射頻輸送路徑的阻抗的控制的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及射頻輸送路徑的阻抗的控制。等離子體系統(tǒng)包括射頻發(fā)生器以及包括阻抗匹配電路的匹配盒，該匹配盒經(jīng)由射頻電纜聯(lián)接到所述射頻發(fā)生器。所述等離子體系統(tǒng)包括卡盤以及經(jīng)由射頻線聯(lián)接到所述匹配盒的等離子體反應(yīng)器。射頻線形成射頻供應(yīng)路徑的一部分，所述射頻供應(yīng)路徑在所述射頻發(fā)生器與所述匹配盒之間延伸并且延伸到所述卡盤。等離子體系統(tǒng)進(jìn)一步包括聯(lián)接到所述阻抗匹配電路與所述卡盤之間的所述射頻供應(yīng)路徑上的相位調(diào)節(jié)電路。所述相位調(diào)節(jié)電路的一端聯(lián)接到所述射頻供應(yīng)路徑并且另一端接地。所述等離子體系統(tǒng)包括聯(lián)接到所述相位調(diào)節(jié)電路的控制器。所述控制器用于根據(jù)調(diào)節(jié)配方改變所述相位調(diào)節(jié)電路的參數(shù)以控制所述射頻供應(yīng)路徑的阻抗。
【專利說明】射頻輸送路徑的阻抗的控制

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及控制射頻（RF)輸送路徑的阻抗。

【背景技術(shù)】
[0002] 基于等離子體的系統(tǒng)包括用于產(chǎn)生信號(hào)的供應(yīng)源?；诘入x子體的系統(tǒng)進(jìn)一步包 括接收信號(hào)以產(chǎn)生等離子體的室。等離子體用于多種操作，包括清潔晶片，在晶片上沉積氧 化物和薄膜，以及蝕刻除去一部分晶片或一部分氧化物和薄膜。
[0003] 難以控制等離子體的一些性能，例如等離子體中的駐波等，以便能控制等離子體 蝕刻或沉積的均勻性。控制等離子體性能的困難導(dǎo)致蝕刻晶片的材料或者在晶片上沉積材 料的不均勻性。例如，晶片在距離其中心的第一位置處比在距離中心的第二位置處被蝕刻 多。第二距離到中心的距離比第一距離到中心的距離遠(yuǎn)。作為另一個(gè)實(shí)例，晶片在第一距 離處比在第二距離處被蝕刻少。作為又另一個(gè)實(shí)例，在晶片上在第一距離處比在第二距離 處沉積較多的材料。作為又另一個(gè)實(shí)例，在晶片上在第二距離處比在第一距離處沉積較多 的材料。蝕刻的不均勻性導(dǎo)致晶片的M形蝕刻或W形蝕刻。蝕刻或沉積的不均勻性導(dǎo)致減 少的晶片產(chǎn)量。
[0004] 正是在這種背景下提出本發(fā)明中描述的實(shí)施方式。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實(shí)施方式提供了用于控制射頻（RF)輸送路徑的阻抗的設(shè)備、方法和計(jì) 算機(jī)程序。應(yīng)當(dāng)理解，這些實(shí)施方式可以用多種方式實(shí)施，這些方式如，方法、設(shè)備、系統(tǒng)、硬 件設(shè)備或計(jì)算機(jī)可讀的介質(zhì)上的方法。以下描述了幾個(gè)實(shí)施方式。
[0006] 在一些實(shí)施方式中，通過控制等離子體設(shè)備中的射頻輸送路徑（例如，射頻供應(yīng) 路徑等）的阻抗來獲得均勻性。射頻輸送路徑形成在射頻發(fā)生器與等離子體室的間隙之 間。通過控制等離子體設(shè)備的阻抗匹配電路與等離子體設(shè)備的等離子體反應(yīng)器之間的電容 和/或電感來控制阻抗。當(dāng)阻抗受到控制時(shí)，便獲得均勻性。
[0007] 在多種實(shí)施方式中，用于控制射頻供應(yīng)路徑的阻抗的等離子體系統(tǒng)包括：射頻發(fā) 生器以及包含阻抗匹配電路的匹配盒，所述匹配盒經(jīng)由射頻電纜聯(lián)接到所述射頻發(fā)生器。 所述等離子體系統(tǒng)包括卡盤以及經(jīng)由射頻線聯(lián)接到所述匹配盒的等離子體反應(yīng)器。射頻線 形成射頻供應(yīng)路徑的一部分，所述射頻供應(yīng)路徑在所述射頻發(fā)生器與所述匹配盒之間延伸 并且延伸到所述卡盤。等離子體系統(tǒng)進(jìn)一步包括聯(lián)接到所述阻抗匹配電路與所述卡盤之間 的所述射頻供應(yīng)路徑上的相位調(diào)節(jié)電路。所述相位調(diào)節(jié)電路的一端聯(lián)接到所述射頻供應(yīng)路 徑并且另一端接地。所述等離子體系統(tǒng)包括聯(lián)接到所述相位調(diào)節(jié)電路的控制器。所述控制 器用于根據(jù)調(diào)節(jié)配方改變所述相位調(diào)節(jié)電路的參數(shù)以控制所述射頻供應(yīng)路徑的阻抗。
