專利名稱：用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其是涉及一種用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法。
背景技術(shù)：
伴隨著工藝尺寸的不斷減小，針對(duì)于目前的65納米、45納米，甚至是32納米工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)，作為半導(dǎo)體集成電路制造圖形轉(zhuǎn)移部分(Pattern Transfer)的重要環(huán)節(jié)，光刻技術(shù)(Photo-lithography)正愈來愈受到關(guān)注。這是緣于接近光刻成像系統(tǒng)的極限，而導(dǎo)致實(shí)際刻出圖形結(jié)果有嚴(yán)重畸變。因此，使得如分辨率增強(qiáng)技術(shù)(Resolution Enhancement Technology)和面向可制造性的設(shè)計(jì)輔助(Design For ManufacturabiIity)成為193 納米波長光源光刻中不可或缺的一部分。其中，亞分辨率輔助圖形(Sub-Resolution Assist Features)、光學(xué)鄰近校正(Optical Proximity Correction)、反向光刻(Inverse Lithography Technology, ILT)、雙重圖形(Double Patterning)、自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形 (Self-aligned Double Patterning)等技術(shù)手段均被用來提高光刻分辨率。散射條(Scattering Bar)即是亞分辨率輔助圖形，其利用在主圖形周邊放置輔助圖形條，來提升主圖形在光刻過程中的品質(zhì)。插入散射條的好處主要有以下兩點(diǎn)一是可以改善輪廓線寬，改善光強(qiáng)對(duì)比，減小邊放置誤差(Edge Placement Error) ；二是能很好地提高焦深，從而改善光刻工藝窗口。同時(shí)，也應(yīng)注意工藝變化導(dǎo)致散射條對(duì)光刻的負(fù)面影響， 進(jìn)行光刻規(guī)則檢查(Lithography Rule Check)以避免散射條刻出的現(xiàn)象發(fā)生。對(duì)于集成電路版圖中一些特殊的關(guān)鍵層，例如，柵層和第一層金屬層，因?yàn)樘卣骶€寬相較其他層要小 (例如第二層以及以上金屬層)，就需要利用插入散射條的方法來減小邊放置誤差，滿足工藝窗口，最終提高成品率。插入輔助圖形在分辨率增強(qiáng)技術(shù)中使用流程如下。首先，建立得到用于驗(yàn)證的光學(xué)模型，并準(zhǔn)備好尚未進(jìn)行分辨率增強(qiáng)的大面積版圖。其次，通過配方，對(duì)版圖中的關(guān)鍵層 (柵層、第一層金屬層)做重定位(Retargeting，亦稱為版圖預(yù)偏移biasing)，微量變化線寬，調(diào)整版圖比例，為后面的光刻校正做準(zhǔn)備。然后，在重定位后的版圖基礎(chǔ)上，利用一些軟件的工具，可以插入形散射條(SRAF Insertion)。其中配方控制文件(Recipe)，是由規(guī)則參數(shù)構(gòu)成，分為定義插入散射條的個(gè)數(shù)，對(duì)應(yīng)位置，以及間距檢查等。隨后是光學(xué)鄰近校正重定位后版圖的工作，其中需要對(duì)版圖的邊進(jìn)行切分，利用查找表計(jì)算光強(qiáng)，以尋找最合適的邊偏移量，迭代收斂得到校正版圖。最后，在驗(yàn)證環(huán)節(jié)，主要對(duì)版圖的邊放置誤差和焦深進(jìn)行測(cè)量，并利用光刻規(guī)則檢查來判斷是否會(huì)有不利于制造的情況出現(xiàn)，例如散射條刻出等。插入散射條的具體過程如下。a.掩模裝載。將掩模版圖的圖形裝載、放置到相應(yīng)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)上(將版圖分為四塊的四叉樹結(jié)構(gòu))，為后面的遍歷圖形做好準(zhǔn)備。b.收集空隙(GAP)。通過掃描線算法遍歷已經(jīng)裝載圖形，收集所有需要插入散射條的空隙，并將其裝入一個(gè)棧中并排序。
