專利名稱：用于限制充電效應的離子注入機電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于限制充電效應(effet de charge)的離子注入機電源。
本發(fā)明的領(lǐng)域是以等離子體浸沒方式工作的離子注入機。因此，襯底的離子注入包括將所述襯底浸沒于等離子體中，并使襯底極化而帶上負電壓，從幾十伏到幾十千伏不等(一般低于100千伏)，以形成一電場，所述電場能夠朝所述襯底方向加速所述等離子體中的離子。
所述離子的穿透深度由其加速能量確定。所述穿透深度一方面取決于施加在所述襯底上的電壓，另一方面取決于所述離子和所述襯底各自的特性。注入的離子濃度取決于劑量和所述注入深度，所述劑量表示為每平方厘米的離子數(shù)。
基于等離子體物理學方面的原因，施加所述電壓幾個納秒后，在所述襯底周圍生成了離子云(gaine ionique，離子鞘，離子殼層)。負責將所述離子朝所述襯底方向加速電勢差存在于所述離子云的邊緣。
所述離子云隨時間的增加遵循下述Child-Langmuir方程jc=49ϵ0(2eM)1/2V03/2S2]]>這里，jc電流密度ε0真空介電常數(shù)e離子電量M離子質(zhì)量V0穿過離子云的勢差S離子云的厚度通過規(guī)定所述電流密度等于單位時間穿過所述電子云邊界的電量，并用ds/dt代表所述邊界的移動速度dsdt=29S02U0S2]]>
表達式中s0等于S0=(2ϵ0V0en0)1/2]]>其中，U0＝(2eV0/M)是所述離子的特征速度，n0是所述等離子體密度。
所述離子云的厚度主要和所施加的電壓、所述等離子體密度和所述離子質(zhì)量相關(guān)。
決定所述注入電流的所述等離子體的等效阻抗直接正比于所述離子云的厚度的平方。因此，當所述離子云增大時，所述注入電流很快衰減。
過去一定時間之后，必須進行重新初始化(reinitialisation)。在實踐中，當所述離子云達到腔室的壁，因此阻止了所述注入機制發(fā)揮作用時，這顯得是必不可少的。
為了重新初始化所述系統(tǒng)，幾乎所有的離子注入機制造商切斷所述襯底上的高電壓，同時保持所述等離子體。因此，必須設置脈沖發(fā)生器來產(chǎn)生高電壓脈沖。另外，所述注入要求盡可能穩(wěn)定的加速能量，因此，應該滿足下面的規(guī)范◆加壓和減壓的時間小于1微秒；◆脈沖產(chǎn)生時高電壓的穩(wěn)定性；◆極大的瞬時電流，1到300安；◆承受等離子體中的電弧的能力。
所述等離子體浸沒式離子注入具有一定的不足。
首先，脈沖高電壓供電很昂貴，經(jīng)常是很脆弱的且直接決定完成的注入的品質(zhì)。
其次，所述等離子體在腔室中的連續(xù)存在造成了不良的副效應◆產(chǎn)生粒子，◆對襯底的加熱效應，◆對腔室的侵蝕，產(chǎn)生對被處理的工件產(chǎn)生金屬污染的風險，◆造成充電效應，這在微電子應用的情況下特別礙事。
為了減小所述的副效應，VARIAN公司提出了一種脈沖等離子體方法名曰“PLAD”(對應英語詞匯“等離子體摻雜”(PLAsmaDoping))。所述方法是在ElsevierScience B.V出版的雜志《表面與涂層技術(shù)》n°156(2002)《第六屆國際等離子體離子注入專題會議文集(PBII-2001)，Grenoble，法國，6月25-28日，2001》(Surface andCoatings Technology n°156(2002)″Proceedings of the VlthInternational Workshop on Plasma-Based Ion Implantation(PBII-2001)，Grenoble，F(xiàn)rance，25-28 June，2001″)的兩篇文章中介紹的◆S.B.Felch等人“用于制造超淺結(jié)的等離子體摻雜”(S.B.Felchet al.