減小mems器件中的玻璃充電效應(yīng)的制作方法
【專利摘要】公開了一種控制微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件中的暴露的玻璃充電的方法。該方法包括提供包括遠(yuǎn)離至少一個(gè)感測板和至少一個(gè)外部金屬化層定位的質(zhì)量塊的MEMS器件，其中至少一個(gè)導(dǎo)電玻璃層耦合到感測板和外部金屬化層，導(dǎo)電玻璃層包括靠近質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；以及將第一電壓應(yīng)用到感測板并且將第二電壓應(yīng)用到外部金屬化層。第一電壓通過預(yù)確定的電壓水平從第二電壓分離，使得暴露的玻璃部分具有對應(yīng)于第一電壓與第二電壓之間的電壓中值的平均電壓。
【專利說明】減小MEMS器件中的玻璃充電效應(yīng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及減小MEMS器件中的玻璃充電效應(yīng)。

【背景技術(shù)】
[0002]微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件可以包括諸如陀螺儀和加速度計(jì)之類的各種傳感器，其可以被實(shí)現(xiàn)在各種慣性導(dǎo)航和控制系統(tǒng)應(yīng)用中。MEMS陀螺儀或加速度計(jì)可以包括諸如介于形成電容性傳感器的一對感測板之間的檢測質(zhì)量塊(proof mass)之類的微結(jié)構(gòu)感測元件。
[0003]玻璃層通常被用作MEMS器件中的結(jié)構(gòu)。這些玻璃層典型地被摻雜，這導(dǎo)致玻璃具有某種導(dǎo)電性，從而允許電荷在MEMS器件的操作期間在玻璃上流動(dòng)和累積。有時(shí)，允許未經(jīng)覆蓋的玻璃暴露于諸如處于電容性MEMS傳感器中之類的MEMS器件的檢測質(zhì)量塊是便利或必要的。結(jié)果，器件的有效靈敏度隨著在操作期間在玻璃上累積電荷而改變。這使得MEMS傳感器的比例因子、偏置或其它性能度量不可靠。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]一種控制微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件中的暴露玻璃充電的方法包括:提供包括脫離至少一個(gè)感測板和至少一個(gè)外側(cè)金屬化層定位的檢測質(zhì)量塊的MEMS器件，其中至少一個(gè)導(dǎo)電玻璃層耦合到感測板和外側(cè)金屬化層，導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；以及將第一電壓施加到感測板并且將第二電壓施加到外側(cè)金屬化層。第一電壓通過預(yù)定電壓水平從第二電壓分離，使得暴露的玻璃部分具有對應(yīng)于第一電壓與第二電壓之間的電壓中值的平均電壓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]要理解，附圖僅僅描繪了示例性實(shí)施例且不因此而被視為在范圍方面進(jìn)行限制，示例性實(shí)施例將通過附圖的使用、以附加的特定性和細(xì)節(jié)加以描述，在附圖中:
圖1A是MEMS器件和電壓圖的示意性描繪，其圖示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的本技術(shù)；
圖1B是MEMS器件和電壓圖的示意性描繪，其圖示了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的本技術(shù)；
圖2是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的MEMS器件的側(cè)視圖；
圖3是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的MEMS器件的頂視圖；
圖4是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的MEMS器件的頂視圖；
