專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(PDP)。更具體地講，本發(fā)明涉及PDP的電極和采用這種電極結(jié)構(gòu)的PDP，所述PDP可易于制造、亮度高且功耗低。
背景技術(shù)：
用作傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)的替代品的PDP是通過(guò)對(duì)兩個(gè)基底之間的放電氣體施加放電電壓來(lái)顯示圖像的顯示裝置?？沈?qū)動(dòng)基底上的電極以產(chǎn)生紫外(UV)線，紫外線可激發(fā)設(shè)置在基底之間的熒光體材料。
圖1示出了公知的交流(AC)三電極型表面放電PDP 10。如圖1中所示，PDP10可包括上面板50和下面板60，其中，可在上面板50上為用戶顯示圖像，下面板60可與上面板50平行地結(jié)合。上面板50可包括設(shè)置在前基底11上的維持電極對(duì)12，各維持電極對(duì)12可包括X電極31和Y電極32。尋址電極22可設(shè)置在下面板60的后基底21上，并且可布置成與X電極31和Y電極32垂直。第一介電層15和第二介電層25可分別形成在前基底11的表面上和后基底21的表面上，以覆蓋維持電極12和尋址電極22。由例如MgO制成的保護(hù)層16可形成在第一介電層15的后表面上。障肋30可設(shè)置在第二介電層25的前表面上，障肋30用來(lái)保持放電距離并防止放電室70之間的電串?dāng)_和光串?dāng)_。熒光體26，例如紅色、綠色和藍(lán)色熒光體，可沉積在障肋30的側(cè)面上和第二介電層25的前表面沒(méi)有形成障肋30的部分上。
每個(gè)X電極31可包括透明電極31a和匯流電極31b，每個(gè)Y電極32可包括透明電極32a和匯流電極32b。一對(duì)X電極31和Y電極32與尋址電極22中的一個(gè)的疊置部分分別形成放電室70，即，形成放電單元，其中，所述尋址電極中的一個(gè)與這對(duì)X電極31和Y電極32交叉。透明電極31a和32a可由透明導(dǎo)電材料制成，例如由摻雜銦的錫氧化物(ITO)制成，這種透明導(dǎo)電材料可在允許由熒光體層26發(fā)射的光透射到前基底11(即，沒(méi)有阻擋由熒光體層26發(fā)射的光透射到前基底11)的同時(shí)引起放電。然而，通常，這樣的透明導(dǎo)電材料例如ITO具有高電阻。因而，如果放電維持電極僅包括透明電極31a和32a，則沿著維持電極12的電壓降增大，從而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)功耗較大且響應(yīng)速度減慢。為了克服這些缺點(diǎn)，由導(dǎo)電材料例如金屬制成的匯流電極31b和32b分別形成在透明電極31a和32a上。用于匯流電極31b和32b的導(dǎo)電材料不透明并阻擋由熒光體層26發(fā)射的光透射到前基底11。因而，匯流電極31b和32b形成為具有窄的寬度，從而由熒光體層26發(fā)射的光可透射到前基底11。
需要單獨(dú)的工藝來(lái)形成維持電極的匯流電極和透明電極。因而，提高了這種PDP的成本并增加了其制造時(shí)間。
因而，正在開(kāi)發(fā)形成僅具有匯流電極的維持電極的技術(shù)。然而，當(dāng)使用通常的匯流電極結(jié)構(gòu)時(shí)，亮度低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種PDP的電極結(jié)構(gòu)和采用這種電極結(jié)構(gòu)的PDP，從而基本克服了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而帶來(lái)的問(wèn)題的中一個(gè)或多個(gè)。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的特征在于提供一種可容易制造的PDP。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的單獨(dú)特征在于提供一種高亮度的PDP。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的單獨(dú)特征在于提供一種低功耗的PDP。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的單獨(dú)特征在于提供一種對(duì)于維持電極的電極部分和連接部分具有特定線寬的PDP，該P(yáng)DP提高了亮度且降低了功耗。
因此，本發(fā)明實(shí)施例的單獨(dú)特征在于提供一種可采用可在單個(gè)工藝步驟期間形成和/或采用一類(lèi)材料的維持電極的PDP，從而降低了PDP的成本和/或簡(jiǎn)化了PDP的制造工藝。