[0008] 在一些實(shí)施方式中，用于控制射頻供應(yīng)路徑的阻抗的系統(tǒng)包括濾波器，該濾波器 位于阻抗匹配電路與等離子體室之間。濾波器接地并且用于控制射頻輸送路徑的阻抗。射 頻輸送路徑用于朝著等離子體反應(yīng)器輸送從阻抗匹配電路輸出的射頻信號(hào)。
[0009] 在幾個(gè)實(shí)施方式中，用于控制射頻供應(yīng)路徑的阻抗的方法包括從阻抗匹配電路接 收射頻信號(hào)，該阻抗匹配電路聯(lián)接到等離子體設(shè)備的射頻發(fā)生器。所述方法進(jìn)一步包括：調(diào) 節(jié)射頻信號(hào)的阻抗以獲得可測(cè)量的因素；并且經(jīng)由射頻供應(yīng)路徑的一部分發(fā)送所述調(diào)節(jié)的 射頻信號(hào)到等離子體反應(yīng)器。等離子體反應(yīng)器聯(lián)接到阻抗匹配電路。
[0010] 上述實(shí)施方式中的一些實(shí)施方式的一些優(yōu)點(diǎn)包括控制作用在襯底上的蝕刻速率 或沉積速率的均勻性。例如，濾波器控制射頻輸送路徑的阻抗以獲得均勻性。改變?yōu)V波器 的電容、電感或它們的組合來控制射頻輸送路徑的阻抗。均勻性控制減小了蝕刻速率和沉 積速率的不均勻性。
[0011] 上述實(shí)施方式中的一些實(shí)施方式的附加優(yōu)點(diǎn)包括控制等離子體系統(tǒng)的射頻輸送 路徑的阻抗以獲得蝕刻速率或沉積速率的預(yù)定的均勻性。預(yù)定的均勻性存儲(chǔ)在調(diào)節(jié)配方 中。此外，預(yù)定的均勻性與濾波器的電感、電容或它們的組合之間的-對(duì)應(yīng)關(guān)系存儲(chǔ)在調(diào) 節(jié)配方中。處理器經(jīng)過編程以獲得調(diào)節(jié)配方中列舉的預(yù)定的均勻性。處理器從調(diào)節(jié)配方檢 索與可測(cè)量因素（例如，蝕刻速率，或沉積速率，或蝕刻速率的均勻性，或沉積速率的均勻 性，或它們的組合等）對(duì)應(yīng)的電感、電容或它們的組合，并且控制濾波器的電容和/或電感 以獲得蝕刻速率，或沉積速率，或蝕刻速率的均勻性，或沉積速率的均勻性。濾波器的電感、 電容或它們的組合的變化允許處理器獲得蝕刻襯底的蝕刻速率的均勻性或在襯底上沉積 材料的沉積速率的均勻性。濾波器的電感、電容或它們的組合的變化為射頻供應(yīng)信號(hào)的諧 波形成了到接地的低阻抗路徑，該射頻供應(yīng)信號(hào)用于產(chǎn)生將要供應(yīng)到等離子體室的另一個(gè) 射頻信號(hào)。通過控制射頻諧波，形成在等離子體室內(nèi)的等離子體的駐波受到控制以獲得蝕 刻速率或沉積速率的均勻性。
[0012] 結(jié)合附圖，從以下詳細(xì)描述會(huì)明白其他方面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 結(jié)合附圖，參照以下描述可以最好地理解實(shí)施方式。
[0014] 圖1是用于說明根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的歸一化電壓在60MHz信號(hào)的 高階諧波的不均勻性的坐標(biāo)圖的實(shí)施方式。
[0015] 圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體中駐波波長(zhǎng)A隨著射 頻（RF)信號(hào)的頻率的變化和間隙的變化而變化的曲線圖。
[0016] 圖3是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的蝕刻速率的不均勻性 隨著與上電極的輸入聯(lián)接上的濾波器的電容值的增大以及射頻信號(hào)的諧波的增大而變化。
[0017] 圖4A是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的用于控制系統(tǒng)的射頻供應(yīng)路徑的阻 抗的等離子體設(shè)備的視圖。