圖5A圖示了圖4的MEMS器件的第一感測板；以及圖5B圖示了圖4的MEMS器件的第二感測板。

【具體實(shí)施方式】
[0006]在以下詳細(xì)描述中，以充足的細(xì)節(jié)描述實(shí)施例以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。要理解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以利用其它實(shí)施例。因此，不應(yīng)在限制的意義上考慮以下詳細(xì)描述。
[0007]提供了一種控制微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件中的玻璃充電的方法。本方法允許控制MEMS器件中的導(dǎo)電暴露玻璃的電荷，從而導(dǎo)致玻璃充電對傳感器性能沒有影響。本技術(shù)并不停止暴露玻璃充電，而是允許它以平衡的方式進(jìn)行，使得它隨時(shí)間對傳感器偏置或比例因子沒有凈效應(yīng)。這樣，MEMS器件隨時(shí)間的性能不受暴露的玻璃的時(shí)變電勢影響。
[0008]一般而言，本方法控制暴露玻璃電勢水平，以便致使它們無關(guān)緊要且不影響傳感器性能。例如，將第一電壓施加到感測板并且將第二電壓施加到外側(cè)金屬化層，其中第一電壓通過預(yù)定電壓水平從第二電壓分離，使得暴露的玻璃具有對應(yīng)于第一電壓水平與第二電壓水平之間的電壓中值的平均電壓。這使得橫跨玻璃暴露于其中的間隙的平均電勢等于MID (例如，等于檢測質(zhì)量塊電勢)。在該平均玻璃充電電壓等于檢測質(zhì)量塊的電勢的情況下，其對傳感器性能不貢獻(xiàn)負(fù)面影響(降級(jí))。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，提供了消除玻璃充電的影響而不使用重疊金屬工藝的針對MEMS器件的傳感器布局。
[0010]以下關(guān)于附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述本方法。應(yīng)當(dāng)指出，在附圖中描繪的暴露的玻璃并不是按比例繪制的，因?yàn)楸┞兜牟Ａ强傮w感測板區(qū)域的非常小的一小部分。大多數(shù)玻璃是“金屬化的”并且僅有玻璃的較小的一小部分未被覆蓋，典型地在分離MEMS器件中的不同電壓電勢的區(qū)域的邊界處。
[0011]圖1A是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的MEMS器件10的示意性描繪，其包括圖示了本技術(shù)的一個(gè)方面的電壓圖。MEMS器件10包括在感測板14和外側(cè)金屬化層16上方定位的檢測質(zhì)量塊12。玻璃層18耦合到感測板14和外側(cè)金屬化層16。玻璃層18摻雜有導(dǎo)電分子(例如Na離子)，其導(dǎo)致有助于將感測板14和外側(cè)金屬化層16附連到玻璃層18的略微導(dǎo)電的玻璃?？拷鼨z測質(zhì)量塊12的玻璃層18的暴露的玻璃部分20面向檢測質(zhì)量塊12的邊緣部分13。當(dāng)對MEMS器件10施加電力時(shí)，暴露的玻璃部分20緩慢地收集電荷并具有隨時(shí)間改變的電勢。相比之下，覆蓋有金屬的玻璃層18的部分立即實(shí)現(xiàn)電壓電勢，因?yàn)榻饘俜浅：玫貙?dǎo)電。
[0012]如圖1A中所示，外側(cè)金屬化層16連接到-Vsb (備用電壓)線22，并且感測板14連接到+Vsb線24。檢測質(zhì)量塊12連接到Vmid線26 (電壓MID)。該配置導(dǎo)致暴露的玻璃部分20具有等于MID (例如零接地)的平均電壓(VAV)，如電壓圖中所示。在檢測質(zhì)量塊12和暴露的玻璃部分20 二者處于相同電勢的情況下,時(shí)變玻璃充電對傳感器電容的影響被消除。因此，通過控制施加到感測板14和外側(cè)金屬化層16的電壓來移除玻璃充電對檢測質(zhì)量塊12的影響。
