彎曲液晶顯示器和制造彎曲液晶顯示器的方法
【專利摘要】提供了一種彎曲液晶顯示器和一種制造彎曲液晶顯示器的方法，所述彎曲液晶顯示器包括：第一基板；第二基板，面對(duì)第一基板；液晶層，在第一基板與第二基板之間并包括液晶分子；第一取向?qū)樱诘谝换迮c液晶層之間；以及第二取向?qū)樱诘诙迮c液晶層之間。第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)臃謩e包括具有至少一個(gè)主鏈和連接到主鏈的多個(gè)側(cè)鏈的聚合物，第一取向?qū)拥木酆衔锖偷诙∠驅(qū)拥木酆衔镏械闹辽僖徽甙ň哂泄夥磻?yīng)基和光反應(yīng)基衍生物中的至少一者的至少一個(gè)側(cè)鏈。
【專利說明】
彎曲液晶顯示器和制造彎曲液晶顯示器的方法
[00011 本申請(qǐng)要求于2015年3月5日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0031193號(hào)韓國 專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的內(nèi)容通過引用被全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本公開涉及彎曲液晶顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 液晶顯示裝置通常包括具有諸如像素電極和共電極的場產(chǎn)生電極的兩個(gè)顯示面 板以及置于兩個(gè)顯示面板之間的液晶層。液晶顯示裝置通過施加電壓到場產(chǎn)生電極在液晶 層中產(chǎn)生電場。產(chǎn)生的電場確定液晶層內(nèi)的液晶分子的取向方向，從而控制入射光的偏振 以顯示圖像。
[0004] 這樣的液晶顯示裝置的示例包括液晶分子的長軸在沒有電場的情況下取向?yàn)榇?直于顯示面板的垂直取向（VA)模式液晶顯示裝置。VA模式液晶顯示器具有大的對(duì)比度并易 于實(shí)現(xiàn)寬參考視角。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)寬視角并增大液晶的響應(yīng)速度，已經(jīng)開發(fā)了通過將反應(yīng)性液晶元添加到 取向?qū)踊蛱砑拥揭壕觼硎挂壕Ь哂蓄A(yù)傾斜的方法。
[0006] 在最新進(jìn)展中，液晶顯示器已經(jīng)變得更大，并且已經(jīng)開發(fā)了彎曲液晶顯示裝置，從 而當(dāng)觀看大尺寸的液晶顯示器時(shí)，提高觀眾的沉浸感。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 可以通過在兩個(gè)顯示面板的每個(gè)上形成組件、將顯示面板附著在一起以制備平板 液晶顯示器并隨后彎曲它來開發(fā)彎曲液晶顯示器。然而，在這樣的彎曲液晶顯示器中，在兩 個(gè)顯示面板之間會(huì)發(fā)生錯(cuò)位(未對(duì)準(zhǔn)），導(dǎo)致透射率降低。
[0008] 本公開已經(jīng)致力于提供一種可以通過將反應(yīng)性液晶元的反應(yīng)性最優(yōu)化來減輕余 像的發(fā)生的彎曲液晶顯示器。還提供了用于制造彎曲液晶顯示器的方法。
[0009] 另外，本公開提供了可以防止透射率由于彎曲液晶顯示器的錯(cuò)位而降低的彎曲液 晶顯示器及其制造方法。
[0010] 在示例性實(shí)施例中，彎曲液晶顯示器包括:第一基板;第二基板，面對(duì)第一基板;液 晶層，在第一基板與第二基板之間并包括液晶分子;第一取向?qū)?，在第一基板與液晶層之 間；以及第二取向?qū)樱诘诙迮c液晶層之間。第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)臃謩e包括聚合 物，所述聚合物包括至少一個(gè)主鏈和連接到主鏈的多個(gè)側(cè)鏈，第一取向?qū)拥木酆衔锖偷诙?取向?qū)拥木酆衔镏械闹辽僖徽甙ň哂泄夥磻?yīng)基和光反應(yīng)基衍生物中的至少一者的至少 一個(gè)側(cè)鏈。
[0011] 在示例性實(shí)施例中，第一取向?qū)拥木酆衔锟梢园ň哂泄夥磻?yīng)基和光反應(yīng)基衍生 物中的至少一者的至少一個(gè)側(cè)鏈，第二取向?qū)拥木酆衔锏膫?cè)鏈可以不包括光反應(yīng)基和光反 應(yīng)基衍生物。
[0012] 在示例性實(shí)施例中，彎曲液晶顯示器還可以包括在第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)又械?至少一個(gè)上的凸起，凸起包括取向聚合物。
[0013] 在另一示例性實(shí)施例中，第一取向?qū)由系耐蛊鸬拿芏瓤梢源笥诘诙∠驅(qū)由系耐?起的密度。
[0014] 在又一示例性實(shí)施例中，第一取向?qū)由系耐蛊鸬某叽缈梢孕∮诘诙∠驅(qū)由系耐?起的尺寸。
[0015] 在示例性實(shí)施例中，光反應(yīng)基和光反應(yīng)基衍生物中的至少一者可以位于所述至少 一個(gè)側(cè)鏈的端部處。
[0016] 在示例性實(shí)施例中，光反應(yīng)基可以由化學(xué)式3A或化學(xué)式3B表示，光反應(yīng)基衍生物 可以是由化學(xué)式3A或化學(xué)式3B表示的光反應(yīng)基衍生物：
[0017]
[0018] 其中，在化學(xué)式3A和化學(xué)式3B中，Cy為C6至C18芳基或C6至C18環(huán)烷基;R13至R14獨(dú) 立地為氫或者取代的或未取代的Cl至C8烷基;R15和R16獨(dú)立地為羥基或者取代的或未取代 的Cl至C8烷氧基;R 17為氫、羥基或者取代的或未取代的Cl至C8烷氧基;c和d分別獨(dú)立地為0 至4的整數(shù);k2為0至5的整數(shù);Z 1和Z2分別獨(dú)立地為-C(=0)-;Z3為-S-或-C(=0)-。
[0019]在示例性實(shí)施例中，光反應(yīng)基可以包括由化學(xué)式3-1、化學(xué)式3-2、化學(xué)式3-3、化學(xué) 式3-4和化學(xué)式3-5表示的化合物中的至少一種：
[0020
[0021]其中，在化學(xué)式3-1、化學(xué)式3-2和化學(xué)式3-5中，R14獨(dú)立地為氫或者取代的或未取 代的Cl至C8烷基;R15和R16分別獨(dú)立地為羥基或者取代的或未取代的Cl至C8烷氧基;R 17為 氫、羥基或者取代的或未取代的Cl至C8烷氧基。
[0022]在示例性實(shí)施例中，與第一取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜和與第二取向?qū)酉噜?的液晶分子的預(yù)傾斜可以彼此不同。
[0023]在另一示例性實(shí)施例中，布置為與第一取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜可以大于 布置為與第二取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜。
[0024] 在又一示例性實(shí)施例中，第一基板和第二基板可以包括彎曲的側(cè)面。
[0025] 在示例性實(shí)施例中，與第二取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿涌梢曰敬怪庇诘诙∠驅(qū)印?br>[0026] 在另一示例性實(shí)施例中，側(cè)鏈還可以包括垂直取向基團(tuán)。
[0027] 根據(jù)示例性實(shí)施例，提供了用于制造彎曲液晶顯示器的方法。所述方法包括:在第 一基板上形成像素電極;在面對(duì)第一基板的第二基板上形成共電極;在像素電極上形成第 一取向?qū)?在共電極上形成第二取向?qū)?在第一取向?qū)优c第二取向?qū)又g形成液晶層，液晶 層包括液晶分子和反應(yīng)性液晶元；以及在施加電場的同時(shí)，用光照射液晶層，其中，第一取 向?qū)雍偷诙∠驅(qū)臃謩e包括具有至少一個(gè)主鏈和連接到主鏈的多個(gè)側(cè)鏈的聚合物，第一取 向?qū)拥木酆衔锖偷诙∠驅(qū)拥木酆衔镏械闹辽僖徽甙ň哂泄夥磻?yīng)基的至少一個(gè)側(cè)鏈。
