一種陣列基板及其制作方法及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了一種陣列基板及其制作方法及顯示裝置，陣列基板包括：襯底，具有柵極線、數(shù)據(jù)線以及多個(gè)像素單元，像素單元包括至少一個(gè)第一像素單元組，包括第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，第一像素單元和第二像素單元之間有第一數(shù)據(jù)線；第一數(shù)據(jù)線上方有第一絕緣層；第一絕緣層上有電連接的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；第一像素單元包括第一薄膜晶體管，第二像素單元包括第二薄膜晶體管；第二薄膜晶體管的第二極與第一數(shù)據(jù)線電連接；第一薄膜晶體管的第二極與第一信號(hào)線電連接；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上有第二絕緣層，第二絕緣層上有公共電極層，第三像素單元與第一像素單元之間的公共電極層具有開口區(qū)。該陣列基板可以有效的防止漏光。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體的說，涉及一種陣列基板及其制作方法，以及包括該陣列基板的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]相對(duì)于將觸摸面板設(shè)置在液晶顯示面板上的觸摸顯示裝置，將觸摸顯示裝置和液晶顯示面板一體化的觸摸顯示裝置由于可以減少基板的使用，具有厚度更薄的優(yōu)點(diǎn)，成為當(dāng)今主流的觸摸顯示裝置。觸摸顯示裝置和液晶顯示面板一體化的觸摸顯示裝置包括
011-0611結(jié)構(gòu)以及111-0611結(jié)構(gòu)。其中，1111611結(jié)構(gòu)是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中，0^-0611結(jié)構(gòu)是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光板基板之間。
[0003]對(duì)于結(jié)構(gòu)的觸摸顯示裝置，需要對(duì)液晶顯示面板的公共電極劃分為一塊塊，以實(shí)現(xiàn)觸摸面板功能，因此，需要對(duì)公共電極進(jìn)行刻蝕開縫。現(xiàn)有技術(shù)是在同一行相鄰的兩個(gè)像素單元之間設(shè)置開口區(qū)域，即公共電極的開口區(qū)域設(shè)置在像素行與像素行之間，由于同一行相鄰的兩個(gè)素單元之間具有數(shù)據(jù)線，會(huì)導(dǎo)致開口區(qū)域與數(shù)據(jù)線相對(duì)，開口會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)線的電場外漏，導(dǎo)致顯示面板漏光。通過在所述開口區(qū)域與所述開口區(qū)域之間設(shè)置金屬走線理論上可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)線電場的屏蔽，但是，金屬走線的寬度與位置設(shè)置不宜控制。如果，走線寬度較窄或是與數(shù)據(jù)線對(duì)位不準(zhǔn)確，仍會(huì)發(fā)生漏光問題，同時(shí)也會(huì)增加工藝上的難度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法及顯示裝置。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，該陣列基板包括:襯底，所述襯底上設(shè)置有的多條柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)像素單元，所述像素單元包括至少一個(gè)第一像素單元組，所述第一像素單元組包括第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，所述第一像素單元和第二像素單元之間設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線；
[0006]所述第一數(shù)據(jù)線上方設(shè)置有第一絕緣層；所述第一絕緣層上設(shè)置有第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線電連接；
[0007]所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管；每個(gè)薄膜晶體管均具有柵極、第一極以及第二極；
[0008]第一柵極線與所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極電連接；
[0009]所述第二薄膜晶體管的第二極與所述第一數(shù)據(jù)線電連接；所述第一薄膜晶體管的第二極與所述第一信號(hào)線電連接；