本發(fā)明的上述和其他特征及優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可通過(guò)提供一種等離子體顯示面板(PDP)來(lái)實(shí)現(xiàn)，該等離子體顯示面板包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)，并隔開(kāi)預(yù)定的距離；多個(gè)維持電極對(duì)，置于第一基底和第二基底之間，用來(lái)產(chǎn)生放電，多個(gè)維持電極對(duì)中的每個(gè)維持電極包括多個(gè)電極部分和電連接電極部分的連接部分，其中，連接部分之一的線寬(S)與電極部分之一的線寬(B)的相對(duì)比(S/B)滿足1.00≤S/B≤1.70的關(guān)系。
每個(gè)維持電極的電極部分可互相平行地延伸。每個(gè)維持電極可包括二至四個(gè)互相平行延伸的電極部分。連接部分和電極部分可互相垂直地延伸。電極部分的線寬可以為大約20μm至大約150μm。每個(gè)維持電極的電極部分的線寬可以基本相等。每個(gè)維持電極的連接部分和電極部分可成為一體。連接部分可設(shè)置在放電室的大致中心部分。
維持電極可以由導(dǎo)電金屬材料和陶瓷材料中的至少一種制成。維持電極可以由選自于由Ag、Pt、Pd、Ni和Cu組成的組中的至少一種金屬材料制成。維持電極可以由摻雜銦的錫氧化物和摻雜銻的錫氧化物中的至少一種形成。維持電極可包含碳納米管。
本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)中的至少一種可單獨(dú)地通過(guò)提供一種PDP來(lái)實(shí)現(xiàn)，該P(yáng)DP包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)并隔開(kāi)預(yù)定的距離；多個(gè)障肋單元，置于第一基底和第二基底之間，且至少部分地限定多個(gè)放電室；尋址電極，跨過(guò)放電室延伸；多個(gè)維持電極對(duì)，與尋址電極相交，可引起放電，并可包括多個(gè)與尋址電極交叉的電極部分和電連接電極部分的連接部分；熒光體層，形成在放電室中；放電氣體，在放電室中，其中，連接部分之一的線寬(S)和電極部分之一的線寬(B)的相對(duì)比(S/B)滿足1.00≤S/B≤1.70的關(guān)系。
每個(gè)維持電極的連接部分可設(shè)置在每個(gè)放電室中。PDP可包括光吸收層，用于吸收從PDP的外部入射的光。障肋單元可包括與尋址電極平行設(shè)置的第一障肋和與第一障肋交叉設(shè)置的第二障肋，光吸收層可設(shè)置成與第二障肋至少局部疊置。光吸收層可以以帶狀形成。光吸收層的線寬可以為大約50μm至大約200μm。PDP還可包括覆蓋維持電極的第一介電層和覆蓋尋址電極的第二介電層。


通過(guò)參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，本發(fā)明的上述和其他特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，附圖中圖1示出了公知PDP的分解透視圖；圖2示出了采用本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的PDP的示例性實(shí)施例的分解透視圖；圖3示出了沿著圖2中的III-III線截取的圖2中示出的PDP的剖視圖；
圖4示出了圖2中示出的放電室和維持電極的平面圖；圖5示出了全白亮度關(guān)于維持電極的連接部分的線寬與電極部分的線寬的相對(duì)比的曲線圖；圖6示出了執(zhí)行圖5的實(shí)驗(yàn)時(shí)的功耗的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將在下文參照附圖來(lái)更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。當(dāng)然，提供的這些實(shí)施例使得本公開(kāi)完整且完全，而且會(huì)將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了舉例說(shuō)明的清晰起見(jiàn)，夸大了層和區(qū)域的大小。還要明白，當(dāng)層被稱(chēng)作“在另一層或基底上”時(shí)，該層可直接在另一層或基底上，或者也可存在中間層。另外，要明白，當(dāng)層被稱(chēng)作“在另一層下”時(shí)，該層可直接在另一層下，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還要明白，當(dāng)層被稱(chēng)作“在兩層之間”時(shí)，該層可以是這兩層之間唯一的層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。
在圖2至圖4中示出了等離子體顯示面板(PDP)100的示例性實(shí)施例。圖2示出了PDP100的分解透視圖，圖3示出了沿著圖2中的III-III線截取的圖2中示出的PDP100的剖視圖，圖4示出了圖2中示出的放電室170、障肋單元130、維持電極112和尋址電極122的平面圖。
