光調(diào)變器的制造方法
【專利摘要】一種光調(diào)變器，包括：一襯底，具有相對的第一表面和第二表面；一接地電極，位于所述第一表面；一平面光波導，位于所述第二表面用于與一光源對接以接收所述光源發(fā)出的光束；一光柵，形成于所述平面光波導上，所述光柵沿平行所述光束的入射方向設置并與所述平面光波導構成一光波導透鏡；以及，一調(diào)變電極，位于所述光柵上用于與所述接地電極之間形成一調(diào)變電場以通過電光效應改變所述平面光波導的折射率從而改變所述光波導透鏡的焦距。
【專利說明】光調(diào)變器
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種光調(diào)變器。
【背景技術】
[0002]在集成光學里，光源與光路的耦合需要考慮的問題有:雖然集成光學普遍采用方向性較佳的激光作為光源，然而激光發(fā)出的光束仍具有一定的發(fā)散角，如果直接讓光源與光路對接，光束中的發(fā)散光線將無法進入光路，光利用率低。因此，如何將光源耦合至光路以使發(fā)散的光束會聚入光路以提高光利用率是一個重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種可提高光利用率之光調(diào)變器。
[0004]—種光調(diào)變器,包括:一襯底，具有相對的第一表面和第二表面；一接地電極，位于所述第一表面；一平面光波導，位于所述第二表面用于與一光源對接以接收所述光源發(fā)出的光束；一光柵，形成于所述平面光波導上，所述光柵沿平行所述光束的入射方向設置并與所述平面光波導構成一光波導透鏡；以及，一調(diào)變電極，位于所述光柵上用于與所述接地電極之間形成一調(diào)變電場以通過電光效應改變所述平面光波導的折射率從而改變所述光波導透鏡的焦距。
[0005]相較于現(xiàn)有技術，本實施例的光調(diào)變器具有平面光波導和光柵構成的光波導透鏡，調(diào)變電極和接地電極之間形成一個調(diào)變電場，該調(diào)變電場可以改變平面光波導的折射率，從而主動地改變光波導透鏡的焦距，將光線匯聚進入其它光學組件，從而提升光的耦合率并提高光利用率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1是本發(fā)明實施例光調(diào)變器的立體示意圖。
[0007]圖2是本發(fā)明實施例光調(diào)變器的電場分布示意圖。
[0008]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種光調(diào)變器，包括: 襯底，具有相對的第一表面和第二表面； 接地電極，位于所述第一表面； 平面光波導，位于所述第二表面用于與一光源對接以接收所述光源發(fā)出的光束； 光柵，形成于所述平面光波導上，所述光柵沿平行所述光束的入射方向設置并與所述平面光波導構成一光波導透鏡；以及， 調(diào)變電極，位于所述光柵上，用于與所述接地電極之間形成一調(diào)變電場以通過電光效應改變所述平面光波導的折射率從而改變所述光波導透鏡的焦距。
2.如權利要求1所述的光調(diào)變器，其特征在于，所述調(diào)變電極與所述光柵之間進步一設置有含娃薄膜。
3.如權利要求2所述的光調(diào)變器，其特征在于，所述含硅薄膜包括硅薄膜或二氧化硅薄膜。
4.如權利要求1所述的光調(diào)變器，其特征在于，所述襯底的材料鈮酸鋰晶體。
5.如權利要求1所述的光調(diào)變器，其特征在于，所述光柵的截面為長方形或正方形。
6.如權利要求1所述的光調(diào)變器，其特征在于，所述平面光波導通過于所述襯底上擴散金屬鈦而形成。
7.如權利要求6所述的光調(diào)變器，其特征在于，所述光柵藉由蝕刻所述平面光波導而成。
8.如權利要求1所述的光調(diào)變器，其特征在于，所述調(diào)變電極的材料為鋁。
【文檔編號】G02B6/42GK103885131SQ201210553973
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月19日 優(yōu)先權日:2012年12月19日
【發(fā)明者】黃新舜 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司