專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用氣體放電的放射的等離子體顯示面板，特別是涉及一種表面層(保護(hù)膜)周邊的特性的改良技術(shù)。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(以下，稱作“PDP”)是利用于自氣體放電的放射的平面顯示裝置。高速的顯示和大型化變得容易，在影像顯示裝置和信息顯示裝置等領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用。在PDP中有直流型(DC型)與交流型(AC型)，但是，面放電型AC型PDP在壽命特性和大型化方面具有很高的技術(shù)潛力，并形成商品化。圖15是表示一般的AC型ropix的結(jié)構(gòu)的示意性組圖。圖15所示的PDPlx是將前面板2和背面板9貼合而成的。作為第一基板的前面板2在前面板玻璃3的單面，配置 有多對以掃描電極5和維持電極4作為一對的顯示電極對6，以覆蓋該顯示電極對6的方式，依次層疊電介質(zhì)層7和保護(hù)膜8而成。掃描電極5、維持電極4分別層疊透明電極51、41和總線52、42而構(gòu)成。電介質(zhì)層7由玻璃軟化點為550°C 600°C程度的范圍的低熔點玻璃形成，具有AC型PDP特有的電流限制功能。保護(hù)膜8具有以下的作用保護(hù)上述電介質(zhì)層7和顯示電極對6不受等離子體放電的離子沖擊，并且有效地釋放二次電子，降低放電開始電壓。通常，該保護(hù)膜8使用二次電子釋放特性、耐濺射性、可視光透過率優(yōu)秀的氧化鎂(MgO)，用真空蒸鍍法和印刷法成膜。此外，與保護(hù)膜8同樣的結(jié)構(gòu)，有時也專門作為以確保二次電子釋放特性為目的的表面層而設(shè)置。另一方面，作為第二基板的背面板9在背面板玻璃10上，以用于寫入圖像數(shù)據(jù)的多個數(shù)據(jù)(尋址)電極11與上述前面板2的顯示電極對6在正交方向上交叉的方式并列設(shè)置。在背面板玻璃10上，以覆蓋數(shù)據(jù)電極11的方式配置有由低熔點玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12中，在與相鄰的放電單元(圖示省略)的交界處上，由低熔點玻璃構(gòu)成的規(guī)定高度的分隔壁(肋)13以劃分放電空間15的方式，分別成井字形狀組合條紋狀的多個圖案部1231、1232而形成。在電介質(zhì)層12的表面與分隔壁13的側(cè)面，形成有通過涂敷和燒制R、G、B各色的熒光體墨粉而成的熒光體層14 (熒光體層14R、14G、14B)。前面板2與背面板9以顯示電極對6與數(shù)據(jù)電極11隔著放電空間15相互正交的方式配置，在其各自的周圍被密封。此時，在內(nèi)部被密封的放電空間15中，作為放電氣體，在大約數(shù)十kPa的壓力下封入有Xe — Ne類或者Xe — He類等稀有氣體。由此構(gòu)成TOPlx。為了在rop中進(jìn)行圖像顯示，采用將I個場的影像分割成多個子場(S.F.)的灰度等級表現(xiàn)方式(例如場內(nèi)分時顯示方式)。在這種情況下，最近幾年對電氣化產(chǎn)品提出低電力驅(qū)動的要求，對于PDP也有同樣的要求。在進(jìn)行高精細(xì)的圖像顯示的rop中，放電單元微細(xì)化，放電單元數(shù)量也增大，所以為了提高寫入放電的可靠性，必須提高工作電壓。PDP的工作電壓依賴于上述保護(hù)膜的二次電子釋放系數(shù)(Y)。Y是由材料和放電氣體決定的值，材料的功函數(shù)越小Y越大。工作電壓的上升成為低電力驅(qū)動的阻礙。于是，在專利文獻(xiàn)I中公開了以SrO為主成分，混合有CeO2的保護(hù)膜，并且記載有用低電壓穩(wěn)定地使SrO放電的內(nèi)容。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開昭52-116067號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，在上述任意一種現(xiàn)有技術(shù)中，實際上也難以完全實現(xiàn)TOP的低電力驅(qū)動。另外，包含CeO2的保護(hù)膜與MgO相比也存在老化時間變長的課題。像這樣，在現(xiàn)在的rop中，存在難以同時實現(xiàn)兩方面的一系列課題，所以存在應(yīng)該解決的余地。本發(fā)明就是鑒于以上各個課題而產(chǎn)生的，其第一目的在于提供一種rop，其通過改善保護(hù)膜周邊的結(jié)構(gòu)，發(fā)揮良好的二次電子釋放特性，能夠期待高效化、使用壽命長。其第二目的在于提供一種rop，其除了上述各個效果外，還防止驅(qū)動時的放電延遲的發(fā)生，在聞速驅(qū)動的聞精細(xì)的F1DP中也能夠期待發(fā)揮聞品質(zhì)的圖像顯不性能。用于解決課題的方法為了達(dá)到上述目的，作為本發(fā)明的一個方式的PDP是一種等離子體顯示面板，其具有配置有多個顯不電極的第一基板；和第二基板，上述第一基板隔著放電空間與第二基板相對配置，在上述放電空間充滿放電氣體的狀態(tài)下，上述第一基板與上述第二基板之間被密封,其中在上述第一基板的面向上述放電空間的面上,配置有對CeO2添加11. 8mol%以上49. 4mol%以下濃度的Sr而成的保護(hù)膜，在上述保護(hù)膜上，配置有具有比上述保護(hù)膜的二次電子釋放特性高的二次電子釋放特性的高Y微粒子。發(fā)明的效果在具有以上結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的一個方式的I3DP中，在包含CeO2的保護(hù)膜中，還包含被調(diào)整為不會使老化時間延長程度的規(guī)定濃度的Sr。由此，在頻帶結(jié)構(gòu)中，在禁帶中形成起因于Sr的電子能級，且價電子帶的上端的位置上升，使價電子帶中的電子存在于較淺的能級中。因此，在TOP的驅(qū)動時，利用在放電氣體的Xe原子等的俄歇中性化的過程中而能夠取得的能量，能夠使雜質(zhì)能級和存在于價電子帶的上端附近的大量的電子與電子釋放相關(guān)。利用該增大的能量，能夠大幅提高保護(hù)膜的二次電子釋放特性，所以在PDP中用較低的放電開始電壓就能進(jìn)行響應(yīng)性好的開始放電，防止放電延遲，從而能夠用低電力驅(qū)動發(fā)揮優(yōu)良的圖像顯示性能。而且，起因于Sr的電子能級形成距真空能級一定程度的深度(B卩，能量上并未過淺的深度)。因此，在驅(qū)動時抑制因電荷過度從保護(hù)膜中消失所導(dǎo)致的“電荷脫離”的發(fā)生，能夠發(fā)揮適當(dāng)?shù)碾姾杀３痔匦裕⑶夷軌蚱诖S時間經(jīng)過良好的二次電子的釋放。此外，如果在該保護(hù)膜上，配置具有比上述保護(hù)膜的二次電子釋放特性高的二次電子釋放特性的高Y微粒子，則在除去覆蓋于表面的氫氧化物和碳酸化物等雜質(zhì)物層的老化工序中，高Y微粒子成為擴(kuò)大放電的契機(jī)，能夠有效地除去雜質(zhì)，其結(jié)果是，不會局部放電，而是擴(kuò)大至大范圍，實現(xiàn)具有聞売度、聞效率、聞可罪性的F*DP。


