制造具有增強(qiáng)的缺陷可修復(fù)性的集成電路的方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】制造具有增強(qiáng)的缺陷可修復(fù)性的集成電路的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本發(fā)明與2014年3月12日提交的標(biāo)題為“遠(yuǎn)紫外光刻工藝和掩模(An ExtremeUltrav1let Lithography Process and Mask) ” 的第 14/206，516 號(hào)專(zhuān)利申請(qǐng)相關(guān)，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及制造具有增強(qiáng)的缺陷可修復(fù)性的集成電路的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了快速的發(fā)展。IC材料和設(shè)計(jì)中的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生出了一代又一代1C，其中每代IC都具有比前一代更小更復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展期間，功能密度(即，單位芯片面積的互連器件的數(shù)量)普遍增大，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可以產(chǎn)生的最小組件(或線(xiàn)))減小。這種按比例縮小工藝通常通過(guò)增加生產(chǎn)效率以及降低相關(guān)成本提供益處。這樣的按比例縮小也增加了 IC處理和制造的復(fù)雜性。為了實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，需要對(duì)IC處理和制造進(jìn)行類(lèi)似發(fā)展。例如，對(duì)實(shí)施較高分辨率的光刻工藝的需求的增加。用于解決這種需求的一種光刻技術(shù)是超紫外線(xiàn)光刻(EUVL)。其他技術(shù)包括X射線(xiàn)光刻、離子束投影光刻、電子束投影光刻和多電子束無(wú)掩模光刻。
[0005]EUVL采用掃描儀，該掃描儀使用在超紫外線(xiàn)(EUV)區(qū)中的波長(zhǎng)為約Inm至10nm的光。除了 EUV掃描儀使用反射光學(xué)組件(例如，反射鏡)而光學(xué)掃描儀使用折射光學(xué)組件(例如，透鏡)之外，類(lèi)似于一些光學(xué)掃描儀，一些EUV掃描儀提供的4X縮小的投影印刷。EUV掃描儀在形成在反射掩模上的吸收層(“EUV”掩模吸收層)上提供期望的圖案。在EUVL中使用的掩模出現(xiàn)了新的挑戰(zhàn)。例如，在EUVL掩模中使用的多層(ML)結(jié)構(gòu)以及在EUV掩模的襯底的表面上的微觀不平度(例如，由缺陷引起)可以使隨后沉積在其上的膜變形。當(dāng)入射光從變形區(qū)反射時(shí)，其可以經(jīng)歷相對(duì)于從通常形成的區(qū)域反射的光的相位差。有時(shí)缺陷引起的相位差接近180°，稱(chēng)作相位缺陷。相位缺陷可能影響印刷保真度，并導(dǎo)致襯底上的嚴(yán)重的圖案失真。期望提供一種有效并可行的方法以減少和/或減輕印刷性能的相位缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，辦發(fā)明提供了一種用于超紫外線(xiàn)光刻(EUVL)的方法，包括:將掩模裝載到光刻系統(tǒng)，其中，所述掩模包括:反射區(qū)；不透明區(qū)；缺陷修復(fù)區(qū)，位于所述反射區(qū)中的缺陷上方；以及吸收層缺少(ALA)區(qū)，位于所述不透明區(qū)中；根據(jù)照明模式在所述光刻系統(tǒng)中配置光瞳濾波器；以及在所述照明模式中通過(guò)所述光刻系統(tǒng)對(duì)具有所述掩模和所述光瞳濾波器的目標(biāo)實(shí)施光刻曝光工藝，其中，所述光瞳濾波器阻擋了從所述掩模反射的一定量的反射光，從而曝光所述目標(biāo)。
[0007]在上述方法中，其中，所述掩模包括:反射多層(ML)，設(shè)置在掩模襯底上；吸收層，設(shè)置在所述反射ML上，并且根據(jù)IC圖案圖案化所述吸收層，其中，圖案化的吸收層包括所述反射區(qū)和所述不透明區(qū)；以及所述缺陷修復(fù)區(qū)。
[0008]在上述方法中，其中，所述掩模包括:反射多層(ML)，設(shè)置在掩模襯底上；吸收層，設(shè)置在所述反射ML上，并且根據(jù)IC圖案圖案化所述吸收層，其中，圖案化的吸收層包括所述反射區(qū)和所述不透明區(qū)；以及所述缺陷修復(fù)區(qū)；通過(guò)以下步驟形成所述缺陷修復(fù)區(qū):在所述反射區(qū)中的所述缺陷之上沉積所述吸收層；以及去除所述缺陷區(qū)附近的所述吸收層的一部分以在所述不透明區(qū)中形成所述ALA區(qū)。
[0009]在上述方法中，其中，所述掩模包括:反射多層(ML)，設(shè)置在掩模襯底上；吸收層，設(shè)置在所述反射ML上，并且根據(jù)IC圖案圖案化所述吸收層，其中，圖案化的吸收層包括所述反射區(qū)和所述不透明區(qū)；以及所述缺陷修復(fù)區(qū)；通過(guò)以下步驟形成所述缺陷修復(fù)區(qū):在所述反射區(qū)中的所述缺陷之上沉積所述吸收層；以及去除所述缺陷區(qū)附近的所述吸收層的一部分以在所述不透明區(qū)中形成所述ALA區(qū)；從所述ALA區(qū)到所述缺陷修復(fù)區(qū)的距離為所述缺陷修復(fù)區(qū)的寬度，所述寬度為約20nm。