c.預(yù)加散射條。對(duì)于不同空隙的間距，由配方分別加上對(duì)應(yīng)數(shù)目和對(duì)應(yīng)位置散射條。并記錄在鏈表上。d.合并同類圖形。遍歷鏈表，對(duì)首尾相連散射條進(jìn)行合并操作。e.間距檢查。根據(jù)配方，檢查散射條到版形的最小距離，若超過限度，需要裁剪或調(diào)整位置。f.交疊清理。根據(jù)配方，清理縱向和橫向交疊的散射條。g.凸邊填充(Fill Jog)。對(duì)于散射條的寬度進(jìn)行唯一化處理，防止交疊處的凸邊散射條因?yàn)檫^寬而出現(xiàn)散射條刻出的現(xiàn)象。h.規(guī)則再檢查。再次檢查散射條到版圖和散射條之間的間距。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法，以便加快優(yōu)化配方速度，減小邊放置誤差，避免散射條刻出的現(xiàn)象出現(xiàn)，提高集成電路產(chǎn)品的良
率，改善工藝窗口。為達(dá)了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
一種用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法，用相互獨(dú)立的散射條配方參數(shù)快速遍歷配方解空間，確定散射條的配方，其步驟如下 1)光刻模型參數(shù)以及光學(xué)鄰近校正初始化。光刻模型參數(shù)如下
光刻掩模圖形，光刻掩膜圖形的特征尺寸，光刻機(jī)的基本參數(shù)，λ，ΝΑ，σ ； 其中，λ是光源的波長，NA是光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，σ是照明的相干系數(shù)。光學(xué)鄰近校正的基本參數(shù)如下
I0, f，Corner_Slope，Delta—E，Delta—S，Delta—I ；
其中，I0是光刻膠成像閾值，f是初始采樣頻率，Corner_Slope是拐角處切分出的線段的端點(diǎn)處允許的最大斜率，Delta_E是光強(qiáng)評(píng)估點(diǎn)位置的誤差控制參數(shù)，Delta_S是切分點(diǎn)位置的誤差控制參數(shù)，Delta_I是光強(qiáng)誤差控制參數(shù)。2)散射條的配方參數(shù)初始化和生成獨(dú)立一維測(cè)試向量、二維測(cè)試向量 散射條的配方參數(shù)如下
In_layer, 0ut_layer, max_SRAF_width, max_main_CD, max_SRAF_width, ZSRAF_ spacel, ZSRAF_space2, ZSRAF_space3, SRAF_to_main, SRAF_edge_edge, SRAF_end_end, SRAF_Side_SRAF_Offset, min_SRAF_L, SRAF_Fill_Jog, SRAF_Intersection_Type0其中，In_layer是輸入柵層，0ut_layer是輸出散射條層，max_main_CD是插入散射條對(duì)應(yīng)主圖形最大橫向厚度，max_SRAF_width是散射條最大寬度，min_SRAF_width是散射條最小寬度，ZSRAF_spacel是插入一個(gè)散射條時(shí)與主圖形的最小間距，ZSRAF_space2 是插入兩個(gè)散射條時(shí)主圖形之間的最小間距，MRAF_spaCe3是插入三個(gè)以及以上散射條時(shí)主圖形之間的最小間距，SRAF_to_main是散射條距離主圖形的最小間距，SRAF_edge_ edge是散射條之間邊和邊的最小間距，SRAF_end_end是散射條之間線端和線端的最小間距，SRAF_Side_SRAF_Offset是散射條之間偏移的最小間距，min_SRAF_L是散射條的最小合法長度，SRAF_Fill_Jog是散射條凸邊填充的開關(guān)選項(xiàng)，SRAFJntersectioruType是散射條交疊處理形狀的選項(xiàng)。所述的一維測(cè)試向量有四個(gè)，分別是散射條數(shù)量num_SRAF，散射條寬度SRAF_ width、SRAF_to_main 禾口 SRAF_edge_edge。 而 ZSRAF_spacel、ZSRAF_space2、ZSRAF_ space3、min_SRAF_width和max_SRAF_width均可以通過一維測(cè)試向量直接或相互簡單疊加計(jì)算得到相應(yīng)值。所述的二維測(cè)試向量有三個(gè)分別是輔助圖形交疊清理SRAFJntersectioru Type、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog。3)載入一維圖形和一維測(cè)試向量
載入一維圖形，準(zhǔn)備好要遍歷的一維測(cè)試參數(shù)向量，如散射條一般寬度SRAF_width和最小合理間距MRAF_SpaCel ；載入的一維圖形線寬從光刻掩膜圖形的特征尺寸+ 10 nm開始，減小到光刻掩膜圖形的特征尺寸-10 nm為止，間隔10 nm ；載入的一維圖形間距從1. 5 倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，每間隔0.2倍光刻掩膜圖形的特征尺寸一組，到5. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸結(jié)束，一共六十三組一維圖形。4)遍歷一維參數(shù)測(cè)試向量