圖I是表示實施方式I的rop的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是示意性地表示實施方式I的PDP中的各電極與驅(qū)動器的關(guān)系的圖。圖3是表示實施方式I的PDP的驅(qū)動波形的一例的圖。圖4是用于說明CeO2的電子能級與俄歇中性化過程中的二次電子的釋放過程的示意圖。圖5是用于說明實施方式I的rop的保護(hù)膜和現(xiàn)有的rop的保護(hù)膜的各電子能級 與俄歇中性化過程中的二次電子的釋放過程的示意圖。圖6是用于說明現(xiàn)有的課題的rop的部分放大圖。圖7是用于說明本發(fā)明的效果的rop的部分放大圖。圖8是表示實施方式2的rop的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖9是表示改變CeO2中的Sr濃度的樣品的X射線衍射結(jié)果的圖。圖10是表示在X射線衍射中求得的晶格常數(shù)的Sr濃度依賴性的圖。圖11是表示根據(jù)XPS測定求出的碳酸化物占表面的比例的CeO2中的Sr濃度依賴性的圖。圖12是表示使用在15%的分壓下包含Xe的放電氣體的情況下的放電電壓的CeO2中的Sr濃度依賴性的圖。圖13是表示使用在15%的分壓下包含Xe的放電氣體的情況下的老化時間的CeO2中的Sr濃度依賴性的圖。圖14是表示使用在20%的分壓下包含Xe的放電氣體的情況下的發(fā)光效率和放電1000小時的保護(hù)膜的濺射量的圖。圖15是表示現(xiàn)有的一般的rop的結(jié)構(gòu)的組圖。
具體實施例方式<發(fā)明的方式>作為本發(fā)明的一個方式的PDP是一種等離子體顯示面板，其具有配置有多個顯不電極的第一基板；和第二基板，上述第一基板隔著放電空間與第二基板相對配置，在上述放電空間充滿放電氣體的狀態(tài)下，上述第一基板與上述第二基板之間被密封，其中在上述第一基板的面向上述放電空間的面上，配置有對CeO2添加11. 8mol%以上49. 4mol%以下濃度的Sr而成的保護(hù)膜，在上述保護(hù)膜上，配置有具有比上述保護(hù)膜的二次電子釋放特性高的二次電子釋放特性的高Y微粒子?，F(xiàn)有技術(shù)中，包含CeO2的保護(hù)膜的化學(xué)穩(wěn)定性非常低，所以在I3DP的制造工序中，保護(hù)膜的表面被氫氧化或碳酸化，形成劣化層，二次電子釋放(Y )特性下降。通過實施rop的老化工序，能夠一定程度地除去該劣化層，但是在劣化層被除去的區(qū)域與殘存的區(qū)域之間，二次電子釋放特性之差非常大。因此，驅(qū)動時產(chǎn)生的放電僅在劣化層被除去的區(qū)域局部產(chǎn)生，不會擴(kuò)大至劣化層殘存的區(qū)域，所以PDP的亮度、效率均下降。另外，因在放電單元內(nèi)部局部產(chǎn)生放電而使保護(hù)膜被過度濺射，結(jié)果是PDP的壽命縮短，這也是一個課題。而且，在rop中存在“放電延遲”的問題。在PDP等顯示器領(lǐng)域中，影像源的高精細(xì)化快速發(fā)展，為了顯示高精細(xì)圖像，掃描電極(掃描線)數(shù)量有增加的傾向。例如，在全高清TV中，與NTSC方式的TV相比，掃描線的數(shù)量變成2倍以上。為了在高精細(xì)的rop中進(jìn)行影像顯示，必須以1/60 [S]以內(nèi)的速度高速驅(qū)動I個場的序列。為此，有一種在子場中的寫入期間，縮小施加到數(shù)據(jù)電極的脈沖寬度的方法。但是，在rop的驅(qū)動時，從電壓脈沖的升高直至實際上在放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電，有被稱作“放電延遲”的時滯的問題。如果為了高速驅(qū)動，脈沖寬度變短，則“放電延遲”的影響就會增大，在各個脈沖的寬度內(nèi)能夠結(jié)束放電的概率降低。其結(jié)果是，畫面上產(chǎn)生不亮單元(點亮不佳)，圖像顯示性能受到損害。特別是如專利文獻(xiàn)I那樣，在配備非晶結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜的rop中，抑制放電延遲的初始電子處于難以釋放的狀態(tài)，所以畫質(zhì)劣化有可能成為一個較大的問題。與此相對地，在作為上述本發(fā)明的一個方式的I3DP中，在包含CeO2的保護(hù)膜中，包·含被調(diào)整至不會使老化時間延長程度的規(guī)定濃度的Sr。由此,在頻帶結(jié)構(gòu)中,在禁帶中形成起因于Sr的電子能級，使價電子帶的上端的位置上升，使價電子帶中的電子存在于較淺的能級中，所以在rop的驅(qū)動時，利用在放電氣體的Xe原子等的俄歇中性化的過程中而能夠取得的能量，使雜質(zhì)能級和存在于價電子帶的上端附近的大量的電子與電子釋放相關(guān)。利用該增大的能量，能夠大幅提高保護(hù)膜的二次電子釋放特性，用較低的放電開始電壓就能進(jìn)行開始響應(yīng)性好的放電，防止放電延遲，從而能夠用低電力驅(qū)動發(fā)揮優(yōu)良的圖像顯示性倉泛。而且，起因于Sr的電子能級形成距真空能級一定程度的深度(B卩，在能量上并未過淺的深度)。因此，在驅(qū)動時抑制因電荷過度從保護(hù)膜消失而導(dǎo)致的“電荷脫離”的發(fā)生，能夠發(fā)揮適當(dāng)?shù)碾姾杀３痔匦?，能夠期待隨時間經(jīng)過良好的二次電子的釋放。此處，作為本發(fā)明的其他的方式，也能夠采用以下結(jié)構(gòu)所述高Y微粒子是至少包含Ce、Sr、Ba的任意種的微粒子。另外，作為本發(fā)明的其他方式，還可以使保護(hù)膜中的Sr濃度在25. 7mol%以上42. 9mol% 以下。另外，作為本發(fā)明的其他方式，所述高Y微粒子也適合用SrCe03、BaCe03、La2Ce207的任意種構(gòu)成。另外，作為本發(fā)明的其他方式，也能夠在保護(hù)膜的放電空間一側(cè)還配置MgO微粒子。另外，作為本發(fā)明的其他方式，所述MgO微粒子能夠采用氣相氧化法制作?；蛘撸材軌蛲ㄟ^燒制MgO前體來制作。另外，作為本發(fā)明的其他方式，也可以采用以下結(jié)構(gòu)放電氣體中包含分壓15%以上的Xe。以下，說明本發(fā)明的實施方式和實施例，但是，當(dāng)然本發(fā)明并非限定于這些形式，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)范疇的范圍內(nèi)，能能夠適當(dāng)?shù)馗膶嵤?lt;實施方式I >(PDPI的整體結(jié)構(gòu))
