本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)以及公共信息顯示中，現(xiàn)有的液晶顯示面板包括彩膜基板和陣列基板，陣列基板上設(shè)置有多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有像素電極和薄膜晶體管，像素電極通過(guò)像素電極過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極連接，薄膜晶體管的漏極一般采用金屬制作，像素電極一般采用透明導(dǎo)電材料制作，像素電極與金屬之間的粘附性較差，因此，現(xiàn)有陣列基板中存在像素電極和薄膜晶體管的漏極在連接處易剝離的問(wèn)題，影響了陣列基板的良品率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有陣列基板中像素電極和漏極在連接處易剝離的問(wèn)題，提高陣列基板的良品率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的第一絕緣層，位于第一絕緣層上的第一導(dǎo)電圖形，位于所述第一導(dǎo)電圖形上的第二絕緣層，位于所述第二絕緣層上的第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形通過(guò)貫穿所述第二絕緣層的第二過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電圖形連接，所述陣列基板還包括有暴露出所述第一絕緣層的貫穿所述第一導(dǎo)電圖形的第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔在所述襯底基板上的投影與所述第二過(guò)孔在所述襯底基板上的投影至少部分重疊，所述第二導(dǎo) 電圖形通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述第一絕緣層接觸。

進(jìn)一步地，所述第一過(guò)孔還貫穿所述第一絕緣層、暴露出所述襯底基板，所述第二導(dǎo)電圖形還通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述襯底基板接觸。

進(jìn)一步地，平行于所述襯底基板的表面的所述第一過(guò)孔的截面為圓形，橢圓形，正方形，長(zhǎng)方形，六邊形或八邊形；

平行于所述襯底基板的表面的所述第二過(guò)孔的截面為圓形，橢圓形，正方形，長(zhǎng)方形，六邊形或八邊形。

進(jìn)一步地，平行于所述襯底基板的表面的所述第一過(guò)孔的截面為圓形，平行于所述襯底基板的表面的所述第二過(guò)孔的截面為圓形，所述第一過(guò)孔在所述襯底基板上的投影完全落入所述第二過(guò)孔在所述襯底基板上的投影中。

進(jìn)一步地，所述第一過(guò)孔在第一方向上的尺寸小于所述第二過(guò)孔在所述第一方向上的尺寸；所述第一過(guò)孔在第二方向上的尺寸大于所述第二過(guò)孔在所述第二方向上的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。

進(jìn)一步地，所述第一過(guò)孔在第二方向上的尺寸小于所述第二過(guò)孔在所述第二方向上的尺寸；所述第一過(guò)孔在第一方向上的尺寸大于所述第二過(guò)孔在所述第一方向上的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。

進(jìn)一步地，平行于所述襯底基板的表面的所述第一過(guò)孔的截面為橢圓形，平行于所述襯底基板的表面的所述第二過(guò)孔的截面為橢圓形，所述第一過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于所述第二方向，所述第二過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于所述第一方向。

進(jìn)一步地，平行于所述襯底基板的表面的所述第一過(guò)孔的截面為橢圓形，平行于所述襯底基板的表面的所述第二過(guò)孔的截面為橢圓形，所述第一過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于所述第一方向，所述第二過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于所述第二方向。

進(jìn)一步地，所述第一方向?yàn)闁啪€的延伸方向，所述第二方向?yàn)閿?shù)據(jù)線的延伸方向。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電圖形為薄膜晶體管的漏極，所述第二導(dǎo)電圖形為像素電極。

進(jìn)一步地，所述第一絕緣層為柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電圖形為薄膜晶體管的漏極，所述第二導(dǎo)電圖形為像素電極；所述第一絕緣層為柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層；所述第一導(dǎo)電圖形和所述第一絕緣層之間還設(shè)置有有源層，所述第一過(guò)孔還貫穿所述有源層。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的液晶顯示面板。

本實(shí)用新型的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，第二導(dǎo)電圖形通過(guò)第二過(guò)孔與第一導(dǎo)電圖形連接，同時(shí)在與第一導(dǎo)電圖形的連接處通過(guò)第一過(guò)孔與第一絕緣層接觸，一方面第二導(dǎo)電圖形與第一導(dǎo)電圖形之間實(shí)現(xiàn)了電連接，另一方面由于導(dǎo)電材料與絕緣層之間具有良好的粘附性，因此，能夠使第二導(dǎo)電圖形不容易從第一絕緣層上剝離，從而使得第二導(dǎo)電圖形與第一導(dǎo)電圖形在連接處不易剝離。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的陣列基板的平面示意圖；