″Plasma doping for the fabrication of ultra shallowjunctions″)，229-236頁；◆D.Lenoble等人“用等離子體摻雜制造先進晶體管”(，D.Lenoble et al.″The fabrication of advanced transistors with plasmadoping″)，262-266頁。
該方法也涉及用脈沖高電壓使所述襯底極化。然而，所述襯底和與之相對的接地電極間產(chǎn)生的電場可以使所述等離子體脈動。所述襯底周圍的電場線(場力線，電力線)可以完成所述離子的加速和注入。在該方法中，所述脈沖等離子體一方面可以避免部分前述的副效應，但與高電壓脈沖發(fā)生器的使用相關(guān)的限制仍然存在。而且，所述等離子體的特性不能和所述極化電壓分離。為此，所述機器的通用性很差其加速電壓范圍小，且總是難以注入弱等離子體化(peu plasmagène)的核素。
另外一方面，文獻US 5558718給出了一種脈沖等離子體離子注入設備和方法。所述離子注入設備沒有高電壓脈沖發(fā)生器。其使用脈沖等離子體源以及產(chǎn)生用于使靶極化的恒定電壓的能量發(fā)生器。
在使用需要大電流的大尺寸靶的情況下，包含大電容的電容器和與之串聯(lián)的電阻的分流支路(branche de deviation)和所述能量發(fā)生器并聯(lián)安裝，因為施加于所述靶的電壓在所述注入階段盡可能穩(wěn)定是很重要的。
首先，所述注入產(chǎn)生的大的離子流量造成了所述襯底的絕緣區(qū)(表面氧化物、表面上的絕緣淀積層、淀積的聚合物比如光刻用樹脂)上正電荷的累積。這種現(xiàn)象在微電子領(lǐng)域是特別尖銳的問題。所述電荷累積導致了所述絕緣區(qū)電勢不受控制地增加。當這樣的絕緣區(qū)和所述襯底的導電區(qū)之間的電勢差達到臨界閾值時，會生成電弧，所述電弧造成了所述襯底的局部損壞。
當所述襯底位于沒有強電場的位置時，傳統(tǒng)的所謂強電流注入機與所述電荷累積相關(guān)的問題已經(jīng)找到了解決方案。在這種情況下，可以使用電子槍以中和注入的離子流造成的正電荷。然而，如果所述襯底通過負的高電壓極化，所述解決方案是不可行的。而且，電子槍將是金屬污染源。
因此，本發(fā)明的首要目標在于限制脈沖等離子體式注入機的充電效應。
根據(jù)所述首要目標，離子注入機的電源包括一設置于襯底支承臺和大地之間的電發(fā)生器，還包括在同樣設置于襯底支承臺和大地之間分流支路上的電容器；而且，所述電容器的電容小于5納法。
照這樣實現(xiàn)供電以限制所述充電效應。事實上，所述電容器CDS的電容很小，因此其兩端的電壓在放電時逐漸趨于零。
其次，所述能量發(fā)生器耗能大，其必須設計得適應所述待電離的靶的體積，且所述分流支路的時間常數(shù)必須大于所述等離子體源發(fā)出的脈沖的寬度。
因此，本發(fā)明的第二個目標在于改善所述情況。
根據(jù)所述第二個目標，所述分流支路簡化為所述電容器。
去掉所述造成上述限制的電阻。
根據(jù)第一種實施方式，所述發(fā)生器是電壓發(fā)生器，所述電源包括與之相串聯(lián)的負載阻抗。
