一種顯示屏陣列基板加工工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示加工領(lǐng)域，具體來說涉及一種顯示屏陣列基板加工工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]平板顯示制造中，線寬均一性(⑶Uniformity)非常重要。但產(chǎn)品線寬均一性與多道工序，如光刻膠狹縫涂覆(Coater)、減壓干燥(Vacuum Dry)、前烘(Prebake)、曝光(Exposure)、顯影(Developer)、后烘(Postbake)、刻蝕(Etching)等緊密相關(guān)。任何一道工序的均一性不佳，都會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的線寬均一性差，從而導(dǎo)致產(chǎn)品品質(zhì)的低水平。
[0003]現(xiàn)行生產(chǎn)線中對(duì)線寬均一性影響較大的工藝順序如圖1所示(以黃光生產(chǎn)線為例)，包括光刻膠狹縫涂覆(Coater)、減壓干燥(Vacuum Dry)、前烘(Prebake)、曝光(Exposure)、顯影(Developer)、后烘(Postbake)、線寬測(cè)試、刻蝕(Etching)、線寬測(cè)試。為滿足產(chǎn)品線寬的嚴(yán)苛的均一性要求，需要將影響線寬均一性的各單元精確控制，使各單元的均一性均穩(wěn)定在一個(gè)高水平。但其實(shí)在生產(chǎn)中，同時(shí)控制好各個(gè)單元的工藝均一性絕非易事，且即便上述單元的均一性已經(jīng)控制到非常嚴(yán)苛的程度，但由于會(huì)存在相互疊加的效應(yīng)，線寬均一性也常常不夠理想，造成產(chǎn)品的品質(zhì)難以提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示屏陣列基板加工工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中得到的玻璃基板線寬均一性不佳的問題。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種顯示屏陣列基板加工工藝，其特征在于，包括:
獲取陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值:提供若干片素基板，在所述素基板上依次進(jìn)行光刻膠狹縫涂覆、減壓干燥、前烘、曝光、顯影、后烘工序，至此得到帶光刻膠掩膜的圖案基板，對(duì)所述圖案基板進(jìn)行光刻膠圖形的線寬測(cè)試，然后再通過刻蝕對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離工序，得到金屬或非金屬圖案基板、對(duì)形成的金屬或非金屬圖案進(jìn)行線寬測(cè)試，得到陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值；
微補(bǔ)正金屬或非金屬圖案的線寬:將其它素基板依次進(jìn)行光刻膠狹縫涂覆、減壓干燥、前烘、曝光、微補(bǔ)正曝光、顯影、后烘，得到帶光刻膠掩膜的圖案基板，然后再通過刻蝕對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離工序，得到線寬均一性優(yōu)良的金屬或非金屬圖案基板，；其中所述微補(bǔ)正曝光為首先將上述步驟中的陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值反饋給微補(bǔ)正曝光設(shè)備，所述微補(bǔ)正曝光設(shè)備根據(jù)所述線寬統(tǒng)計(jì)值對(duì)金屬或非金屬圖案的線寬進(jìn)行細(xì)微修正，使最終的線寬符合預(yù)期值。
[0006]在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中，在微補(bǔ)正曝光過程中，在后烘與刻蝕工序之間，對(duì)所述圖案基板進(jìn)行光刻膠圖形的線寬測(cè)試。
[0007]在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述微補(bǔ)正曝光工序選用的微補(bǔ)正曝光設(shè)備是采用大型點(diǎn)陣光源，對(duì)陣列基板整體進(jìn)行微曝光，其中大型點(diǎn)陣光源中的每個(gè)小點(diǎn)光源的曝光能量都可以獨(dú)立控制。進(jìn)一步，將陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值反饋給微補(bǔ)正曝光設(shè)備，在通過大型點(diǎn)陣光源對(duì)陣列基板整體進(jìn)行微曝光的同時(shí)，通過調(diào)節(jié)相應(yīng)的小點(diǎn)光源的曝光能量對(duì)曝光不足、線寬偏大的區(qū)域進(jìn)行微小的曝光能量補(bǔ)正，以達(dá)到對(duì)線寬均一性進(jìn)行微調(diào)的目的。