圖2為圖1中沿A1A2的剖面示意圖；

圖3本實(shí)用新型實(shí)施例二的陣列基板的平面示意圖；

圖4為圖3中沿A1A2的剖面示意圖；

圖5為圖1和圖3中沿B1B2的剖面示意圖。

附圖標(biāo)記

1 襯底基板 10 柵線 15 柵極絕緣層 20 有源層 30 數(shù)據(jù)線

31 源極 33 漏極 35 鈍化層 10a 柵極 50 像素電極

33h 漏極過(guò)孔 35h 鈍化層過(guò)孔 100 公共電極線

100a 公共電極線第一分支 100b 公共電極線第二分支

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本實(shí)用新型的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中像素電極和漏極在連接處易剝離的問(wèn)題，提供一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有陣列基板中像素電極和漏極在連接處易剝離的問(wèn)題，提高陣列基板的良品率。

本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的第一絕緣層，位于第一絕緣層上的第一導(dǎo)電圖形，位于第一導(dǎo)電圖形上的第二絕緣層，位于第二絕緣層上的第二導(dǎo)電圖形，第二導(dǎo)電圖形通過(guò)貫穿第二絕緣層的第二過(guò)孔與第一導(dǎo)電圖形連接，陣列基板還包括有暴露出第一絕緣層的貫穿第一導(dǎo)電圖形的第一過(guò)孔，第一過(guò)孔在襯底基板上的投影與第二過(guò)孔在襯底基板上的投影至少部分重疊，第二導(dǎo)電圖形通過(guò)第一過(guò)孔與第一絕緣層接觸。

本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖形通過(guò)第二過(guò)孔與第一導(dǎo)電圖形連接，同時(shí)在與第一導(dǎo)電圖形的連接處通過(guò)第一過(guò)孔與第一絕緣層接觸，一方面第二導(dǎo)電圖形與第一導(dǎo)電圖形之間實(shí)現(xiàn)了電連接，另一方面由于導(dǎo)電材料與絕緣層之間具有良好的粘附性，因此，能夠使第二導(dǎo)電圖形不容易從第一絕緣層上剝離，從而使得第二導(dǎo)電圖形與第一導(dǎo)電圖形在連接處不易剝離。

進(jìn)一步地，第一過(guò)孔還貫穿第一絕緣層、暴露出襯底基板，第二導(dǎo)電圖形還通過(guò)第一過(guò)孔與襯底基板接觸，由于襯底基板也屬于絕緣材料，因此，第二導(dǎo)電圖形也不容易從襯底基板上剝離，從而使得第二導(dǎo)電圖形與第一導(dǎo)電圖形在連接處不易剝離。在第一過(guò)孔貫穿第一絕緣層時(shí)，第一過(guò)孔仍能暴露出第一絕緣層在垂直于襯底基板方向上的一部分，第二導(dǎo)電圖形不但通過(guò)第一過(guò)孔與襯底基板接觸，還能通過(guò)第一過(guò)孔與這部分的第一絕緣層接觸。

進(jìn)一步地，平行于襯底基板的表面的第一過(guò)孔的截面可以為圓形，橢圓形，正方形，矩形，六邊形或八邊形；平行于襯底基板的表面的第二過(guò)孔的截面為圓形，橢圓形，正方形，矩形，六邊形或八邊形。

具體實(shí)施例中，平行于襯底基板的表面的第一過(guò)孔的截面為圓形，平行于襯底基板的表面的第二過(guò)孔的截面為圓形，第一過(guò)孔在襯底基板上的投影完全 落入第二過(guò)孔在襯底基板上的投影中。

另一具體實(shí)施例中，第一過(guò)孔在第一方向上的尺寸小于第二過(guò)孔在第一方向上的尺寸；第一過(guò)孔在第二方向上的尺寸大于第二過(guò)孔在第二方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

另一具體實(shí)施例中，第一過(guò)孔在第二方向上的尺寸小于第二過(guò)孔在第二方向上的尺寸；第一過(guò)孔在第一方向上的尺寸大于第二過(guò)孔在第一方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

另一具體實(shí)施例中，平行于襯底基板的表面的第一過(guò)孔的截面為橢圓形，平行于襯底基板的表面的第二過(guò)孔的截面為橢圓形，第一過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于第二方向，第二過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于第一方向。當(dāng)然，在第一過(guò)孔和第二過(guò)孔在平行于襯底基板方向上的截面均為橢圓形時(shí)，第一過(guò)孔的長(zhǎng)軸與第二過(guò)孔的長(zhǎng)軸之間的夾角還可以為30度或60度。

