專利名稱：一種tft陣列基板及顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)陣列基板及顯示器。
背景技術(shù)：
TFT 液晶顯示器(TFT-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是利用設(shè)置在液晶層上電場強(qiáng)度的變化，改變液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度，從而控制透光的強(qiáng)弱來顯示圖像的。通常的，液晶顯示面板包括用于對(duì)盒成型的彩膜基板和TFT陣列基板以及由這兩塊基板組成的盒中填充的液晶分子。所述TFT陣列基板上形成有縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，數(shù)據(jù)線和柵
線圍設(shè)成矩陣形式排列的子像素單元，每個(gè)R子像素單元、G子像素單元和B子像素單元構(gòu)成一個(gè)像素單元，每個(gè)子像素單元包括TFT開關(guān)，其中所述TFT開關(guān)包括柵極、源極、漏極和半導(dǎo)體有源層，TFT開關(guān)的柵極與柵線相連，源極與數(shù)據(jù)線相連，漏極與子像素單元中的像素電極相連。如圖I所示,為現(xiàn)有的使用單柵線(Normal Gate)技術(shù)的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖(圖I中以分辨率為2*6為例)，水平排列的線是柵線，如Gl、G2 "G6，垂直排列的線是數(shù)據(jù)線，如D1、D2-D6。與柵線和數(shù)據(jù)線相連的是TFT開關(guān)，其中，與TFT開關(guān)的漏極相連的是像素電極，由于像素電極所在的子像素單元可實(shí)現(xiàn)的顏色(紅R、綠G、藍(lán)B)不同，故在所述像素電極上標(biāo)明了其所在的子像素單元所能實(shí)現(xiàn)的顏色，例如，若在像素電極上標(biāo)R，則可知該像素電極所在的子像素單元為R子像素單元。TFT陣列基板中，R子像素單元、B子像素單元、G子像素單元沿著數(shù)據(jù)線條數(shù)增加的方向依次循環(huán)排列，每一列子像素單元共用一根數(shù)據(jù)線，每一行子像素單元共用一根柵線，并且構(gòu)成每一個(gè)像素單元的三個(gè)子像素單元共用一根柵線，構(gòu)成每一個(gè)像素單元的三個(gè)子像素單元使用各不相同的數(shù)據(jù)線，例如，圖I中的像素單元I (虛線框中所示部分)中的3個(gè)子像素單元共用柵線G1，實(shí)現(xiàn)紅顏色的子像素單元使用數(shù)據(jù)線D1、實(shí)現(xiàn)綠顏色的子像素單元使用數(shù)據(jù)線D2，實(shí)現(xiàn)藍(lán)顏色的子像素單元使用數(shù)據(jù)線D3。此時(shí)，使用圖I所示的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，若要實(shí)現(xiàn)顯示分辨率為1366*768的像素，則需要使用數(shù)據(jù)線的條數(shù)為1366*3=4098。在假設(shè)每個(gè)用于驅(qū)動(dòng)TFT的源極的源集成電路(Source IC)能連接683條數(shù)據(jù)線時(shí)，則需要6個(gè)Source IC來實(shí)現(xiàn)對(duì)該4098條數(shù)據(jù)線的輸出電壓值進(jìn)行控制，然而，上述使用4098條數(shù)據(jù)線及使用6個(gè)source IC造成制作源極驅(qū)動(dòng)電路的工藝復(fù)雜度較高，不易實(shí)現(xiàn)。為了減少數(shù)據(jù)線的條數(shù)及source IC的使用個(gè)數(shù)，降低制作源極驅(qū)動(dòng)電路的工藝復(fù)雜度，現(xiàn)有技術(shù)提出了雙柵線(Dual Gate)技術(shù)和三柵線(Triple Gate)技術(shù)，分別如圖2 (圖2中以分辨率為2*6為例)和圖3 (圖3中以分辨率為2*6為例)所示。在圖2所示的TFT陣列基板中，R子像素單元、B子像素單元、G子像素單元沿著數(shù)據(jù)線條數(shù)增加的方向依次循環(huán)排列，相鄰兩列的子像素單元素共用一根數(shù)據(jù)線，構(gòu)成像素單元的各子像素單元使用不均相同的數(shù)據(jù)線，以及使用不均相同的柵線，例如，對(duì)于圖2中所示的P代表的像素單元(虛線框中)，實(shí)現(xiàn)紅顏色的子像素單元和實(shí)現(xiàn)藍(lán)顏色的子像素單元均使用柵線G1、實(shí)現(xiàn)綠顏色的子像素單元使用柵線G2。此時(shí)，使用圖2所示的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，若要實(shí)現(xiàn)顯示分辨率為1366*768的像素，則需要使用數(shù)據(jù)線的條數(shù)為1366*1. 5=2049。在假設(shè)每個(gè)用于驅(qū)動(dòng)TFT的源極的源集成電路(Source IC)能連接683條數(shù)據(jù)線時(shí)，需要3個(gè)Source IC來實(shí)現(xiàn)對(duì)該2049條數(shù)據(jù)線的輸出電壓值進(jìn)行控制。