[0028] 在示例性實(shí)施例中，第一取向?qū)拥木酆衔锟梢园ň哂泄夥磻?yīng)基的至少一個(gè)側(cè) 鏈，第二取向?qū)拥木酆衔锏膫?cè)鏈可以不包括光反應(yīng)基。
[0029] 在示例性實(shí)施例中，用光照射液晶層的步驟包括:使反應(yīng)性液晶元聚合和在第一 取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)又械闹辽僖粋€(gè)上形成凸起。
[0030] 在示例性實(shí)施例中，第一取向?qū)由系耐蛊鸬拿芏瓤梢源笥诘诙∠驅(qū)由系耐蛊鸬?密度。
[0031] 在另一示例性實(shí)施例中，在用光照射液晶層之后，與第一取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿?的預(yù)傾斜可以變得大于與第二取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜。
[0032] 在示例性實(shí)施例中，第二取向?qū)拥木酆衔锏膫?cè)鏈可以包括垂直取向基團(tuán)。
[0033] 在示例性實(shí)施例中，第二取向?qū)舆€可以包括具有垂直取向基團(tuán)的至少一個(gè)側(cè)鏈。
[0034] 根據(jù)示例性實(shí)施例，在形成取向?qū)拥木酆衔锏膫?cè)鏈中包括光反應(yīng)基或光反應(yīng)基衍 生物。光反應(yīng)基的存在使反應(yīng)性液晶元的反應(yīng)最優(yōu)化，從而使余像的發(fā)生最小化。
[0035] 另外，可以通過設(shè)置定位成與上取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜以與定位成與下 取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜不同來防止由于錯(cuò)位導(dǎo)致的透射率的減小。
【附圖說明】
[0036] 通過參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述本公開的示例性實(shí)施例，本公開的上述和其它方 面、優(yōu)點(diǎn)以及特征將變得更加明顯，其中：
[0037] 圖1是根據(jù)本公開的液晶顯示器的示例性實(shí)施例的俯視圖。
[0038]圖2是沿著線II-II截取的圖1的剖視圖。
[0039]圖3是根據(jù)本公開的像素電極的示例性實(shí)施例的俯視圖。
[0040] 圖4是根據(jù)本公開的液晶顯示器的基礎(chǔ)電極的示例性實(shí)施例的俯視圖。
[0041] 圖5是根據(jù)本公開的用液晶取向劑制造的取向?qū)拥氖纠詫?shí)施例的掃描電子顯微 鏡(SEM)照片。
[0042]圖6是根據(jù)對(duì)比示例的取向?qū)拥腟EM照片。
[0043] 圖7是示出了分別包括取向?qū)拥氖纠詫?shí)施例或根據(jù)對(duì)比示例的取向?qū)拥囊壕э@ 示器的隨著時(shí)間（24小時(shí)或168小時(shí)）的余像(有效灰度)的圖。
[0044] 圖8是根據(jù)本公開的液晶顯示器的示例性實(shí)施例的剖視圖。
[0045]圖9是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器中的紋理故障的圖示。
[0046]圖10示出了現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器中的紋理故障的模擬。
[0047]圖11是示出了與根據(jù)圖8的示例性實(shí)施例的液晶顯示器中的上取向?qū)雍拖氯∠驅(qū)?相鄰的液晶分子的取向的圖示。
[0048]圖12示出了液晶顯示器的示例性實(shí)施例的紋理圖像的模擬。
[0049]圖13和圖14是根據(jù)本公開的用于利用取向輔助劑(反應(yīng)性液晶元)形成液晶分子 中的預(yù)傾斜的示例性方法的示意圖。
[0050]圖15是根據(jù)彎曲為形成彎曲液晶顯示器的圖11的示例性實(shí)施例的顯示面板的示 例性實(shí)施例的圖示。
【具體實(shí)施方式】
[0051]在下文中將參照示出了各種示例性實(shí)施例的附圖對(duì)本公開進(jìn)行更加充分地描述。 如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)的是，在均不脫離本公開的精神或范圍的情況下，描述的實(shí)施例 可以以各種不同的方式修改。相反地，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的，并 將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。同樣的附圖標(biāo)記始終指示同樣的元 件。
[0052]在附圖中，為了清楚，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。貫穿說明書，同樣的附圖 標(biāo)記表示同樣的元件。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱作"在"另一元件 "上"時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上或還可以存在中間元件。相反地，當(dāng)元件被稱作 "直接在"另一元件"上"時(shí)，不存在中間元件。
[0053]將理解的是，盡管這里可以使用術(shù)語"第一"、"第二"、"第三"等來描述各種元件、 組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這 些術(shù)語僅用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分 開。因此，在不脫離這里的教導(dǎo)的情況下，下面討論的"第一元件"、"組件"、"區(qū)域"、"層"或 "部分"可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0054] 這里使用的術(shù)語僅用于描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖是限制性的。如這里使 用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式"一個(gè)"、"一種"和"該(所述)"意圖包括復(fù)數(shù) 形式(包括"至少一個(gè)(種)"）。"或"的含義是"和/或"。如這里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個(gè) 或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任何組合和所有組合。將進(jìn)一步理解的是，當(dāng)術(shù)語"包括"及其變型 用在本說明書中時(shí)，說明存在陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排 除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0055] 另外，這里可以使用諸如"下"或"底"以及"上"或"頂"的相對(duì)術(shù)語來描述如在圖中 示出的一個(gè)元件與其它元件的關(guān)系。將理解的是，相對(duì)術(shù)語意圖包含除了圖中描繪的方位 之外的裝置的不同方位。例如，如果一個(gè)圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件的"下"側(cè) 上的元件將隨后被定位在所述其它元件的"上"側(cè)上。因此，示例性術(shù)語"下"可以根據(jù)圖中 的具體方位包含"下"和"上"兩種方位。相似地，如果一個(gè)圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為"在" 其它元件"下方"或"之下"的元件將隨后被定位為"在"其它元件"上方"。因此，示例性術(shù)語 "在……下方"或"在……之下"可以包含上方或下方兩種方位。