[0013]圖1B是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的MEMS器件50的示意性描繪，其圖示了本技術(shù)的另一個(gè)方面。MEMS器件50 —般包括定位在第一感測板60與第二感測板70之間的檢測質(zhì)量塊54。第一感測板60附接到第一玻璃層62，并且第一外側(cè)金屬化層64附接到玻璃層62。玻璃層62摻雜有導(dǎo)電分子以有助于將感測板60和金屬化層64附接。玻璃層62的暴露的玻璃部分66面向檢測質(zhì)量塊54的第一邊緣表面56。第二感測板70附接到第二玻璃層72，并且第二外側(cè)金屬化層74附接到玻璃層72。玻璃層72也摻雜有導(dǎo)電分子以有助于將感測板70和金屬化層74附接。玻璃層72的暴露的玻璃部分76面向檢測質(zhì)量塊54的第二邊緣表面58。當(dāng)對MEMS器件50施加電力時(shí)，暴露的玻璃部分66和76隨時(shí)間緩慢地收集電荷。
[0014]如圖1B中所示，金屬化層64和74連接到-Vsb線82，并且感測板60和70連接到+Vsb線84。可替換地，金屬化層64和74可以連接到+Vsb線84，并且感測板60和70可以連接到-Vsb線82。該對稱Vav配置導(dǎo)致暴露的玻璃部分66和76具有相同的平均電壓(MID)，如電壓圖中所不。由于檢測質(zhì)量塊54的每一側(cè)上的暴露的玻璃部分66和76隨時(shí)間實(shí)現(xiàn)相同的平均電勢，因此時(shí)變玻璃充電對傳感器電容的影響被消除，同時(shí)如果期望的話，允許檢測質(zhì)量塊具有不同于暴露的玻璃部分的電壓。
[0015]圖2和3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電容性MEMS器件100的示意性描繪，其中可以實(shí)現(xiàn)本技術(shù)。電容性MEMS器件100—般包括具有內(nèi)表面112的第一感測板110、具有內(nèi)表面122的第二感測板120、以及檢測質(zhì)量塊130，檢測質(zhì)量塊130被定位在第一和第二感測板110、120之間，使得檢測質(zhì)量塊130面向內(nèi)表面112和122中的每一個(gè)。為了便于圖示，感測板110、120和檢測質(zhì)量塊130在圖3中被示為與彼此有偏移，但在實(shí)際設(shè)計(jì)中如圖2中所示的那樣垂直對齊。
[0016]第一組停止結(jié)構(gòu)140附接到第一感測板110的內(nèi)表面112。停止結(jié)構(gòu)140包括耦合到內(nèi)表面112的金屬化玻璃部分142以及通過金屬化玻璃部分142從感測板110分離的隔開(standoff)部分144。同樣地，第二組停止結(jié)構(gòu)150附接到第二感測板120的內(nèi)表面122。停止結(jié)構(gòu)150包括耦合到內(nèi)表面122的金屬化玻璃部分152以及通過金屬化玻璃部分152從感測板120分離的隔開部分154。盡管為了清楚起見，在圖3中在感測板110和120中的每一個(gè)上示出單個(gè)停止結(jié)構(gòu)，但是應(yīng)當(dāng)理解，兩個(gè)或更多個(gè)停止結(jié)構(gòu)典型地位于每個(gè)感測板的相對側(cè)上，如圖2中所示。
[0017]感測板110、120在其上具有暴露的玻璃層160，并且停止結(jié)構(gòu)140、150在其上具有玻璃層170。由于暴露的玻璃層可以在停止結(jié)構(gòu)上的不同位置處改變電勢，因此本方法提供了要被電壓平衡的停止結(jié)構(gòu)(即，停止結(jié)構(gòu)150電勢匹配于檢測質(zhì)量塊130的電勢)以減輕停止結(jié)構(gòu)具有不同于檢測質(zhì)量塊的電壓的后果。
[0018]例如，在MEMS器件100的操作期間，感測板110具有第一電壓(例如-VI)，檢測質(zhì)量塊130具有高于第一電壓的第二電壓(例如+V2)，并且感測板120具有高于第二電壓的第三電壓(例如V3)。隔開部分144、154被配置成具有匹配于檢測質(zhì)量塊130的電壓的電壓，使得如果隔開部分144、154在操作期間觸碰檢測質(zhì)量塊130，則其不電氣破壞MEMS器件100。