[0010]所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上設(shè)置有第二絕緣層，所述第二絕緣層上設(shè)置有公共電極層，所述第三像素單元與所述第一像素單元之間的公共電極層電絕緣，所述公共電極層電絕緣的區(qū)域?yàn)楣搽姌O開口區(qū)；所述第一像素單元與所述第二像素單元之間的公共電極層在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線交疊。
[0011]本發(fā)明還提供了一種上述陣列基板的制作方法，包括提供一襯底，
[0012]在所述襯底上形成多條柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)像素單元，所述像素單元包括至少一個(gè)第一像素單元組，所述第一像素單元組包括第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，所述第一像素單元和第二像素單元之間形成有第一數(shù)據(jù)線；
[0013]在所述第一數(shù)據(jù)線上方形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線電連接；
[0014]所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管；每個(gè)薄膜晶體管均具有柵極、第一極以及第二極；
[0015]所述柵極線包括第一柵極線，第一柵極線與所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極電連接；
[0016]所述第二薄膜晶體管的第二極與所述第一數(shù)據(jù)線電連接；所述第一薄膜晶體管的第二極與所述第一信號(hào)線電連接；
[0017]在所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上形成公共電極層，所述第三像素單元與所述第一像素單元之間的公共電極層電絕緣，所述公共電極層電絕緣的區(qū)域?yàn)楣搽姌O開口區(qū)；所述第一像素單元與所述第二像素單元之間的公共電極層在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線交疊。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上述所述的陣列基板；可以防止漏光，顯示效果好。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及其制作方法及顯示裝置，所述陣列基板包括至少一個(gè)第一像素單元組，該第一像素單元組在像素行方向包括相鄰的三個(gè)像素單元，將所述第一像素單元的數(shù)據(jù)線(第一信號(hào)線)設(shè)置在所述第二像素單元的數(shù)據(jù)線(第一數(shù)據(jù)線)上方，將公共電極開口區(qū)設(shè)置公共電極層位于第一像素單元與第三像素單元之間的位置，在公共電極層無數(shù)據(jù)線的區(qū)域設(shè)置開口區(qū)域，將開口區(qū)域與數(shù)據(jù)線分開設(shè)置，可以有效的防止漏光；同時(shí)，開口區(qū)域可以設(shè)置較寬，工藝實(shí)現(xiàn)簡單；且較寬的開口區(qū)域，可以保證開口區(qū)域兩側(cè)公共電極不會(huì)短路。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為圖1所示陣列基板的一種實(shí)施方式的局部放大圖；
[0023]圖3為圖2所示陣列基板沿⑶’的切面圖；
[0024]圖4為圖2所示陣列基板沿13)3’的切面圖；
[0025]圖5為圖2所示陣列基板沿的切面圖；
[0026]圖6為圖1所示陣列基板的另一種實(shí)施方式的局部放大圖；
[0027]圖7為圖6所示陣列基板沿的切面圖；
[0028]圖8為圖6所示陣列基板沿的切面圖；
[0029]圖9為圖6所示陣列基板沿的切面圖；
[0030]圖10為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示裝置100的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖11為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，參考圖1和圖2，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1所示陣列基板的一種實(shí)施方式的局部放大圖。
[0034]該陣列基板包括襯底10，所述襯底10上設(shè)置有的多條柵極線11和數(shù)據(jù)線12，所述柵極線11和所述數(shù)據(jù)線12絕緣交叉限定出多個(gè)像素單元13，所述像素單元13包括至少一個(gè)第一像素單元組14，所述第一像素單元組14包括第一像素單元？1、第二像素單元？2和第三像素單元？2，所述第一像素單元？1和第二像素單元？2之間設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線04。
[0035]所述第一數(shù)據(jù)線04上方設(shè)置有第一絕緣層；所述第一絕緣層上設(shè)置有第一信號(hào)線131和第二信號(hào)線132，所述第一信號(hào)線131和第二信號(hào)線132電連接。