[0056] 考慮到測量問題和與特定量的測量相關(guān)的誤差（即，測量系統(tǒng)的限制），如這里使 用的"大約"或"近似"包括如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所確定的在特定值的可接受的偏差范圍 內(nèi)的基準(zhǔn)值和平均值。例如，"大約"可以表示在一個(gè)或更多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差之內(nèi)，或者在所述值 的 ±30%、20%、10%、5% 之內(nèi)。
[0057]除非另外限定，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公 開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的含義相同的含義。將進(jìn)一步理解的是，除非這里 明確地如此定義，否則諸如在通用字典中定義的那些術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán) 境和本公開中它們的含義相一致的含義，而不將以理想化的或過于形式化的意義來解釋它 們。
[0058]這里參照作為理想實(shí)施例的示意圖的剖視圖來描述示例性實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì) 出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，這里描述的實(shí)施例不應(yīng)被 解釋為局限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而將包括例如由制造引起的形狀的偏差。例如， 示出或描述為平坦的區(qū)域通?？梢跃哂写植诘暮?或非線性的特征。另外，示出的尖角可以 是圓的。因此，示出在圖中的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區(qū)域的精確 形狀，也不意圖限制本權(quán)利要求的范圍。
[0059] 除非在本說明書中特別提及，否則術(shù)語"取代的"的含義是指至少一個(gè)氫原子被鹵 素原子$、(：1、8^1)、羥基、(：1至020烷氧基、硝基、氰基、氨基、亞氨基、疊氮基、脒基、肼基、 亞肼基、羰基、氨基甲?；€基、酯基、醚基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、Cl至 C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C6至C30芳基、C3至C20環(huán)烷基、C3至C20環(huán)烯基、C3至 C20環(huán)炔基、C2至C20雜環(huán)烷基、C2至C20雜環(huán)烯基、C2至C20雜環(huán)炔基、C3至C30雜芳基或它們 的組合的取代基取代。
[0060] 另外，除非本說明書中特別提及，否則術(shù)語"雜"是指在環(huán)基團(tuán)中包括N、0、S和P中 的至少一個(gè)雜原子。
[0061] 另外，除非在本說明書中特別提及，否則術(shù)語"脂環(huán)族"是指C3至C40環(huán)烷基、C3至 C40環(huán)烯基、C3至C40環(huán)炔基、C3至C40亞環(huán)烷基、C3至C40亞環(huán)烯基或C3至C40亞環(huán)炔基，具體 是指C3至C20環(huán)烷基、C3至C20環(huán)烯基、C3至C20環(huán)炔基、C3至C20亞環(huán)烷基、C3至C20亞環(huán)烯基 或C3至C20亞環(huán)炔基，術(shù)語"芳香族"是指C6至C40芳基、C2至C40雜芳基、C6至C40亞芳基或C2 至C40亞雜芳基，具體是指C6至C16芳基、C2至C16雜芳基、C6至C16亞芳基或C2至C16亞雜芳 基。
[0062] 另外，除非在本說明書中特別提及，否則術(shù)語"組合"通常是指混合或共聚，并意味 著:在脂環(huán)族有機(jī)基團(tuán)和芳香族有機(jī)基團(tuán)中，兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)形成稠合環(huán)，或者兩個(gè)或更多 個(gè)環(huán)通過單鍵、-〇-、-3-、-(：(=0)-、-〇1(0!1)-、-3(=0)-、-3(=0) 2-、-31(013)2-、-(012)1)-(這里，I < P < 2)、-(CF2)q_(這里，I < q < 2)、-C(CH3)2-、-CH(CH3)-、-C(CF3)2-、-CH(CF 3)-S-C( =0)ΝΗ-的功能基團(tuán)來彼此連接。這里，術(shù)語"共聚"是指嵌段共聚或無規(guī)共聚，術(shù)語"共聚 物"是指嵌段共聚物或無規(guī)共聚物。
[0063] 圖1是根據(jù)本公開的液晶顯示器的示例性實(shí)施例的俯視圖。圖2是沿著線II-II截 取的圖1的剖視圖。
[0064] 參照?qǐng)D1和圖2,根據(jù)本公開的液晶顯示器的示例性實(shí)施例包括下面板100、上面板 200和液晶層3。下面板100和上面板200彼此面對(duì)，液晶層3設(shè)置在兩個(gè)面板100和200之間。 [0065]首先，將描述下面板100。
[0066] 多條柵極線121和多條存儲(chǔ)電極線131和135設(shè)置在用作絕緣基板的第一基板110 上。
[0067] 柵極線121傳輸柵極信號(hào)并基本在水平方向上延伸。柵極線121可以包括用于與另 一層或外部驅(qū)動(dòng)電路連接的寬的端部(未示出）。柵極線121可以由諸如鋁(Al)或鋁合金的 鋁基金屬、諸如銀(Ag)或銀合金的銀基金屬、諸如銅(Cu)或銅合金的銅基金屬、諸如鉬(Mo) 或鉬合金的鉬基金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)和鈦(Ti)制成。然而，柵極線121可以具有多層結(jié)構(gòu)， 多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理特性的至少兩個(gè)導(dǎo)電層。每條柵極線121可以包括從其突出的 多個(gè)第一柵電極124a和第二柵電極124b。
[0068] 存儲(chǔ)電極線131和135包括基本平行于柵極線121延伸的主干線131和從主干線131 延伸的多個(gè)存儲(chǔ)電極135。
[0069 ]可以對(duì)存儲(chǔ)電極線131和135的形狀和取向進(jìn)行各種修改。
[0070] 柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121以及存儲(chǔ)電極線131和135上，由非晶硅或多晶硅 制成的多個(gè)半導(dǎo)體層154a和154b設(shè)置在柵極絕緣層140上。
[0071] 多對(duì)歐姆接觸件可以設(shè)置在半導(dǎo)體層154a和154b中的每個(gè)上。在圖2中，設(shè)置在第 二半導(dǎo)體層154b上的歐姆接觸件163b和165b示出為多對(duì)歐姆接觸件的示例，但是歐姆接觸 件還可以設(shè)置在第一半導(dǎo)體層154a上。歐姆接觸件163b和165b可以由娃化物或諸如以高濃 度摻雜η型雜質(zhì)的η+氫化非晶硅的材料制成。
[0072]多對(duì)數(shù)據(jù)線171a和171b以及多對(duì)第一漏電極175a和第二漏電極175b設(shè)置在歐姆 接觸件163b和165b以及柵極絕緣層140上。
[0073]數(shù)據(jù)線171a和171b傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并基本在豎直方向上延伸以與柵極線121和主干 線131交叉。數(shù)據(jù)線171a和171b包括向第一柵電極124a和第二柵電極124b延伸以彎曲成U形 的第一源電極173a和第二源電極173b。第一源電極173a和第二源電極173b基于第一柵電極 124a和第二柵電極124b面對(duì)第一漏電極175a和第二漏電極175b。
[0074] 第一漏電極175a和第二漏電極175b從分別被第一源電極173a和第二源電極173b 部分地圍繞的端部向上延伸，相對(duì)的端部可以具有用于與其它層連接的寬的區(qū)域。
[0075] 然而，除了第一源電極173a和第二源電極173b以及第一漏電極175a和第二漏電極 175b之外，可以對(duì)數(shù)據(jù)線171a和171b的形狀和布局進(jìn)行各種修改。