[0019]面向檢測質(zhì)量塊130的暴露的玻璃部分出現(xiàn)在金屬化玻璃部分142與隔開部分144之間的邊界處以及金屬化玻璃部分152與隔開部分154之間的邊界處。多個(gè)電壓源可以耦合到MEMS器件100，使得暴露的玻璃部分具有在MEMS器件100的操作期間關(guān)于檢測質(zhì)量塊130的電壓電氣中性的平均電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，第一施加電壓是正電壓并且第二施加電壓是負(fù)電壓，其中正和負(fù)電壓具有基本上相同的數(shù)值，使得暴露的玻璃具有基本上接地的平均電壓。
[0020]圖4和5A-5B是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的MEMS器件200的示意性自頂向下描繪。MEMS器件200包括第一感測板210、第二感測板220、以及定位在第一和第二感測板210、220之間的檢測質(zhì)量塊230。雖然為了便于圖示，在圖4中將感測板210、220和檢測質(zhì)量塊230示為與彼此有偏移，但是這些結(jié)構(gòu)在實(shí)際設(shè)計(jì)中垂直對齊，諸如針對圖2中的MEMS器件100描繪的那樣。圖5A示出了從MEMS器件200的其它結(jié)構(gòu)分離的第一感測板210，并且圖5B描繪了從MEMS器件200的其它結(jié)構(gòu)分離的第二感測板220。
[0021]如圖4和5A中所示，第一組停止結(jié)構(gòu)240附接到第一感測板210的內(nèi)表面212，使得停止結(jié)構(gòu)240面向檢測質(zhì)量塊230。停止結(jié)構(gòu)240每一個(gè)包括金屬化玻璃部分242和隔開部分244。同樣地，如圖4和5B中所示，第二組停止結(jié)構(gòu)250附接到第二感測板220的內(nèi)表面222，使得停止結(jié)構(gòu)250面向檢測質(zhì)量塊230。停止結(jié)構(gòu)250每個(gè)包括金屬化玻璃部分252和隔開部分254。隔開部分244防止第一感測板210在MEMS器件200的操作期間接觸檢測質(zhì)量塊230。同樣地，隔開部分254防止第二感測板220在MEMS器件200的操作期間接觸檢測質(zhì)量塊230。
[0022]雖然圖4示出了感測板210和220中的每一個(gè)的周邊周圍的四個(gè)停止結(jié)構(gòu)，但是應(yīng)當(dāng)理解，可以按需利用一個(gè)或多個(gè)附加的停止結(jié)構(gòu)，諸如在高重力應(yīng)用中。
[0023]面向檢測質(zhì)量塊230的暴露的玻璃部分出現(xiàn)在金屬化玻璃部分242與隔開部分244之間的界面處以及金屬化玻璃部分252與隔開部分254之間的界面處。多個(gè)電壓源可以耦合到MEMS器件200，使得暴露的玻璃部分具有在MEMS器件200的操作期間關(guān)于檢測質(zhì)量塊的電壓水平電氣中性的平均電壓。
[0024]示例實(shí)施例
不例I包括一種控制微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件中的暴露玻璃充電的方法,該方法包括:提供包括脫離至少一個(gè)感測板和至少一個(gè)外側(cè)金屬化層定位的檢測質(zhì)量塊的MEMS器件，其中至少一個(gè)導(dǎo)電玻璃層耦合到感測板和外側(cè)金屬化層，導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；以及將第一電壓施加到感測板并且將第二電壓施加到外側(cè)金屬化層，第一電壓通過預(yù)定電壓水平從第二電壓分離，使得暴露的玻璃部分具有對應(yīng)于第一電壓與第二電壓之間的電壓中值的平均電壓。
[0025]示例2包括示例I的方法，其中第一電壓從第二電壓分離，使得暴露的玻璃部分具有在基本上與檢測質(zhì)量塊的電勢相同的電勢處的平均電壓。