[0008]在所述曝光工藝中，得到的半成品包括完全曝光區(qū)域、被掩膜板遮擋的完全未曝光區(qū)域、以及位于完全曝光區(qū)域邊緣的未完全曝光的區(qū)域。所述微補(bǔ)正曝光為曝光能量小的曝光，即對(duì)完全曝光區(qū)域和完全未曝光區(qū)域的效果不產(chǎn)生影響，對(duì)未完全曝光的區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)正曝光，使其轉(zhuǎn)變成完全曝光區(qū)域。
[0009]本發(fā)明將陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值，反饋給微補(bǔ)正曝光設(shè)備，通過微補(bǔ)正曝光工序?qū)€寬進(jìn)行細(xì)微修正，從而改善整面玻璃基板的線寬均一性。
[0010]本發(fā)明的特點(diǎn)可參閱本案圖式及以下較好實(shí)施方式的詳細(xì)說明而獲得清楚地了解。
【附圖說明】
[0011]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)線寬均一性影響較大的工藝順序示意圖。
[0012]圖2為本發(fā)明的工藝順序圖。
[0013]圖3為點(diǎn)陣光源的局部示意圖。
[0014]圖4為曝光工藝的示意圖。
[0015]圖5為曝光工藝后得到的陣列基板示意圖。
[0016]圖6為微補(bǔ)正曝光的示意圖。
[0017]圖7為微補(bǔ)正曝光后的效果圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0019]參見圖2，顯示屏陣列基板加工工藝(以黃光生產(chǎn)線為例)，包括:
獲取陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值:提供若干片素基板，在所述素基板上依次進(jìn)行光刻膠狹縫涂覆、減壓干燥、前烘、曝光、顯影、后烘工序，至此得到帶光刻膠掩膜的圖案基板，對(duì)所述圖案基板進(jìn)行光刻膠圖形的線寬測(cè)試，然后再通過刻蝕對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離工序，得到金屬或非金屬圖案基板、對(duì)形成的金屬或非金屬圖案進(jìn)行線寬測(cè)試，得到陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值；
微補(bǔ)正金屬或非金屬圖案的線寬:將其它素基板依次進(jìn)行光刻膠狹縫涂覆、減壓干燥、前烘、曝光、微補(bǔ)正曝光、顯影、后烘，得到帶光刻膠掩膜的圖案基板，對(duì)所述圖案基板進(jìn)行光刻膠圖形的線寬測(cè)試；然后再通過刻蝕對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離工序，得到線寬均一性優(yōu)良的金屬或非金屬圖案基板，；其中所述微補(bǔ)正曝光為首先將上述步驟中的陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值反饋給微補(bǔ)正曝光設(shè)備，所述微補(bǔ)正曝光設(shè)備根據(jù)所述線寬統(tǒng)計(jì)值對(duì)金屬或非金屬圖案的線寬進(jìn)行細(xì)微修正，使最終的線寬符合預(yù)期值。
[0020]微補(bǔ)正曝光的原理如圖4和圖5所示，曝光工藝中，在曝光能量20的作用下，得到的半成品40包括完全曝光區(qū)域51、被掩膜板遮擋的完全未曝光區(qū)域52;但曝光機(jī)曝光時(shí)有掩膜板30阻擋以形成圖案，所以在圖案的邊緣處，存在邊緣效應(yīng)，即存在一未完全曝光的區(qū)域53。
[0021]參見圖6和7，微補(bǔ)正曝光的曝光能量10比曝光機(jī)的曝光能量20要小很多，難以對(duì)完全曝光區(qū)域和完全未曝光區(qū)域形成影響，所以微補(bǔ)正曝光不需要使用掩模板，而直接進(jìn)行整面性的曝光，微補(bǔ)正曝光主要是對(duì)未完全曝光區(qū)域53進(jìn)行再曝光，由于該區(qū)域其實(shí)已被曝過光，所以在進(jìn)行整面性再次曝光時(shí)，該區(qū)域更容易被微補(bǔ)正曝光影響形成完全曝光區(qū)51。根據(jù)線寬測(cè)定結(jié)果的反饋，通過控制各區(qū)域微補(bǔ)正曝光的能量，實(shí)現(xiàn)對(duì)圖案邊緣處未完全曝光區(qū)域再次進(jìn)行小能量曝光，從而達(dá)到圖案邊緣處完全曝光的目的，達(dá)到對(duì)各區(qū)域線寬的再控制，從而改善整面基板的線寬均一性，同時(shí)對(duì)其它區(qū)域不會(huì)產(chǎn)生任何影響。