在圖3所示的TFT陣列基板中，R子像素單元、B子像素單元、G子像素單元沿著柵線條數(shù)增加的方向依次循環(huán)排列，任一像素單元中的3個(gè)子像素單元使用均不相同的柵線，構(gòu)成任一像素單元的3個(gè)子像素單元共用一根數(shù)據(jù)線。例如，對(duì)于圖3中所示的P代表像素單元(虛線框中)，實(shí)現(xiàn)紅顏色的子像素單元使用柵線G1、實(shí)現(xiàn)綠顏色的子像素單元使用柵線G2、實(shí)現(xiàn)藍(lán)顏色的子像素單元使用柵線G3、所述像素單元中的各子像素單元使用相同的數(shù)據(jù)線Dl。此時(shí)，使用圖3所示的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，若要實(shí)現(xiàn)顯示分別率為1366*768的像素，則需要使用數(shù)據(jù)線的條數(shù)為1366*1=1366。在假設(shè)每個(gè)用于驅(qū)動(dòng)TFT的源極的源集成電路(Source IC)能連接683條數(shù)據(jù)線時(shí)，則需要2個(gè)Source IC來實(shí)現(xiàn)對(duì)該1366條數(shù)據(jù)線的輸出電壓值進(jìn)行控制。利用上述Dual Gate技術(shù)和Triple Gate技術(shù)盡管相對(duì)于上述Normal Gate技術(shù)在實(shí)現(xiàn)顯示相同分辨率的像素時(shí)，使用數(shù)據(jù)線的條數(shù)及source IC的個(gè)數(shù)減少了，然而，在追求液晶顯示器的高分辨率的情況下，使用上述Dual Gate技術(shù)和Triple Gate技術(shù)制作高分辨率的液晶顯示器中的陣列基板仍存在使用條數(shù)據(jù)線條數(shù)及source IC的數(shù)量較多的問題，使得制作源極驅(qū)動(dòng)電路的工藝復(fù)雜度較高，不易實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板存在的使用數(shù)據(jù)線條數(shù)較多而導(dǎo)致的制作源極驅(qū)動(dòng)電路的工藝復(fù)雜度較高，不易實(shí)現(xiàn)的問題。一種TFT陣列基板，所述TFT陣列基板上包括多條橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，以及多個(gè)像素單元，所述像素單元包括多個(gè)子像素單元，所述子像素單元是由所述橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)成的，每個(gè)所述子像素單元包括TFT和像素電極；針對(duì)共用同一根數(shù)據(jù)線的兩列像素單元，任一像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同，且任意兩個(gè)像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同，所述兩列像素單元中的任意一列像素單元包含至少一個(gè)像素單元。所述像素單元包括R子像素單元、G子像素單元和B子像素單元，使用相同柵線的兩個(gè)R子像素單元位于同一行，使用相同柵線的兩個(gè)G子像素單元位于同一行，使用相同柵線的兩個(gè)B子像素單元位于同一行。一種顯示器，所述顯示器包括上述TFT陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例中，由于同一像素單元的各子像素單元共用一根數(shù)據(jù)線，且相鄰列的子像素單元共用一根數(shù)據(jù)線，使得TFT陣列基板在實(shí)現(xiàn)顯示相同分辨率的像素時(shí)，使用的數(shù)據(jù)線的條數(shù)較少，相應(yīng)的，Source IC的使用數(shù)量也隨之減少，因此，降低了制作源極驅(qū)動(dòng)電路的工藝復(fù)雜度。


圖I背景技術(shù)中使用Normal Gate技術(shù)的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖背景技術(shù)：
中使用Dual Gate技術(shù)的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為背景技術(shù)中使用Triple Gate技術(shù)的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例一提供TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例一提供TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行描述。實(shí)施例一如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。TFT陣列基板
400上形成有橫縱交叉的柵線40(圖4中對(duì)不同的柵線用G1、G2.....G2n(n=l、2、3.......)