PDP100可包括第一基底111、第二基底121、維持電極對(duì)112、尋址電極122、障肋單元130、保護(hù)層116、熒光體層126、第一介電層115、第二介電層125和放電氣體(未示出)。
第一基底111可由具有優(yōu)良的透光性能的材料制成，例如由玻璃制成。然而，第一基底111可被著色來(lái)減少被反射的光，從而提高亮室對(duì)比度。第二基底121可面對(duì)第一基底111，并可與第一基底111隔開(kāi)預(yù)定的距離。第二基底121可由具有優(yōu)良的透光性能的材料制成，例如由玻璃制成。第二基底121可被著色來(lái)減少被反射的光。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，由放電室170產(chǎn)生的可見(jiàn)光線可經(jīng)過(guò)第一基底111和/或第二基底121發(fā)射到外面。然而，在下面描述的示例性實(shí)施例中，可見(jiàn)光線經(jīng)過(guò)第一基底111發(fā)射到外面。
可至少部分地限定放電室170的障肋單元130可置于第一基底111和第二基底121之間。在放電室170中可發(fā)生放電。障肋單元130可減少和/或防止放電室170之間的光串?dāng)_。在本發(fā)明的實(shí)施例中，障肋單元130可包括第一障肋130a，可例如沿著y方向與尋址電極122平行地延伸；第二障肋130b，可例如沿著x方向與第一障肋130a垂直地延伸。然而，障肋的結(jié)構(gòu)不局限于上面描述的結(jié)構(gòu)，只要可形成放電空間，就可形成開(kāi)放式障肋圖案例如帶狀圖案，或者可形成封閉式障肋圖案，例如網(wǎng)格、矩陣或三角形圖案。在封閉式障肋圖案中，放電空間的剖面可以是除如圖2至圖4中示出的示例性實(shí)施例所示的矩形之外的多邊形，例如三角形或五邊形、圓形或橢圓形。
維持電極對(duì)112可以以預(yù)定的間隔例如平行排列在第一基底111的面對(duì)第二基底121的表面上。各維持電極對(duì)112可包括X電極180和Y電極190。X電極180和Y電極190可引起放電室170中的等離子體放電。
X電極180的每個(gè)可包括多個(gè)部分，例如包括第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184。第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183可例如互相平行排列且它們之間有預(yù)定的距離。第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183可與尋址電極122垂直地延伸，例如在x方向上延伸。第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183可以以這樣的方式順序地排列例如，第一電極部分181可基本排列在放電室170的一側(cè)，第三電極部分183可基本排列在放電室170的中心，第二電極部分182可基本排列在第一電極部分181和第三電極部分183之間。如下面所討論的，Y電極190與同一放電室170關(guān)聯(lián)的相應(yīng)的一個(gè)可以對(duì)稱(chēng)排列，如下面所討論的，Y電極190可跨過(guò)放電室170的另一側(cè)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，X電極180的每個(gè)可包括第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183。然而，本發(fā)明不局限于這種結(jié)構(gòu)。即，如果每個(gè)X電極180包括多個(gè)電極部分，并且可包括多于三個(gè)或小于三個(gè)的電極部分，例如包括2個(gè)、4個(gè)、6個(gè)等電極部分，則也可滿足需要。
一個(gè)X電極180的每個(gè)連接部分184可電連接第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183中相鄰的兩個(gè)。如圖2中所示，多個(gè)連接部分184可與各放電室170關(guān)聯(lián)。在下文中描述的本發(fā)明的實(shí)施例中，為了連接X(jué)電極180中的與放電室170之一關(guān)聯(lián)的一個(gè)的第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183，兩個(gè)連接部分184基本沿著放電室170之一的中心延伸且基本垂直于這些電極部分，即沿著y方向延伸。例如，連接部分184中的一個(gè)可將第一電極部分181與第二電極部分182連接，而連接部分184中的另一個(gè)可將第二電極部分182與第三電極部分183連接。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，與放電室170之一關(guān)聯(lián)的各連接部分184可例如沿著y方向排成一行。在本發(fā)明的實(shí)施例中，與放電室170之一關(guān)聯(lián)的各連接部分184可以不排成一行(未示出)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，連接部分184可采用這樣一種方式，即，連接部分184中的至少一個(gè)存在于X電極180中與放電室之一關(guān)聯(lián)的一個(gè)的每對(duì)相鄰的電極部分181、182和183之間。然而，本發(fā)明不局限于上面描述的排列。