優(yōu)選地，所述負載阻抗是介于200和2000千歐之間的電阻。
有利地是，所述發(fā)生器提供的電壓介于-100和-10000伏之間。
根據(jù)所述電源的第二種實施方式，所述發(fā)生器是電流發(fā)生器。
有利地是，所述發(fā)生器提供的電壓介于-100和-100000伏之間。
本發(fā)明優(yōu)先地適用于離子注入機，所述離子注入機包括如上詳細說明的電源和脈沖等離子體源，所述注入機還包括使所述脈沖等離子體源發(fā)出的等離子體脈沖寬度介于20微秒和5000微秒之間的裝置。
當所述電源的發(fā)生器是電流發(fā)生器時，期望所述注入機包括在等離子體脈沖期間抑制所述發(fā)生器的裝置。
不管采用何種發(fā)生器，根據(jù)一附加的特征，所述等離子體的電阻抗Zp介于30和300千歐之間，且所述工作壓強低于5×10-3毫巴。
而且，所述電容器的電容C、所述脈沖等離子體源產(chǎn)生的脈沖的寬度、所述等離子體的阻抗、反向電壓Vinv和所述發(fā)生器提供的電壓Vali滿足下述公式C/tp＜-1/(Zp.ln(Vinv/Vali))。
優(yōu)選地，所述襯底支承臺可繞著其軸轉(zhuǎn)動。
而且，所述襯底支承臺和所述脈沖等離子體源存在可調(diào)的偏心(dexasage)。
本發(fā)明的更多細節(jié)將在后續(xù)描述中，通過說明性的實施例并結(jié)合附圖加以闡明，附圖包括

圖1示出了注入機的垂直剖面示意圖；圖2示出了所述襯底支承臺的電源的第一種變型；圖3示出了所述臺的電源的第二種變型。
各部件在各圖中被賦予唯一的相同的附圖標記。
如圖1所示，離子注入機包括若干布置在真空腔室ENV的內(nèi)部和外部的部件。對于微電子應用而言，如果想要限制金屬元素如鐵，鉻、鎳或者鈷的污染，提倡使用鋁合金腔室。也可以使用硅或者碳化硅的襯層。
襯底支承臺PPS為水平平面圓盤的形式，可繞著其垂直軸AXT運動，接納要進行離子注入的所述襯底SUB。
設置于所述腔室ENV的下部的高電壓電通道PET將所述臺的垂直軸AXT從而將所述襯底支承臺PPS電連接到電源ALT。
傳統(tǒng)地，所述襯底支承臺電源ALT包括直流電壓發(fā)生器SOU，所述發(fā)生器的正極接地。和所述發(fā)生器并聯(lián)的分流支路由串聯(lián)的電容器CDS和電阻RES構(gòu)成。
泵裝置PP、PS同樣設置于所述腔室ENV的下部。初級泵PP的入口通過配有閥門VAk的管道和所述腔室ENV相連，其出口通過排氣管道EXG通到大氣。次級泵PS的入口處通過配有閥門VAi的管道和所述腔室ENV相連，其出口通過配有閥門VAj的管道連接到所述初級泵PP的入口。所述管道均沒有用附圖標記標注。
所述腔室ENV的上部接納源的主體CS，所述主體為柱體形狀，其垂直軸線為AXP。所述主體是石英的。其外面部分環(huán)繞著約束線圈(bobine de confinement)BOCi、BOCj，部分環(huán)繞著外射頻天線ANT。所述天線通過調(diào)諧盒BAC(boite d’accord) 電連接到脈沖射頻源ALP。等離子化氣體的入口ING和所述源主體CS的垂直軸AXP線是同軸的。所述垂直軸線AXP與上面放置要進行離子注入的襯底SUB的所述襯底支承臺PPS的表面相交。
可以使用任何類型的脈沖等離子體源放電、ICP(對應英語“Inductively Coupled Plasma”(感應耦合等離子體))、螺旋波(Helicon)、微波、電弧。所述源須在足夠低的壓強下工作，以使所述高電壓臺PPS和所述接地腔室ENV之間產(chǎn)生的電場不會啟動放電等離子體(plasma de décharge)，所述放電等離子體會干擾所述源的脈沖功能。