[0036]所述第一像素單元？1包括第一薄膜晶體管II，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管12。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，每個(gè)薄膜晶體管均具有柵極、第一極以及第二極；
[0037]第一柵極線似與所述第一薄膜晶體管II的柵極和所述第二薄膜晶體管12的柵極電連接。
[0038]所述第二薄膜晶體管12的第二極與所述第一數(shù)據(jù)線04電連接；所述第一薄膜晶體管II的第二極與所述第一信號(hào)線04電連接。需要說明的是，在陣列基板中，對(duì)于上述的薄膜晶體管(包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管)，如果其第一極為源極，則相應(yīng)地其第二極為漏極；反之，如果其第一極為漏極，則相應(yīng)地其第二極為源極。關(guān)于薄膜晶體管的第一極和第二極，在實(shí)際制造陣列基板時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際工藝條件進(jìn)行具體設(shè)定，在本發(fā)明中不作限定。
[0039]所述第一信號(hào)線131和第二信號(hào)線132上設(shè)置有第二絕緣層，所述第二絕緣層上設(shè)置有公共電極層21，所述第三像素單元？3與所述第一像素單元？1之間的公共電極層21電絕緣，所述公共電極層21電絕緣的區(qū)域?yàn)楣搽姌O開口區(qū)1(；所述第一像素單元？1與所述第二像素單元？2之間的公共電極層21在所述第一數(shù)據(jù)線04上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線04至少部分交疊。
[0040]圖1中，示出了 5 X 5個(gè)像素單元的陣列結(jié)構(gòu)，具有柵極線以-柵極線⑶，共五條柵極線11，具有數(shù)據(jù)線01-數(shù)據(jù)線05，共五條數(shù)據(jù)線12。像素行與像素列的個(gè)數(shù)可以為任意正整數(shù)，不局限于圖1所示實(shí)施方式。
[0041]所述第一像素單元組14的三個(gè)像素單元在像素行方向上(圖1中由左至右的方向)排布順序?yàn)榈谌袼貑卧?、第一像素單元？1以及第二像素單元？2。
[0042]所述第一信號(hào)線131在所述第一數(shù)據(jù)線04上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線04交疊，即所述第一信號(hào)線131與所述第一數(shù)據(jù)線04在垂直于所述陣列基板的方向上至少部分交疊設(shè)置。所述第二信號(hào)線132在所述第一柵極線似上的投影與所述第一柵極線似至少部分交疊，即所述第二信號(hào)線132與所述第一柵極線似在垂直于所述陣列基板的方向上至少部分交疊設(shè)置。
[0043]圖2中，對(duì)應(yīng)圖1的結(jié)構(gòu)，所述第一數(shù)據(jù)線04為數(shù)據(jù)線04在第一像素單元組14對(duì)應(yīng)區(qū)域內(nèi)的部分，所述第一信號(hào)線131為數(shù)據(jù)線03在第一像素單元組14對(duì)應(yīng)區(qū)域內(nèi)的在像素列方向部分，第二信號(hào)線132為數(shù)據(jù)線03在第一像素單元組14對(duì)應(yīng)區(qū)域內(nèi)在像素行方向的部分。
[0044]本申請(qǐng)實(shí)施例所述陣列基板可以為公共電極層設(shè)置在像素電極的上方，所述襯底上設(shè)置有柵極，所述柵極上設(shè)置有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上設(shè)置有有源層，所述有源層上設(shè)置有各薄膜晶體管的第一極、第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上設(shè)置有像素電極，所述像素電極與所述第一極電連接，所述像素電極上設(shè)置有所述第一絕緣層。所述第一絕緣層上設(shè)置有第一通孔，所述第一信號(hào)線通過所述第一通孔與所述第二極電連接。所述像素電極與所述電極之間可以設(shè)置有絕緣層，二者通過對(duì)應(yīng)的通孔實(shí)現(xiàn)電連接，二者之間也可以沒有絕緣層，所述像素電極與所述第一極部分交疊，二者通過搭接實(shí)現(xiàn)電連接。
[0045]具體如圖2所示，所述各像素單元的像素電極設(shè)置在公共電極層21與所述襯底之間。第一像素單元？2具有像素電極9x1，第二像素單元？2具有像素電極9x2，第三像素單元？3具有像素電極？13。此時(shí)，為了在像素電極與所述公共電極層之間形成驅(qū)動(dòng)液晶層的可控電場，需要對(duì)公共電極層21與像素電極相對(duì)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成包括多個(gè)條狀電極22的電極結(jié)構(gòu)。各像素電極可以做成多條或是一條。一個(gè)薄膜晶體管與其對(duì)應(yīng)的像素電極即為一個(gè)像素單元，如第一像素電極？XI與薄膜晶體管II即為第一像素單元？1。