[0018] 圖4B是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的用于控制射頻供應(yīng)路徑的阻抗的等 尚子體設(shè)備的視圖。
[0019] 圖5是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的系統(tǒng)的視圖，用于說明沿著射頻供應(yīng) 路徑與濾波器聯(lián)接上的不同點(diǎn)。
[0020] 圖6A是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的系統(tǒng)的視圖，該系統(tǒng)用于調(diào)節(jié)由阻 抗匹配電路提供的射頻供應(yīng)信號(hào)的阻抗。
[0021] 圖6B是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的濾波器作為電容元件和/或電感元 件的視圖。
[0022] 圖6C是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的電容濾波器的視圖。
[0023] 圖6D是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的電容和電感濾波器的視圖。
[0024] 圖6E是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的濾波器與射頻帶之間的連接件的視 圖，用于說明射頻帶的內(nèi)電感。
[0025] 圖7是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的對(duì)于濾波器的不同電 容大小，蝕刻襯底的蝕刻速率相對(duì)于襯底的半徑的變化。
[0026] 圖8是曲線圖，根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式，示出了當(dāng)匹配盒的輸出聯(lián)接 到網(wǎng)絡(luò)分析器時(shí)，匹配盒的輸出處的阻抗與靠近輸出處測(cè)得的射頻供應(yīng)信號(hào)的第三諧波的 頻率。
[0027] 圖9是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的匹配阻抗與在匹配盒 的輸出處測(cè)得的射頻供應(yīng)信號(hào)的基頻附近的頻率的關(guān)系，用于說明靠近基頻的射頻信號(hào)的 相位缺乏變化。
[0028] 圖10A是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的對(duì)于濾波器的不同 電容值，在濾波器的輸出處的阻抗與在輸出處所計(jì)算的射頻供應(yīng)信號(hào)的第三諧波附近的頻 率的關(guān)系。
[0029] 圖10B是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的濾波器的阻抗與在 濾波器的輸出處所計(jì)算的射頻供應(yīng)信號(hào)的第三諧波附近的頻率的關(guān)系。
[0030] 圖11是曲線圖，示出了根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的對(duì)于不同的電容大 小，蝕刻襯底的蝕刻速率相對(duì)于襯底的半徑的變化。
[0031] 圖12是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的系統(tǒng)的實(shí)施方式的視圖，用于說明 改變上下電極之間的間隙、與射頻供應(yīng)路徑聯(lián)接上的濾波器和/或等離子體室內(nèi)的壓力中 的一個(gè)或多個(gè)來改變蝕刻速率的均勻性或沉積速率的均勻性。
[0032] 圖13是根據(jù)本發(fā)明中描述的一個(gè)實(shí)施方式的用于控制蝕刻速率的均勻性、或沉 積速率的均勻性、或獲得蝕刻速率、或獲得沉積速率的反饋系統(tǒng)的視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 以下實(shí)施方式描述了用于控制射頻（RF)輸送路徑的阻抗的系統(tǒng)和方法。本發(fā)明 的實(shí)施方式可以在沒有一些或所有的這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施將是顯而易見的。在其他 實(shí)例中，未詳細(xì)描述公知的方法操作以便不會(huì)不必要地模糊本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0034] 圖1是用于說明歸一化電壓在60MHz信號(hào)的高階諧波的不均勻性的坐標(biāo)圖100的 實(shí)施方式。高階諧波在等離子體中形成駐波電壓，并且駐波電壓導(dǎo)致蝕刻襯底或在襯底上 沉積材料的不均勻性。