遍歷允許的散射條寬度SRAF_width和最小間距MRAF_SpaCel，插入散射條，并做光學(xué)鄰近校正；首先遍歷散射條寬度SRAF_width從光刻掩膜圖形的特征尺寸特征線寬的1/3開始，初始遍歷每間隔IOnm遍歷到光刻掩膜圖形的特征尺寸特征線寬的2/3 ；其次是最小合理間距MRAF_spaCel，從1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，到2. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸結(jié)束，每間隔10 nm。5)選擇最佳一維參數(shù)測(cè)試向量
利用焦深和劑量變化測(cè)量工藝窗口 ；以劑量1. 1倍，ι. O倍，0. 9倍，和焦深正100 nm, 最佳最準(zhǔn)0 nm，負(fù)100 nm ；共九個(gè)測(cè)量情形，得到邊放置誤差的平均值。選取最小邊放置誤差時(shí)候的一維參數(shù)向量作為最優(yōu)解； 6)載入二維圖形和二維測(cè)試向量
載入二維圖形，準(zhǔn)備好要遍歷的二維參數(shù)測(cè)試向量，如輔助圖形交疊清理SRAF_ htersection_Type、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog。同時(shí)將步驟 5中得到的一維參數(shù)寬度SRAF_width和最小合理間距MRAF_spaCel作為固定值輸入給配方；二維圖形由一些常用基本形狀的與非或門圖形構(gòu)成。7)遍歷二維參數(shù)測(cè)試向量
遍歷允許的交疊清理SRAF_Intersection_Type、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog ；這樣三個(gè)二維選項(xiàng)進(jìn)行插入散射條，并做光學(xué)鄰近校正；其中SRAF_ htersectionJYpe分為不做交疊清理、做完全交疊清理、允許L型交疊、允許T型交疊這樣四種；min_SRAF_L以最小尺寸1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，每次遞增10 nm，一直到2倍光刻掩膜圖形的特征尺寸為止；而凸邊填充SRAF_Fill_Jog分為不填充和填充兩種。8)選擇最佳二維參數(shù)向量
利用焦深和劑量變化測(cè)量工藝窗口。以劑量1. 1倍，ι. O倍，0. 9倍，和焦深正100 nm, 最佳最準(zhǔn)0 nm，負(fù)100 nm。共九個(gè)測(cè)量情形，得到邊放置誤差的平均值。選取最小邊放置誤差時(shí)候的二維測(cè)試參數(shù)向量作為結(jié)果。9)得到散射條配方最終利用利用步驟5中所得到的一維參數(shù)測(cè)試向量和步驟8中所得到的二維參數(shù)測(cè)試向量，即可得到散射條配方。本發(fā)明是利用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法，這種方法主要用于減小邊放置誤差，改善工藝窗口，避免散射條刻出的現(xiàn)象出現(xiàn)，提高集成電路產(chǎn)品的良率。本發(fā)明具有的有益效果是
本發(fā)明能快速確定配方，減小邊放置誤差，改善工藝窗口，避免散射條刻出的現(xiàn)象出現(xiàn)，提高了集成電路的生產(chǎn)成品率和縮短了生產(chǎn)周期。


圖1是快速確定規(guī)則插入散射條配方的流程圖。 圖2是一維圖形示意圖。圖3是二維圖形示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法，流程如圖1所示，包括光刻模型、 光學(xué)鄰近校正、散射條參數(shù)初始化，載入一維圖形，計(jì)算工藝窗口得到一維向量最優(yōu)解，載入二維圖形，計(jì)算工藝窗口得到二維向量最優(yōu)解，步驟如下
1)光刻模型參數(shù)以及光學(xué)鄰近校正初始化。光刻模型參數(shù)如下
光刻掩模圖形，光刻掩膜圖形的特征尺寸，光刻機(jī)的基本參數(shù)，λ，ΝΑ，σ ； 其中，λ是光源的波長，NA是光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，σ是照明的相干系數(shù)。光學(xué)鄰近校正的基本參數(shù)如下
I0, f，Corner_Slope，Delta—E，Delta—S，Delta—I ；