進(jìn)行區(qū)分)和數(shù)據(jù)線41 (圖4中對(duì)不同的數(shù)據(jù)線用D1、D2.....Dm (m=l、2、3.......)進(jìn)行
區(qū)分)，所述柵線40和數(shù)據(jù)線41圍設(shè)成子像素單元42 (圖4中以一個(gè)斜劃線構(gòu)成的區(qū)域進(jìn)行來示意，其他子像素單元類似)，每個(gè)像素單元43包括R子像素單元42、G子像素單元42和B子像素單元42，每個(gè)所述子像素單元42包括TFT 421和像素電極422，由于像素電極422所在的子像素單元可實(shí)現(xiàn)的顏色(紅R、綠G、藍(lán)B)不同，故在所述像素電極上標(biāo)明了其所在的子像素單元所能實(shí)現(xiàn)的顏色，例如，若在像素電極上標(biāo)G，則可知該像素電極所在的子像素單元為G子像素單元。其中所述TFT包括柵極、源極、漏極和半導(dǎo)體有源層，柵極與柵線相連，源極與數(shù)據(jù)線相連，漏極與子像素單元的像素電極相連。R子像素單元、B子像素單元、G子像素單元沿著柵線條數(shù)增加的方向依次循環(huán)排列，任一像素單元中的3個(gè)子像素單元使用均不相同的柵線，構(gòu)成任一像素單元的3個(gè)子像素單元共用一根數(shù)據(jù)線。即每一所述像素單元中，其子像素單元的像素電極分別通過一個(gè)薄膜晶體管連接在同一條數(shù)據(jù)線，并分別連接在不同的柵線上。在圖4所示的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)中，針對(duì)共用同一根數(shù)據(jù)線的兩列像素單元，任一像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同，且任意兩個(gè)像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同，所述兩列像素單元中的任意一列像素單元包含至少一個(gè)像素單元。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例的方案不限于圖4中包含R子像素單元、G子像素單元和B子像素單元構(gòu)成的像素單元，也可以針對(duì)包含R子像素單元、G子像素單元、B子像素單元和白色W子像素單元構(gòu)成的像素單元，以及針對(duì)包含R子像素單元、G子像素單元、B子像素單元和黃色Y子像素單元構(gòu)成的像素單元。針對(duì)圖4，上述表述也就是說，相鄰兩列(這里定義C2m-1和C2m為相鄰兩列，C2m和C2m+1不為相鄰兩列)的像素單元共用一根數(shù)據(jù)線，任一像素單元中的三個(gè)子像素單元共用同一根數(shù)據(jù)線。由于子像素單元及每一像素單元中的各子像素單元最大限度的共用了同一根數(shù)據(jù)線，因此，利用圖4所示的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)在實(shí)現(xiàn)顯示相同的分辨率M*N (Μ、N均為大于O的正整數(shù))的像素時(shí)，使用的數(shù)據(jù)線的條數(shù)較少。具體的，所述TFT陣列基板根據(jù)像素子單元所使用的柵線可以但不限于以下兩種結(jié)構(gòu)第一種結(jié)構(gòu)
奇數(shù)列的子像素單元使用偶數(shù)柵線，偶數(shù)列的子像素單元使用奇數(shù)柵線。如圖4中所示的，奇數(shù)列C1、C3中的子像素單元使用的柵線為G2、G4、G6.....G2n。第二種結(jié)構(gòu)奇數(shù)列的子像素單元使用奇數(shù)柵線，偶數(shù)列的子像素單元使用偶數(shù)柵線。需要說明的是，上述TFT陣列基板，并未對(duì)R子像素單元、G子像素單元、B子像素單元在TFT陣列基板中的排列順序進(jìn)行限定。在本發(fā)明實(shí)施例一中，只要滿足上述對(duì)TFT陣列基板的限定的TFT陣列基板均可，圖5及圖6中給出了滿足上述對(duì)TFT陣列基板的限定的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。為了方便對(duì)所述TFT陣列基板中各子像素單元實(shí)現(xiàn)的顏色進(jìn)行控制，較佳的，針
對(duì)共用第一數(shù)據(jù)線的兩列像素單元和共用第二數(shù)據(jù)線的兩列像素單元，共用第一數(shù)據(jù)線的兩列像素單元中的一個(gè)像素單元中各子像素單元使用的柵線，與共用第二數(shù)據(jù)線的兩列像素單元中的一個(gè)像素單元中各子像素單元使用的柵線相同。針對(duì)圖5所示的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)(圖5中P表示像素單元)，所述第一數(shù)據(jù)線可以是數(shù)據(jù)線D2，所述第二數(shù)據(jù)線可以是數(shù)據(jù)線Dl，共用數(shù)據(jù)線Dl的為Cl列和C2列像素單元，共用數(shù)據(jù)線D2的為C3列和C4列像素單元；其中共用數(shù)據(jù)線Dl中的一個(gè)像素單元的中的各子像素單元分別位于(R1，Cl)、(R2，Cl)、(R3，C2)的R子像素單元、G子像素單元和B子像素單元，與共用數(shù)據(jù)線D2中的一個(gè)像素單元的中的各子像素單元分別位于(Rl，C3)、(R2，C3)、(R3，C3)的B子像素單元、R子像素單元和G子像素單元，使用的三條柵線相同，為柵線G2、G4、G6。