[0076]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與第一半導(dǎo)體層154a-起形 成第一薄膜晶體管(TFT)。第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與第二半導(dǎo) 體層154b-起形成第二薄膜晶體管。第一薄膜晶體管的溝道形成在第一源電極173a與第一 漏電極175a之間的第一半導(dǎo)體層154a中，第二薄膜晶體管的溝道形成在第二源電極173b與 第二漏電極175b之間的第二半導(dǎo)體層154b中。
[0077]歐姆接觸件163b和165b設(shè)置有在其下方的半導(dǎo)體154a和154b、在其上方的數(shù)據(jù)線 171a和171b以及漏電極175a和175b，以減小它們之間的接觸電阻。在源電極173a和173b與 漏電極175a和175b之間的不被數(shù)據(jù)線171a和171b以及漏電極175a和175b覆蓋的暴露部分 存在于半導(dǎo)體154a和154b中。
[0078]由氮化硅或氧化硅制成的下鈍化層180p設(shè)置在數(shù)據(jù)線171a和171b、源電極173a和 173b、漏電極175a和175b以及半導(dǎo)體層154a和154b的暴露部分上。
[0079] 濾色器230設(shè)置在下鈍化層ISOp上。濾色器230可以顯示原色(諸如紅色、綠色和藍(lán) 色的三種原色）。原色可以包括紅色、綠色和藍(lán)色，或者可以包括黃色、青色和品紅色。雖然 未示出，但是濾色器還可以包括顯示原色的混合色或除了原色之外的白色的濾色器。由鉻 和氧化鉻或有機(jī)材料的單層或多層形成的光阻擋構(gòu)件220可以設(shè)置在濾色器230上。光阻擋 構(gòu)件220可以包括以矩陣格式布置的開口。
[0080] 由透明有機(jī)絕緣材料制成的上鈍化層ISOq設(shè)置在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上。 上鈍化層180q防止濾色器230被暴露且提供平坦表面。暴露第一漏電極175a和第二漏電極 175b的多個(gè)接觸孔185a和185b形成在下鈍化層180p和上鈍化層180q中。
[0081] 多個(gè)像素電極191設(shè)置在上鈍化層180q上。像素電極191可以由諸如錯(cuò)、銀、絡(luò)或它 們的合金的反射金屬制成。
[0082] 每個(gè)像素電極191包括彼此隔開的第一子像素電極191a和第二子像素電極191b， 第一子像素電極191a和第二子像素電極191b中的每個(gè)包括在圖4中示出的基礎(chǔ)電極199中 的至少一個(gè)或基礎(chǔ)電極199的變型。
[0083]將參照?qǐng)D3和圖4描述像素電極191的結(jié)構(gòu)。
[0084]接著，將描述上面板200。
[0085]共電極270形成在第二基板210的整個(gè)表面上，其中，基板210的整個(gè)表面面對(duì)第一 基板110。
[0086]形成柱狀分隔件363以維持上面板200與下面板100之間的間隙。
[0087] 取向?qū)?1和21形成在下面板100和上面板200的內(nèi)表面中。如圖2中所示，下取向?qū)?11設(shè)置在像素電極191上，上取向?qū)?1設(shè)置在共電極270的表面上，其中，共電極270的所述 表面面對(duì)像素電極191。取向?qū)?1和21可以是垂直取向?qū)?。取向?qū)?1和21包括具有至少一個(gè) 主鏈和連接到主鏈的多個(gè)側(cè)鏈的聚合物。側(cè)鏈包括垂直取向基團(tuán)以及光反應(yīng)基和光反應(yīng)基 衍生物中的至少一者。在本示例性實(shí)施例中，在反應(yīng)性液晶元的聚合期間，側(cè)鏈中包括的光 反應(yīng)基用來提高反應(yīng)性。光反應(yīng)基衍生物通過使光反應(yīng)基與反應(yīng)性液晶元聚合來形成。
[0088] 光反應(yīng)基可以使用可通過吸收光產(chǎn)生自由基以引發(fā)聚合的各種材料。
[0089] 在示例性實(shí)施例中，下取向?qū)?1可以以均勻的厚度基本覆蓋柱狀分隔件363。
[0090] 在示例性實(shí)施例中，凸起15和25形成在取向?qū)?1和21的表面中。
[0091] 凸起15和25可以通過反應(yīng)性液晶元(其是包括在液晶層3中的取向劑）的光照來形 成。在示例性實(shí)施例中，凸起15和25包括具有預(yù)傾斜的取向聚合物。取向聚合物可以通過光 照在液晶層3中包括的反應(yīng)性液晶元來形成?？商鎿Q地，在烘焙工藝期間將混合在形成取向 層11和21的取向材料中的反應(yīng)性液晶元洗脫到液晶層30之后，可以通過光照形成取向聚合 物。
[0092] 在示例性實(shí)施例中，在液晶層中包括的取向?qū)?1和21由包括主鏈和連接到主鏈的 多個(gè)側(cè)鏈的聚酰亞胺制成。在下文中，將詳細(xì)地描述聚酰亞胺。
[0093]在示例性實(shí)施例中，聚酰亞胺包括由化學(xué)式1表示的第一結(jié)構(gòu)單元、由化學(xué)式2表 示的第二結(jié)構(gòu)單元和由化學(xué)式3表示的第三結(jié)構(gòu)單元。
[0094]
[0095] 在化學(xué)式1至化學(xué)式3中，
[0096] X^X2和X3分別表示從脂環(huán)酸二酐或芳香酸二酐獨(dú)立地形成的四價(jià)或五價(jià)有機(jī)基 團(tuán)；
[0097] Y1為從芳香二胺誘導(dǎo)出的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)，二價(jià)有機(jī)基團(tuán)中的至少一個(gè)氫被取代的 或未取代的C5至C30直鏈或支鏈烷基(其中，取代的C5至C30直鏈或支鏈烷基的不相鄰的CH 2 基可以取代有 _0-、4(1〇-、-(：(=0)0-、-(：(=0州(妒)-、4(1^)(：(=0)-或-0(：(=0)-，其中， RaA1^PP分別為氫或者取代的或未取代的Cl至C8烷基)取代；
[0098] Y2為從芳香二胺誘導(dǎo)的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)，二價(jià)有機(jī)基團(tuán)的至少一個(gè)氫被取代為如在 化學(xué)式2A中給出的；
[0099] Y3為從芳香二胺誘導(dǎo)的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)，二價(jià)有機(jī)基團(tuán)的至少一個(gè)氫被取代為如在 化學(xué)式3A或化學(xué)式3B中給出的。
[0100]
[0101] 在化學(xué)式2A中，
[0102] R1至R4獨(dú)立地為氫或者取代的或未取代的Cl至C8烷基；
[0103] η為0至20的整數(shù)；
[0104] R5為取代的或未取代的Cl至C30烷基；
[0105] a和b均獨(dú)立地為0至4的整數(shù)；
[0106] L1和L2均獨(dú)立地為單鍵、-0-、-S( =0)2-或-(C(Rx)(Ry))m-,其中，R x和Ry均獨(dú)立地為 氫原子或者取代的或未取代的Cl至C8烷基，m為1至20的整數(shù)。
[0107；
[0108] 在化學(xué)式3A和化學(xué)式3B中，
[0109] Cy為C6至C18的芳基或C6至C18的環(huán)烷基；
[0110] R11至R14獨(dú)立地為氫或者取代的或未取代的Cl至C8烷基；
[0111] R15和R16獨(dú)立地為羥基或者取代的或未取代的Cl至C8烷氧基；
[0112] R17為氫、羥基或者取代的或未取代的Cl至C8烷氧基；
[0113] c和d獨(dú)立地為0至4的整數(shù)；
[0114] kl和k3為0至20的整數(shù)，k2為0至5的整數(shù)；
[0115] Z1和Z2分別獨(dú)立地為-C(=0)_;
[0116] Z3 為-S-或-C(=0)_。
[0117] 在示例性實(shí)施例中，形成取向?qū)拥木埘啺房梢员硎緸槿缫韵禄瘜W(xué)式A中所示。這 僅是聚酰亞胺的一個(gè)示例并可以進(jìn)行各種修改。