圖 是沿著本發(fā)明的實施方式I的ropi的Xz平面的示意性截面圖。該ropi除了保護(hù)膜8周邊的結(jié)構(gòu)外，整體上與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(圖15)同樣。PDPl此處采用42英寸等級的NTSC規(guī)格例的AC型，但是本發(fā)明當(dāng)然也可以適用于XGA和SXGA等其他的規(guī)格例。作為具有HD (High Def inition，高清晰度)以上的分辨率的高精細(xì)的Η)Ρ，例如，能夠展示以下的規(guī)格。在面板尺寸為37、42、50英寸的各個尺寸的情況下，能夠以相同順序設(shè)定為1024X720 (像素數(shù))、1024X768 (像素數(shù))、1366X768 (像素數(shù))。此外，還可以包括比該HD面板更高的分辨率的面板。作為具有HD以上的分辨率的面板，能夠包括配備1920X1080 (像素數(shù))的全高清面板。如圖I所示，PDPl的結(jié)構(gòu)大體分為使主面相互相對配置的第一基板(前面板2)和第二基板(背面板9)。在作為前面板2的基板的前面板玻璃3，形成有多個在其一個主面上隔開規(guī)定的 放電間隙(75 μ m)而配置的一對顯不電極對6 (掃描電極5、維持電極4)。各顯不電極對6 在由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成的帶狀的透明電極51、41 (厚度O. I μ m、寬度150μπι)上，層疊有由Ag厚膜(厚度2μπι ΙΟμπι)、Al薄膜(厚度O. I μ m I μ m)或者Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度O. I μ m I μ m)等構(gòu)成的總線52、42(厚度7 μ m、寬度95 μ m)。因該總線52、42而使透明電極51、41的薄膜電阻下降。此處，“厚膜”是指，在涂敷包括導(dǎo)電性材料的膏體等后燒制而形成的由各種厚膜法形成的膜。另外，“薄膜”是指，由包括濺射法、離子電鍍法、電子線蒸鍍法等使用真空工藝的各種薄膜法而形成的膜。在配置有顯示電極對6的前面板玻璃3，在其整個主面，用絲網(wǎng)印刷法等，形成有以氧化鉛(PbO)或氧化鉍(Bi2O3)或者氧化燐(PO4)為主成分的低熔點玻璃(厚度35 μ m)的電介質(zhì)層7。電介質(zhì)層7具有AC型PDP特有的電流限制功能，與DC型PDP相比，是實現(xiàn)延長使
用壽命的要素之一。此處，在電介質(zhì)層7的表面配置有保護(hù)膜8，在保護(hù)膜8的表面配置有規(guī)定的高Y微粒子17。該保護(hù)膜8周邊的結(jié)構(gòu)是本實施方式I的主要特征部分。保護(hù)膜8采用膜厚約為I μ m的薄膜構(gòu)成。為了保護(hù)電介質(zhì)層7不會受到放電時的離子沖擊，降低放電開始電壓，由耐濺射性和二次電子釋放系數(shù)Y優(yōu)秀的材料構(gòu)成。要求該材料具有更好的光學(xué)透明性、電絕緣性。PDPl中的保護(hù)膜8是，在11. 8mol%以上49. 4mol%以下的濃度范圍向作為主成分的CeO2添加Sr而成，整體上保持了 CeO2的微晶結(jié)構(gòu)或者晶體結(jié)構(gòu)的至少任意種的結(jié)晶性膜。如后所述，Ce是為了在該保護(hù)膜8的禁帶中形成電子能級而添加的。可知Sr濃度是25. 7mol%以上42. 9mol%以下則更佳。通過適量添加Sr元素，在保護(hù)膜8中發(fā)揮良好的二次電子釋放特性和電荷保持特性，減少I3DPl的工作電壓(主要是放電開始電壓和放電維持電壓)，從而能夠進(jìn)行穩(wěn)定的驅(qū)動。此外，如果Sr濃度是比11. 8mol%低很多的低濃度，則保護(hù)膜8的二次電子釋放特性和電荷保持特性就會變得不充分，老化需要很長時間，并不優(yōu)選。另外，如果Sr濃度是比49. 4mol%高很多的高濃度，則保護(hù)膜8的晶體結(jié)構(gòu)就從CeO2所具有的螢石結(jié)構(gòu)變成非晶結(jié)構(gòu)或者SrO所具有的NaCl結(jié)構(gòu)，CeO2所具有的表面穩(wěn)定性惡化，無法發(fā)揮充分的二次電子釋放特性，而且用于除去表面污染物的老化時間也延長。因此，作為用于一并實現(xiàn)良好的低電力驅(qū)動與降低老化時間的Sr濃度，上述的11. 8mol%以上49. 4mol%以下的濃度范圍很重要。對于保護(hù)膜8的結(jié)構(gòu)，在以線源為CuKa線的薄膜X射線分析測定中，能夠在與純粹的CeO2同等的位置確認(rèn)峰，所以能夠確認(rèn)至少保持與CeO2同樣的螢石結(jié)構(gòu)。Sr的離子半徑與Ce的離子半徑差異很大，所以如果保護(hù)膜8中的Sr濃度高(Sr添·加量過多)，則CeO2基底的螢石結(jié)構(gòu)就會崩潰，而在本發(fā)明中，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)Sr濃度，能夠保持保護(hù)膜8的晶體結(jié)構(gòu)(螢石結(jié)構(gòu))。下面，說明配置在保護(hù)膜8上的高Y微粒子17。該高Y微粒子17具有比底層的保護(hù)膜8的二次電子釋放(Y )特性高的二次電子釋放特性,例如,至少包含Ce、Sr、Ba的任意種。作為具體例子，采用至少由包含Ce、Sr、Ba的任意種的氧化物(SrCe03、BaCe03、La2Ce2O7的任意種)構(gòu)成。通過將這種特性的高Y微粒子17設(shè)置于保護(hù)膜的表面，在老化時放電區(qū)域有效地擴(kuò)大，能夠在低驅(qū)動電壓下很好地驅(qū)動，能夠提供具有高亮度、高效率的PDPl0另外，至少包含Ce、Sr、Ba的任意種的氧化物也可以是保護(hù)膜8的構(gòu)成元素(Ba作為保護(hù)膜8的原料的SrCeO3的主要雜質(zhì)而存在)。因此，即使在放電時氧化物粒子17被濺射而再次堆積在保護(hù)膜8上，在保護(hù)膜8中也不會產(chǎn)生大的組成偏離，不會使放電電壓升高。因此，在TOPI中，即使在使其長時間驅(qū)動的情況下，也能實現(xiàn)穩(wěn)定的放電電壓下的驅(qū)動。在作為背面板9的基板的背面板玻璃10，在其一個主面上，由Ag厚膜(厚度