[0046]參考圖3-圖5，圖3為圖2所示陣列基板沿現(xiàn)’的切面圖，圖4為圖2所示陣列基板沿的切面圖，圖5為圖2所示陣列基板沿的切面圖。圖3-圖5所示實(shí)施方式中，以薄膜晶體管的漏極為第一極，以薄膜晶體管的源極為第二極為例進(jìn)行說明。在對(duì)應(yīng)第一像素單元？1的位置以及對(duì)應(yīng)第一像素單元？1與第二像素單元？2之間的位置:襯底表面設(shè)置第一像素單元？1的柵極0以及第一柵極線62 ；所述柵極0以及第一柵極線62覆蓋有柵極絕緣層31 ；在柵極絕緣層31表面設(shè)置有有源層30，所述有源層30上設(shè)置有第一薄膜晶體管II的源極81、第一薄膜晶體管II的漏極也、以及第一數(shù)據(jù)線04所在的金屬層；在源極81、漏極(11以及第一數(shù)據(jù)線04表面覆蓋有絕緣層32 ；在絕緣層32表面對(duì)應(yīng)第一像素單元？1的位置設(shè)置有第一像素單元？1的像素電極？XI ；在像素電極？XI表面覆蓋有絕緣層33。在絕緣層33表面設(shè)置有第一信號(hào)線131以及第二信號(hào)線132 ；在第一信號(hào)線131以及第二信號(hào)線132覆蓋有第二絕緣層34，所述第二絕緣層34表面設(shè)置有公共電極層21，所述公共電極層21對(duì)應(yīng)像素單元的位置包括多個(gè)條狀電極22。公共電極層21對(duì)應(yīng)第一像素？1與第三像素？3之間具有公共電極開口區(qū)X。
[0047]其中，絕緣層32與絕緣層33為第一絕緣層。所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)第二極(11的位置設(shè)置有第一通孔所述第一薄膜晶體管II的源極通過所述通孔與所述第二信號(hào)線132電連接，進(jìn)而與所述第一信號(hào)線131電連接。所述絕緣層32設(shè)置有通孔VI。，所述漏極(11通過所述通孔VI。與所述像素電極？XI電連接。該實(shí)施方式像素電極？XI與漏極(11通過通孔乂132實(shí)現(xiàn)電連接，在其他實(shí)施方式中，可以不設(shè)置所述絕緣層32，像素電極部分與所述漏極(11搭接實(shí)現(xiàn)電連接，其他部分與所述漏極(11同層。
[0048]以上僅為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，本發(fā)明的實(shí)施方式還可以為像素電極設(shè)置在公共電極層的上方，即公共電極層位于陣列基板的襯底與各像素單元的像素電極之間。此時(shí)，所述襯底上設(shè)置有柵極，所述柵極上設(shè)置有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上設(shè)置有有源層，所述有源層上設(shè)置有所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上設(shè)置有所述第一絕緣層；所述公共電極層上設(shè)置有第三絕緣層，所述第三絕緣層上設(shè)置有像素電極；其中，所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層上設(shè)置有第二通孔，所述像素電極通過所述第二通孔與所述第一極電連接。
[0049]參考圖6，圖6為圖1所示陣列基板的另一種實(shí)施方式的局部放大圖。圖6所示實(shí)施方式是底公共電極結(jié)構(gòu)，公共電極層61位于各像素單元的像素電極與所述襯底之間。此時(shí)，由于像素電極位于上方，為了在像素電極與公共電極層61之間形成驅(qū)動(dòng)液晶層的可控電場，需要對(duì)位于上方的各像素電極進(jìn)行刻蝕，形成包括多個(gè)條狀電極62的電極結(jié)構(gòu)。公共電極層61對(duì)應(yīng)各像素電極的區(qū)域可以做成多條或是一條。
[0050]參考圖7-圖9，圖7為圖6所示陣列基板沿現(xiàn)’的切面圖，圖8為圖6所示陣列基板沿的切面圖，圖9為圖6所示陣列基板沿的切面圖。同樣，以薄膜晶體管的漏極為第一極，以薄膜晶體管的源極為第二極為例進(jìn)行說明。在對(duì)應(yīng)第一像素單元？1的位置以及對(duì)應(yīng)第一像素單元？1與第二像素單元？2之間的位置:襯底表面設(shè)置第一像素單元？1的柵極以及第一柵極線62 ；所述柵極0以及第一柵極線62覆蓋有柵極絕緣層71 ；在柵極絕緣層71表面設(shè)置有有源層30，所述有源層30上設(shè)置有第一薄膜晶體管II的源極81、第一薄膜晶體管II的漏極也、以及第一數(shù)據(jù)線04所在的金屬層；在源極81、漏極(11以及第一數(shù)據(jù)線04表面覆蓋有絕緣層72 ；在絕緣層72表面設(shè)置有第一信號(hào)線131以及第二信號(hào)線132 ；在第一信號(hào)線131以及第二信號(hào)線132表面設(shè)置有絕緣層73 ；在絕緣層73表面設(shè)置有圖案化的公共電極層61，公共電極層61對(duì)應(yīng)第一像素？1與第三像素？3之間具有公共電極開口區(qū)X ；在公共電極層61以及絕緣層73表面設(shè)置有絕緣層74 ；在絕緣層74表面設(shè)置有像素電極？XI ；在絕緣層72對(duì)應(yīng)源極81的位置設(shè)置有過孔VI”，所述源極81通過所述過孔7匕3與第二信號(hào)線132電連接，進(jìn)而與第一信號(hào)線131電連接；在絕緣層72、73以及74對(duì)應(yīng)漏極(11的位置設(shè)置有過孔^丨#，像素電極9x1通過所述過孔^丨#與漏極(11電連接。