其中，I0是光刻膠成像閾值，f是初始采樣頻率，Corner_Slope是拐角處切分出的線段的端點(diǎn)處允許的最大斜率，Delta_E是光強(qiáng)評(píng)估點(diǎn)位置的誤差控制參數(shù)，Delta_S是切分點(diǎn)位置的誤差控制參數(shù)，Delta_I是光強(qiáng)誤差控制參數(shù)。2)散射條的配方參數(shù)初始化和生成獨(dú)立一維測(cè)試向量、二維測(cè)試向量 散射條的配方參數(shù)如下
In_layer, 0ut_layer, max_SRAF_width, max_main_CD, max_SRAF_width, ZSRAF_ spacel, ZSRAF_space2, ZSRAF_space3, SRAF_to_main, SRAF_edge_edge, SRAF_end_end, SRAF_Side_SRAF_Offset, min_SRAF_L, SRAF_Fill_Jog, SRAF_Intersection_Type0其中，In_layer是輸入柵層，0ut_layer是輸出散射條層，max_main_CD是插入散射條對(duì)應(yīng)主圖形最大橫向厚度，max_SRAF_width是散射條最大寬度，min_SRAF_width是散射條最小寬度，ZSRAF_spacel是插入一個(gè)散射條時(shí)與主圖形的最小間距，ZSRAF_space2 是插入兩個(gè)散射條時(shí)主圖形之間的最小間距，MRAF_spaCe3是插入三個(gè)以及以上散射條時(shí)主圖形之間的最小間距，SRAF_to_main是散射條距離主圖形的最小間距，SRAF_edge_ edge是散射條之間邊和邊的最小間距，SRAF_end_end是散射條之間線端和線端的最小間距，SRAF_Side_SRAF_Offset是散射條之間偏移的最小間距，min_SRAF_L是散射條的最小合法長度，SRAF_Fill_Jog是散射條凸邊填充的開關(guān)選項(xiàng)，SRAFJntersectioruType是散射條交疊處理形狀的選項(xiàng)。所述的一維測(cè)試向量有四個(gè)，分別是散射條數(shù)量num_SRAF，散射條寬度SRAF_ width、SRAF_to_main 禾口 SRAF_edge_edge。而 ZSRAF_spacel、ZSRAF_space2、ZSRAF_space3、 min_SRAF_width和maX_SRAF_width均可以通過一維測(cè)試向量直接或相互簡單疊加計(jì)算得到相應(yīng)值。所述的二維測(cè)試向量有三個(gè)分別是輔助圖形交疊清理SRAFJntersectioru Type、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog。3)載入一維圖形和一維測(cè)試向量
載入一維圖形，準(zhǔn)備好要遍歷的一維測(cè)試參數(shù)向量，如散射條一般寬度SRAF_width和最小合理間距MRAF_spaCel ；如圖2所示，載入的一維圖形線寬從光刻掩膜圖形的特征尺寸+ 10 nm開始，減小到光刻掩膜圖形的特征尺寸-10 nm為止，間隔10 nm ；載入的一維圖形間距從1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，每間隔0. 2倍光刻掩膜圖形的特征尺寸一組，到5. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸結(jié)束，一共六十三組一維圖形。4)遍歷一維參數(shù)測(cè)試向量
遍歷允許的散射條寬度SRAF_width和最小間距MRAF_SpaCel，插入散射條，并做光學(xué)鄰近校正；首先遍歷散射條寬度SRAF_width從光刻掩膜圖形的特征尺寸特征線寬的1/3開始，初始遍歷每間隔IOnm遍歷到光刻掩膜圖形的特征尺寸特征線寬的2/3 ；其次是最小合理間距MRAF_spaCel，從1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，到2. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸結(jié)束，每間隔10 nm。5)選擇最佳一維參數(shù)測(cè)試向量
利用焦深和劑量變化測(cè)量工藝窗口 ；以劑量1. 1倍，ι. O倍，0. 9倍，和焦深正100 nm, 最佳最準(zhǔn)0 nm，負(fù)100 nm ；共九個(gè)測(cè)量情形，得到邊放置誤差的平均值。選取最小邊放置誤差時(shí)候的一維參數(shù)向量作為最優(yōu)解，為步驟9得到完整配方做好準(zhǔn)備。6)載入二維圖形和二維測(cè)試向量