2μ m 10 μ m)、Al薄膜(厚度O. I μ m I μ m)或者Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度O. I μ m I μ m)等的任意種構(gòu)成的數(shù)據(jù)電極11以寬度100 μ m，以X方向為長邊方向，在y方向上按一定間隔(360μπι)成條紋狀并列設(shè)置。而且，以包覆各個數(shù)據(jù)電極11的方式，在背面板玻璃9的整個表面配置有厚度30 μ m的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12上，還與相鄰的數(shù)據(jù)電極11的間隙配合地配置有井字狀的分隔壁13 (高約ΙΙΟμπκ寬40μπι)，通過劃分放電單元，發(fā)揮防止發(fā)生誤放電和光學(xué)串?dāng)_的作用。在相鄰的兩個分隔壁13的側(cè)面與其之間的電介質(zhì)層12的面上，形成有與用于彩色顯示的紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各色對應(yīng)的熒光體層14。此外，電介質(zhì)層12并非必須，也可以直接用熒光體層14包覆數(shù)據(jù)電極11。前面板2和背面板9以數(shù)據(jù)電極11和顯示電極對6的彼此的長邊方向正交的方式相對配置，兩個面板2、9的外周緣部由玻璃粉密封。在該兩個面板2、9之間以規(guī)定壓力封入有由包含He、Xe、Ne等惰性氣體成分構(gòu)成的放電氣體。分隔壁13之間是放電空間15,相鄰的一對顯不電極對6與一根數(shù)據(jù)電極11夾著放電空間15而交叉的區(qū)域，與圖像顯示的放電單元(“也稱作子像素”)對應(yīng)。放電單元間距在X方向上是675 μ m，y方向上是300 μ m。由與相鄰的RGB的各色對應(yīng)的三個放電單元構(gòu)成一個像素(675 μ mX900 μ m)。在掃描電極5、維持電極4和數(shù)據(jù)電極11各個電極上，如圖2所示，在面板外部，作為驅(qū)動電路連接有掃描電極驅(qū)動器111、維持電極驅(qū)動器112、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動器113。(PDP的驅(qū)動例)上述結(jié)構(gòu)的roPl，驅(qū)動時利用包含各個驅(qū)動器111 113的公知的驅(qū)動電路(圖中未示)，向各顯示電極對6的間隙施加數(shù)十kHz 數(shù)百kHz的AC電壓。由此，在任意的放電單元內(nèi)發(fā)生放電，主要向熒光體層14照射包括激勵Xe原子的波長147nm主體的諧振線和激勵Xe分子的波長172nm主體的分子線的紫外線(圖I的虛線和箭頭)。熒光體層14被激勵發(fā)出可視光。該可視光透過前面板2向前表面發(fā)光。作為該驅(qū)動方法的一個例子，采用場內(nèi)分時灰度等級顯示方式。該方式將所顯示的場分成多個子場(S.F.)，將各個子場進(jìn)一步分成多個期間。I個子場還被分割成以下四個期間(1)使全部放電單元處于初始化狀態(tài)的初始化期間；(2)尋址各個放電單元，對各放電單元選擇、輸入與輸入數(shù)據(jù)對應(yīng)的顯示狀態(tài)的寫入期間；(3)使處于顯示狀態(tài)的放電單元顯示發(fā)光的維持期間；(4)消去因維持放電所形成的壁電荷的消去期間。在各個子場，在初始化期間以初始化脈沖重置整個畫面的壁電荷后，在寫入期間僅在應(yīng)該點亮的放電單元進(jìn)行使壁電荷蓄積的寫入放電，在其后的放電維持期間向所有的放電單元一齊施加交流電壓(維持電壓)，由此，能夠保持一定時間放電，從而發(fā)光顯示。此處，圖3舉例表示施加于ropi的驅(qū)動波形，表示場中的第m個子場中的驅(qū)動波 形。在該例中，分別向各子場分配初始化期間、寫入期間、放電維持期間、消去期間。 初始化期間是指，為了防止此前的放電單元的點亮的影響(所蓄積的壁電荷的影響)，進(jìn)行整個畫面的壁電荷的消去(初始化放電)的期間。在圖3所示的驅(qū)動波形例中，向掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4高的電壓(初始化脈沖)，使放電單元內(nèi)的氣體放電。由此產(chǎn)生的電荷被蓄積在放電單元的壁面，以消除數(shù)據(jù)電極11、掃描電極5和維持電極4之間的電位差，所以在掃描電極5附近的保護(hù)膜8表面，負(fù)電荷作為壁電荷而被蓄積。另外，在數(shù)據(jù)電極11附近的熒光體層14表面和維持電極4附近的保護(hù)膜8表面，正電荷作為壁電荷而被蓄積。因該壁電荷，在掃描電極5 —數(shù)據(jù)電極11之間、掃描電極5 —維持電極4之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。寫入期間是指，進(jìn)行基于被分割為子場的圖像信號而選擇的放電單元的尋址(點亮/不點亮的設(shè)定)的期間。在該期間，在使放電單元點亮的情況下，向掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4低的電壓(掃描脈沖)。即，在與上述壁電位相同的方向上，向掃描電極5 —數(shù)據(jù)電極11施加電壓，并且在與壁電位相同的方向上，向掃描電極5 —維持電極4之間施加數(shù)據(jù)脈沖，使其產(chǎn)生寫入放電(寫入放電)。由此，在熒光體層14表面、維持電極4附近的保護(hù)膜8表面蓄積負(fù)電荷，在掃描電極5附近的保護(hù)膜8表面蓄積正電荷作為壁電荷。于是，在維持電極4 一掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。放電維持期間是，為了確保與灰度等級對應(yīng)的亮度，擴(kuò)大根據(jù)寫入放電而設(shè)定的點亮狀態(tài)并維持放電的期間。此處，在上述壁電荷所存在的放電單元中，以互不相同的相位分別向一對掃描電極5和維持電極4施加用于維持放電的電壓脈沖(例如,大約200V的矩形波電壓)。由此，對于顯示狀態(tài)被寫入的放電單元，每次電壓極性變化時都使其產(chǎn)生脈沖放電。因該維持放電，從放電空間中的激勵Xe原子放射147nm的諧振線，從激勵Xe分子放射173nm主體的分子線。該諧振線、分子線向熒光體層14表面照射，進(jìn)行可視光發(fā)光的顯示發(fā)光。然后，根據(jù)RGB各色的子場單位的組合，進(jìn)行多色、多灰度等級顯示。此外，在未在保護(hù)膜8中寫入壁電荷的非放電單元中，不會產(chǎn)生維持放電，顯示狀態(tài)變?yōu)楹陲@示。在消去期間，在掃描電極5上施加漸減型的消去脈沖，由此使壁電荷消去。(關(guān)于放電電壓的減少)