[0051]在以上所述陣列基板中還包括第三信號(hào)線，所述第三信號(hào)線與所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線同層設(shè)置；所述第二絕緣層上還設(shè)置有第三通孔，所述公共電極通過所述第三通孔與所述第三信號(hào)線電連接，即通過對(duì)位于所述公共電極與所述第三信號(hào)線之間的絕緣層進(jìn)行打孔，實(shí)現(xiàn)公共電極與第三信號(hào)線的電連接。為了避免數(shù)據(jù)線設(shè)置在開口區(qū)域，從而造成顯示面板漏光，所述第三信號(hào)線設(shè)置在所述公共電極開口區(qū)之外。并且本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述公共電極開口區(qū)之外，即在所述開口區(qū)域不設(shè)置數(shù)據(jù)線。
[0052]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線包括第二數(shù)據(jù)線，所述像素單元包括第二像素單元組，所述第二像素單元組包括第四像素單元、第五像素單元、第六像素單元，所述第三像素單元、第一像素單元、第二像素單元分別在列方向上與所述第四像素單元、第五像素單元、第六像素單元相鄰設(shè)置；所述第五像素單元包括第三薄膜晶體管，所述第四像素單元與所述第五像素單元之間設(shè)置有所述第二數(shù)據(jù)線，所述第二數(shù)據(jù)線與所述第一薄膜晶體管的第二極電連接，所述第二數(shù)據(jù)線與所述第三薄膜晶體管的第二極電連接，即與所述第三薄膜晶體管的第二極電連接。
[0053]參考圖1，在圖1中示出了包括第四像素單元？4、第五像素單元？5、第六像素單元？6的第二像素單元組。第二像素單元組位于第一像素單元組14的下一行，第四像素單元？4與第三像素單元？3同一列，第五像素單元？5與第一像素單元？1同一列，第六像素單元？6與第二像素單元？2同一列。此時(shí)，第二數(shù)據(jù)線為數(shù)據(jù)線03。第五像素單元？5與第一像素單元？1同時(shí)電連接數(shù)據(jù)線03。
[0054]從圖1中可以看出，公共電極的開口區(qū)在像素列的長度對(duì)應(yīng)一個(gè)像素單元的長度，在其他實(shí)施方式中，還可以對(duì)應(yīng)像素列方向上多個(gè)連續(xù)的像素單元的長度，此時(shí)，與圖1所示走線方式相同，將開口區(qū)對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)連續(xù)的像素單元的數(shù)據(jù)線部分平移到開口區(qū)右側(cè)相鄰數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線的上方即可；或是貫穿整個(gè)像素列，此時(shí)，將開口區(qū)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線整條平移到開口區(qū)右側(cè)相鄰數(shù)據(jù)線的上方即可。所述實(shí)現(xiàn)方式均可以使得開口區(qū)無需設(shè)置數(shù)據(jù)線，避免開口區(qū)域漏光的問題。
[0055]在本申請(qǐng)實(shí)施例所述陣列基板中，具有至少一個(gè)第一像素單元組，該第一像素單元組在像素行方向包括相鄰的三個(gè)像素單元，將所述第一像素單元的數(shù)據(jù)線(第一信號(hào)線)設(shè)置在所述第二像素單元的數(shù)據(jù)線(第一數(shù)據(jù)線)上方，將公共電極的開口去設(shè)置公共電極位于第一像素單元與第三像素單元之間的位置，在無數(shù)據(jù)線的區(qū)域設(shè)置開口區(qū)域，將開口區(qū)域與數(shù)據(jù)線分開設(shè)置，可以有效的防止漏光；同時(shí)，開口區(qū)域可以設(shè)置較寬，工藝實(shí)現(xiàn)簡單；且較寬的開口區(qū)域，可以保證開口區(qū)域相鄰的公共電極不會(huì)短路。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上述所述的陣列基板；具體參考圖10，圖10為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯不裝置100的結(jié)構(gòu)不意圖，該顯不裝置100包括上述實(shí)施例任一實(shí)施方式所述的陣列基板10。所述顯示裝置100可以為手機(jī)、電腦以及具有顯示功能的可穿戴電子裝置。
[0057]本申請(qǐng)實(shí)施例所述顯示裝置100具有上述陣列基板10，避免了公共電極開口區(qū)漏光，提高了顯示質(zhì)量；且開口區(qū)的寬度相對(duì)于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)可以做的較寬，簡化工藝難度，且避免開口區(qū)兩側(cè)公共電極的短路問題。