[0035] 在多種實(shí)施方式中，高階諧波是三階或更高階諧波。在一些實(shí)施方式中，高階諧波 是二階或更高階諧波。
[0036] 坐標(biāo)圖100圖示了在等離子體室的上電極輸入處測(cè)得的射頻信號(hào)的歸一化電壓 幅值與射頻信號(hào)的頻率的坐標(biāo)圖。在幾個(gè)實(shí)施方式中，在上電極的輸入處測(cè)量電壓，并且電 壓被歸一化以產(chǎn)生歸一化電壓。
[0037] 如坐標(biāo)圖100所示，在射頻信號(hào)的三階諧波，對(duì)于與上電極的輸入聯(lián)接上的濾波 器的三種不同的電容值，在上電極的輸入處測(cè)得的電壓存在不均勻性。例如，B3C1條與濾 波器的電容值C1對(duì)應(yīng)，B3C2條與濾波器的電容值C2對(duì)應(yīng)。
[0038] 在一些實(shí)施方式中，上電極的輸出是在上電極的底面。頂面與上電極的底面相反 并且是在上電極的輸入。上電極的底面面對(duì)等離子體室內(nèi)的間隙。間隙形成在上電極與例 如靜電卡盤（ESC)等卡盤之間?？ūP位于等離子體室內(nèi)并且包括面對(duì)上電極的下電極。卡 盤設(shè)置在下電極下方的設(shè)施板上。
[0039] 此外，如坐標(biāo)圖100所示，在射頻信號(hào)的四階諧波和十階諧波處，在上電極測(cè)得的 電壓存在不均勻性。例如，B4C1條與電容值C1對(duì)應(yīng)，B4C2條與電容值C2對(duì)應(yīng)，并且B4C3 條與濾波器的電容值C3對(duì)應(yīng)。作為另一個(gè)實(shí)例，在第十階諧波處，B10C2條與電容值C2對(duì) 應(yīng)，并且B10C3條與電容值C3對(duì)應(yīng)。
[0040] 另外，坐標(biāo)圖100示出了與電容值C1對(duì)應(yīng)的B1C1條，與電容值C2對(duì)應(yīng)的B1C2條， 以及與電容值C3對(duì)應(yīng)的B1C3條。
[0041] 此外，以下提供的表1示出了等離子體的駐波波長(zhǎng)A隨著射頻信號(hào)的頻率的增大 而減小。

【權(quán)利要求】
1. 一種等離子體系統(tǒng)，其包括： 射頻（RF)發(fā)生器； 匹配盒，其包括電感匹配電路，該電感匹配電路經(jīng)由射頻電纜聯(lián)接到所述射頻發(fā)生 器； 等離子體反應(yīng)器，其經(jīng)由射頻線聯(lián)接到所述匹配盒，所述等離子體反應(yīng)器包括卡盤，其 中所述射頻線形成射頻供應(yīng)路徑的一部分，所述射頻供應(yīng)路徑在所述射頻發(fā)生器與所述匹 配盒之間延伸并且延伸到所述卡盤；以及 相位調(diào)節(jié)電路，其聯(lián)接到所述阻抗匹配電路與所述卡盤之間的所述射頻供應(yīng)路徑，所 述相位調(diào)節(jié)電路具有聯(lián)接到所述射頻供應(yīng)路徑的第一端和接地的第二端；以及 控制器，其聯(lián)接到所述相位調(diào)節(jié)電路，所述控制器用于根據(jù)調(diào)節(jié)配方改變所述相位調(diào) 節(jié)電路的參數(shù)以控制所述射頻供應(yīng)路徑的阻抗。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述阻抗匹配電路使所述射頻發(fā)生器和 射頻電纜系統(tǒng)的阻抗與所述等離子體反應(yīng)器和射頻傳輸線的阻抗匹配，所述射頻傳輸線將 所述阻抗匹配電路聯(lián)接到所述等離子體反應(yīng)器，所述射頻傳輸線包括所述射頻線和接地的 射頻通道，所述射頻電纜系統(tǒng)包括所述射頻電纜和射頻電纜護(hù)套。