專利名稱：液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種液晶顯示面板及其制造方法，特別是指一種在數(shù)據(jù)線與掃描線之間另建置一非晶硅層，以增強數(shù)據(jù)線與掃描線之間的絕緣效果，進而避免數(shù)據(jù)線與掃描線之間漏電情況的液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)液晶顯示器的液晶顯示面板包含數(shù)個像素(pixel)，而每一個像素包含三個分別代表紅綠藍(RGB)三原色的像素單元構(gòu)成。當(dāng)柵極驅(qū)動器輸出的掃描信號通過掃描線輸入，使得每一行的像素單元的薄膜晶體管依序開啟，同時源極驅(qū)動器則輸出對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號，通過數(shù)據(jù)線輸入至薄膜晶體管，而薄膜晶體管則將數(shù)據(jù)信號傳遞至像素電極，使其充電到各自所需的電壓，進而使像素顯示出不同的灰階。柵極驅(qū)動器會一行接一行地輸出掃描信號以將每一行的像素單元的薄膜晶體管打開，再由源極驅(qū)動器對每一行的像素電極進行充放電。如此依序下去，便可完成液晶顯示面板的完整顯示。然而，傳統(tǒng)液晶顯示面板的制程上，每個數(shù)據(jù)線與掃描線的交接處(crossover)都會設(shè)置一絕緣層(insulating layer)以隔絕數(shù)據(jù)線與掃描線之間的電性連接。但是，由于絕緣層容易出現(xiàn)絕緣不佳的問題，使得數(shù)據(jù)線與掃描線之間產(chǎn)生漏電的現(xiàn)象，如此會使數(shù)據(jù)線與掃描線傳遞的信號不穩(wěn)定，因此影響液晶顯示面板的顯示效果。因此，業(yè)界須提出解決方式，以提升液晶顯示面板的效能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板及其制造方法，其于數(shù)據(jù)線與掃描線的重合區(qū)域，除了于數(shù)據(jù)線與掃描線之間利用一絕緣層來絕緣，并于所述絕緣層與數(shù)據(jù)線之間另建置一非晶硅層來加強數(shù)據(jù)線與掃描線之間的絕緣效果，進而降低漏電的狀況。依據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括一玻璃基板以及一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包含一柵極、一源極以及一漏極；所述液晶顯示面板另包含一掃描線，位于所述玻璃基板上，所述掃描線耦接至所述薄膜晶體管的所述柵極；一絕緣層，位于所述掃描線之上；一數(shù)據(jù)線，位于所述絕緣層之上，耦接于所述薄膜晶體管的所述源極，其中所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線重疊于一重合區(qū)域；以及一半導(dǎo)體層，位于所述柵極絕緣層以及所述數(shù)據(jù)線之間，所述半導(dǎo)體層之位置對應(yīng)所述重合區(qū)域，且所述半導(dǎo)體層之面積之大于所述重合區(qū)域，以通過所述半導(dǎo)體層來加強所述數(shù)據(jù)線與掃描線之間的絕緣效果。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，本發(fā)明另提供一種液晶顯示面板的制作方法，其包括下列步驟提供一玻璃基板；形成一第一金屬層于所述玻璃基板上；蝕刻所述第一金屬層，以形成一薄膜晶體管的柵極以及一掃描線；在所述第一薄膜晶體管的柵極以及所述掃描在線形成一絕緣層；形成一半導(dǎo)體層于所述絕緣層上；蝕刻所述半導(dǎo)體層，以形成所述薄膜晶體管的通道區(qū)域以及一第一區(qū)域；以及形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極和漏極、以及一數(shù)據(jù)線；其中所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線重疊于一重合區(qū)域，所述重合區(qū)域與所述第一區(qū)域的位置對應(yīng)，且所述第一區(qū)域的面積大于所述重合區(qū)域。依據(jù)本發(fā)明的實施例，所述半導(dǎo)體層為一非晶硅層。依據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一區(qū)域之一邊與所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線的距離大于I. 