用于制造光耦合裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種用于制造光耦合裝置的制造方法，其包括：提供一個(gè)平板光波導(dǎo)，該平板光波導(dǎo)包括一個(gè)頂面及一個(gè)與該頂面垂直連接的側(cè)面，該側(cè)面用于與一個(gè)激光光源對(duì)接且該激光光源發(fā)出的激光束垂直射入該側(cè)面；利用高折射率材料在該頂面鍍上一層介質(zhì)光柵薄膜，該介質(zhì)光柵薄膜包括多條垂直于該側(cè)面的條狀部分；及在該頂面形成一對(duì)條狀電極，該對(duì)電極分別位于該介質(zhì)光柵薄膜兩側(cè)，并平行于該多個(gè)條狀部分。該制造方法制造出的該光耦合裝置可以有效的將該激光束會(huì)聚入一個(gè)光學(xué)元件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于制造光耦合裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成光學(xué)裝置，特別涉及一種用于制造光耦合裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成光學(xué)里，光源與光學(xué)元件的耦合需要考慮的問(wèn)題有:雖然集成光學(xué)普遍采用方向性較佳的激光作為光源，然而激光發(fā)出的光束仍具有一定的發(fā)散角，如果直接讓光源與光學(xué)元件對(duì)接，光束中的發(fā)散光線將無(wú)法進(jìn)入光學(xué)元件，光利用率低。因此，如何將光源耦合至光學(xué)元件以使發(fā)散的光束會(huì)聚入光學(xué)元件以提高光利用率是一個(gè)重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種用于制造可提高光利用率的光耦合裝置的制造方法。
[0004]一種用于制造光耦合裝置的制造方法，其包括:
提供一個(gè)平板光波導(dǎo)，該平板光波導(dǎo)包括一個(gè)頂面及一個(gè)與該頂面垂直連接的側(cè)面，該側(cè)面用于與一個(gè)激光光源對(duì)接且該激光光源發(fā)出的激光束垂直射入該側(cè)面；
利用高折射率材料在該頂面鍍上一層介質(zhì)光柵薄膜，該介質(zhì)光柵薄膜包括多條垂直于該側(cè)面的條狀部分；及
在該頂面形成一對(duì)條狀電極，該對(duì)電極分別位于該介質(zhì)光柵薄膜兩側(cè)，并平行于該多個(gè)條狀部分。
[0005]如此，根據(jù)集成光學(xué)理論，該介質(zhì)光柵薄膜與該平板光波導(dǎo)構(gòu)成加載型光波導(dǎo)(strip/grating loaded waveguide),該平板光波導(dǎo)加載該介質(zhì)光柵薄膜的部分的等效折射率變大。如此，通過(guò)合理設(shè)置該介質(zhì)光柵薄膜的結(jié)構(gòu)，例如設(shè)置成啁啾光柵(chirpedgrating)便可構(gòu)成一個(gè)啁啾光柵類(lèi)型的衍射型光波導(dǎo)透鏡。而該對(duì)電極可以加載調(diào)制電場(chǎng)從而通過(guò)電光效應(yīng)改變?cè)撈桨骞獠▽?dǎo)的折射率，從而改變?cè)撗苌湫凸獠▽?dǎo)透鏡的焦距，有效的將該激光束會(huì)聚入光學(xué)元件。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的制造方法制造的光耦合裝置的工作狀態(tài)示意圖。
[0007]圖2為圖1的光耦合裝置沿線I1-1I的剖面示意圖。
[0008]圖3至圖8為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的制造方法的各個(gè)步驟的示意圖。
[0009]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造光耦合裝置的制造方法，其包括: 步驟SOl:提供一個(gè)平板光波導(dǎo)，該平板光波導(dǎo)包括一個(gè)頂面及一個(gè)與該頂面垂直連接的側(cè)面，該側(cè)面用于與一個(gè)激光光源對(duì)接且該激光光源發(fā)出的激光束垂直射入該側(cè)面；步驟S02:利用高折射率材料在該頂面鍍上一層介質(zhì)光柵薄膜，該介質(zhì)光柵薄膜包括多條垂直于該側(cè)面的條狀部分；及 步驟S03:在該頂面形成一對(duì)條狀電極，該對(duì)電極分別位于該介質(zhì)光柵薄膜兩側(cè)，并平行于該多個(gè)條狀部分。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該步驟SOl包括以下子步驟: 步驟SOll:提供一個(gè)基底，該基底包括該頂面及該側(cè)面 '及 步驟S012:在該頂面上向該基底內(nèi)部擴(kuò)散形成該平板光波導(dǎo)。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，該基底采用鈮酸鋰晶體，該平板光波導(dǎo)通過(guò)向該頂面鍍上金屬鈦后高溫將金屬鈦擴(kuò)散入該基底而形成。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該步驟S02包括如下子步驟: 步驟S021:在該頂面上鍍上一層高折射率材料膜；及 步驟S022:采用黃光蝕刻工藝蝕刻該高折射率膜以形成該介質(zhì)光柵薄膜。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該介質(zhì)光柵薄膜是一個(gè)啁啾光柵，該多個(gè)條狀部分垂直于該側(cè)面設(shè)置，且高度相同；該多個(gè)條狀部分的數(shù)目為奇數(shù)，并關(guān)于一個(gè)對(duì)稱軸對(duì)稱分布，且沿該對(duì)稱 軸到遠(yuǎn)離該對(duì)稱軸的方向，該條狀部分的寬度越來(lái)越小，而相鄰兩個(gè)該條狀部分的間隙也越來(lái)越小。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，以該介質(zhì)光柵的寬度方向?yàn)閦軸，該對(duì)稱軸與I軸的相交點(diǎn)為原點(diǎn)，沿該對(duì)稱軸到遠(yuǎn)離該對(duì)稱軸的方向?yàn)閦軸正向，該介質(zhì)部分的第個(gè)邊界滿足如下條件:
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該對(duì)電極通過(guò)鍍膜技術(shù)形成。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該對(duì)電極的長(zhǎng)度大于或者等于該介質(zhì)光柵薄膜的長(zhǎng)度。
9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該對(duì)電極的高度大于或者等于該介質(zhì)光柵薄膜的高度。
【文檔編號(hào)】G02F1/035GK103885132SQ201210554082
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月19日
【發(fā)明者】黃新舜 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司