為了便于對(duì)子像素單元實(shí)現(xiàn)的顏色進(jìn)行更好的控制，較佳的，當(dāng)所述像素單元由一個(gè)R子像素單元、一個(gè)G子像素單元和一個(gè)B子像素單元構(gòu)成時(shí)，使用相同柵線的兩個(gè)R子像素單元位于同一行，使用相同柵線的兩個(gè)G子像素單元位于同一行，使用相同柵線的兩個(gè)B子像素單元位于同一行。如圖6所示的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖(圖6中P表示像素單元)，共用第一數(shù)據(jù)線D2的C3列的像素單元中的R子像素單元與共用第二數(shù)據(jù)線Dl的Cl列中的R子像素單元均位于同一行，如Rl行、R4行、R7行等；共用第一數(shù)據(jù)線D2的C3列的像素單元中的G子像素單元與共用第二數(shù)據(jù)線Dl的Cl列中的G子像素單元均位于同一行，如R2行、R5行、R8行等；共用第一數(shù)據(jù)線D2的C3列的像素單元中的B子像素單元與共用第二數(shù)據(jù)線Dl的Cl列中的B子像素單元均位于同一行，如R3行、R6行、R9行等。上述TFT陣列基板中的柵線被驅(qū)動(dòng)時(shí)，TFT開關(guān)打開，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線送入子像素單元電壓信號(hào)，并將其加在至像素電極，像素電極在TFT開關(guān)打開的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行充電，當(dāng)TFT開關(guān)關(guān)閉時(shí)，像素電極的電壓將維持到該柵極線再次被驅(qū)動(dòng)。考慮到本發(fā)明中，一個(gè)像素單元內(nèi)有6條柵線，為了在一定時(shí)間內(nèi)完成對(duì)所有柵線的驅(qū)動(dòng)，每條柵線被驅(qū)動(dòng)的時(shí)間將會(huì)變短，TFT開關(guān)打開的時(shí)間也相應(yīng)較短，進(jìn)而可能導(dǎo)致像素電容的充電時(shí)間較短，其電壓不能維持到該柵線再次被驅(qū)動(dòng)，進(jìn)而導(dǎo)致顯示器的顯示效果不佳，較佳的，為了保證顯示器的具有較好的顯示效果，本發(fā)明中的TFT陣列基板可以采用以下方案的任意一種或它們的任意組合方案一將陣列基板中任一所述柵線與兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)相連。每根柵線的一端連接一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)，另一端連接另一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)。由于任一所述柵線與兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)相連，在同一時(shí)刻，該柵線接收來自兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)的掃描信號(hào)，因此，與該TFT開關(guān)的漏極相連的像素電容可以在較短的時(shí)間內(nèi)充滿電，進(jìn)而能保證顯示器的顯示效果。方案二采用多晶硅制成TFT開關(guān)的半導(dǎo)體有源層，替代常用的非晶硅制成TFT開關(guān)的半導(dǎo)體有源層，其余制作TFT開關(guān)的工藝過程相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)沒有改變，在此不再贅述。由于多晶硅是較優(yōu)的半導(dǎo)體材料，本身的電子遷移率較高，因此，可以使得其所構(gòu)成的TFT開關(guān)通過漏極在較短的時(shí)間內(nèi)將較多的電荷搬運(yùn)到像素電容，也即使得與該TFT開關(guān)的漏極相連的像素電容可以在較短的時(shí)間內(nèi)充滿電荷，進(jìn)而能保證顯示器的具有較好的顯示效果。方案三采用電阻率較小的金屬材料沉積用于制作柵線及數(shù)據(jù)線的薄膜，替代常用的鑰(Mo)等，其余工藝過程相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)沒有改變，在此不再贅述。例如采用電阻率較小的鋁(其電阻為2. 83微歐.厘米(μ Ω.cm))或者采用電阻率更小的銅(其電阻率為I. 75 μ Ω. Cm)以及其他電阻率較小的金屬材料進(jìn)行薄膜沉積。通過本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)顯示相同分辨率的像素的情況下，本發(fā)明提供的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，較背景技術(shù)中使用Normal Gate技術(shù)的TFT陣列基板中使用的數(shù)據(jù)線減少了 5/6，使用Source IC的數(shù)量也減少了 5/6 ;較背景技術(shù)中使用Dual Gate技術(shù)的TFT陣列基板中使用的數(shù)據(jù)線減少了 2/3，使用Source IC的數(shù)量也減少了 2/3 ;較背景技術(shù)中使用Triple Gate技術(shù)的TFT陣列基板中使用的數(shù)據(jù)線減少了 1/2，使用Source IC的數(shù)量也減少了 1/2。