X電極180中的每個(gè)的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184可由各種導(dǎo)電材料制成，并且可由包含例如金屬元素或陶瓷成分的材料制成。金屬元素的示例包括例如Ag、Pt、Pd、Ni和Cu，陶瓷成分的示例包括例如摻雜銦的錫氧化物(ITO)和摻雜銻的錫氧化物(ATO)。X電極180中的每個(gè)的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184可由包含例如碳納米管的材料制成，從而增加二次電子。
X電極180中的每個(gè)的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184可具有單層結(jié)構(gòu)。X電極180中的每個(gè)的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184可具有多層結(jié)構(gòu)。如果X電極180中的每個(gè)的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184具有多層結(jié)構(gòu)，則各層可由相同或不同的材料制成。
為了簡(jiǎn)化制造工藝，可使X電極180中的每個(gè)的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184成為一體。例如，X電極180中的每個(gè)可以以利用例如光敏糊的印刷方法形成為厚層，或者可以以濺射或蒸發(fā)方法形成為薄層。
如圖4中所示，在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183可形成為沿著y方向具有線寬B，連接部分184可沿著x方向具有線寬S。
為了提高亮度并降低功耗，連接部分184的線寬S與第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183的線寬B的相對(duì)比(S/B)可滿足1.00≤S/B≤1.70的關(guān)系，第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183的線寬B可為大約20μm至大約150μm。在下文將更詳細(xì)地描述第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183的線寬B與連接部分184的線寬S。
Y電極190中的每個(gè)可包括第一電極部分191、第二電極部分192、第三電極部分193和連接部分194。為了促進(jìn)產(chǎn)生均勻的放電，Y電極190可在各放電室170中與X電極190對(duì)稱(chēng)地形成。因?yàn)榈谝浑姌O部分191、第二電極部分192、第三電極部分193和連接部分194的結(jié)構(gòu)、功能和材料與X電極180的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和連接部分184的結(jié)構(gòu)、功能和材料相似，所以將省略對(duì)它們的描述。
如上面所討論的，對(duì)于放電室170之一，對(duì)應(yīng)的X電極的相應(yīng)的第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183可基本排列在放電室170的一側(cè)，而對(duì)應(yīng)的Y電極190的相應(yīng)的第一電極部分191、第二電極部分192和第三電極部分193可排列在放電室170的另一側(cè)。例如，第一電極部分191可基本排列在放電室170的一側(cè)，第三電極部分193可基本排列在放電室170的中心，第二電極部分192可基本排列在Y電極190的第一電極部分191和第三電極部分193之間，而X電極180的第三電極部分183可基本排列在放電室的中心，第一電極部分181可基本排列在放電室170的另一側(cè)，第二電極部分182可基本排列在X電極180的第一電極部分181和第三電極部分183之間。預(yù)定的空間可存在于放電室170之一的電極部分181、182、183、191、192、193中相鄰的電極部分之間，從而預(yù)定的空間存在于例如X電極180的第三電極部分183和Y電極的第三電極部分193之間。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在與一個(gè)放電室170關(guān)聯(lián)的電極部分181、182、183、191、192和193中相鄰的電極部分之間可存在不同的距離。