[0022]微補(bǔ)正曝光工序選用的微補(bǔ)正曝光設(shè)備是采用大型點(diǎn)陣光源(如圖3所示)，進(jìn)行整體微曝光，其中大型點(diǎn)陣光源中的每個(gè)小點(diǎn)光源的曝光能量都可以獨(dú)立控制。將陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值反饋給微補(bǔ)正曝光設(shè)備，通過調(diào)節(jié)每個(gè)小點(diǎn)光源的能量，再通過大型點(diǎn)陣光源對(duì)陣列基板進(jìn)行整面性微曝光的同時(shí)，通過調(diào)節(jié)相應(yīng)的小點(diǎn)光源的能量對(duì)曝光不足、線寬偏大的區(qū)域進(jìn)行微小的能量補(bǔ)正，以達(dá)到對(duì)線寬均一性進(jìn)行微調(diào)的目的。
[0023]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示屏陣列基板加工工藝，其特征在于，包括: 獲取陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值:提供若干片素基板，在所述素基板上依次進(jìn)行光刻膠狹縫涂覆、減壓干燥、前烘、曝光、顯影、后烘工序，至此得到帶光刻膠掩膜的圖案基板，對(duì)所述圖案基板進(jìn)行光刻膠圖形的線寬測(cè)試，然后再通過刻蝕對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離工序，得到金屬或非金屬圖案基板、對(duì)形成的金屬或非金屬圖案進(jìn)行線寬測(cè)試，得到陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值； 微補(bǔ)正金屬或非金屬圖案的線寬:將其它素基板依次進(jìn)行光刻膠狹縫涂覆、減壓干燥、前烘、曝光、微補(bǔ)正曝光、顯影、后烘，得到帶光刻膠掩膜的圖案基板，然后再通過刻蝕對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離工序，得到線寬均一性優(yōu)良的金屬或非金屬圖案基板，；其中所述微補(bǔ)正曝光為首先將上述步驟中的陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值反饋給微補(bǔ)正曝光設(shè)備，所述微補(bǔ)正曝光設(shè)備根據(jù)所述線寬統(tǒng)計(jì)值對(duì)金屬或非金屬圖案的線寬進(jìn)行細(xì)微修正，使最終的線寬符合預(yù)期值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏陣列基板加工工藝，其特征在于，在微補(bǔ)正曝光過程中，在后烘與刻蝕工序之間，對(duì)所述圖案基板進(jìn)行光刻膠圖形的線寬測(cè)試。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示屏陣列基板加工工藝，其特征在于，所述微補(bǔ)正曝光工序選用的微補(bǔ)正曝光設(shè)備是采用大型點(diǎn)陣光源，對(duì)陣列基板整體進(jìn)行微曝光，其中大型點(diǎn)陣光源中的每個(gè)小點(diǎn)光源的曝光能量都可以獨(dú)立控制。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示屏陣列基板加工工藝，其特征在于，將陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值反饋給微補(bǔ)正曝光設(shè)備，在通過大型點(diǎn)陣光源對(duì)陣列基板整體進(jìn)行微曝光的同時(shí)，通過調(diào)節(jié)相應(yīng)的小點(diǎn)光源的曝光能量對(duì)曝光不足、線寬偏大的區(qū)域進(jìn)行微小的曝光能量補(bǔ)正，以達(dá)到對(duì)線寬均一性進(jìn)行微調(diào)的目的。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示屏陣列基板加工工藝，包括先獲取陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值，然后根據(jù)陣列基板最終樣品的線寬統(tǒng)計(jì)值，選用微補(bǔ)正曝光設(shè)備對(duì)產(chǎn)品線寬進(jìn)行細(xì)微修正，從而改善整面陣列基板的線寬均一性。
【IPC分類】G03F7/20, G09G3/20
【公開號(hào)】CN105116690
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510586560
【發(fā)明人】朱棋鋒
【申請(qǐng)人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年9月15日