[0026]示例3包括示例I的方法，其中檢測質(zhì)量塊定位在第一感測板與第二感測板之間，第一感測板附接到第一導(dǎo)電玻璃層并且第一外側(cè)金屬化層附接到第一導(dǎo)電玻璃層，第二感測板附接到第二導(dǎo)電玻璃層并且第二外側(cè)金屬化層附接到第二導(dǎo)電玻璃層。
[0027]示例4包括示例3的方法，其中第一玻璃層的暴露的玻璃部分面向檢測質(zhì)量塊的第一邊緣表面，并且第二玻璃層的暴露的玻璃部分面向檢測質(zhì)量塊的第二邊緣表面。
[0028]示例5包括示例3-4中任一個(gè)的方法，其中將第一電壓施加到第一和第二感測板，并且將第二電壓施加到第一和第二外側(cè)金屬化層，第一電壓從第二電壓分離，使得暴露的玻璃部分每一個(gè)具有對應(yīng)于第一電壓與第二電壓之間的電壓中值的平均電壓。
[0029]示例6包括示例3-5中任一個(gè)的方法,其中暴露的玻璃部分具有與檢測質(zhì)量塊的電壓基本上相同的平均電壓。
[0030]示例7包括示例1-6中任一個(gè)的方法，其中第一電壓是正電壓并且第二電壓是負(fù)電壓。
[0031]示例8包括示例1-7中任一個(gè)的方法,并且還包括稱合到感測板的多個(gè)停止結(jié)構(gòu)。
[0032]示例9包括示例1-8中任一個(gè)的方法,其中MEMS器件包括陀螺儀或加速度計(jì)。
[0033]示例10包括一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件，其包括:檢測質(zhì)量塊；脫離檢測質(zhì)量塊定位的第一感測板；脫離檢測質(zhì)量塊定位的第一外側(cè)金屬化層；耦合到第一感測板和第一外側(cè)金屬化層的第一導(dǎo)電玻璃層，第一導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；電氣連接到第一感測板并具有第一電壓水平的第一電壓線；以及電氣連接到第一外側(cè)金屬化層并具有不同于第一電壓水平的第二電壓水平的第二電壓線；其中暴露的玻璃部分具有對應(yīng)于第一電壓水平與第二電壓水平之間的電壓中值的平均電壓。
[0034]示例11包括示例10的MEMS器件，其中第一電壓水平從第二電壓水平分離，使得暴露的玻璃部分具有在基本上與檢測質(zhì)量塊的電勢相同的電勢處的平均電壓。
[0035]示例12包括示例10-11的MEMS器件，并且還包括:第二感測板，與第一感測板相對、脫離檢測質(zhì)量塊定位，使得檢測質(zhì)量塊在第一感測板與第二感測板之間；脫離檢測質(zhì)量塊定位的第二外側(cè)金屬化層；以及耦合到第二感測板和第二外側(cè)金屬化層的第二導(dǎo)電玻璃層，第二導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分。
[0036]示例13包括示例10-12中任一個(gè)的MEMS器件，其中第一玻璃層的暴露的玻璃部分面向檢測質(zhì)量塊的第一邊緣表面，并且第二玻璃層的暴露的玻璃部分面向檢測質(zhì)量塊的第二邊緣表面。
[0037]示例14包括示例10-13中任一個(gè)的MEMS器件，其中第一電壓線電氣連接到第二感測板，并且第二電壓線電氣連接到第二外側(cè)金屬化層。
[0038]示例15包括示例10-14中任一個(gè)的MEMS器件，其中第一電壓水平從第二電壓水平分離，使得暴露的玻璃部分每一個(gè)具有對應(yīng)于第一電壓水平與第二電壓水平之間的電壓中值的平均電壓。
[0039]示例16包括示例10-15中任一個(gè)的MEMS器件，并且還包括耦合到第一和第二感測板的多個(gè)停止結(jié)構(gòu)。
[0040]示例17包括示例10-16中任一個(gè)的MEMS器件，其中MEMS器件包括陀螺儀或加速度計(jì)。