[0118] 化舉式A
[0119]
[0120] 在化學(xué)式A中，光反應(yīng)基可以是具有如表1中所示的化學(xué)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。
[0121] (表 1)
[0123] 在示例性實(shí)施例中，本公開的取向?qū)涌梢酝ㄟ^對(duì)液晶取向劑執(zhí)行涂覆和烘焙工藝 來形成。
[0124] 在示例性實(shí)施例中，液晶取向劑包括由化學(xué)式1表示并包括取代的或未取代的C5 至C30直鏈或支鏈烷基的第一結(jié)構(gòu)單元、由化學(xué)式2表示并包括誘導(dǎo)垂直取向的如化學(xué)式2A 中所示的取代基的第二結(jié)構(gòu)單元以及由化學(xué)式3表示并包括可通過光吸收誘導(dǎo)自由基的產(chǎn) 生的如化學(xué)式3A或化學(xué)式3B中所示出的取代基的第三結(jié)構(gòu)單元。
[0125] 由化學(xué)式2A表示的第二結(jié)構(gòu)單元包括垂直取向組分并可以是液晶取向劑中的化 學(xué)式2A的側(cè)鏈。當(dāng)經(jīng)受利用紫外(UV)光的照射時(shí)，如由化學(xué)式3A或化學(xué)式3B中的結(jié)構(gòu)表示 的側(cè)鏈可以產(chǎn)生自由基。具體地，具有表示為化學(xué)式3A或化學(xué)式3B中給出的結(jié)構(gòu)的側(cè)鏈的 端部可以包括光反應(yīng)基。在示例性實(shí)施例中，光反應(yīng)基可以包括具有由化學(xué)式3-1、化學(xué)式 3-2、化學(xué)式3-3、化學(xué)式3-4和化學(xué)式3-5表示的結(jié)構(gòu)的組分中的至少一種。
[0126]
[0127] 在化學(xué)式3-1、化學(xué)式3-2和化學(xué)式3-5中，R14獨(dú)立地為氫或者取代的或未取代的Cl 至C8烷基;R15和R16分別獨(dú)立地為羥基或者取代的或未取代的Cl至C8烷氧基;R 17為氫、羥基 或者取代的或未取代的Cl至C8烷氧基;c和d均獨(dú)立地為0至4的整數(shù);k2為0至5的整數(shù);Z 1和 Z2分別獨(dú)立地為-C (= 0) -; Z3為-S-或-C (= 0)-。
[0128] 在示例性實(shí)施例中，光反應(yīng)基通過與在液晶中的剩余的未反應(yīng)的反應(yīng)性液晶元反 應(yīng)來消除反應(yīng)性液晶元。結(jié)果，可以使直流(DC)余像最小化。另外，減小了利用示例性的液 晶取向劑制造的取向?qū)又械耐蛊鸬某叽绮⑹雇蛊鹈芏茸钚』?，從而保證預(yù)傾角的穩(wěn)定性并 使AC余像最小化。另外，由化學(xué)式3A或化學(xué)式3B表示的側(cè)鏈包括在其端部處的光反應(yīng)取代 基，從而可以增加光反應(yīng)速度并改善元件的可靠性。與不包括光反應(yīng)取代基的聚酰亞胺比 較，可以在制造液晶取向?qū)又锌s短處理時(shí)間，由此改善生產(chǎn)率并降低成本。
[0129] 聚酰亞胺通過使以至少一種酸二酐和芳香二胺共聚形成的聚酰胺酸酰亞胺化來 制備。酸二酐選自于脂環(huán)酸二酐和芳香酸二酐。作為制備聚酰胺酸的方法，可以不受限制地 應(yīng)用能夠合成聚酰胺酸的任何已知的方法。
[0130] 脂環(huán)酸二酐可以是從1，2,3,4_環(huán)丁烷四羧酸二酐(CBDA)、2,3,4,5_四氫呋喃四羧 酸二酐、5-(2,5-二氧四氫呋喃基)-3-甲基環(huán)己烷-1，2-二羧酸酐(D0⑶A)、二環(huán)辛烯-2，3， 5，6-四羧酸二酐(BODA)、I，2，3，4-環(huán)戊烷四羧酸二酐(CPDA)、I，2，4，5-環(huán)己烷四羧酸二酐 (CHDA)、1，2,4-三羧基-3-羧甲基環(huán)戊烷二酐、3,4_二羧基-1-環(huán)己基琥珀酸二酐、3,4_二羧 基-1，2，3,4_四氫-1-萘琥珀酸二酐和2,3，5_三羧基環(huán)戊基乙酸二酐(TCA-AH)中選擇的至 少一種，但其不限于此。
[0131] 芳香酸二酐可以為從均苯四甲酸二酐(PMDA)、雙鄰苯二甲酸酐(BPDA)、氧雙鄰苯 二甲酸酐(ODPA)、二苯酮四羧酸二酐(BTDA)和4,4'_(六氟亞異丙烯)鄰苯二甲酸酐(6-FDA) 中選擇的至少一種，但其不限于此。
[0132] 在示例性實(shí)施例中，液晶取向劑可以包括用于溶解聚酰亞胺的溶劑?？梢园ㄈ?劑以獲得具有優(yōu)良的鋪展性和與基板的粘合性的液晶光取向劑。
[0133] 溶劑的示例可以包括:N-甲基-2-吡咯烷酮;N，N_二甲基乙酰胺;N，N_二甲基甲酰 胺;二甲基亞砜；γ-丁內(nèi)酯；四氫呋喃(THF);以及苯酚類溶劑，諸如間甲酚、苯酚和鹵代苯 酚，但其不限于此。
[0134] 在示例性實(shí)施例中，溶劑還可以包括2-丁基溶纖劑(2-BC)，因此，可以改善印刷性 能。在此情況下，相對(duì)于總?cè)軇┖浚梢园ㄔ诖蠹slwt%至大約50wt%的量內(nèi)的2-丁基 溶纖劑，具體地，可以包括在大約IOwt %至大約40wt %的量內(nèi)的2-丁基溶纖劑。當(dāng)2-丁基溶 纖劑包括在上面陳述的范圍內(nèi)時(shí)，可以改善印刷性能。
[0135] 溶劑還可以包括作為不良溶劑的醇、酮、酯、醚、烴和鹵代烴中的一種或更多種，在 可溶聚酰亞胺共聚聚合物不沉淀的范圍內(nèi)以適當(dāng)?shù)牧堪ú涣既軇?。不良溶劑可以減小液 晶取向劑的表面能以在施加期間改善液晶取向劑的鋪展性和平整度。
[0136] 基于溶劑的總量，可以以大約Iwt %至大約90wt %的量且具體地大約Iwt %至大約 70wt %的量包括不良溶劑。
[0137] 不良溶劑的具體示例可以是從甲醇、乙醇、異丙醇、環(huán)己醇、乙二醇、丙二醇、1，4_ 丁二醇、三乙二醇、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、草酸二乙酯、丙二 酸酯、二乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇二甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇苯醚、乙二醇苯甲醚、乙 二醇苯乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇 單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚乙酸酯、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、2-羥乙基丙酸酯、2-羥基-2-甲基乙基丙酸酯、乙酸乙氧基乙酯、羥基乙酸乙 酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基苯酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、 3-乙氧基丙酸甲酯、甲基甲氧基丁醇、乙基甲氧基丁醇、甲基乙氧基丁醇、乙基乙氧基丁醇、 四氫呋喃、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，4_二氯丁烷、三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯、己烷、庚烷、 辛烷、苯、甲苯、二甲苯和它們的組合中選擇的任何一種。
[0138] 在示例性實(shí)施例中，根據(jù)本公開的形成取向?qū)?1和21的液晶取向劑還可以包括其 它添加劑。
[0139] 其它添加劑的示例可以包括環(huán)氧化合物。環(huán)氧化合物用來改善可靠性和電光性 能?？梢允褂冒▋蓚€(gè)至八個(gè)環(huán)氧基(具體地，包括兩個(gè)至四個(gè)環(huán)氧基）的一種或更多種類 型的環(huán)氧化合物。
[0140] 基于100重量份的聚酰亞胺共聚物，可以以大約0.1重量份至大約50重量份且具體 地大約1重量份至大約30重量份的量包括環(huán)氧化合物。當(dāng)環(huán)氧化合物包括在上述范圍內(nèi)的 量內(nèi)時(shí)，液晶光取向劑在對(duì)基板施加期間可以呈現(xiàn)合適的印刷性能和平整度，并可易于改 善可靠性和電光性能。