另一具體實(shí)施例中，平行于襯底基板的表面的第一過(guò)孔的截面為橢圓形，平行于襯底基板的表面的第二過(guò)孔的截面為橢圓形，第一過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于第一方向，第二過(guò)孔的長(zhǎng)軸的方向平行于第二方向。

另一具體實(shí)施例中，第一方向?yàn)闁啪€的延伸方向，第二方向?yàn)閿?shù)據(jù)線的延伸方向。

另一具體實(shí)施例中，第一導(dǎo)電圖形為薄膜晶體管的漏極，第二導(dǎo)電圖形為像素電極。

具體實(shí)施例中，第一絕緣層可以為柵極絕緣層，第二絕緣層為鈍化層。

另一具體實(shí)施例中，第一導(dǎo)電圖形為薄膜晶體管的漏極，第二導(dǎo)電圖形為像素電極；第一絕緣層為柵極絕緣層，第二絕緣層為鈍化層；第一導(dǎo)電圖形和第一絕緣層之間還設(shè)置有有源層，第一過(guò)孔除貫穿第一導(dǎo)電圖形之外，還貫穿有源層。

下面結(jié)合附圖，以第一絕緣層為柵極絕緣層、第二絕緣層為鈍化層為例對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例一

如圖1、圖2和圖5所示，本實(shí)用新型的陣列基板包括形成在襯底基板1 上的柵極10a、柵線10、公共電極線100、公共電極線第一分支100a、公共電極線第二分支100b，覆蓋柵極10a、柵線10、公共電極線100、公共電極線第一分支100a、公共電極線第二分支100b的柵極絕緣層15(即上述第一絕緣層)，位于柵極絕緣層15上的有源層20、數(shù)據(jù)線30、源極31、漏極33(即上述第一導(dǎo)電圖形)，覆蓋有源層20、數(shù)據(jù)線30、源極31、漏極33的鈍化層35(即上述第二絕緣層)，位于鈍化層35上的像素電極50(即上述第二導(dǎo)電圖形)。其中，陣列基板還包括貫穿鈍化層的鈍化層過(guò)孔35h(即上述第二過(guò)孔)、貫穿漏極的漏極過(guò)孔33h(即上述第一過(guò)孔)，鈍化層過(guò)孔35h暴露出漏極33，漏極過(guò)孔33h能夠暴露出柵極絕緣層15，漏極過(guò)孔33h在襯底基板1上的投影與鈍化層過(guò)孔35h在襯底基板1上的投影至少部分重疊，這樣一部分像素電極50始終與漏極33連接，另一部分像素電極50通過(guò)鈍化層過(guò)孔35h和漏極過(guò)孔33h與柵極絕緣層15接觸，一方面像素電極50與漏極33之間實(shí)現(xiàn)了電連接，另一方面由于導(dǎo)電材料與絕緣層之間具有良好的粘附性，因此，能夠使像素電極50不容易從柵極絕緣層15上剝離，從而使得像素電極50與漏極33在連接處不易剝離。

進(jìn)一步地，漏極過(guò)孔33h還可以貫穿柵極絕緣層15，暴露出襯底基板1，這樣像素電極50不僅與柵極絕緣層15接觸，還將與襯底基板1接觸，由于襯底基板1也屬于絕緣材料，因此，像素電極50也不容易從襯底基板1上剝離，從而使得像素電極50與漏極33的連接更加緊密。

本實(shí)施例中，如圖1所示，漏極過(guò)孔33h和鈍化層過(guò)孔35h均為圓形，即平行于所述襯底基板1的表面的所述第一過(guò)孔(漏極過(guò)孔33h)的截面為圓形，平行于所述襯底基板1的表面的所述第二過(guò)孔(鈍化層過(guò)孔35h)的截面為圓形，鈍化層過(guò)孔35h的直徑大于漏極過(guò)孔33h的直徑，漏極過(guò)孔33h在襯底基板1上的投影完全落入鈍化層過(guò)孔35h在襯底基板1上的投影內(nèi)。

其中，在柵極絕緣層15和漏極33之間還設(shè)置有有源層20時(shí)，漏極過(guò)孔33h還應(yīng)貫穿有源層20，暴露出柵極絕緣層15；或者漏極過(guò)孔33h還應(yīng)貫穿有源層20和柵極絕緣層15，暴露出襯底基板1。