在本發(fā)明的實(shí)施例中，雖然在與一個(gè)放電室170關(guān)聯(lián)的電極部分181、182、183、191、192和193中相鄰的電極部分之間可存在不同的距離，但是對(duì)于每個(gè)放電室170，可重復(fù)距離的圖案。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，與同一放電室170關(guān)聯(lián)的X電極180的第三電極部分183和Y電極190的第三電極部分193之間的空間可小于其它電極部分對(duì)之間的預(yù)定空間，例如，小于X電極之一的第一電極部分181和第二電極部分182之間的預(yù)定空間。如下面所討論的，與同一放電室170關(guān)聯(lián)的對(duì)應(yīng)的Y電極190中的一個(gè)可按如下所討論的跨過(guò)放電室170的另一側(cè)來(lái)對(duì)稱(chēng)排列。
光吸收層140可設(shè)置在相鄰的維持電極對(duì)112之間，例如設(shè)置在每對(duì)X電極180之一和Y電極190之一之間。光吸收層140可設(shè)置在第一基底111的與第二障肋130b對(duì)應(yīng)的部分上。光吸收層140可吸收入射至其上的外部光以降低反射的亮度，從而提高亮室對(duì)比度。當(dāng)光吸收層140由與X電極180和Y電極190的材料相同的材料制成時(shí)，可在同一工藝期間形成光吸收層140與X電極180和Y電極190，從而簡(jiǎn)化了PDP100的制造工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，光吸收層140的線寬C可為大約50μm至大約200μm。
第一介電層115可形成在第一基底111上，以覆蓋X電極180和Y電極190。第一介電層115可由介電材料制成，這種介電材料防止相鄰的X電極180和Y電極190在放電期間短路，并通過(guò)減少和/或防止在放電期間正離子或電子與X電極180和Y電極190直接碰撞來(lái)防止對(duì)X電極180和Y電極190的損壞。壁電荷可形成在第一介電層115上。介電材料的示例包含例如PbO、B2O3和SiO2。
由例如MgO制成的保護(hù)層116可形成在第一介電層115上。保護(hù)層116通過(guò)減少和/或防止在放電期間正離子和電子與第一介電層115的碰撞來(lái)減少和/或防止對(duì)第一介電層115的損壞。保護(hù)層116可具有優(yōu)良的透光性能，并可在放電期間發(fā)射二次電子。保護(hù)層116可利用例如濺射、電子束沉積等方法形成為例如薄層。
尋址電極122可在第二基底121面對(duì)第一基底111的表面上與X電極180和Y電極190垂直地形成。尋址電極122可產(chǎn)生尋址放電，從而促進(jìn)X電極180和Y電極190之間的維持放電。尋址電極122可以降低主放電發(fā)生處的電壓。尋址放電可發(fā)生在Y電極190和尋址電極122之間。當(dāng)尋址放電結(jié)束時(shí)，正離子可積聚在Y電極190上，電子可積聚在X電極180上。結(jié)果，促進(jìn)了隨后的X電極180和Y電極190之間的維持放電。
第二介電層125可形成在第二基底121上，以覆蓋尋址電極122。第二介電層125可由介電材料形成，并可通過(guò)防止在放電期間正離子或電子與尋址電極122碰撞來(lái)防止和/或減少對(duì)尋址電極122的損壞。另外，在第二介電層125內(nèi)感應(yīng)壁電荷。介電材料的示例包含例如PbO、B2O3和SiO2。
從其可發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的熒光體層126可形成在第二介電層125上。在本發(fā)明的實(shí)施例中，熒光體層126可形成在除了形成有障肋單元130之外的第二介電層125上，并可形成在障肋單元130的側(cè)壁上。熒光體層126可接收UV光并可發(fā)射可見(jiàn)光。用于分別發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的熒光體層126可分別形成在紅色、綠色和藍(lán)色放電室170內(nèi)。用于發(fā)射紅光的熒光體層126可包含例如Y(V，P)O4:Eu，用于發(fā)射綠光的熒光體層126可包含例如Zn2SiO4:Mn，用于發(fā)射藍(lán)光的熒光體層126可包含例如BAM:Eu。
放電氣體可填充放電室170，放電氣體可以是例如Ne和Xe的混合物。在用放電氣體填充放電室170的同時(shí)，通過(guò)在第一基底111和第二基底121的邊緣處形成的密封成分例如熔塊玻璃(frit glass)，可使第一基底111和第二基底121密封并互相結(jié)合。
下面將描述PDP100的示例性操作。
當(dāng)在尋址電極122和Y電極190對(duì)應(yīng)的電極和/或部分之間施加尋址電壓時(shí)，可發(fā)生尋址放電。尋址放電可用于尋址或選擇放電室170，在隨后的維持期期間將在所尋址或選擇的放電室170中發(fā)生維持放電。