[0141] 環(huán)氧化合物的具體示例可以包括N，N，N'，N'_四縮水甘油基_4,4'_二氨基苯基甲 烷(TGDDM)、N，N，N'，N'_四縮水甘油基-4,4'_二氨基苯基乙烷、N，N，N'，N'_四縮水甘油基-4,4'_二氨基苯基丙烷、N，N，N'，N'_四縮水甘油基-4,4'_二氨基苯基丁烷、N，N，N'，N'_四縮 水甘油基-4,4'_苯二胺、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油 醚、三丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、1，6_己二醇 二縮水甘油醚、丙三醇二縮水甘油醚、2，2-二溴新戊二醇二縮水甘油醚、1，3，5，6_四縮水甘 油基-2,4-己二醇、N，N，N'，N'_四縮水甘油基-1，4-苯二胺、N，N，N'，N'_四縮水甘油基間苯 二胺、N，N，N'，N'_四縮水甘油基-2,2'_二甲基-4,4'_二氨基聯(lián)苯、2,2_雙[4-(N，N-縮水甘 油基-4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、N，N，N'，N'-四縮水甘油基-4,4'-二氨基二苯基甲烷、l，3-雙(N，N-縮水甘油基氨基甲基)環(huán)己烷、l，3-雙(N，N-縮水甘油基氨基甲基）苯等，但不限于 此。
[0142] 另外，為了改善印刷性能，可以使用合適的表面活性劑或偶聯(lián)劑作為添加劑。
[0143] 在示例性實(shí)施例中，可以通過在基板上涂覆液晶取向劑形成取向?qū)?1和21。用于 在基板上涂覆液晶取向劑的方法包括旋涂法、柔性版印刷法、噴墨印刷法等。在這些方法 中，可以使用柔性版印刷法，因?yàn)樾纬傻耐繉拥木鶆蛐允莾?yōu)異的，并且易于擴(kuò)大執(zhí)行。
[0144] 為了改善形成的涂層的均勻性，將液晶取向劑均勻地鋪展在基板上，然后在室溫 (RT)至大約200°C (具體地，大約30 °C至大約150°C，更具體地，大約40 °C至大約120°C)的溫 度下臨時(shí)干燥大約1分鐘至大約100分鐘的時(shí)間段?？梢酝ㄟ^經(jīng)由臨時(shí)干燥調(diào)整液晶取向劑 中的每個(gè)組分的揮發(fā)性來獲得不具有偏差的均勻涂層。
[0145] 之后，為了蒸發(fā)溶劑，將形成的涂層在大約80°C至大約300°C(具體地，大約120°C 至大約280°C)的溫度下煅燒大約5分鐘至大約300分鐘的時(shí)間，從而形成取向?qū)?1和21。
[0146] 另外，偏振器(未示出）可以設(shè)置在下面板100和上面板200的外表面中。
[0147 ] 參照?qǐng)D1和圖2，包括液晶分子310的液晶層3設(shè)置在下面板100與上面板200之間。
[0148] 液晶分子310具有負(fù)的介電各向異性，液晶分子310的長軸在不施加電場（即，不存 在電場）的同時(shí)基本垂直于兩個(gè)面板100和200的表面。
[0149] 在通過將反應(yīng)性液晶元暴露于光照射所形成的凸起15和25中包括的取向聚合物 用來控制液晶材料的預(yù)傾斜。預(yù)傾斜是液晶材料310的初始取向方向。這里，在液晶取向劑 的側(cè)鏈中包括的光反應(yīng)基增加反應(yīng)性液晶元的聚合反應(yīng)性并幫助反應(yīng)性液晶元形成凸起 15和25。另外，光反應(yīng)基與對(duì)于光照下未反應(yīng)的剩余的反應(yīng)性液晶元反應(yīng)以去除剩余的反 應(yīng)性液晶元。
[0150] 圖3是根據(jù)本公開的像素電極的示例性實(shí)施例的俯視圖。圖4是根據(jù)本公開的基礎(chǔ) 電極的示例性實(shí)施例的俯視圖。
[0151] 參照?qǐng)D4,將更加具體地描述基礎(chǔ)電極199。
[0152] 如圖4中所示，基礎(chǔ)電極199的整體形狀為四邊形，并包括由水平主干193和垂直于 水平主干193的豎直主干192構(gòu)造的十字形主干。另外，基礎(chǔ)電極199被劃分為基于水平主干 193和豎直主干192劃分的第一子區(qū)域Da、第二子區(qū)域Db、第三子區(qū)域Dc和第四子區(qū)域DcU相 應(yīng)的子區(qū)域Da-Dd包括多個(gè)第一微分支194a、多個(gè)第二微分支194b、多個(gè)第三微分支194c和 多個(gè)第四微分支194d。
[0153] 第一微分支194a從水平主干193或豎直主干192沿左上方向傾斜地延伸，第二微分 支194b從水平主干193或豎直主干192沿右上方向傾斜地延伸。另外，第三微分支194c從水 平主干193或豎直主干192沿左下方向傾斜地延伸，第四微分支194d從水平主干193或豎直 主干192沿右下方向傾斜地延神。
[0154] 第一至第四微分支194a、194b、194c和194d與柵極線121或水平主干193形成大約 45度至135度的角。另外，相鄰的兩個(gè)子區(qū)域Da、Db、Dc和Dd的微分支194a、194b、194c和194d 可以彼此垂直地交叉。
[0155] 微分支194a至194d的寬度可以為大約2.0微米(μπι)至大約5 ·0μηι，一個(gè)子區(qū)域Da至 Dd中的相鄰的微分支194a至194d之間的間隙可以為大約2.5μηι至大約5. Ομπι。
[0156] 雖然未示出，但是微分支194a、194b、194c和194d的寬度可以更接近于水平主干 193或豎直主干192而逐漸加寬。
[0157] 參照?qǐng)D1至圖3,第一子像素電極191a和第二子像素電極191b分別包括在圖4中示 出的一個(gè)基礎(chǔ)電極199或者基礎(chǔ)電極199的變型。然而，橫跨整個(gè)像素電極191，由第二子像 素電極191b占據(jù)的區(qū)域可以大于由第一子像素電極191a占據(jù)的區(qū)域，在此情況下，第二子 像素電極19 Ib的基礎(chǔ)電極199的尺寸可以被控制為使得第二子像素電極191 b的區(qū)域比第一 子像素電極191a的區(qū)域大大約0.1倍至大約2.2倍。
[0158] 第二子像素電極191b包括沿著數(shù)據(jù)線171延伸的一對(duì)分支195。一對(duì)分支195設(shè)置 在第一子像素電極19 Ia與數(shù)據(jù)線17 Ia和17 Ib之間，并在第一子像素電極19 Ia的下端處彼此 連接。第一子像素電極191a和第二子像素電極191b通過接觸孔185a和185b(見圖1)與第一 漏電極175a和第二漏電極175b物理連接和電連接，使得數(shù)據(jù)電壓從第一漏電極175a和第二 漏電極175b施加到第一子像素電極191a和第二子像素電極191b。
[0159] 當(dāng)電壓施加到像素電極191和共電極270時(shí)，液晶分子310的長軸響應(yīng)于在像素電 極191與共電極270之間形成的電場將方向改變?yōu)榇怪庇陔妶龅姆较?。穿過液晶層3的光的 偏振程度的變化根據(jù)液晶分子310的傾斜程度而改變。偏振的變化由通過偏振器的光的透 射率的變化表示，結(jié)果，每個(gè)像素顯示預(yù)定的期望亮度。
[0160] 液晶分子310的傾斜方向由像素電極191的微分支194a、194b、194c、194d確定。即， 液晶分子310在平行于微分支194a、194b、194c和194d的長度方向的方向上傾斜。由于一個(gè) 像素電極191包括微分支194a、194b、194c和194d的長度方向彼此不同的四個(gè)子區(qū)域Da、Db、 Dc和Dd，所以液晶分子310的傾斜方向包括四個(gè)方向和液晶層3中的液晶分子310的取向方 向彼此不同的四個(gè)疇。因此，可以通過改變液晶分子的傾斜方向來改進(jìn)液晶顯示器的視角。
[0161] 上面描述的薄膜晶體管和像素電極191的描述是一個(gè)示例，可以修改薄膜晶體管 的結(jié)構(gòu)和像素電極的設(shè)計(jì)以提高側(cè)面可視性。例如，可以根據(jù)電阻分布通過每個(gè)區(qū)域產(chǎn)生 的電壓差分效應(yīng)來形成能夠改善可視性的RD-TFT結(jié)構(gòu)。