[0058]本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，參考圖11，圖11為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖，該制作方法包括:
[0059]步驟311:提供一襯底。
[0060]所述襯底為透明基板，如可以為玻璃板等。
[0061]步驟312:在所述襯底上形成多條柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)像素單元，所述像素單元包括至少一個(gè)第一像素單元組，所述第一像素單元組包括第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，所述第一像素單元和第二像素單元之間形成有第一數(shù)據(jù)線。
[0062]步驟313:在所述第一數(shù)據(jù)線上方形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線電連接。
[0063]所述第一絕緣層可以為單層或是多層絕緣層。如圖上述圖3中所示實(shí)施方式，數(shù)據(jù)線04與第一信號(hào)線131之間具有絕緣層32以及絕緣層33。所述絕緣層32與所述絕緣層33 —般為單層結(jié)構(gòu)。如上述實(shí)施例所述，當(dāng)所示像素電極？XI與漏極(11搭接時(shí)，可以不設(shè)置所述絕緣層32。
[0064]在上述圖7中所示實(shí)施方式，數(shù)據(jù)線04與第一信號(hào)線131之間具有絕緣層72，該絕緣層72通常為單層結(jié)構(gòu)，即此時(shí)，數(shù)據(jù)線04與第一信號(hào)線131之間至少具有一層絕緣層。
[0065]所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管。每個(gè)薄膜晶體管均具有柵極、第一極以及第二極；
[0066]所述柵極線包括第一柵極線，第一柵極線分別與所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極電連接。
[0067]所述第二薄膜晶體管的第二極與所述第一數(shù)據(jù)線電連接；所述第一薄膜晶體管的第二極與所述第一信號(hào)線電連接。
[0068]步驟314:在所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上形成公共電極層，所述第三像素單元與所述第一像素單元之間的公共電極層電絕緣，所述公共電極層電絕緣的區(qū)域?yàn)楣搽姌O開口區(qū)；所述第一像素單元與所述第二像素單元之間的公共電極層在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線交疊。
[0069]根據(jù)工藝需求，所述第二絕緣層一般為單層。如圖3所示實(shí)施方式，所述公共電極層21與第一信號(hào)線131之間具有一層絕緣層，即絕緣層21。
[0070]通過所述第一信號(hào)線代替設(shè)定的開口區(qū)的數(shù)據(jù)線，進(jìn)而使得開口區(qū)不設(shè)置數(shù)據(jù)線，防止開口區(qū)漏光。
[0071]本實(shí)施例所述制作方法中，所述第一信號(hào)線在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線交疊；所述第二信號(hào)線在所述第一柵極線上的投影與所述第一柵極線交疊。
[0072]為了使得所述第一信號(hào)線與所述第二極電連接，所述第一絕緣層上形成第一通孔，所述第一信號(hào)線通過所述第一通孔與所述第二極電連接。
[0073]所述制作方法可以制備如圖2所示的陣列基板，此時(shí)，所述制作方法包括:在所述襯底上形成柵極，在所述柵極上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述有源層上形成所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，在所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上形成像素電極，所述像素電極與所述第一極電連接，在所述像素電極上形成所述第一絕緣層。
[0074]所述制作方法可以制備如圖6所示的陣列基板，此時(shí)，所述制作方法包括:在所述襯底上形成柵極，在所述柵極上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述有源層上形成所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，在所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上形成所述第一絕緣層；在所述公共電極層上形成第三絕緣層，在所述第三絕緣層上形成像素電極；其中，在所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層上形成第二通孔，所述像素電極通過所述第二通孔與所述第一極電連接。