[0041]不例18包括一種MEMS器件,包括:具有第一內(nèi)表面的第一感測板；具有第二內(nèi)表面的第二感測板；檢測質(zhì)量塊，位于第一和第二感測板之間，使得檢測質(zhì)量塊面向第一和第二內(nèi)表面中的每一個(gè)；耦合到第一感測板的第一內(nèi)表面的第一組停止結(jié)構(gòu)；耦合到第二感測板的第二內(nèi)表面的第二組停止結(jié)構(gòu)；耦合到第一感測板和第一組停止結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電玻璃層，第一導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；以及耦合到第二感測板和第二組停止結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電玻璃層，第二導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；其中多個(gè)電壓源耦合到MEMS器件，使得暴露的玻璃部分具有在MEMS器件的操作期間關(guān)于檢測質(zhì)量塊的電壓水平電氣中性的平均電壓。
[0042]示例19包括示例18的MEMS器件,其中每個(gè)停止結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)金屬化玻璃部分以及通過金屬化玻璃部分從感測板分離的一個(gè)或多個(gè)隔開部分。
[0043]示例20包括示例18-19中任一個(gè)的MEMS器件，其中隔開部分被配置成具有匹配于檢測質(zhì)量塊的電壓水平的電壓水平。
[0044]本發(fā)明可以以其它形式體現(xiàn)而不脫離其本質(zhì)特性。所描述的實(shí)施例在所有方面中僅應(yīng)被視為說明性而非限制性的。因此，意圖在于本發(fā)明僅被權(quán)利要求及其等同物限制。
【權(quán)利要求】
1.一種控制微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件中的暴露玻璃充電的方法,所述方法包括: 提供包括脫離至少一個(gè)感測板和至少一個(gè)外側(cè)金屬化層定位的檢測質(zhì)量塊的MEMS器件，其中至少一個(gè)導(dǎo)電玻璃層耦合到感測板和外側(cè)金屬化層，導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；以及 將第一電壓施加到感測板并且將第二電壓施加到外側(cè)金屬化層，第一電壓通過預(yù)定電壓水平從第二電壓分離，使得暴露的玻璃部分具有對應(yīng)于第一電壓與第二電壓之間的電壓中值的平均電壓。
2.一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件,包括: 檢測質(zhì)量塊； 脫離檢測質(zhì)量塊定位的第一感測板； 脫離檢測質(zhì)量塊定位的第一外側(cè)金屬化層； 耦合到第一感測板和第一外側(cè)金屬化層的第一導(dǎo)電玻璃層，第一導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分； 電氣連接到第一感測板并具有第一電壓水平的第一電壓線；以及電氣連接到第一外側(cè)金屬化層并具有不同于第一電壓水平的第二電壓水平的第二電壓線； 其中暴露的玻璃部分具有對應(yīng)于第一電壓水平與第二電壓水平之間的電壓中值的平均電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS器件，還包括: 第二感測板，與第一感測板相對、脫離檢測質(zhì)量塊定位，使得檢測質(zhì)量塊在第一感測板與第二感測板之間； 脫離檢測質(zhì)量塊定位的第二外側(cè)金屬化層； 耦合到第二感測板和第二外側(cè)金屬化層的第二導(dǎo)電玻璃層，第二導(dǎo)電玻璃層包括靠近檢測質(zhì)量塊的至少一個(gè)暴露的玻璃部分；以及耦合到第一和第二感測板的多個(gè)停止結(jié)構(gòu)； 其中第一電壓線電氣連接到第二感測板，并且第二電壓線電氣連接到第二外側(cè)金屬化層； 其中第一電壓水平從第二電壓水平分離，使得暴露的玻璃部分具有在基本上與檢測質(zhì)量塊的電勢相同的電勢處的平均電壓。
【文檔編號(hào)】G06F17/50GK104281732SQ201410319200
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年7月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】M.W.韋伯, T.J.漢森 申請人:霍尼韋爾國際公司