源的選取須能獲得接近零的等離子體電勢。實際上，離子的加速能量是所述等離子體電勢和所述襯底電勢的差。所述加速能量因此只靠施加于所述襯底的電壓控制。如果想要極低的低于500電子伏特的加速能量(這是微電子應用的情況)，這一點變得占主導地位。
對于要求低金屬污染的應用而言，再舉微電子學和醫(yī)學領(lǐng)域的工件處理為例，所述源不能有污染性的金屬元素和所述等離子體接觸。在所圖示的實施方式中，由石英管構(gòu)成的射頻源和外射頻天線ANT及如前述的磁約束線圈BOCi，BOCj相連。
無論什么等離子體化的核素均可以被注入?？赡艿臍怏w前體比如有N2，O2，H2，He，Ar，BF3，B2H6，AsH3，PH3，SiH4，C2H4，液體前體比如有TiCl4，H2O，或者可以是固體前體。在所述最后一種情況下，可以使用熱蒸發(fā)系統(tǒng)(磷)或者電弧系統(tǒng)(英語的“中空陰極(Hollowcathode)”)。使用所述注入機的注入方法包括周期性地重復下面4個或5個階段◆由所述發(fā)生器SOU對所述電容CDS充電，直到達到放電電壓的充電階段(所述等離子體源ALP關(guān)閉)，◆所述等離子體的開啟階段，所述階段在所述襯底的電壓達到放電電壓時開始所述等離子體的阻抗不再是無窮大，所述電容CDS經(jīng)過它放電；◆所述電容CDS的放電階段，其間完成所述注入且所述離子云擴大，和◆當前一階段持續(xù)了一段期望的時間后開始的所述等離子體的熄滅階段所述等離子體的阻抗再次變成無窮大，且所述充電階段可以重復，◆可能的等待階段，其間無事發(fā)生，這個等待階段可以調(diào)節(jié)重復周期。
所述放電階段(持續(xù)一個等離子體脈沖的時間)中，由電離氣體云構(gòu)成等離子體分布區(qū)域ZEP形成于所述源的主體CS和所述襯底支承臺PPS之間。粒子以可使其穿透至襯底SUB內(nèi)部的能量來撞擊所述待注入離子的襯底SUB。
根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)所述襯底支承臺電源ALT以限制所述充電效應。為此，所述電容器CDS電容很小以使所述襯底的電勢在其放電階段逐漸回復到接近零的值。
實際上，即使使用脈沖等離子體可以限制所述充電效應，所述問題仍然繼續(xù)存在，尤其是如果所述襯底的電勢在處理期間仍然保持太大的負值的話(使用大電容電容器的情況)。
在使用小電容電容器和等離子體脈沖足夠長的情況下，將產(chǎn)生下述的現(xiàn)象◆在脈沖的開始，所述電容器被充電，所述襯底的電勢由所述充電電壓固定且根據(jù)前述的機制所述離子朝所述襯底方向加速；◆所述電容器兩端子的電壓下降，因為電容器向所述等離子體中放電；◆在稱之為反向電勢的一定電勢以上，在所述絕緣區(qū)累積的正電荷生成一其時占主導的(predominant)電場，所述電場吸引所述等離子體的電子；于是就中和了所述正電荷，消除了產(chǎn)生電弧的風險。
所述中和比起低的工作壓強更有效。實際上，如果電子的平均自由行程很大，則達到所述表面中和充電效應的電子流量也會與之相一致。
建立所述機制需要的條件因此為◆所述電容器CDS的電容足夠小，◆等離子體脈沖寬度足夠長，以在所述表面累積的電荷產(chǎn)生電弧之前達到所述反向電勢，和◆足夠低的工作壓強，以使所述等離子體源產(chǎn)生的電子的平均自由行程可使所述電子到達所述襯底，而沒有與所述腔室中的氣體分子和離子碰撞和再結(jié)合的風險。
