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包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板、液晶顯示裝置及制造方法與流程

文檔序號(hào):12715871閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,所述背板基板包括:

基板,所述基板包括矩陣形式的多個(gè)像素;

薄膜晶體管,所述薄膜晶體管布置在所述基板的各個(gè)像素處;

第一層間介電層,所述第一層間介電層覆蓋所述薄膜晶體管;

感測線,所述感測線布置在所述第一層間介電層上;

覆蓋所述感測線的第二層間介電層,所述第二層間介電層布置在所述第一層間介電層上;

公共電極,所述公共電極布置在包括多個(gè)像素中的一些像素的每個(gè)塊中,所述公共電極與所述感測線交疊;

第三層間介電層,所述第三層間介電層覆蓋所述公共電極;

像素電極,所述像素電極通過連續(xù)地穿過所述第三層間介電層、所述第二層間介電層和所述第一層間介電層的第一層間接觸孔而連接至布置在各個(gè)像素中的所述薄膜晶體管;以及

連接圖案,所述連接圖案通過穿過所述第三層間介電層和所述第二層間介電層以暴露所述感測線的第二層間接觸孔而連接至所述感測線,所述第二層間接觸孔對(duì)應(yīng)于所述公共電極的與所述感測線和所述公共電極的交疊區(qū)域相鄰的側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,其中,所述連接圖案連接至所述公共電極的側(cè)表面并且部分地連接至所述公共電極的上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,其中,公共電極具有直徑與所述第二層間接觸孔的直徑相同的開孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,其中,

所述公共電極具有比所述第二層間接觸孔大的開孔或者所述公共電極具有直徑與所述第二層間接觸孔相同的開孔,并且

所述公共電極通過該公共電極的開孔與所述連接圖案的側(cè)表面部分地接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,其中,所述第一層間介電層包括接觸所述薄膜晶體管的第一無機(jī)絕緣層和布置在所述第一無機(jī)絕緣層上的第二無機(jī)絕緣層,所述第二無機(jī)絕緣層接觸所述第二層間介電層的下部和所述感測線的下部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,其中,所述第一層間介電層還包括位于所述第一無機(jī)層與所述第二無機(jī)層之間的有機(jī)層,并且所述有機(jī)層的開口大于所述第一層間接觸孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,其中,

所述薄膜晶體管包括布置在各個(gè)像素的特定部分中的半導(dǎo)體層、與所述半導(dǎo)體層交疊的柵極、介于所述半導(dǎo)體層與所述柵極之間的柵極介電層和連接至所述半導(dǎo)體層的兩端的源極/漏極,并且

所述第一層間接觸孔布置在所述漏極的一部分處。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板,所述背板基板還包括與所述柵極交疊的遮光圖案,所述遮光圖案布置在所述半導(dǎo)體層下方。

9.一種包括盒內(nèi)式觸摸板的液晶顯示裝置,所述液晶顯示裝置包括:

根據(jù)權(quán)利要求1-8中的任一項(xiàng)所述的背板基板;

相對(duì)基板,所述相對(duì)基板面對(duì)所述基板;以及

液晶層,所述液晶層位于所述背板基板與所述相對(duì)基板之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的包括盒內(nèi)式觸摸板的液晶顯示裝置,所述液晶顯示裝置還包括布置在所述基板或所述相對(duì)基板上的濾色器層。

11.一種制造包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板的方法,所述方法包括以下步驟:

制備包括矩陣形式的多個(gè)像素的基板;

在所述基板的各個(gè)像素處提供薄膜晶體管;

形成第一層間介電層以覆蓋所述薄膜晶體管;

在所述第一層間介電層上形成感測線;

在所述第一層間介電層上形成第二層間介電層以覆蓋所述感測線;

在包括所述多個(gè)像素中的一些像素的每個(gè)塊中形成公共電極,以與所述感測線交疊;

形成第三層間介電層以覆蓋所述公共電極;

形成第一層間接觸孔和第二層間接觸孔,所述第一層間接觸孔穿過所述第三層間介電層、所述第二層間介電層和所述第一層間介電層以暴露每個(gè)像素處的所述薄膜晶體管的一部分,所述第二層間接觸孔對(duì)應(yīng)于所述公共電極的與所述感測線和所述公共電極的交疊區(qū)域相鄰的側(cè)壁,所述第二層間接觸孔穿過所述第三層間介電層和所述第二層間介電層以暴露所述感測線;以及

形成通過所述第一層間接觸孔連接至所述薄膜晶體管的像素電極以及通過所述第二層間接觸孔連接至所述感測線的連接圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板的方法,其中,在形成公共電極的過程中,所述公共電極包括與所述像素電極間隔開的第一開孔和尺寸等于或大于所述第二層間接觸孔的第二開孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板的方法,其中,所述第一開孔大于所述像素電極和所述薄膜晶體管的連接區(qū)域,并且

所述連接圖案通過所述第二開孔與所述公共電極的邊緣接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板的方法,其中,所述第一層間介電層包括接觸所述膜晶體管的第一無機(jī)絕緣層和布置在所述第一無機(jī)絕緣層上的第二無機(jī)絕緣層,所述第二無機(jī)絕緣層接觸所述第二層間介電層的下部和所述感測線的下部。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板的方法,其中,所述第一層間介電層還包括位于所述第一無機(jī)層與所述第二無機(jī)層之間的有機(jī)層,并且所述有機(jī)層的開口大于所述第一層間接觸孔。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板的方法,其中,所述薄膜晶體管包括布置在各個(gè)像素的特定部分中的半導(dǎo)體層、與所述半導(dǎo)體層交疊的柵極、介于所述半導(dǎo)體層與所述柵極之間的柵極介電層和連接至所述半導(dǎo)體層的兩端的源極/漏極,并且

所述第一層間接觸孔布置在所述漏極的一部分處。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造包括盒內(nèi)式觸摸板的背板基板的方法,所述方法還包括形成與所述柵極交疊的遮光圖案,所述遮光圖案布置在所述半導(dǎo)體層下方。

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