[0075]本申請(qǐng)實(shí)施例所述制作方法，在制備陣列基板時(shí)，將公共電極層開口區(qū)的數(shù)據(jù)線平移到右側(cè)相鄰數(shù)據(jù)線的上方，將開口區(qū)與數(shù)據(jù)線分開設(shè)置，避免了公共電極開口區(qū)的漏光問題，保證了顯示質(zhì)量。同時(shí)，由于開口區(qū)域下方未設(shè)置數(shù)據(jù)線，使得開口區(qū)寬度可相應(yīng)增大，降低了制作方法的工藝難度，進(jìn)而提高了制作效率，降低了成本。
[0076]需要說明的時(shí)，本申請(qǐng)實(shí)施例所述制作方法基于上述結(jié)構(gòu)的陣列基板，陣列基板的結(jié)構(gòu)可參見上述陣列基板實(shí)施例附圖，制作方法實(shí)施例與上述結(jié)構(gòu)實(shí)施例相同相似之處可相互補(bǔ)充說明，在此不再贅述。
[0077]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底， 所述襯底上設(shè)置有的多條柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)像素單元，所述像素單元包括至少一個(gè)第一像素單元組，所述第一像素單元組包括第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，所述第一像素單元和第二像素單元之間設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線； 所述第一數(shù)據(jù)線上方設(shè)置有第一絕緣層；所述第一絕緣層上設(shè)置有第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線電連接； 所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管；每個(gè)薄膜晶體管均具有柵極、第一極以及第二極； 第一柵極線與所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極電連接； 所述第二薄膜晶體管的第二極與所述第一數(shù)據(jù)線電連接；所述第一薄膜晶體管的第二極與所述第一信號(hào)線電連接； 所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上設(shè)置有第二絕緣層，所述第二絕緣層上設(shè)置有公共電極層，所述第三像素單元與所述第一像素單元之間的公共電極層電絕緣，所述公共電極層電絕緣的區(qū)域?yàn)楣搽姌O開口區(qū)；所述第一像素單元與所述第二像素單元之間的公共電極層在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一信號(hào)線在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線至少部分交疊；所述第二信號(hào)線在所述第一柵極線上的投影與所述第一柵極線至少部分交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底上設(shè)置有柵極，所述柵極上設(shè)置有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上設(shè)置有有源層，所述有源層上設(shè)置有各薄膜晶體管的第一極、第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上設(shè)置有像素電極，所述像素電極與所述第一極電連接，所述像素電極上設(shè)置有所述第一絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層上設(shè)置有第一通孔，所述第一信號(hào)線通過所述第一通孔與所述第二極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底上設(shè)置有柵極，所述柵極上設(shè)置有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上設(shè)置有有源層，所述有源層上設(shè)置有所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上設(shè)置有所述第一絕緣層；所述公共電極層上設(shè)置有第三絕緣層，所述第三絕緣層上設(shè)置有像素電極；其中，所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層上設(shè)置有第二通孔，所述像素電極通過所述第二通孔與所述第一極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括第三信號(hào)線，所述第三信號(hào)線與所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線同層設(shè)置；所述第二絕緣層上還設(shè)置有第三通孔，所述公共電極通過所述第三通孔與所述第三信號(hào)線電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第三信號(hào)線設(shè)置在所述公共電極開口區(qū)之外。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述公共電極開口區(qū)之外。