載入二維圖形，準(zhǔn)備好要遍歷的二維參數(shù)測(cè)試向量，如輔助圖形交疊清理SRAF_ htersection_Type、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog。同時(shí)將步驟 5中得到的一維參數(shù)寬度SRAF_width和最小合理間距MRAF_spaCel作為固定值輸入給配方；二維圖形由一些常用基本形狀的與非或門圖形構(gòu)成，如圖3。7)遍歷二維參數(shù)測(cè)試向量
遍歷允許的交疊清理SRAF_Intersection_Type、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog ；這樣三個(gè)二維選項(xiàng)進(jìn)行插入散射條，并做光學(xué)鄰近校正；其中SRAF_ htersectionJYpe分為不做交疊清理、做完全交疊清理、允許L型交疊、允許T型交疊這樣四種；min_SRAF_L以最小尺寸1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，每次遞增10 nm，一直到2倍光刻掩膜圖形的特征尺寸為止；而凸邊填充SRAF_Fill_Jog分為不填充和填充兩種。8)選擇最佳二維參數(shù)向量
利用焦深和劑量變化測(cè)量工藝窗口。以劑量1. 1倍，ι. O倍，0. 9倍，和焦深正100 nm, 最佳最準(zhǔn)0 nm，負(fù)100 nm。共九個(gè)測(cè)量情形，得到邊放置誤差的平均值。選取最小邊放置誤差時(shí)候的二維測(cè)試參數(shù)向量作為結(jié)果，為步驟9得到完整配方做好準(zhǔn)備。
9)得到散射條配方
最終利用利用步驟5中所得到的一維參數(shù)測(cè)試向量和步驟8中所得到的二維參數(shù)測(cè)試向量，即可得到散射條配方。
權(quán)利要求
1.用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法，其特征在于該方法包括以下步驟 步驟1.光刻模型參數(shù)以及光學(xué)鄰近校正初始化；所述的光刻模型參數(shù)包括光刻掩模圖形輸入、光刻掩膜圖形的特征尺寸、光刻機(jī)的基本參數(shù)，該參數(shù)包括λ、ΝΑ和O，其中λ是光源的波長，NA是光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，σ是照明的相干系數(shù)；光學(xué)鄰近校正的基本參數(shù)如下·10、f、Corner_Slope、Delta—Ε、Delta—S 禾口 Delta—I ；其中，I0是光刻膠成像閾值，f是初始采樣頻率，Corner_Slope是拐角處切分出的線段的端點(diǎn)處允許的最大斜率，Delta_E是光強(qiáng)評(píng)估點(diǎn)位置的誤差控制參數(shù)，Delta_S是切分點(diǎn)位置的誤差控制參數(shù)，Delta_I是光強(qiáng)誤差控制參數(shù)；步驟2.散射條的配方參數(shù)初始化和生成獨(dú)立一維測(cè)試向量、二維測(cè)試向量； 散射條的配方參數(shù)如下In_layer> 0ut_layer> max_SRAF_width> max_main_CD、max_SRAF_width> ZSRAF_ spacel、ZSRAF_space2> ZSRAF_space3> SRAF_to_main> SRAF_edge_edge、SRAF_end_end> SRAF_Side_SRAF_Offset、min_SRAF_L、SRAF_Fill_Jog、SRAF_Intersection_Type ；其中In_layer是輸入柵層，0ut_layer是輸出散射條層，maX_main_CD是插入散射條對(duì)應(yīng)主圖形最大橫向厚度，max_SRAF_width是散射條最大寬度，min_SRAF_width是散射條最小寬度，ZSRAF_spacel是插入一個(gè)散射條時(shí)與主圖形的最小間距，ZSRAF_space2是插入兩個(gè)散射條時(shí)主圖形之間的最小間距，MRAF_spaCe3是插入三個(gè)以及以上散射條時(shí)主圖形之間的最小間距，SRAF_to_main是散射條距離主圖形的最小間距，SRAF_edge_edge是散射條之間邊和邊的最小間距，SRAF_end_end是散射條之間線端和線端的最小間距，SRAF_ Side_SRAF_Offset是散射條之間偏移的最小間距，min_SRAF_L是散射條的最小合法長度， SRAF_Fill_Jog是散射條凸邊填充的開關(guān)選項(xiàng)，SRAFJntersectioruType是散射條交疊處理形狀的選項(xiàng)；所述的一維測(cè)試向量有四個(gè)，分別是散射條數(shù)量num_SRAF，散射條寬度SRAF_width、 SRAF_to_main 禾口 SRAF_edge_edge ；ZSRAF_spacel、ZSRAF_space2> ZSRAF_space3、max_ SRAF_width,min_SRAF_width參量均可以通過上述一維測(cè)試向量直接或相互簡單疊加計(jì)算得到相應(yīng)值；所述的二維測(cè)試向量有三個(gè)，分別是輔助圖形交疊清理SRAFJntersectioruType、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog ；步驟3.