對具有以上的結(jié)構(gòu)的本實施方式I的ropi用比現(xiàn)有技術(shù)低的電壓就能驅(qū)動的理由進(jìn)行闡述。一般而言，PDP的放電電壓由從保護(hù)膜釋放的電子量(電子釋放特性)來決定。作為保護(hù)膜的電子釋放過程，放電氣體組成的Ne (氖)和Xe (氙)在驅(qū)動時被激勵，接受其俄歇中性化時的能量，由此，從保護(hù)膜釋放二次電子的過程成為主導(dǎo)。圖4是表示由CeO2構(gòu)成的保護(hù)膜的頻帶結(jié)構(gòu)和電子能級的示意圖。如該圖所示，存在于保護(hù)膜的價電子帶周邊的電子與保護(hù)膜的電子釋放有很大關(guān)聯(lián)。在放電氣體組成使用電離能較高的Ne的情況下，如果驅(qū)動時Ne原子被激勵，則電子就會陷入其基態(tài)(圖4中的右端的電子)。因俄歇中性化，存在于保護(hù)膜的價電子帶中的電子接受此時的能量(21. 6eV)。在該過程中，被交換的能量(21. 6eV)是足夠用于存在于價電子帶中的電子作為二次電子而被釋放的量。但是，在放電氣體組成使用電離能較低的Xe的情況下，如果驅(qū)動時Xe原子被激 勵，則電子就會陷入其基態(tài)，此時保護(hù)膜中的價電子帶的電子在俄歇中性化中獲取的能量比上述Ne的情況下少(12. leV)，所以很難說足夠用于從保護(hù)膜中良好地進(jìn)行電子釋放。因此，二次電子釋放概率變得非常低，結(jié)果是，放電氣體中的Xe分壓上升，工作電壓明顯增力口。這種情況在為了實現(xiàn)PDP的高亮度化而提高放電氣體中的Xe分壓的情況下，成為一個大的問題。此處，一般而言，在由CeO2構(gòu)成的保護(hù)膜的頻帶結(jié)構(gòu)中，如圖4所示，存在能夠在CeO2禁帶中很好地接受俄歇中性化的效果的被認(rèn)為是Ce4f的電子能級。如果利用存在于該比較淺的電子能級中的電子，則根據(jù)在Xe原子的俄歇中性化的過程中所得到的能量，也比較容易實現(xiàn)從保護(hù)膜中電子釋放，所以二次電子釋放概率增大，其結(jié)果是，能夠降低rop的驅(qū)動電壓。但是，存在于被認(rèn)為該Ce4f的電子能級中的電子數(shù)與價電子帶的電子數(shù)相比非常少，另外，電子能級本身并不穩(wěn)定。因此，降低放電電壓的效果也不充分，在保持長期穩(wěn)定的放電特性方面也留下一個課題。于是，作為TOPl的保護(hù)膜8的組成，在CeO2中添加Sr，將其濃度(Sr摩爾數(shù)相對于Sr和Ce的總摩爾數(shù)的比例)控制在11. 8mol%以上49. 4mol%以下，由此實現(xiàn)更低的電壓放電。在圖5中說明該效果。在保護(hù)膜8中，通過添加適量的Sr，在禁帶中形成雜質(zhì)能級，并且將價電子帶的上端的位置從作為現(xiàn)有的CeO2中的位置的(b)提高至(a)。通過提高價電子帶的上端的位置，利用在驅(qū)動時的俄歇中性化的過程中能夠取得的能量，從保護(hù)膜釋放的電子量(二次電子的釋放概率)上升，能夠有效地降低放電電壓。而且，在此情況下，與俄歇中性化相關(guān)而釋放的電子不僅是存在于雜質(zhì)能級中的少量的電子，也包括存在于穩(wěn)定的價電子帶中的大量的電子，所以能夠長期期待豐富的二次電子釋放特性。此外，作為能夠特別得到這種效果的條件，根據(jù)發(fā)明人的實驗可知，更優(yōu)選將Sr的添加量控制在25. 7mol%以上42. 9mol%以下。(關(guān)于亮度、效率、可靠性的上升)作為高Y微粒子17，配置至少包含Ce、Sr、Ba的任意種的微粒子，由此亮度、效率、可靠性提高，下面對其理由進(jìn)行闡述。圖6表示用于說明現(xiàn)有課題的rop的部分放大圖(驅(qū)動時的前面板附近的結(jié)構(gòu)圖)。一般采用具有高的二次電子釋放特性的材料構(gòu)成的保護(hù)膜的表面穩(wěn)定性差，在PDP制作過程中，表面氫氧化、碳酸化。由此，保護(hù)膜的表面被氫氧化、碳酸化的劣化層81覆蓋，二次電子釋放特性受到損害。對于這種劣化層81，實際上在制造工序的結(jié)束階段實施老化工序，通過在放電空間中產(chǎn)生放電，能夠一定程度地將其除去。由于在老化工序中施加非常高的電壓，所以如圖6的虛線和箭頭所示，在電場最集中的維持電極與掃描電極的內(nèi)側(cè)部分(主放電區(qū)域附近)產(chǎn)生較強(qiáng)的放電。因該強(qiáng)放電，如圖6所示，主放電區(qū)域附近的劣化層81被除去，被劣化層81覆蓋的保護(hù)膜8從放電空間15部分地露出，放電電壓明顯減少。但是，在該圖6所示的狀態(tài)下，保護(hù)膜8露出，僅在二次電子釋放特性提高的主放電區(qū)域附近有助于放電，放電難以擴(kuò)大至其他的被劣化層81所覆蓋的廣大區(qū)域(二次電子釋放特性低的放電單元區(qū)域)。在該狀態(tài)下，僅在電場集中的區(qū)域產(chǎn)生離子沖擊，放電的濺射局部地集中于該區(qū)域，所以結(jié)果是，成為縮短rop的產(chǎn)品壽命的原因。另一方面，為了提高rop的亮度、效率，必須使其有效地產(chǎn)生Xe激勵的真空紫外光，但是在放電區(qū)域不會擴(kuò)大的圖6的狀態(tài)下，不會有效地產(chǎn)生真空紫外光，亮度、效率無望提聞。因此，為了實現(xiàn)F1DP的売度化、聞效率化和提聞可罪性，必須防止上述的放電的局部化。
在ropi中，通過配置高Y微粒子17來解決這個問題。圖7表示驅(qū)動時的ropi的部分放大圖(驅(qū)動時的前面板附近的結(jié)構(gòu)圖)。此外，在圖7中，為了便于說明，以比實際大的尺寸示意性地表示配置于保護(hù)膜8上的高Y微粒子17。在TOPl中，通過在保護(hù)膜8的表面配置高Y微粒子17，高Y微粒子17對保護(hù)膜9發(fā)揮一定的保護(hù)效果，能夠防止雜質(zhì)直接附著在保護(hù)膜8的表面。因此，能夠抑制如過去那樣在保護(hù)膜8的大面積范圍形成劣化層81。另外，通過配置高Y微粒子17，在老化工序中在放電空間產(chǎn)生放電時，電場集中部并非僅在顯示電極4、5之間的主放電區(qū)域附近，以形狀效應(yīng)而分散于各高Y微粒子17的銳部等。因此，如圖中的虛線和箭頭所示，所產(chǎn)生的放電不會集中在局部，而是均勻地擴(kuò)大至整個放電單元。由此，能夠有效地除去在未設(shè)置高Y微粒子17的情況下(圖6的狀態(tài))未被除去的劣化層81，并且在TOPl的制作完成后能夠期待良好的放電規(guī)模的高效率化。另夕卜，作為高Y微粒子17的構(gòu)成元素的Ce、Sr、Ba如上所述，由于能夠提高俄歇中和的二次電子的釋放概率，所以通過配置高Y微粒子17，保護(hù)膜8的二次電子釋放特性不會受到損害。而且，高Y微粒子17的構(gòu)成元素(Ce、Sr、Ba)也是保護(hù)膜8的構(gòu)成元素，所以即使高Y微粒子17在放電中被濺射，再次堆積在保護(hù)膜8上，保護(hù)膜8附近的組成變化也少。因此，在ropi中，即使長時間的放電，也能得到穩(wěn)定的放電特性。根據(jù)以上的各種理由，在ropi中實現(xiàn)驅(qū)動時的放電規(guī)模的擴(kuò)大，能夠長期地發(fā)揮