作為例子，下面的參數(shù)可以被采用1.電容器CDS的電容C介于300皮法和5納法之間；2.等離子體脈沖寬度tp介于20微秒和5000微秒之間，優(yōu)選為介于20微秒和500微秒之間；3.所述注入機中產(chǎn)生的離子流的反向電壓Vinv介于-20伏和-200伏之間(所述反向電壓取決于所述襯底絕緣區(qū)儲存的正電荷量)；4.所述注入機中產(chǎn)生的等離子體電阻抗Zp介于30到300千歐之間(所述阻抗取決于所述等離子體源的調(diào)節(jié))；5.所述發(fā)生器提供的電壓Vali介于-100伏和-10000伏之間，優(yōu)選為介于-100伏和-5000伏之間；
6.所述注入機中工作壓強低于5×10-3毫巴，優(yōu)選為低于2×10-3毫巴；7.等離子體脈沖重復頻率介于1赫和500赫之間。
所述反向電壓Vinv的值對應所述電容器CDS放電時要達到的電勢值以消除所述電弧產(chǎn)生。
所述等離子體的等價阻抗值Zp取決于所述等離子體密度，所述密度本身取決于所述壓強。
在所述電容器CDS在所述等離子體脈沖期間再充電電流可以忽略的情況下，也就是說如果和所述電壓發(fā)生器SOU串聯(lián)的負載電阻Z電阻值很大。
在等離子體脈沖期間，所述極化電壓Vpla應回復到高于離子/電子流量的反向電壓Vinv的值Vpla＞Vinv已知Vpla＝Valie-tp/Zp.C得到所述等離子體脈沖的最小寬度和所述電容C的最大值的關(guān)系(將自然對數(shù)記為ln)C/tp＜-1/(Zp.ln(Vinv/Vali))因此應該尋找長的等離子體脈沖寬度tp和/或小的電容C值。
記下下面數(shù)值◆所述離子流量的反向電壓Vinv-60伏，◆所述電壓發(fā)生器SOU提供的電壓-1000伏，◆所述等離子體電阻抗Zp為100千歐，◆等離子體脈沖寬度tp為100微秒，此時，所述電容C不可超過350皮法。
本發(fā)明還有一個目標在于進一步改善所述襯底支承臺電源ALT的性能。
參考圖2，根據(jù)所述第一種實施方式，所述襯底支承臺電源現(xiàn)在表現(xiàn)為包括負載阻抗Z的臺電源ALTi，所述負載阻抗的第一極和所述直流電壓發(fā)生器SOU的負極相連。所述負載阻抗的第二極和所述襯底支承臺及所述電容器CD的第一極S相連，所述電容器CDS的第二極接地。
所述負載阻抗Z經(jīng)常為一電阻，功能在于限制所述電容器CDS充電開始時的電流。而且，如果所述電阻大于所述等離子體的等價阻抗，所述電阻同樣可以限制所述電容器在所述等離子體脈沖期間的再充電——在所述等離子體脈沖期間，希望將所述電容器放電。
對于一般等于100千歐的等離子體阻抗，所述負載電阻優(yōu)選介于200千歐和2000千歐之間。所述電容器CDS的電容使得其放電事實上在等離子體脈沖末端就完成了。
在該實施方式中經(jīng)常使用的參數(shù)為◆等離子體密度介于108和1010每立方厘米之間，◆等離子體脈沖寬度介于15微秒和500微秒之間，◆脈沖重復頻率介于1赫和3千赫之間，◆工作壓強介于2×10-4到5×10-3毫巴之間，◆使用的氣體N2，BF3，O2，H2，PH3，AsH3或者Ar，◆負載阻抗Z為一大于300KΩ的電阻，◆500皮法的電容C，◆極化電壓介于-100伏和-10000伏之間。
參考圖3，根據(jù)第二種實施方式，所述襯底支承臺電源此后表現(xiàn)為包括直流電流發(fā)生器SCC的臺電源ALTj，所述支流電流發(fā)生器的第一極接地。所述電容器CDS的第一極和所述襯底支承臺PPS及所述電流發(fā)生器SCC的第二極相連，而其第二極接地。