然后，可在X電極180和Y電極190中對(duì)應(yīng)的電極或部分之間施加維持電壓，在放電室170中被尋址或被選擇的一個(gè)中，可積聚在Y電極190上的正離子和可積聚在X電極180上的電子會(huì)互相碰撞，從而產(chǎn)生維持放電?？上騒電極180和Y電極190交替地施加電壓脈沖，因而可持續(xù)地產(chǎn)生維持放電。在X電極180和Y電極190之間的維持放電期間，放電可最初發(fā)生在放電間隙可是最小的X電極180的第三電極部分183和Y電極190的第三電極部分193之間。其后，放電可持續(xù)地?cái)U(kuò)散到第二電極部分182、192和第一電極部分181、191。
UV光可以隨著維持放電期間激發(fā)的放電氣體的能級(jí)的降低而發(fā)射。發(fā)射的UV光可激發(fā)可設(shè)置在放電室170中的熒光體層126。當(dāng)激發(fā)的熒光體層126的能級(jí)降低時(shí)，可發(fā)射可見(jiàn)光，從而顯示圖像。
雖然X電極180和Y電極190可產(chǎn)生維持放電，但是X電極180和Y電極190會(huì)阻擋放電室170中產(chǎn)生的可見(jiàn)光經(jīng)過(guò)第一基底111發(fā)射到外面。當(dāng)X電極180和Y電極190的電極面積增大時(shí)，因?yàn)榭筛菀椎禺a(chǎn)生放電，所以會(huì)增加產(chǎn)生的可見(jiàn)光的量。然而，通過(guò)增大電極面積，開(kāi)口率降低，從而降低了顯示器的整體亮度，并且增加了不必要的功耗。為了克服這些問(wèn)題，需要選擇性地設(shè)計(jì)X電極和Y電極的結(jié)構(gòu)。
在下面的描述中，表面積對(duì)應(yīng)于沿著結(jié)構(gòu)的表面的面積，例如，Y電極190的第三電極部分193沿著x-z平面面向電極部分例如181、182、183、191、192、193中相鄰的一個(gè)的面積，或者Y電極190的第三電極部分193沿著y-z平面面向連接部分184、194中的一個(gè)的面積。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，因?yàn)榫S持電極112的第一電極部分181和191、第二電極部分182和192、第三電極部分183和193是產(chǎn)生等離子體放電的重要部件，所以可通過(guò)增大X電極180的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和Y電極190的第一電極部分191、第二電極部分192、第三電極部分193的表面積來(lái)使X電極和Y電極的結(jié)構(gòu)最優(yōu)化。如上面所討論的，在本發(fā)明的實(shí)施例中，維持電極112的第一電極部分181和191、第二電極部分182和192、第三電極部分183和193可彼此平行地排列。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，互相面對(duì)的X電極180的連接部分184和Y電極190的連接部分194的表面積可小于第一電極部分181和191、第二電極部分182和192、第三電極部分183和193的表面積。在本發(fā)明的實(shí)施例中，連接部分184和194可基本沿著放電室170的中心部分設(shè)置，放電室170的中心部分通常是放電發(fā)生最多之處。因而，連接部分184、194會(huì)對(duì)放電室170中產(chǎn)生的可見(jiàn)光的透射率有很大影響。
即使連接部分184和194具有較小的面向表面的表面積，而會(huì)使連接部分184和194與電極部分181、182、183、191、192和193不利于連接，X電極180的連接部分184也有益于促進(jìn)擴(kuò)散放電，從而，在例如X電極180的第三電極部分183與第二電極部分182之間的空間和X電極的第二電極部分182與第一電極部分181之間的空間內(nèi)可發(fā)生維持放電。同樣，Y電極190的連接部分194促進(jìn)擴(kuò)散放電，從而，在例如Y電極190的第三電極部分193與第二電極部分192之間的空間和Y電極190的第二電極部分192與第一電極部分191之間的空間內(nèi)可發(fā)生維持放電。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可根據(jù)連接部分184和194通過(guò)促進(jìn)放電提高亮度而也通過(guò)阻擋可見(jiàn)光降低亮度的特性來(lái)確定連接部分184和194的尺寸。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，X電極180的第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183和Y電極190的第一電極部分191、第二電極部分192、第三電極部分193的線寬B與X電極180的連接部分184和Y電極190的連接部分194的線寬S可用作提高亮度的參數(shù)。例如，X電極180的連接部分184的線寬S與X電極180的第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183的線寬B的相對(duì)比(S/B)是可用來(lái)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化亮度和功耗的無(wú)量綱參數(shù)。