高亮度、高效率、高可靠性等各種性能。特別是在I3DPl中，為了實現(xiàn)高效率化，例如在放電氣體組成中添加分壓15%以上的Xe的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的亮度且高效率的rop。<實施方式2>對于本發(fā)明的實施方式2，主要說明與實施方式I的差異。圖8是表示實施方式2的I3DPla的結(jié)構(gòu)的部分放大圖(驅(qū)動時的前面板附近的結(jié)構(gòu)圖)。PDPla的基本結(jié)構(gòu)與I3DPl同樣，但其在如下方面具有特征在放電空間15的面向保護(hù)膜8的表面，與高Y微粒子17 —同，分散地配置有初始電子釋放特性高的MgO微粒子16。作為高Y微粒子17、MgO微粒子16的分散密度，設(shè)定成當(dāng)從Z方向俯視放電單元20中的保護(hù)膜時，不會直接保護(hù)膜8，但是并非限定于此。例如，既可以部分地設(shè)置，也可以僅在與顯不電極對6對應(yīng)的位置設(shè)置。另外，高Y微粒子17與MgO的微粒子16的混合比率能夠適當(dāng)?shù)卣{(diào)整，例如，也可以以1:1的比率來混合。而且，對于高Y微粒子17與MgO微粒子16的各個平均粒徑，也能夠適當(dāng)?shù)卣{(diào)整。此外，在圖8中，為了便于說明，以比實際大的尺寸示意性地表示配置于保護(hù)膜8上的高Y微粒子17、MgO微粒子16。MgO微粒子16也可以以氣相法或前體燒制法的任一種方法制作。但是，根據(jù)實驗可知，如果以后述的前體燒制法制作，則就能夠得到性能特別好的MgO微粒子16。在具有這種結(jié)構(gòu)的I3DPla中，成倍地發(fā)揮功能被相互分離的保護(hù)膜8和MgO微粒 子16、高Y微粒子17的各個特性。即，在驅(qū)動時與I3DPl同樣，利用以11. 8mol%以上49. 4mol%以下的濃度添加Sr的保護(hù)膜8，二次電子釋放特性得以提高，工作電壓得以降低，實現(xiàn)低電力驅(qū)動。另外，因電荷保持特性的提高，在驅(qū)動過程中，上述的二次電子釋放特性隨時間經(jīng)過穩(wěn)定地持續(xù)。另外，通過設(shè)置高Y微粒子17，能夠抑制老化工序中的保護(hù)膜8上的放電集中，有效地除去劣化層81，從而實現(xiàn)高效率化。PDPla制作完成后，即使在驅(qū)動時的放電中被濺射的高Y微粒子17再次附著在保護(hù)膜8上，也能夠?qū)⒔M成變化抑制得較小，有望延長使用壽命O而且，在I3DPla中，因與高Y微粒子17—同配置的MgO微粒子16，初始電子釋放特性得以提高。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)放電響應(yīng)性得到大幅改善，放電延遲和放電延遲的溫度依賴性問題得以減少的rop。在配備高精細(xì)單元、且利用寬度短的脈沖而高速驅(qū)動的rop中，在獲得好的圖像顯示性能方面，該效果特別有效。而且，通過配置MgO微粒子16，能夠防止雜質(zhì)從放電空間15直接附著在保護(hù)膜8的表面，并且能夠進(jìn)一步提高rop的壽命特性。(關(guān)于MgO微粒子16)對于設(shè)置于TOPla的MgO微粒子16，根據(jù)本發(fā)明人所做的實驗，可以確認(rèn)有兩個效果主要抑制寫入放電中的“放電延遲”的效果和改善“放電延遲”的溫度依賴性的效果。因此，在本實施方式2中，MgO微粒子16是利用比保護(hù)膜8更高的初始電子釋放特性優(yōu)秀的性質(zhì)，在保護(hù)膜8的表面作為驅(qū)動時的初始電子釋放部而配置的。“放電延遲”的主要原因在于，在放電開始時，作為觸發(fā)器的初始電子從保護(hù)膜8的表面向放電空間15中釋放的量不足。于是，為了對針對放電空間15的初始電子釋放性有效地做出貢獻(xiàn)，將與保護(hù)膜8相比初始電子釋放量極大的MgO微粒子16分散配置于保護(hù)膜8的表面。由此，在尋址期間所需的初始電子從MgO微粒子16大量地釋放，以消除放電延遲。通過得到這種初始電子釋放特性，PDPla在高精細(xì)等情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)放電響應(yīng)性好的聞速驅(qū)動。而且，作為在保護(hù)膜8的表面配置這種MgO微粒子16的結(jié)構(gòu)，除了主要抑制寫入放電中的“放電延遲”的效果外，還有改善“放電延遲”的溫度依賴性的效果。如上所述，在TOPla中，通過將發(fā)揮低電力驅(qū)動和二次電子釋放特性、電荷保持特性等各個效果的保護(hù)膜8和發(fā)揮放電延遲及其溫度依賴性的抑制效果的MgO微粒子16組合，作為ropi整體，在具有高精細(xì)的放電單元的情況下，也能夠用低電壓驅(qū)動高速驅(qū)動，且能夠期待抑制不亮單元的發(fā)生的高品質(zhì)的圖像顯示性能。而且，通過MgO微粒子16層疊地設(shè)置于保護(hù)膜8的表面，與高Y微粒子17—同對該保護(hù)膜8也具有一定的保護(hù)效果。保護(hù)膜8具有高的二次電子釋放系數(shù)，能夠進(jìn)行rop的低電力驅(qū)動，另一方面，還具有水和二氧化碳、烴等雜質(zhì)的吸附性較高的性質(zhì)。如果發(fā)生雜質(zhì)的吸附，則二次電子釋放特性等放電的初始特性就會受到損害。于是，如果用高Y微粒子17和MgO微粒子16兩者來覆蓋這種保護(hù)膜8，則能夠有效地防止雜質(zhì)從放電空間15附著在保護(hù)膜8的表面。由此，也有望提高TOP的壽命特性。另外，高Y微粒子17和MgO微粒子16均如上所述，對二次電子釋放產(chǎn)生良好的作用，所以不會導(dǎo)致放電特性的下降。< PDP的制造方法>下面，對上述各實施方式中的I3DPl和Ia的制造方法進(jìn)行展示。I3DPl與Ia的不同之處只是配置在保護(hù)膜8上的微粒子的種類，其他的制造工序相同。 (背面板的制作)在厚度約2. 6mm的由鈉鈣玻璃構(gòu)成的背面板玻璃10的表面上，用絲網(wǎng)印刷法，以一定間隔成條紋狀涂敷以Ag為主成分的導(dǎo)電體材料，形成厚度數(shù)μ (例如約5μπ )的數(shù)據(jù)電極11。作為數(shù)據(jù)電極11的電極材料，也能夠根據(jù)需要使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金屬和各種金屬的碳化物和氮化物等導(dǎo)電性陶瓷等材料和它們的組合、或者將它們層疊而形成的層疊電極。