[0010]在上述方法中，其中，設(shè)置照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有沿軸線(xiàn)的偶極圖案的照明模式。
[0011]在上述方法中，其中，設(shè)置照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有沿軸線(xiàn)的偶極圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開(kāi)口，所述開(kāi)口具有沿所述軸線(xiàn)的第一寬度。
[0012]在上述方法中，其中，設(shè)置照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有沿軸線(xiàn)的偶極圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開(kāi)口，所述開(kāi)口具有沿所述軸線(xiàn)的第一寬度；所述第一寬度大于所述偶極圖案的直徑，但是所述第一寬度小于所述照明模式的直徑的約50%。
[0013]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有類(lèi)星體圖案的照明模式。
[0014]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有類(lèi)星體圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有兩個(gè)彼此平行的開(kāi)口，所述開(kāi)口具有第二寬度。
[0015]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有類(lèi)星體圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有兩個(gè)彼此平行的開(kāi)口，所述開(kāi)口具有第二寬度；所述第二寬度大于所述類(lèi)星體圖案的直徑，但是所述第二寬度小于所述照明模式的直徑的約25%。
[0016]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有圓盤(pán)狀圖案的照明模式。
[0017]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有圓盤(pán)狀圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開(kāi)口，所述開(kāi)口具有第三寬度。
[0018]在上述方法中，其中，設(shè)定照明器包括設(shè)定多個(gè)可切換的反射鏡以實(shí)現(xiàn)具有圓盤(pán)狀圖案的照明模式；將所述光瞳濾波器配置為具有開(kāi)口，所述開(kāi)口具有第三寬度；所述第三寬度大于所述圓盤(pán)狀圖案的直徑，但是所述第三寬度小于所述照明模式的直徑的約 50%。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種用于超紫外線(xiàn)光刻(EUVL)工藝的方法，包括:將掩模裝載到光刻系統(tǒng)；根據(jù)照明模式在所述光刻系統(tǒng)中配置光瞳濾波器；以及在所述照明模式中通過(guò)所述光刻系統(tǒng)對(duì)具有所述掩模和所述光瞳濾波器的目標(biāo)實(shí)施光刻曝光工藝，其中，所述光瞳濾波器阻擋了從所述掩模反射的一定量的反射光，從而曝光所述目標(biāo)。
[0020]在上述方法中，其中，根據(jù)所述照明模式的偶極照明圖案將所述光瞳濾波器配置為具有開(kāi)口，其中，所述開(kāi)口的寬度大于所述偶極照明圖案的直徑，但是所述開(kāi)口的寬度小于所述照明模式的直徑的約50%。
[0021]在上述方法中，其中，根據(jù)所述照明模式的類(lèi)星體照明圖案將所述光瞳濾波器配置為具有彼此平行的兩個(gè)開(kāi)口，其中，所述開(kāi)口的寬度大于所述類(lèi)星體照明圖案的直徑，但是所述開(kāi)口的寬度小于所述照明模式的直徑的約25%。
[0022]在上述方法中，其中，根據(jù)所述照明模式的圓盤(pán)狀照明圖案將所述光瞳濾波器配置為具有開(kāi)口，其中，所述開(kāi)口的寬度大于所述圓盤(pán)狀照明圖案的直徑，但是所述開(kāi)口的寬度小于所述照明模式的直徑的約50%。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種用于超紫外線(xiàn)光刻(EUVL)工藝的方法，包括:將掩模裝載到光刻系統(tǒng)，其中，所述掩模包括位于第一區(qū)域中的缺陷上方的缺陷修復(fù)區(qū)和位于第二區(qū)域中的吸收層缺少(ALA)區(qū)，所述吸收層缺少(ALA)區(qū)與所述缺陷修復(fù)區(qū)分隔開(kāi)一定距離，并且所述掩模限定了位于其上的集成電路(IC)圖案；根據(jù)照明模式的偶極圖案將所述光刻系統(tǒng)中的光瞳濾波器配置為具有開(kāi)口 ；以及在具有所述偶極圖案的所述照明模式中通過(guò)所述光刻系統(tǒng)對(duì)具有所述掩模和所述光瞳濾波器的目標(biāo)實(shí)施光刻曝光工藝，其中，所述光瞳濾波器阻擋了從所述掩模反射的一定量的反射光，從而曝光所述目標(biāo)。
[0024]在上述方法中，其中，通過(guò)以下步驟形成所述缺陷修復(fù)區(qū):在所述反射區(qū)中的缺陷區(qū)上方沉積吸收層；以及去除所述缺陷區(qū)附近的所述吸收層的一部分，以在所述不透明區(qū)中形成吸收層缺少(ALA)區(qū)，其中，形成的所述ALA區(qū)與所述缺陷區(qū)具有一定距離，其中，所述距離為