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述等離子體反應(yīng)器包括下電極和上電 極，所述上電極面對(duì)所述下電極，所述阻抗匹配電路被配置成提供射頻信號(hào)到所述相位調(diào) 節(jié)電路，所述相位調(diào)節(jié)電路被配置成調(diào)節(jié)所述射頻信號(hào)的阻抗以產(chǎn)生另一個(gè)射頻信號(hào)，進(jìn) 而經(jīng)由所述射頻線提供到所述等離子體反應(yīng)器，且當(dāng)所述下電極接收來自所述相位調(diào)節(jié)電 路的該另一個(gè)射頻信號(hào)時(shí)所述等離子體反應(yīng)器被配置成在所述等離子體反應(yīng)器內(nèi)形成等 離子體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述射頻線被接地的射頻通道包圍。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述相位調(diào)節(jié)電路包括可變電容器、或 可變電感器、或它們的組合。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述相位調(diào)節(jié)電路經(jīng)由連接件聯(lián)接到所 述射頻供應(yīng)路徑，所述連接件在射頻帶與所述阻抗匹配電路的輸出之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述相位調(diào)節(jié)電路經(jīng)由第一射頻帶與第 二射頻帶之間的連接件聯(lián)接到所述射頻供應(yīng)路徑，其中所述第一射頻帶聯(lián)接到所述阻抗匹 配電路的輸出。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述相位調(diào)節(jié)電路經(jīng)由所述射頻線與射 頻帶之間的連接件聯(lián)接到所述射頻供應(yīng)路徑，所述射頻帶經(jīng)由另一個(gè)射頻帶聯(lián)接到所述阻 抗匹配電路的輸出。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述等離子體反應(yīng)器包括連接到所述卡 盤的射頻圓柱體，其中所述相位調(diào)節(jié)電路經(jīng)由所述射頻圓柱體的連接件聯(lián)接到所述射頻供 應(yīng)路徑，所述射頻圓柱體經(jīng)由射頻耦接件聯(lián)接到所述射頻線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述匹配盒具有殼體，所述相位調(diào)節(jié)電 路位于所述殼體外并且聯(lián)接到所述射頻線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述匹配盒具有殼體，所述相位調(diào)節(jié)電 路位于所述殼體內(nèi)并且聯(lián)接到位于所述殼體內(nèi)的射頻帶，所述射頻帶將所述阻抗匹配電路 聯(lián)接到所述射頻線。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中射頻供應(yīng)路徑包括聯(lián)接到所述阻抗匹 配電路的一個(gè)或多個(gè)射頻帶，其中所述等離子體反應(yīng)器包括射頻圓柱體，其中所述射頻線 經(jīng)由射頻耦接件聯(lián)接到所述射頻圓柱體，其中所述射頻供應(yīng)路徑進(jìn)一步包括所述射頻線、 所述射頻耦接件和所述射頻圓柱體，其中所述射頻圓柱體聯(lián)接到所述卡盤。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述阻抗取決于所述相位調(diào)節(jié)電路的 電容、或電感、或它們的組合。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中控制所述阻抗以獲得蝕刻速率、或沉積 速率、或蝕刻速率的均勻性、或沉積速率的均勻性，其中所述調(diào)節(jié)配方中指明了所述蝕刻速 率、或所述沉積速率、或所述蝕刻速率的均勻性、或所述沉積速率的均勻性。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述控制器被配置成基于在所述射頻 供應(yīng)路徑上測(cè)得的參數(shù)值來控制所述相位調(diào)節(jié)電路。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述相位調(diào)節(jié)電路包括濾波器，所述濾 波器用于過濾從所述阻抗匹配電路接收的射頻供應(yīng)信號(hào)并且發(fā)送經(jīng)過濾的所述信號(hào)到所 述卡盤。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述濾波器包括與可變電感器或定值 電感器串聯(lián)的可變電容器，其中所述可變電感器或定值電感器接地，其中所述可變電容器 聯(lián)接到所述射頻供應(yīng)路徑。