[0162] 取向?qū)拥谋砻嫘蚊?br>[0163] 圖5是根據(jù)本公開的用示例性液晶取向劑制造的取向?qū)拥膾呙桦娮语@微鏡（SEM) 照片，圖6是用不包括具有由化學(xué)式3表示的光反應(yīng)基側(cè)鏈的聚酰亞胺的液晶取向劑制造的 取向?qū)?對(duì)比示例）的SEM照片。具體地，對(duì)比示例與包括由化學(xué)式1表示的第一結(jié)構(gòu)單元和 由化學(xué)式2表示的第二結(jié)構(gòu)單元而不包括由化學(xué)式3表示的第三結(jié)構(gòu)單元的取向?qū)訉?duì)應(yīng)。
[0164] 如圖5中所示，可以觀察到，對(duì)于取向?qū)拥氖纠詫?shí)施例，凸起尺寸減小，凸起密度 增加，同時(shí)取向?qū)拥木鶆蛐允莾?yōu)異的。
[0165] 與取向?qū)拥氖纠詫?shí)施例比較，如圖6中所示，對(duì)于根據(jù)對(duì)比示例的取向?qū)?，凸?尺寸大，凸起密度相對(duì)低，同時(shí)層的均勻度劣化。
[0166] 余像評(píng)價(jià)
[0167] 圖7是示出了分別包括示例性實(shí)施例的取向?qū)雍蛯?duì)比示例的取向?qū)拥囊壕э@示器 的隨時(shí)間（24小時(shí)或168小時(shí)）的余像(有效灰度)的圖。在24小時(shí)的時(shí)段或168小時(shí)的時(shí)段內(nèi) 形成黑白格子圖案。
[0168] 如圖7中所示，在歷時(shí)24小時(shí)形成黑/白格子圖案的情況下和在歷時(shí)168小時(shí)形成 黑/白格子圖案的情況下，與對(duì)比示例比較，在本公開的示例性實(shí)施例中，余像的程度顯著 地較低。
[0169] 在下文中，將參照?qǐng)D8描述作為圖1至圖4的示例性實(shí)施例的變型的液晶顯示器的 示例性實(shí)施例。
[0170] 與示出為具有凸起15和25可以都形成在下取向?qū)?1與液晶層3之間和上取向?qū)?1 與液晶層3之間的結(jié)構(gòu)的圖2的示例性實(shí)施例不同，圖8的示例性實(shí)施例的凸起15可以僅在 下取向?qū)?1上形成。然而，與在圖8中示出的那些不同，凸起還可以形成在上取向?qū)?1上，在 此情況下，凸起的數(shù)量可以顯著地少于形成在下取向?qū)?1上的凸起15的數(shù)量。具體地，當(dāng)凸 起密度與每單位面積的凸起的數(shù)量對(duì)應(yīng)時(shí)，位于下取向?qū)?1上的凸起的密度大于位于上取 向?qū)?1上的凸起的密度。在此情況下，位于下取向?qū)?1上的凸起的尺寸可以小于位于上取 向?qū)?1上的凸起的尺寸。
[0171] 在下面板100上的凸起的密度和在上面板200上的凸起的密度設(shè)定為彼此不同，使 得與下取向?qū)?1相鄰的液晶分子310的預(yù)傾斜和與上取向?qū)?1相鄰的液晶分子310的預(yù)傾 斜可以設(shè)定為彼此不同。為了使在下面板100上的凸起的密度和在上面板200上的凸起的密 度彼此不同，下取向?qū)?1可以由包括第一結(jié)構(gòu)單元、第二結(jié)構(gòu)單元和第三結(jié)構(gòu)單元的液晶 取向劑制造，同時(shí)上取向?qū)?1可以由僅包括圖1至圖4的示例性實(shí)施例的第一結(jié)構(gòu)單元和第 二結(jié)構(gòu)單元的液晶取向劑制造。
[0172] 由于下取向?qū)?1包括具有光反應(yīng)基的第三結(jié)構(gòu)單元，因此當(dāng)液晶層暴露于電場曝 光時(shí)，在液晶層3中包括的反應(yīng)性液晶元的聚合增加。因此，位于下取向?qū)?1上的凸起的密 度增加，使得與下取向?qū)?1相鄰的液晶分子310的預(yù)傾斜可以大于與上取向?qū)?1相鄰的液 晶分子310的預(yù)傾斜。例如，與下取向?qū)?1相鄰的液晶分子310可以相對(duì)于下取向?qū)?1的表 面具有大于或等于80度并小于89度的預(yù)傾角，同時(shí)與上取向?qū)?1相鄰的液晶分子310可以 具有基本垂直于上取向?qū)?1的表面的預(yù)傾角，即，大于或等于89度或者小于或等于90度的 預(yù)傾角。在示例性實(shí)施例中，預(yù)傾斜指相對(duì)于基本垂直于下取向?qū)?1和上取向?qū)?1的表面 的方向的傾斜。
[0173] 接著，將參照?qǐng)D9和圖10描述與在具有彎曲液晶顯示器面板的傳統(tǒng)的液晶顯示器 中發(fā)生諸如紋理的暗部有關(guān)的問題。
[0174] 圖9是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器（即，與上取向?qū)雍拖氯∠驅(qū)酉噜彽囊壕Х肿泳哂邢?同的預(yù)傾斜）中的紋理故障的圖示。圖10示出了現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器中的紋理故障的模 擬。
[0175] 參照?qǐng)D9和圖10,在第一取向?qū)?1與第二取向?qū)?1之間的液晶分子310具有在相同 方向上形成的傾斜角。當(dāng)顯示面板彎曲為形成彎曲液晶顯示器時(shí)，在第一基板110與第二基 板210之間的液晶分子310的取向改變，因此，形成存在第一取向?qū)?1處的液晶分子310的預(yù) 傾斜方向與第二取向?qū)?1處的液晶分子310的預(yù)傾斜方向之間的不匹配的區(qū)域。在該區(qū)域 中，在液晶分子310傾斜的方向上發(fā)生問題，從而發(fā)生紋理故障。
[0176] 圖11是示出了與圖8的液晶顯示器的示例性實(shí)施例中的上取向?qū)雍拖氯∠驅(qū)酉噜?的液晶分子310的取向的圖示。圖15是從根據(jù)圖11的示例性實(shí)施例的液晶顯示器彎曲為形 成彎曲液晶顯示器的顯示面板的圖示。參照?qǐng)D15,第一基板110和第二基板210可以彎曲為 具有彎曲的側(cè)面。圖12示出了液晶顯示器的示例性實(shí)施例的紋理圖像的模擬。
[0177] 參照?qǐng)D11，與圖9和圖10的液晶顯示器不同，對(duì)于圖8的液晶顯示器，位于與第一取 向?qū)?1相鄰的液晶分子310的預(yù)傾斜和位于與第二取向?qū)?1相鄰的液晶分子310的預(yù)傾斜 設(shè)定為彼此不同。結(jié)果，參照?qǐng)D15,即使顯示面板彎曲為形成彎曲液晶顯示器，在彼此相鄰 的疇區(qū)域的邊界中也不會(huì)產(chǎn)生紋理區(qū)域。參照?qǐng)D12,與圖10相比，在相鄰的疇區(qū)域的邊界中 顯著地減少了紋理。
[0178] 在下文中，將參照?qǐng)D13和圖14描述用于制造上面描述的液晶顯示器的方法的示例 性實(shí)施例。制造方法不限于此，并可以以另一形式修改。
[0179] 圖13和圖14是根據(jù)本公開的利用取向輔助劑(反應(yīng)性液晶元)形成液晶分子中的 預(yù)傾斜的示例性方法的示意圖。
[0180] 參照?qǐng)D1、圖2和圖13,可以分別制造在下面板100和上面板200中包括的構(gòu)成元件。 在下面板100中，在像素電極191上形成下取向?qū)?1。在下文中，將描述用于形成取向?qū)?1和 21的方法。
[0181] 用于形成包括主鏈和側(cè)鏈的聚合物的取向材料被涂覆到像素電極191，以通過諸 如烘焙等的工藝形成下取向?qū)?1。相似地，用于形成包括主鏈和側(cè)鏈的聚合物的取向材料 被涂覆到共電極270,以通過諸如烘焙等的工藝形成上取向?qū)?1。包括液晶分子310和反應(yīng) 性液晶元50(其是取向輔助劑)的液晶層3形成在像素電極191與共電極270之間。
[0182 ] 照射光1，同時(shí)在像素電極191與共電極270之間施加電場。
[0183]之后，參照?qǐng)D2和圖14,使與液晶分子310混合的反應(yīng)性液晶元50光反應(yīng)并形成具 有預(yù)傾斜的取向聚合物50a。在此情況下，取向?qū)?1和21中的每個(gè)取向?qū)拥膫?cè)鏈的端部中包 括的光反應(yīng)基可以增加反應(yīng)性液晶元50的反應(yīng)性，從而使反應(yīng)性液晶元的反應(yīng)性最大化， 同時(shí)使剩余的未反應(yīng)的反應(yīng)性液晶元的量最小化。
[0184] 取向聚合物沿著液晶分子310的取向布置并在已經(jīng)去除施加的電壓之后維持取 向，從而控制液晶分子310的預(yù)傾斜。
