混合溶液酸洗74s; (3) 雙氧水與氨水清洗：將二次酸洗結(jié)束的二極管忍片用體積比為2:1:5的饑VH2O、 &0 和 &02清洗 2. 5min; (4) 水超聲清洗：最后將經(jīng)上述清洗的二極管忍片用水超聲清洗6min。
[0014] 實(shí)施例1~3中二次酸洗液&?〇4、&〇2、&0和CH3COOH的混合液的配置為：先加入 7心再加入雙氧水，接著加入憐酸，最后加入冰醋酸；MV&0、&0和&〇2的混合液的配置為： 先加入水，再加入雙氧水，最后加入氨水。
[0015] 下表為上述實(shí)施例1~3改進(jìn)后二次酸洗液與傳統(tǒng)的效果對(duì)比，分別對(duì)1000個(gè)產(chǎn) 品進(jìn)行電性能測(cè)試后得出的結(jié)果：
上表中可W看出，改進(jìn)后的二次酸洗混合液與目前所用的二次酸洗混合液相比，改進(jìn) 后的二次酸洗混合液所得到的產(chǎn)品的上膠烤電性良率和成型電性良率高。
[0016] W上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征W及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技 術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明 本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，運(yùn)些 變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及 其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種二極管芯片的酸洗工藝，其特征在于：所述工藝依次為一次酸洗、二次酸洗、 雙氧水與氨水清洗及水超聲清洗，其中一次酸洗的時(shí)間為115~125s，二次酸洗的時(shí)間為 73~75s，雙氧水與氨水清洗是時(shí)間為2~3min，水超聲清洗的時(shí)間為5~8min;所述一次 酸洗的清洗液為HN03、HF、CH3C00H和氏304的混合液，所述HNO3、HF、CH3C00H和H2S04的體積 比為9:9:12:4 ;所述二次酸洗的清洗液為Η3Ρ04、H202、H20和CH3C00H的混合液，所述Η3Ρ04、 H202、H20和CH3C00H的體積比為1:0. 4:3:0. 4 ;所述雙氧水與氨水清洗的清洗液為ΝΗ3?20、 Η20和氏02的混合液，所述ΝΗ3·Η20、Η20和Η202的體積比為2:1: 5。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管芯片的酸洗工藝，其特征在于：所述!1#04、!1202、!1 20和 CH3C00H的混合液的配置為：先加入水，再加入雙氧水，接著加入磷酸，最后加入冰醋酸。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管芯片的酸洗工藝，其特征在于：所述ΝΗ3Η20、Η20和H202 的混合液的配置為：先加入水，再加入雙氧水，最后加入氨水。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種二極管的生產(chǎn)工藝，其包括酸洗、電鍍、焊接、絕緣保護(hù)和后處理五個(gè)工序。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)明二極管的生產(chǎn)工藝，先酸洗、再焊接、最后焊接，在焊接之前對(duì)芯片進(jìn)行酸腐蝕，避免了酸洗過(guò)程中，焊料和引線中的金屬雜質(zhì)會(huì)和酸液反應(yīng)，影響芯片的腐蝕速率；避免金屬與酸反應(yīng)生成的金屬離子會(huì)附著在芯片表面，省去大量清洗過(guò)程，節(jié)約資源；避免產(chǎn)品的電性衰降和高溫下發(fā)生熱擊穿等故障，提高產(chǎn)品的電性良率；同時(shí)，也使得排出的清洗液中金屬含量降低，降低對(duì)土壤造的污染，從而有利于環(huán)境的保護(hù)。
【IPC分類(lèi)】B08B3/08, H01L21/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105428216
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510807788
【發(fā)明人】黃麗鳳
【申請(qǐng)人】如皋市大昌電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年11月20日