18. -種系統(tǒng)，其包括濾波器，所述濾波器位于阻抗匹配電路與等離子體室之間，其中 所述濾波器接地，所述濾波器用于控制將要輸送到所述等離子體室的射頻（RF)信號(hào)的阻 抗，從所述阻抗匹配電路朝著所述等離子體反應(yīng)器輸出所述射頻信號(hào)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述濾波器包括電容器、電感器或它們的組合。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述阻抗匹配電路使所述射頻發(fā)生器和射頻電 纜系統(tǒng)的阻抗與所述等離子體反應(yīng)器和射頻傳輸線的阻抗匹配，其中所述射頻傳輸線將所 述阻抗匹配電路聯(lián)接到所述等離子體反應(yīng)器，其中所述阻抗匹配電路位于所述匹配盒內(nèi)， 其中所述匹配盒經(jīng)由所述射頻電纜系統(tǒng)聯(lián)接到所述射頻發(fā)生器，其中所述等離子體反應(yīng)器 包括所述等離子體室。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述等離子體室包括下電極和上電極，所述上 電極面對(duì)所述下電極。
22. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中所述阻抗取決于所述濾波器的電容、或電感、或 它們的組合。
23. -種方法，其包括： 從阻抗匹配電路接收射頻（RF)信號(hào)，所述阻抗匹配電路聯(lián)接到等離子體設(shè)備的射頻 發(fā)生器； 調(diào)節(jié)所述射頻信號(hào)的阻抗以獲得可測(cè)量的因素；并且 經(jīng)由射頻供應(yīng)路徑的一部分發(fā)送經(jīng)調(diào)節(jié)的所述射頻信號(hào)到等離子體反應(yīng)器，所述等離 子體反應(yīng)器聯(lián)接到所述阻抗匹配電路。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中當(dāng)所述阻抗匹配電路使所述射頻發(fā)生器和與所 述射頻發(fā)生器聯(lián)接上的射頻電纜系統(tǒng)的阻抗與所述等離子體反應(yīng)器和射頻傳輸線的阻抗 匹配時(shí)，產(chǎn)生從所述阻抗匹配電路接收的所述射頻信號(hào)，所述射頻傳輸線將所述等離子體 反應(yīng)器聯(lián)接到所述阻抗匹配電路。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述可測(cè)量的因素包括：當(dāng)晶片存在于所述等 離子體反應(yīng)器的等離子體室中時(shí)對(duì)所述晶片進(jìn)行蝕刻的蝕刻速率，當(dāng)所述晶片存在于所述 等離子體室中時(shí)在所述晶片上沉積材料的沉積速率，或者當(dāng)一個(gè)或多個(gè)晶片存在于所述等 離子體室中時(shí)對(duì)該一個(gè)或多個(gè)晶片進(jìn)行蝕刻的蝕刻速率的均勻性，或者當(dāng)一個(gè)或多個(gè)晶片 存在于所述等離子體室中時(shí)在該一個(gè)或多個(gè)晶片上沉積材料的沉積速率的均勻性，或它們 的組合。
26. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中調(diào)節(jié)所述阻抗包括調(diào)節(jié)濾波器的電容、電感或 它們的組合，所述濾波器聯(lián)接到所述阻抗匹配電路。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK104517795SQ201410499774
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月1日
【發(fā)明者】阿列克謝·馬拉霍塔諾夫, 拉金德爾·迪恩賽, 肯·盧徹斯, 盧克·奧巴倫德 申請(qǐng)人:朗姆研究公司