[0185] 雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施例的內(nèi)容描述了本發(fā)明，但將理解 的是，本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意圖覆蓋在所附權(quán)利要求的精神和范 圍內(nèi)包括的各種修改和等同布置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種彎曲液晶顯示器，其特征在于，所述彎曲液晶顯示器包括： 第一基板； 第二基板，面對(duì)所述第一基板； 液晶層，在所述第一基板與所述第二基板之間并包括液晶分子； 第一取向?qū)?，在所述第一基板與所述液晶層之間；W及 第二取向?qū)?，在所述第二基板與所述液晶層之間， 其中，所述第一取向?qū)雍退龅诙∠驅(qū)臃謩e包括具有至少一個(gè)主鏈和連接到所述主 鏈的多個(gè)側(cè)鏈的聚合物， 其中，所述第一取向?qū)拥乃鼍酆衔锖退龅诙∠驅(qū)拥乃鼍酆衔镏械闹辽僖徽甙?括具有光反應(yīng)基和光反應(yīng)基衍生物中的至少一者的至少一個(gè)側(cè)鏈。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彎曲液晶顯示器，其中，所述第一取向?qū)拥乃鼍酆衔锇ň?有所述光反應(yīng)基和所述光反應(yīng)基衍生物中的至少一者的所述至少一個(gè)側(cè)鏈，所述第二取向 層的所述聚合物的所述側(cè)鏈不包括所述光反應(yīng)基和所述光反應(yīng)基衍生物。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彎曲液晶顯示器，所述彎曲液晶顯示器還包括在所述第一取 向?qū)雍退龅诙∠驅(qū)又械闹辽僖徽呱系耐蛊穑渲?，所述凸起包括取向聚合物?. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的彎曲液晶顯示器，其中，所述第一取向?qū)由系乃鐾蛊鸬拿芏?大于所述第二取向?qū)由系乃鐾蛊鸬拿芏取?. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的彎曲液晶顯示器，其中，所述第一取向?qū)由系乃鐾蛊鸬某叽?小于所述第二取向?qū)由系乃鐾蛊鸬某叽纭?. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彎曲液晶顯示器，其中，所述光反應(yīng)基和所述光反應(yīng)基衍生物 中的至少一者位于所述至少一個(gè)側(cè)鏈的端部處。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彎曲液晶顯示器，其中，所述光反應(yīng)基由化學(xué)式3A或化學(xué)式3B 表示，所述光反應(yīng)基衍生物是由化學(xué)式3A或化學(xué)式3B表示的所述光反應(yīng)基的衍生物：其中，切為C6至C18芳基或C6至C18環(huán)烷基;rU至rM獨(dú)立地為氨或者取代的或未取代的 C1至C8烷基;Ris和Ris獨(dú)立地為徑基或者取代的或未取代的C1至C8烷氧基;rU為氨、徑基或 者取代的或未取代的C1至C8烷氧基;C和d分別獨(dú)立地為0至4的整數(shù);k2為0至5的整數(shù);Zi和 Z2分別獨(dú)立地為-C (= 0) -; Z3為-S-或-C (= 0)-。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的彎曲液晶顯示器，所述光反應(yīng)基包括由化學(xué)式3-1、化學(xué)式3- 2、化學(xué)式3-3、化學(xué)式3-4和化學(xué)式3-5表示的化合物中的至少一種：其中，RM獨(dú)立地為氨或者取代的或未取代的Cl至C8烷基;Ri哺Ris分別獨(dú)立地為徑基或 者取代的或未取代的C1至C8烷氧基;rU為氨、徑基或者取代的或未取代的C1至C8烷氧基。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彎曲液晶顯示器，其中，與所述第一取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥?預(yù)傾斜和與所述第二取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜彼此不同。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的彎曲液晶顯示器，其中，與所述第一取向?qū)酉噜彽乃鲆壕?分子的所述預(yù)傾斜大于與所述第二取向?qū)酉噜彽乃鲆壕Х肿拥乃鲱A(yù)傾斜。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的彎曲液晶顯示器，其中，所述第一基板和所述第二基板包括 彎曲的側(cè)面。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的彎曲液晶顯示器，其中，與所述第二取向?qū)酉噜彽乃鲆壕?分子垂直于所述第二取向?qū)印?3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彎曲液晶顯示器，其中，所述至少一個(gè)側(cè)鏈還包括垂直取向 基團(tuán)。14. 一種用于制造彎曲液晶顯示器的方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一基板上形成像素電極； 在第二基板上形成共電極； 在所述像素電極上形成第一取向?qū)樱? 在所述共電極上形成第二取向?qū)樱? 在所述第一取向?qū)优c所述第二取向?qū)又g形成液晶層，所述液晶層包括液晶分子和反 應(yīng)性液晶兀； 用光照射所述液晶層，同時(shí)施加電場；W及 形成所述第一基板和所述第二基板W具有彎曲的側(cè)面， 其中，所述第一取向?qū)雍退龅诙∠驅(qū)臃謩e包括具有至少一個(gè)主鏈和連接到所述主 鏈的多個(gè)側(cè)鏈的聚合物， 其中，所述第一取向?qū)拥乃鼍酆衔锖退龅诙∠驅(qū)拥乃鼍酆衔镏械闹辽僖徽甙?括具有光反應(yīng)基的至少一個(gè)側(cè)鏈。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造彎曲液晶顯示器的方法，其中，所述第一取向?qū)拥?所述聚合物包括具有所述光反應(yīng)基的所述至少一個(gè)側(cè)鏈，所述第二取向?qū)拥乃鼍酆衔锊?包括光反應(yīng)基。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造彎曲液晶顯示器的方法，其中，用光照射所述液晶 層的步驟包括:使所述反應(yīng)性液晶元聚合W及在所述第一取向?qū)雍退龅诙∠驅(qū)又械闹?少一個(gè)上形成凸起。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于制造彎曲液晶顯示器的方法，其中，所述第一取向?qū)由?的所述凸起的密度大于所述第二取向?qū)由系乃鐾蛊鸬拿芏取?8. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于制造彎曲液晶顯示器的方法，其中，在用光照射所述液 晶層之后，與所述第一取向?qū)酉噜彽囊壕Х肿拥念A(yù)傾斜大于與所述第二取向?qū)酉噜彽囊壕?分子的預(yù)傾斜。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于制造彎曲液晶顯示器的方法，其中，所述第二取向?qū)拥?所述聚合物包括具有垂直取向基團(tuán)的至少一個(gè)側(cè)鏈。20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造彎曲液晶顯示器的方法，所述方法還包括用紫外 光照射所述液晶層。
【文檔編號(hào)】G02F1/1337GK105938277SQ201610127049
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月7日
【發(fā)明人】李赫珍, 權(quán)五正, 金秀珍, 金珍源, 宋東翰, 申旗澈, 申東哲, 尹晟在
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