希望所述電流發(fā)生器SCC在所述等離子體脈沖期間被抑制，或者換句話說，所述電容器CDS在所述脈沖期間不被所述發(fā)生器供電。作為例子，可以提供轉(zhuǎn)換開關(guān)(未示出)，所述轉(zhuǎn)換開關(guān)將所述發(fā)生器SCC的第二極在沒有所述等離子體脈沖時與所述電容器CDS的第一極相連(如上)，或者在所述等離子體脈沖期間與電阻(未示出)的第一極相連，所述電阻的第二極接地。有利地是，可以使用“抑制”(inhibit，inhibé)模式，所述模式用于大多數(shù)切割式發(fā)生器(generatuer à découpage)。
同樣，當所述電流發(fā)生器SCC被抑制時，等離子體脈沖的最小寬度tp和所述電容C的最大值的前述關(guān)系可以適用C/tp＜-1/(Zp.ln(Vinv/Vali))在所述實施方式中經(jīng)常使用的參數(shù)為◆等離子體密度介于108和1010每立方厘米之間，◆等離子體脈沖寬度介于15微秒和500微秒之間，◆脈沖重復頻率介于1赫和3千赫之間，◆工作壓強介于2×10-4到5×10-3毫巴之間，◆使用的氣體BF3，PH3，AsH3，N2，O2，H2或者Ar，◆500皮法的電容C，◆極化電壓介于-100伏和-100千伏之間。
在這種情況下使用所述注入機IMP的注入方法和前述的類似，只是沒有使用所述負載阻抗Z。
在這種情況下，直接使用電流發(fā)生器或者電容充電器，當達到所述電容器兩端的期望電壓時中斷充電。所述第二種方式的優(yōu)點在于取消了所述負載阻抗Z，所述阻抗是耗能元件且于所述設備而言是脆弱的。
因此，本發(fā)明涉及任何連有分流支路的發(fā)生器。本發(fā)明在于將所述分流支路限制為只有電容器。
在本申請中，在所述襯底支承臺PPS上安置了襯底SUB之后，所述初級泵PP和次級泵PS保證所述腔室ENV具有期望的低壓強。
通常地，所述脈沖等離子體源是頻率為13.56兆赫±10％的射頻電源。
注入的平均電流取決于所述等離子體密度、所述極化電壓、所述等離子體的脈沖寬度和頻率。對于固定的瞬時條件而言，所述電流可以通過調(diào)整所述脈沖的重復周期加以調(diào)節(jié)。對于50千電子伏下的注入，所述電流的調(diào)節(jié)范圍會是從1微安到100毫安。對于500電子伏下的注入，從1微安到10毫安。
所述襯底電壓的最小值一方面取決于放電時間，另一方面取決于所述電容大小，所述放電時間等同于所述等離子體的開啟時間。
所述襯底電壓的最大值取決于所述電容的電量。
圖1所示的注入機的一附加特征可以對于大尺寸襯底均勻地完成所述注入。
如前述，所述襯底SUB位于襯底支承臺PPS上，所述臺通常是圓盤形的且可繞著其垂直軸AXT運動。不管有沒有轉(zhuǎn)動，如果所述等離子體源ALP的在所述襯底SUB的上方的軸線AXP接近所述臺PPS的軸線AXT，則等離子體的擴散沿該軸線將會是最大的，且相對于該軸線呈梯度分布。所述襯底SUB中注入的劑量就將呈不均勻分布。
如果所述兩軸線AXT、AXP偏心，則所述襯底支承臺PPS的轉(zhuǎn)動可以使所述襯底SUB相對于所述等離子體源的軸線AXP移動。所述襯底SUB中注入的劑量的分布的均勻性將得以明顯改善。
所述系統(tǒng)的有效性在直徑200毫米的硅晶片上已經(jīng)得以驗證，對于所述硅片，在500電子伏下以1015每平方厘米注入BF3獲得的不均勻度低于2.5％。