載入一維圖形和一維測(cè)試向量，具體是載入一維圖形，準(zhǔn)備好要遍歷的一維測(cè)試參數(shù)向量，載入的一維圖形線寬從光刻掩膜圖形的特征尺寸+ 10 nm開始，減小到光刻掩膜圖形的特征尺寸-10 nm為止，間隔10 nm ；載入的一維圖形間距從1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，每間隔0.2倍光刻掩膜圖形的特征尺寸一組，到5. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸結(jié)束，一共六十三組一維圖形；步驟4.遍歷一維參數(shù)測(cè)試向量，具體是遍歷允許的散射條寬度SRAF_width和最小間距MRAF_SpaCel，插入散射條，并做光學(xué)鄰近校正；首先遍歷散射條寬度SRAF_width從光刻掩膜圖形的特征尺寸特征線寬的1/3開始，初始遍歷每間隔IOnm遍歷到光刻掩膜圖形的特征尺寸特征線寬的2/3 ；其次是最小合理間從1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，到2. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸結(jié)束，每間隔10 nm ；步驟5.選擇最佳一維參數(shù)測(cè)試向量，具體是利用焦深和劑量變化測(cè)量工藝窗口，以劑量1. 1倍，1. 0倍，0. 9倍，和焦深正100 nm,最佳最準(zhǔn)0 nm，負(fù)100 nm,共九個(gè)測(cè)量情形， 得到邊放置誤差的平均值，選取最小邊放置誤差時(shí)候的一維參數(shù)測(cè)試向量作為最優(yōu)解；步驟6.載入二維圖形和二維測(cè)試向量，具體是載入二維圖形，準(zhǔn)備好要遍歷的二維參數(shù)測(cè)試向量；同時(shí)將步驟5中得到的一維參數(shù)散射條寬度SRAF_width和最小合理間距 ZSRAF_spacel作為固定值輸入給配方；步驟7.遍歷二維參數(shù)測(cè)試向量，具體是遍歷允許的交疊清理SRAF_InterSecti0n_ Type、最小合理長度min_SRAF_L以及凸邊填充SRAF_Fill_Jog ；這樣三個(gè)二維選項(xiàng)進(jìn)行插入散射條，并做光學(xué)鄰近校正；其中SRAFJntersection_Type分為不做交疊清理、做完全交疊清理、允許L型交疊、允許T型交疊這樣四種；min_SRAF_L以最小尺寸1. 5倍光刻掩膜圖形的特征尺寸開始，每次遞增10 nm, 一直到2倍光刻掩膜圖形的特征尺寸為止；而凸邊填充SRAF_Fi ll_Jog分為不填充和填充兩種；步驟8.選擇最佳二維測(cè)試參數(shù)向量，具體是利用焦深和劑量變化測(cè)量工藝窗口，以劑量1. 1倍，1. 0倍，0. 9倍，和焦深正100 nm,最佳最準(zhǔn)0 nm，負(fù)100 nm,共九個(gè)測(cè)量情形， 得到邊放置誤差的平均值，選取最小邊放置誤差時(shí)候的二維測(cè)試參數(shù)向量作為結(jié)果；步驟9.利用步驟5中所得到的一維參數(shù)測(cè)試向量和步驟8中所得到的二維參數(shù)測(cè)試向量，即可得到散射條配方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用矢量化參數(shù)確定規(guī)則插入散射條配方的方法。本發(fā)明方法包括光刻模型、光學(xué)鄰近校正、散射條參數(shù)初始化，載入一維圖形，計(jì)算工藝窗口得到一維向量最優(yōu)解，載入二維圖形，計(jì)算工藝窗口得到二維向量最優(yōu)。本發(fā)明能快速確定配方，減小邊放置誤差，改善工藝窗口，避免散射條刻出的現(xiàn)象出現(xiàn)，提高了集成電路的生產(chǎn)成品率和縮短了生產(chǎn)周期。
文檔編號(hào)G03F1/82GK102508962SQ20111034122
公開日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者史崢, 林斌, 羅凱升, 齊晶 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)