圖7為利用本發(fā)明實(shí)施例中提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)顯示2*6像素的TFT陣列基板示意圖，其中的P表示像素單元，從圖7中可以看到，使用的數(shù)據(jù)線的條數(shù)為1，因此，使用本發(fā)明提供的TFT陣列基板可以大大減少數(shù)據(jù)線的使用條數(shù)，減少使用Source IC的數(shù)量，一方面，解決了由于數(shù)據(jù)線使用數(shù)量過多而導(dǎo)致的制作源極驅(qū)動(dòng)電路工藝復(fù)雜度較高的問題，另一方面，解決了因Source IC較昂貴帶來的開發(fā)成本較高的問題。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例二提供一種顯示器，所述顯示器包括實(shí)施例一中所述的TFT陣列基板。較優(yōu)的，構(gòu)成所述顯示器的TFT陣列基板中的任一柵線與兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)相連。由于所述TFT陣列基板使用的數(shù)據(jù)線及Source IC的數(shù)量較少，因此，制作TFT陣列基板的工藝復(fù)雜度減低，進(jìn)而也降低了包含所述TFT陣列基板的顯示器的工藝復(fù)雜度。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板上包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，以及多個(gè)像素單元，所述像素單元包括多個(gè)子像素單元，所述子像素單元是由所述橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)成的，每個(gè)所述子像素單元包括TFT和像素電極； 針對(duì)共用同一根數(shù)據(jù)線的兩列像素單元，任一像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同，且任意兩個(gè)像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同，所述兩列像素單元中的任意一列像素單元包含至少一個(gè)像素單元。
2.如權(quán)利要求I所述的TFT陣列基板，其特征在于， 針對(duì)共用第一數(shù)據(jù)線的兩列像素單元和共用第二數(shù)據(jù)線的兩列像素單元，共用第一數(shù)據(jù)線的兩列像素單元中的一個(gè)像素單元中各子像素單元使用的柵線，與共用第二數(shù)據(jù)線的兩列像素單元中的一個(gè)像素單元中各子像素單元使用的柵線相同。
3.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，當(dāng)所述像素單元包括R子像素單元、G子像素單元和B子像素單元時(shí)，使用相同柵線的兩個(gè)R子像素單元位于同一行，使用相同柵線的兩個(gè)G子像素單元位于同一行，使用相同柵線的兩個(gè)B子像素單元位于同一行。
4.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT中的有源層采用多晶硅制成。
5.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括上述權(quán)利要求廣4任一所述的TFT陣列基板。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示器，其特征在于，構(gòu)成所述顯示器的TFT陣列基板中的任一所述柵線與兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)相連。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管TFT陣列基板及顯示器，所述TFT陣列基板上包括多條橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，以及多個(gè)像素單元，所述像素單元包括多個(gè)子像素單元，所述子像素單元是由所述橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)成的，每個(gè)所述子像素單元包括TFT和像素電極，針對(duì)共用同一根數(shù)據(jù)線的兩列像素單元，任一像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同，且任意兩個(gè)像素單元內(nèi)，兩兩子像素單元使用的柵線不同。由于同一像素單元內(nèi)的各子像素單元共用一根數(shù)據(jù)線，且相鄰列的子像素單元共用一根數(shù)據(jù)線，因此，在實(shí)現(xiàn)相同分辨率的像素陣列時(shí)，所述TFT陣列基板使用的數(shù)據(jù)線的條數(shù)較少，進(jìn)而降低了制作源極驅(qū)動(dòng)電路工藝的復(fù)雜度，同時(shí)節(jié)約了成本。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102856320SQ20121028781
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月13日
發(fā)明者閆巖 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司