本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板的制備方法具體包括以下步驟：

步驟1、在襯底基板1上濺射沉積柵金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極10a、柵線10、公共電極線100、公共電極線第一分支100a、公共電極線第二分支100b的圖形，柵金屬層可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金屬材料制備，也可以采用這些材料的合金制備，柵金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步驟2、沉積柵極絕緣層15，柵極絕緣層15可以采用氮化硅或氧化硅，柵極絕緣層15可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅\氮化硅結(jié)構(gòu)；

步驟3、沉積半導(dǎo)體材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源層20的圖形，半導(dǎo)體材料可以采用非晶硅，多晶硅，微晶硅或氧化物半導(dǎo)體，如采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)連續(xù)沉積a-Si和n+a-Si,或?yàn)R射沉積IGZO，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源層20的圖形；

步驟4、濺射沉積源漏金屬層,通過(guò)構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線30、源極31、漏極33的圖形，其中漏極33包括有漏極過(guò)孔33h，源漏金屬層可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金屬材料制備，也可以采用這些材料的合金制備，源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步驟5、沉積鈍化層35，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成暴露出漏極33的鈍化層過(guò)孔35h，鈍化層35可以采用無(wú)機(jī)物如氮化硅，或者采用有機(jī)絕緣層，如采用有機(jī)樹脂材料，鈍化層35可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如可以是多層無(wú)機(jī)物，也可以是無(wú)機(jī)物層和有機(jī)材料層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。如采用PECVD沉積氮化硅，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成暴露出漏極33的鈍化層過(guò)孔35h；

步驟6、濺射沉積透明金屬氧化物導(dǎo)電材料層，如ITO，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極50的圖形，像素電極50通過(guò)鈍化層過(guò)孔35h和漏極過(guò)孔33h與柵極絕緣層15接觸，進(jìn)一步地，像素電極50還可以采用IZO。

實(shí)施例二

如圖3、圖4和圖5所示，本實(shí)用新型的陣列基板包括形成在襯底基板1上的柵極10a、柵線10、公共電極線100、公共電極線第一分支100a、公共電極線第二分支100b，覆蓋柵極10a、柵線10、公共電極線100、公共電極線第 一分支100a、公共電極線第二分支100b的柵極絕緣層15(即上述第一絕緣層)，位于柵極絕緣層15上的有源層20、數(shù)據(jù)線30、源極31、漏極33(即上述第一導(dǎo)電圖形)，覆蓋有源層20、數(shù)據(jù)線30、源極31、漏極33的鈍化層35(即上述第二絕緣層)，位于鈍化層35上的像素電極50(即上述第二導(dǎo)電圖形)。其中，陣列基板還包括貫穿鈍化層的鈍化層過(guò)孔35h(即上述第二過(guò)孔)、貫穿漏極的漏極過(guò)孔33h(即上述第一過(guò)孔)，鈍化層過(guò)孔35h暴露出漏極33，漏極過(guò)孔33h能夠暴露出柵極絕緣層15，漏極過(guò)孔33h在襯底基板1上的投影與鈍化層過(guò)孔35h在襯底基板1上的投影至少部分重疊，這樣一部分像素電極50始終與漏極33連接，另一部分像素電極50通過(guò)鈍化層過(guò)孔35h和漏極過(guò)孔33h與柵極絕緣層15接觸，一方面像素電極50與漏極33之間實(shí)現(xiàn)了電連接，另一方面由于導(dǎo)電材料與絕緣層之間具有良好的粘附性，因此，能夠使像素電極50不容易從柵極絕緣層15上剝離，從而使得像素電極50與漏極33在連接處不易剝離。

進(jìn)一步地，漏極過(guò)孔33h還可以貫穿柵極絕緣層15，暴露出襯底基板1，這樣像素電極50不僅與柵極絕緣層15接觸，還將與襯底基板1接觸，由于襯底基板1也屬于絕緣材料，因此，像素電極50也不容易從襯底基板1上剝離，從而使得像素電極50與漏極33的連接更加緊密。

例如，第一過(guò)孔(漏極過(guò)孔33h)在第一方向上的尺寸小于第二過(guò)孔(鈍化層過(guò)孔35h)在第一方向上的尺寸；第一過(guò)孔(漏極過(guò)孔33h)在第二方向上的尺寸大于第二過(guò)孔(鈍化層過(guò)孔35h)在第二方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

當(dāng)然，也可以，第一過(guò)孔(漏極過(guò)孔33h)在第二方向上的尺寸小于第二過(guò)孔(鈍化層過(guò)孔35h)在第二方向上的尺寸；第一過(guò)孔(漏極過(guò)孔33h)在第一方向上的尺寸大于第二過(guò)孔(鈍化層過(guò)孔35h)在第一方向上的尺寸，第一方向垂直于第二方向。