此處，為了將預(yù)定制作的I3DPl形成40英寸等級的NTSC規(guī)格或者VGA規(guī)格，將相鄰的兩個數(shù)據(jù)電極11的間隔設(shè)定在O. 4_程度以下。接下來，在形成了數(shù)據(jù)電極11的背面板玻璃10的整個表面，以約20 30μπι的厚度涂敷由鉛類或者非鉛類的低熔點玻璃和SiO2材料構(gòu)成的玻璃膏體并進(jìn)行燒制，形成電介質(zhì)層12。接著，在電介質(zhì)層12的面上以規(guī)定的圖案形成分隔壁13。涂敷低熔點玻璃材料膏體，使用噴砂法或光刻法，以分割與相鄰放電單元(圖示省略)的交界周圍的方式，以分割行和列的井字形狀的圖案(參照圖10)形成放電單元的多個排列。分隔壁13形成之后，在分隔壁13的壁面與分隔壁13之間露出的電介質(zhì)層12的表面，涂敷包括在AC型rop中通常使用的紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體、藍(lán)色(B)熒光體的任意種的熒光墨粉。將其干燥、燒制，分別作為熒光體層14 (14R、14G、14B)。能夠應(yīng)用的RGB各色熒光的化學(xué)組成例如下所示。紅色熒光體(Y.Gd) BO3: Eu綠色突光體Zn2Si04:Mn藍(lán)色突光體BaMgAlltlO17:Eu各熒光體材料的形態(tài)最好是平均粒徑為2. O μ m的粉末。將其以50質(zhì)量百分比的比例放入托盤內(nèi)，投放乙基纖維素I. O質(zhì)量百分比、溶劑(a -松油醇)49質(zhì)量百分比，用混砂機(jī)攪拌混合，制作15X KT3Pa *s的突光體墨粉。然后，將其在泵中，從直徑60 μ m的噴嘴向分隔壁13之間噴射涂敷。此時，使面板在分隔壁20的長邊方向上移動，成條紋狀涂敷熒光體墨粉。然后，在50(TC下燒制10分鐘，形成熒光體層14。
通過以上方式，背面板9制作完成。此外，在上述方法例中，前面板玻璃3和背面板玻璃10采用由鈉鈣玻璃構(gòu)成的材料，但是這只是列舉的一例材料，也可以采用其它的材料。(前面板2的制作)在由厚度約2. 6mm的鈉鈣玻璃構(gòu)成的前面板玻璃3的面上制作顯示電極對6。此處，表示采用印刷法形成顯示電極對6的例子，但是除此之外，也可以采用模涂(die coat)法、刮涂(blade coat)法等形成。首先，將IT0、Sn02、Zn0等透明電極材料最終以約IOOnm的厚度且以條紋等規(guī)定的圖案涂敷在前面板玻璃上，并使其干燥。由此，制作多個透明電極41、51。另一方面，對在Ag粉末和有機(jī)展色劑(Organic vehicle)中混合感光性樹脂(光分解性樹脂)而成的感光性膏體進(jìn)行調(diào)整，將其重疊地涂敷在上述透明電極41、51上，用·具有所形成的顯示電極的圖案的掩膜將其覆蓋。然后，從該掩膜上經(jīng)過曝光、顯影工序，在590 600°C左右的燒制溫度下燒制。由此，在透明電極41、51上形成最終厚度數(shù)μ m的總線42、52，形成顯示電極對6。根據(jù)該光掩模法，與現(xiàn)有技術(shù)以ΙΟΟμπι的線寬為限的絲網(wǎng)印刷法相比，能夠?qū)⒖偩€42、52細(xì)化至30 μ m左右的線寬。作為總線42、52的金屬材料，除了Ag之外，也能夠使用Pt、Au、Al、Ni、Cr、或者氧化錫、氧化銦等。對于總線42、52，除了上述方法之外，也可以采用蒸鍍法、濺射法等在成膜電極材料后，實施蝕刻處理而形成。接著，從所形成的顯示電極對6上，涂敷混合有軟化點為550°C 600°C的鉛類或者非鉛類的低熔點玻璃和SiO2材料粉末與二甘醇丁醚醋酸酯等構(gòu)成的有機(jī)粘合劑的膏體。在550°C 650°C左右燒制,形成最終厚度為膜厚數(shù)μπι 數(shù)十μ m的電介質(zhì)層7。(保護(hù)膜8的制作)首先，對采用電子束蒸鍍法形成保護(hù)膜8的情況進(jìn)行說明。準(zhǔn)備蒸鍍源用顆粒。該顆粒的制作方法是，首先，將CeO2粉末與作為堿土類金屬元素的碳酸化物的碳酸Sr粉末混合，將該混合粉末加入模具中并加壓成型。然后，將其放入氧化鋁坩堝中，在大氣中在1400°C左右的溫度下大約燒制30分鐘，由此得到燒結(jié)體(顆粒)。將該燒制體或顆粒放入電子束蒸鍍裝置的蒸鍍坩堝中，將其作為蒸鍍源，在電介質(zhì)層7的表面，形成在CeO2中包含11. 8mol%以上49. 4mol%以下濃度的Sr的保護(hù)膜8。Sr濃度的調(diào)整是在得到放入氧化鋁坩堝中的混合粉末的階段，調(diào)節(jié)CeO2與碳酸Sr的混合比率來進(jìn)行的。由此，PDPl的保護(hù)膜制作完成。此外，保護(hù)膜8的成膜方法并不僅限電子束蒸鍍法，濺射法、離子電鍍法等公知的方法也同樣適用。下面，對制作至少包含Ce、Sr、Ba的高Y微粒子的方法進(jìn)行說明。(高γ微粒子17的制作)為了制作高Y微粒子17，作為原料粉，使用CeO2、碳酸Sr、碳酸Ba。至少包含它們的一種，作為混合粉末，選擇不妨礙二次電子釋放特性的CeO2、碳酸Sr、碳酸Ba、La203、SnO等粉末，將混合有它們的粉末放入氧化鋁坩堝中，在大氣中在1400°C左右的溫度下進(jìn)行大約30分鐘的燒制。由此，得到包含上述所選擇的混合粉末的組成的高Y微粒子17。將根據(jù)上述方法得到的高Y微粒子17分散在溶劑中。然后，根據(jù)噴涂法和絲網(wǎng)印刷法、靜電涂敷法，使該分散液分散地散布于保護(hù)膜8的表面。之后，經(jīng)過干燥、燒制工序以除去溶劑，使高Y微粒子17固定于保護(hù)膜8的表面。根據(jù)以上的方法能夠配置ropi的保護(hù)膜8、高Y微粒子17。另一方面，在制造I3DPla的情況下，以與上述同樣的方法，在保護(hù)膜8上配置MgO微粒子16、高Y微粒子17。此處，MgO微粒子16能夠以以下所示的氣相合成法或前體燒制法的任一種方法制造。[氣相合成法]在充滿惰性氣體的氣氛下加熱鎂金屬材料(純度99. 9%)。保持該加熱狀態(tài)，并且在氣體氛圍中導(dǎo)入少量氧氣，使鎂直接氧化，由此制作MgO微粒子16。[前體燒制法]