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線包括第二數(shù)據(jù)線，所述像素單元包括第二像素單元組，所述第二像素單元組包括第四像素單元、第五像素單元、第六像素單元，所述第三像素單元、第一像素單元、第二像素單元分別在列方向上與所述第四像素單元、第五像素單元、第六像素單元相鄰設(shè)置；所述第五像素單元包括第三薄膜晶體管，所述第四像素單元與所述第五像素單元之間設(shè)置有所述第二數(shù)據(jù)線，所述第二數(shù)據(jù)線與所述第一薄膜晶體管的第二極電連接，所述第二數(shù)據(jù)線與所述第三薄膜晶體管的第二極電連接。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-9所述的陣列基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為手機(jī)、電腦以及具有顯示功能的可穿戴電子裝置。
12.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括提供一襯底， 在所述襯底上形成多條柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個(gè)像素單元，所述像素單元包括至少一個(gè)第一像素單元組，所述第一像素單元組包括第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，所述第一像素單元和第二像素單元之間形成有第一數(shù)據(jù)線； 在所述第一數(shù)據(jù)線上方形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線電連接； 所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管；每個(gè)薄膜晶體管均具有柵極、第一極以及第二極； 所述柵極線包括第一柵極線，第一柵極線與所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極電連接； 所述第二薄膜晶體管的第二極與所述第一數(shù)據(jù)線電連接；所述第一薄膜晶體管的第二極與所述第一信號(hào)線電連接； 在所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線上形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上形成公共電極層，所述第三像素單元與所述第一像素單元之間的公共電極層電絕緣，所述公共電極層電絕緣的區(qū)域?yàn)楣搽姌O開口區(qū)；所述第一像素單元與所述第二像素單元之間的公共電極層在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線交疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一信號(hào)線在所述第一數(shù)據(jù)線上的投影與所述第一數(shù)據(jù)線至少部分交疊；所述第二信號(hào)線在所述第一柵極線上的投影與所述第一柵極線至少部分交疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一絕緣層上形成第一通孔，所述第一信號(hào)線通過所述第一通孔與所述第二極電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成柵極，在所述柵極上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述有源層上形成所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，在所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上形成像素電極，所述像素電極與所述第一極電連接，在所述像素電極上形成所述第一絕緣層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成柵極，在所述柵極上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述有源層上形成所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，在所述第一極、所述第二極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上形成所述第一絕緣層；在所述公共電極層上形成第三絕緣層，在所述第三絕緣層上形成像素電極；其中，在所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層上形成第二通孔，所述像素電極通過所述第二通孔與所述第一極電連接。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK104460163SQ201410842456
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月25日
【發(fā)明者】丁洪, 杜凌霄, 姚綺君 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司