上述的本發(fā)明的實施例是根據(jù)其具體的特性選擇的。然而，窮盡列舉本發(fā)明覆蓋的所有的實施方式是不可能的。特別地，所述的各種部件可以由等效部件替換而不超出本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.離子注入機IMP的電源ALT、ALTi、ALTj，包括設置于襯底支承臺PPS和大地E之間的電發(fā)生器SOU，以及同樣設置于所述襯底支承臺PPS和大地E之間的分流支路中的電容器CDS，其特征在于，所述電容器CDS的電容小于5納法。
2.按照權(quán)利要求1所述的電源，其特征在于，所述分流支路簡化為所述電容器CDS。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的電源，其特征在于，所述電發(fā)生器是電壓發(fā)生器ALTi，所述電源包括與所述電壓發(fā)生器相串聯(lián)的負載阻抗Z。
4.按照權(quán)利要求3所述的電源，其特征在于，所述負載阻抗Z為介于200和2000千歐之間的電阻。
5.按照前述權(quán)利要求3或4所述的電源，其特征在于，所述發(fā)生器ALTi提供的電壓介于-100和-10000伏之間。
6.按照權(quán)利要求1或2所述的電源，其特征在于，所述電發(fā)生器是電流發(fā)生器ALTj。
7. 按照權(quán)利要求6所述的電源，其特征在于，所述發(fā)生器ALTj提供的電壓介于-100和-100000伏之間。
8.離子注入機，包括根據(jù)權(quán)利要求1到5之一所述的電源和脈沖等離子體源ALP，其特征在于，其包括使所述脈沖等離子體源ALP發(fā)出的等離子體脈沖寬度介于20微秒和5000微秒之間的裝置。
9.離子注入機，包括如權(quán)利要求6或7所述的電源和脈沖等離子體源ALP，其特征在于，其包括使所述脈沖等離子體源ALP發(fā)出的等離子體脈沖寬度介于20微秒和5000微秒之間的裝置，以及在所述等離子體脈沖期間抑制所述電流發(fā)生器SCC的裝置。
10.按照權(quán)利要求8或9所述的注入機，其特征在于，所述等離子體的電阻抗介于30和300千歐之間。
11.按照權(quán)利要求8到10中的任意一條所述的注入機，其特征在于，所述工作壓強低于5×10-3毫巴。
12.按照權(quán)利要求8到11中的任意一條所述的注入機，其特征在于，所述電容器CDS的電容C、所述脈沖等離子體源ALP產(chǎn)生的等離子體脈沖的寬度、所述反向電壓Vinv和所述發(fā)生器ALT、ALTi、ALTj提供的電壓Vali由下述公式?jīng)Q定C/tp＜-1/(Zp.ln(Vinv/Vali))。
13.按照權(quán)利要求8到12中的任意一條所述的注入機，其特征在于，所述襯底支承臺PPS可繞著其軸線AXT轉(zhuǎn)動。
14.按照權(quán)利要求13所述的注入機，其特征在于，所述襯底支承臺PPS和所述脈沖等離子體源ALP存在可調(diào)的偏心。
全文摘要
本發(fā)明涉及離子注入機的電源ALT，包括設置于襯底支承臺PPS和大地E之間的電發(fā)生器SOU，以及同樣設置于襯底支承臺和大地之間的分流支路中的電容器CDS。所述電容器CDS的電容低于5納法。本發(fā)明的目的還在于提供一種包括所述電源的離子注入機。
文檔編號H01J37/317GK1989588SQ200580024703
公開日2007年6月27日 申請日期2005年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月16日
發(fā)明者弗蘭克·托瑞格羅薩, 吉勒斯·馬修 申請人:離子射線服務公司