接著，在高溫(例如700°C以上)下均勻地?zé)埔韵滤故镜腗gO前體，使其漸冷得到MgO微粒子。作為MgO前體，例如，能夠選擇醇鎂(Mg (OR)2),乙酰丙酮鎂(Mg (acac) 2)、氫氧化鎂(Mg(0H)2)、碳酸鎂、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgSO4)、硝酸鎂(Mg(N03)2)、草酸鎂(MgC2O4)中的任一種或者一種以上(也可以混合使用兩種以上)。此外，根據(jù)所選擇的化合物，通常，也選擇水合物的形態(tài)，但是也可以使用這種水合物。調(diào)整作為MgO前體的鎂化合物，使燒制后得到的MgO的純度為99. 95%以上，最佳值是99. 98%以上。這是因為，如果在鎂化合物中，混入一定量以上的各種堿金屬、B、Si、Fe、Al等雜質(zhì)元素，則在熱處理時就會產(chǎn)生多余的粒子間粘連和燒制，難以得到高結(jié)晶性的MgO微粒子。因此，通過除去雜質(zhì)元素等來預(yù)先調(diào)整前體。通過實施上述任一種方法,能夠得到高品質(zhì)的MgO微粒子16。(PDP 的完成)使用密封用玻璃將所制作的前面板2與背面板9粘合起來。之后，將放電空間15的內(nèi)部排氣至高真空(I. OX 10_4Pa)左右，以規(guī)定壓力(此處是66. 5kPa IOlkPa)在其中封入Ne - Xe類和He — Ne — Xe類、Ne — Xe — Ar類等放電氣體。此處，在本發(fā)明中，設(shè)置具有上述組成的保護(hù)膜8和高Y微粒子17，所以即使在15%以上的分壓下封入Xe，也能夠得到高效率的rop。經(jīng)過以上的各個工序，PDPl或Ia制作完成。(性能確認(rèn)實驗)接下來，為了確認(rèn)本發(fā)明的特性，準(zhǔn)備僅保護(hù)膜8周邊的結(jié)構(gòu)不同的以下的樣品I 24 的 PDP。作為表示以CeO2為主體的膜(保護(hù)膜)中的Sr量的方法，使用Sr/(Sr + Ce) *100表示的原子數(shù)的比例(以下用“xs,表示)。此外，該X&的單位可以用數(shù)值或直接用(％)或者(mol%)的任一種表示，但是為了方便說明，以下用(mol%)表示。樣品I 10 (參考例I 10)相當(dāng)于實施方式I的I3DPl的結(jié)構(gòu)。其中，樣品I 4 (參考例I 4)是在CeO2中添加Sr的保護(hù)膜，具有Xs,以相同順序分別是 11. 8mol%、15. 7mol%、22. 7mol%、49. 4mol% 的保護(hù)膜。樣品11 (參考例11)在保護(hù)膜上配置規(guī)定的MgO微粒子。具體而言，樣品11 (參考例11)在CeO2中添加Sr，形成Xs,是49. 4mol%的保護(hù)膜，在其上分散地配置采用前體燒制法制作的MgO微粒子。
另一方面，樣品12 (比較例I)是最基本的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的rop，具有由采用EB蒸鍍成膜的氧化鎂構(gòu)成的保護(hù)膜(不包含Ce)。樣品13、14 (比較例2、3)是在CeO2中添加Sr的保護(hù)膜，Xsr分別依次是I. 6mol%、8. 4mol%0樣品15 20 (比較例4 9)是在CeO2中添加Sr的保護(hù)膜，具有分別依次為54. 9mol%、63. 9mol%、90. Imo 1%,98. 7mol%、99. 7mol%、100mol% 的保護(hù)膜。樣品21 23 (實施例I 3)在保護(hù)膜上分別配置規(guī)定的SrCe03、BaCe03、La2Ce207的微粒子，相當(dāng)于實施方式I的結(jié)構(gòu)。具體而言，在樣品21 23(實施例I 3)中，在CeO2中添加Sr，設(shè)置為42. 9mol%的保護(hù)膜，在其上分別分散地配置SrCe03、BaCe03、La2Ce2O7的微粒子。樣品24 (實施例4)是在樣品11 (參考例11)的保護(hù)膜上配置規(guī)定的SrCeO3的微 粒子，相當(dāng)于實施方式2的結(jié)構(gòu)。具體而言，樣品24 (實施例4)在CeO2中添加Sr，設(shè)置Xto為42. 9mol%的保護(hù)膜，在其上分散地配置SrCe03。以下的表I 3匯總表示各個樣品I 24的保護(hù)膜周邊的結(jié)構(gòu)，和使用這些結(jié)構(gòu)所得到的實驗數(shù)據(jù)。[表I]
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，其特征在于，包括 配置有多個顯示電極的第一基板；和 第二基板， 所述第一基板隔著放電空間與第二基板相對配置， 在所述放電空間充滿放電氣體的狀態(tài)下，所述第一基板與所述第二基板之間被密封，其中 在所述第一基板的面向所述放電空間的面上，配置有對CeO2添加11. 8mol%以上49. 4mol%以下濃度的Sr而成的保護(hù)膜， 在所述保護(hù)膜上，配置有具有比所述保護(hù)膜的二次電子釋放特性高的二次電子釋放特性的高Y微粒子。
2.如權(quán)利要求I所述的等離子體顯示器面板，其特征在于 所述高Y微粒子是至少包含Ce、Sr、Ba的任意種的微粒子。
3.如權(quán)利要求I所述的等離子體顯示器面板，其特征在于 所述保護(hù)膜中的Sr濃度是25. 7mol%以上42. 9mol%以下。
4.如權(quán)利要求I所述的等離子體顯示器面板，其特征在于 所述高Y微粒子由SrCe03、BaCe03、La2Ce2O7的任意種構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求I所述的等離子體顯示器面板，其特征在于 在所述保護(hù)膜的所述放電空間一側(cè)還配置有MgO微粒子。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器面板，其特征在于 所述MgO微粒子是用氣相氧化法制成的。
7.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器面板，其特征在于 所述MgO微粒子是通過對MgO前體進(jìn)行燒制而制成的。
8.如權(quán)利要求I所述的等離子體顯示器面板，其特征在于 所述放電氣體中包含分壓15%以上的Xe。
全文摘要
提供一種能夠改善保護(hù)膜周邊的結(jié)構(gòu)，發(fā)揮優(yōu)秀的二次電子釋放特性，且能夠期待高效率化和長壽命化的PDP。而且，還提供一種能夠防止驅(qū)動時的放電延遲的發(fā)生，即使是高速驅(qū)動的高精細(xì)的PDP也能期待發(fā)揮高品質(zhì)的圖像顯示性能的PDP。具體而言，在電介質(zhì)層(7)的放電空間一側(cè)的面上，作為用作膜厚約為1μm的表面層的保護(hù)膜(8)，形成在CeO2中添加濃度為11.8mol%以上49.4mol%以下的Sr的結(jié)晶性膜。在其上，配置比保護(hù)膜(8)高的二次電子釋放特性的高γ微粒子(17)。由此，提高保護(hù)膜(8)的二次電子釋放特性、亮度，效率、可靠性。
文檔編號H01J11/12GK102893366SQ20118002297
公開日2013年1月23日 申請日期2011年5月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月7日
發(fā)明者福井裕介, 西谷干彥, 坂井全弘, 岡藤美智子, 奧井彌生, 本多洋介, 山內(nèi)康弘, 井上修, 淺野洋 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社