圖5是全白亮度關(guān)于X電極180的連接部分184的線寬S與X電極180的第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183的線寬B的相對(duì)比(S/B)的曲線圖。全白亮度對(duì)應(yīng)于在PDP的所有放電室中產(chǎn)生放電時(shí)測(cè)到的亮度。
在本實(shí)施例中，X電極180的第一電極部分181、第二電極部分182和第三電極部分183的線寬B與Y電極190的第一電極部分191、第二電極部分192和第三電極部分193的線寬B保持在55μm，光吸收層140的線寬C保持在75μm。參照?qǐng)D4，X電極180的第一電極部分181與第二電極部分182之間的距離D2和X電極180的第二電極部分182與第三電極部分183之間的距離D1保持在95μm。Y電極190的第一電極部分191與第二電極部分192之間的距離E2和Y電極190的第二電極部分192與第三電極部分193之間的距離E1保持在95μm。X電極180的第三電極部分183與Y電極190的第三電極部分193之間的距離G保持在95μm。X電極180的第一電極部分181與光吸收層140之間的距離F1和Y電極190的第一電極部分191與光吸收層140之間的距離F2保持在115μm。在本實(shí)施例中，改變連接部分184和194的線寬S來(lái)改變相對(duì)比(S/B)。
參照?qǐng)D5，當(dāng)相對(duì)比(S/B)為0.70、0.85、1.00、1.20、1.30、1.50、1.70、1.90、2.10、2.30、2.49、2.70和2.80時(shí)，全白亮度分別為216.90、220.60、222.62、223.20、224.11、223.30、222.80、219.14、216.73、213.29、209.12、207.54和205.23。
當(dāng)分析圖5中示出的曲線時(shí)，當(dāng)相對(duì)比(S/B)從0.85增大到1.00時(shí)，全白亮度提高了大約0.92％。另外，當(dāng)相對(duì)比(S/B)從1.70增大到1.90時(shí)，全白亮度極大地降低了大約3.19％。具體地講，當(dāng)相對(duì)比(S/B)保持在預(yù)定的范圍1.00≤S/B≤1.70時(shí)，全白亮度高。即，當(dāng)相對(duì)比(S/B)滿足1.00≤S/B≤1.70的關(guān)系時(shí)，可使X電極180的與第一電極部分181、第二電極部分182、第三電極部分183連接的連接部分184的面積和Y電極190的與第一電極部分191、第二電極部分192、第三電極部分193連接的連接部分194的面積最優(yōu)化。結(jié)果，當(dāng)相對(duì)比(S/B)滿足下列關(guān)系1.00≤S/B≤1.70時(shí)，由于放電而使亮度的提高程度相對(duì)大于由可見(jiàn)光的阻擋導(dǎo)致的亮度的降低程度。
圖6是示出執(zhí)行圖5的實(shí)驗(yàn)時(shí)的功耗的曲線圖。參照?qǐng)D6，隨著相對(duì)比(S/B)增大，功耗增加。具體地講，當(dāng)相對(duì)比(S/B)從1.70增大到1.90時(shí)，功耗增加了1.12％。與隨著相對(duì)比(S/B)增大到1.70功耗的增加相比，隨著相對(duì)比(S/B)在1.70以上增大，功耗增加得更快。因此，當(dāng)既考慮功耗又考慮亮度時(shí)，相對(duì)比(S/B)可以是1.70或更小。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種對(duì)于維持電極的電極部分和連接部分線寬最優(yōu)化的PDP，因而，提高了亮度且降低了功耗。
本發(fā)明的實(shí)施例單獨(dú)地提供了一種可采用可在單個(gè)工藝步驟期間形成和/或采用一類(lèi)材料的維持電極的PDP，從而降低了PDP的成本和/或簡(jiǎn)化了PDP的制造工藝。
在這里已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，雖然采用了特定的術(shù)語(yǔ)，但這些術(shù)語(yǔ)僅在通常和描述性的意義上來(lái)解釋?zhuān)⒉皇浅鲇谙拗频哪康?。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員要明白，在不脫離如權(quán)利要求中所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)，并隔開(kāi)預(yù)定的距離；多個(gè)維持電極對(duì)，置于所述第一基底和第二基底之間，用來(lái)產(chǎn)生放電，所述多個(gè)維持電極對(duì)中的每個(gè)維持電極包括多個(gè)電極部分；連接部分，電連接所述電極部分，其中，所述連接部分之一的線寬(S)與所述電極部分之一的線寬(B)的相對(duì)比(S/B)滿足1.00≤S/B≤1.70的關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)維持電極的所述電極部分互相平行地延伸。