例如第一方向可以與柵線的延伸方向成0度角，30度角，或60度角等。

本實(shí)施例中，第一方向?yàn)闁啪€的延伸方向，第二方向?yàn)閿?shù)據(jù)線的延伸方向。

本實(shí)施例中，如圖3所示，漏極過(guò)孔33h和鈍化層過(guò)孔35h均為橢圓形，即平行于所述襯底基板1的表面的所述第一過(guò)孔(漏極過(guò)孔33h)的截面為橢圓形，平行于所述襯底基板1的表面的所述第二過(guò)孔(鈍化層過(guò)孔35h)的截面為橢圓形，鈍化層過(guò)孔35h的長(zhǎng)軸和漏極過(guò)孔33h的長(zhǎng)軸相互垂直。當(dāng)然，鈍化層過(guò)孔35h的長(zhǎng)軸和漏極過(guò)孔33h的長(zhǎng)軸之間的夾角不限于90度，可以為任意角度，例如，30度，60度，120度，150度等。

具體地，如圖3、圖4和圖5所示，漏極過(guò)孔33h的長(zhǎng)軸與第二方向平行，鈍化層過(guò)孔35h的長(zhǎng)軸與第一方向平行，漏極過(guò)孔33h在第一方向上的尺寸小于鈍化層過(guò)孔35h在第一方向上的尺寸，漏極過(guò)孔33h在第二方向上的尺寸大于鈍化層過(guò)孔35h在第二方向上的尺寸。

當(dāng)然，漏極過(guò)孔33h的長(zhǎng)軸還可以與第一方向平行，鈍化層過(guò)孔35h的長(zhǎng)軸還可以與第二方向平行，漏極過(guò)孔33h在第一方向上的尺寸大于鈍化層過(guò)孔35h在第一方向上的尺寸，漏極過(guò)孔33h在第二方向上的尺寸小于鈍化層過(guò)孔35h在第二方向上的尺寸。

其中，在柵極絕緣層15和漏極33之間還設(shè)置有有源層20時(shí)，漏極過(guò)孔33h還應(yīng)貫穿有源層20，暴露出柵極絕緣層15；或者漏極過(guò)孔33h還應(yīng)貫穿有源層20和柵極絕緣層15，暴露出襯底基板1。

本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板的制備方法具體包括以下步驟：

步驟1、在襯底基板1上濺射沉積柵金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極10a、柵線10、公共電極線100、公共電極線第一分支100a、公共電極線第二分支100b的圖形，柵金屬層可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金屬材料制備，也可以采用這些材料的合金制備，柵金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步驟2、沉積柵極絕緣層15，柵極絕緣層15可以采用氮化硅或氧化硅，柵極絕緣層15可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅\氮化硅結(jié)構(gòu)；

步驟3、沉積半導(dǎo)體材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源層20的圖形，半導(dǎo)體材料可以采用非晶硅，多晶硅，微晶硅或氧化物半導(dǎo)體，如采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)連續(xù)沉 積a-Si和n+a-Si,或?yàn)R射沉積IGZO，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有源層20的圖形；

步驟4、濺射沉積源漏金屬層,通過(guò)構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線30、源極31、漏極33的圖形，其中漏極33包括有漏極過(guò)孔33h，源漏金屬層可以采用Cu，Al，Mo，Ti，Cr，W等金屬材料制備，也可以采用這些材料的合金制備，源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以采用多層結(jié)構(gòu)，如Mo\Al\Mo,Ti\Cu\Ti,MoTi\Cu；

步驟5、沉積鈍化層35，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成暴露出漏極33的鈍化層過(guò)孔35h，鈍化層35可以采用無(wú)機(jī)物如氮化硅，或者采用有機(jī)絕緣層，如采用有機(jī)樹脂材料，鈍化層35可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)，例如可以是多層無(wú)機(jī)物，也可以是無(wú)機(jī)物層和有機(jī)材料層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。如采用PECVD沉積氮化硅，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成暴露出漏極33的鈍化層過(guò)孔35h；

步驟6、濺射沉積透明金屬氧化物導(dǎo)電材料層，如ITO，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極50的圖形，像素電極50通過(guò)鈍化層過(guò)孔35h和漏極過(guò)孔33h與柵極絕緣層15接觸，進(jìn)一步地，像素電極50還可以采用IZO。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的液晶顯示面板。所述顯示裝置可以為：液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦、導(dǎo)航儀、電子紙等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。