3.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)維持電極包括二至四個(gè)互相平行延伸的電極部分。
4.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述連接部分和所述電極部分互相垂直地延伸。
5.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述電極部分的線寬為大約20μm至大約150μm。
6.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)維持電極的所述電極部分的線寬基本相等。
7.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)維持電極的所述連接部分和所述電極部分成為一體。
8.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述連接部分設(shè)置在所述放電室的大致中心部分。
9.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述維持電極包含導(dǎo)電金屬材料和陶瓷材料中的至少一種。
10.如權(quán)利要求9中所述的等離子體顯示面板，其中，所述維持電極包含選自于由Ag、Pt、Pd、Ni和Cu組成的組中的至少一種金屬材料。
11.如權(quán)利要求9中所述的等離子體顯示面板，其中，所述維持電極包含摻雜銦的錫氧化物和摻雜銻的錫氧化物中的至少一種。
12.如權(quán)利要求1中所述的等離子體顯示面板，其中，所述維持電極包含碳納米管。
13.一種等離子體顯示面板，包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)并隔開(kāi)預(yù)定的距離；多個(gè)障肋單元，置于所述第一基底和所述第二基底之間，且至少部分地限定多個(gè)放電室；尋址電極，跨過(guò)所述放電室延伸；多個(gè)維持電極對(duì)，與所述尋址電極相交，引起放電，并包括多個(gè)與所述尋址電極交叉的電極部分和電連接所述電極部分的連接部分；熒光體層，形成在所述放電室中；放電氣體，在所述放電室中，其中，所述連接部分之一的線寬(S)與所述電極部分之一的線寬(B)的相對(duì)比(S/B)滿足1.00≤S/B≤1.70的關(guān)系。
14.如權(quán)利要求13中所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)維持電極的所述連接部分設(shè)置在每個(gè)所述放電室中。
15.如權(quán)利要求13中所述的等離子體顯示面板，還包括光吸收層，用于吸收從所述等離子體顯示面板的外部入射的光。
16.如權(quán)利要求15中所述的等離子體顯示面板，其中，所述障肋單元包括第一障肋，與所述尋址電極平行地設(shè)置；第二障肋，與所述第一障肋交叉地設(shè)置；光吸收層，設(shè)置成與所述第二障肋至少局部疊置。
17.如權(quán)利要求15中所述的等離子體顯示面板，其中，所述光吸收層以帶狀形成。
18.如權(quán)利要求15中所述的等離子體顯示面板，其中，所述光吸收層的線寬為大約50μm至大約200μm。
19.如權(quán)利要求13中所述的等離子體顯示面板，還包括第一介電層，覆蓋所述維持電極；第二介電層，覆蓋所述尋址電極。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種亮度提高和功耗降低且易于制造的等離子體顯示面板(PDP)，該P(yáng)DP可包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)，并隔開(kāi)預(yù)定的距離；多個(gè)維持電極對(duì)，置于第一基底和第二基底之間，并產(chǎn)生放電。每個(gè)維持電極可包括多個(gè)電極部分和電連接電極部分的連接部分。連接部分之一的線寬(S)與電極部分之一的線寬(B)的相對(duì)比(S/B)滿足1.00≤S/B≤1.70的關(guān)系。
文檔編號(hào)H01J11/34GK1909145SQ20061010838
公開(kāi)日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2006年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月6日
發(fā)明者金東賢 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社