5微米(O m)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的液晶顯示面板和其制造方法于數(shù)據(jù)線與掃描線的重合區(qū)域，除了于數(shù)據(jù)線與掃描線之間利用一柵極絕緣層來絕緣，并于所述柵極絕緣層與數(shù)據(jù)線之間另建置一非晶硅層來加強數(shù)據(jù)線與掃描線之間的絕緣效果，進而降低漏電的狀況。此外，本發(fā)明可以在不增加掩膜制程的條件下，達成前述的結(jié)構(gòu)，因此，本發(fā)明液晶顯示面板和其制造方法無須增加額外的成本，便可有效減少數(shù)據(jù)線與掃描線漏電的情況。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下


圖I是本發(fā)明液晶顯示面板的簡易示意圖。圖2是圖I的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3至圖6為本發(fā)明液晶顯示面板的制程方式示意圖。
具體實施例方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施之特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“水平”、
“垂直”等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請參閱圖I,圖I是本發(fā)明液晶顯示面板100的簡易示意圖。液晶顯示面板100包含數(shù)條數(shù)據(jù)線、數(shù)條掃描線、數(shù)條公共電壓線(Common line)、數(shù)個薄膜晶體管和數(shù)個像素電極。每一薄膜晶體管電性連接一掃描線和一數(shù)據(jù)線。為簡化圖式，在以下實施例中，僅繪示數(shù)據(jù)線101、掃描線111、公共電壓線105及薄膜晶體管120。薄膜晶體管120的柵極耦接到掃描線111，薄膜晶體管120的源極則耦接至數(shù)據(jù)線101。此外，薄膜晶體管120的漏極耦接至像素電極130。公共電壓線105用來提供一公共電壓信號。液晶顯示面板100的驅(qū)動方式如下所述柵極驅(qū)動器(圖未示)輸出的掃描信號通過掃描線111輸入，使得連接掃描線111的薄膜晶體管120依序開啟，同時源極驅(qū)動器(未圖示)則輸出對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號，通過數(shù)據(jù)線101輸入至薄膜晶體管120，而薄膜晶體管120則將數(shù)據(jù)信號傳遞至像素電極130，使其充電到所需的電壓。而像素電極130上方的液晶就是依據(jù)該數(shù)據(jù)信號以及公共電壓線105提供的公共電壓信號間的電壓差扭轉(zhuǎn) (twist)，進而顯示出不同的灰階。柵極驅(qū)動器會通過數(shù)條掃描線一行接一行地輸出掃描信號以將每一行的薄膜晶體管120打開，再由源極驅(qū)動器對每一行的像素電極130進行充放電。如此依序下去,便可完成液晶顯示面板100的完整顯示。請一并參閱圖I和圖2，圖2是圖I的液晶顯示面板100的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2所繪不的是圖I的液晶顯不面板100沿A_A’和B_B’的截面圖。圖2于液晶顯不面板100中，除了于數(shù)據(jù)線101與掃描線111的重合區(qū)域220本已建置的絕緣層510之外，本發(fā)明另于絕緣層510與數(shù)據(jù)線101之間建置一半導(dǎo)體層512。半導(dǎo)體層512覆蓋的第一區(qū)域513大于數(shù)據(jù)線101與掃描線111重合區(qū)域。通過半導(dǎo)體層512的建置，可以增強數(shù)據(jù)線101與掃描線111間的絕緣效果，進而防止數(shù)據(jù)線101與掃描線111間漏電的發(fā)生。第一區(qū)域513的面積比重合區(qū)域220更大。以圖I右上角的第一區(qū)域513為例，重合區(qū)域220的邊緣與第一區(qū)域513的邊緣之間的距離Dl大于I. 5微米(y m)，且距離數(shù)據(jù)線101的距離D2為1.5iim?；旧蠟榱舜_保第一區(qū)域513的半導(dǎo)體層512能夠確實地隔開掃描線111以及數(shù)據(jù)線101，第一區(qū)域513的面積必須大于重合區(qū)域。此外，根據(jù)實驗結(jié)果，第一區(qū)域513與掃描線111以及數(shù)據(jù)線101的距離，較佳地必須大于I. 5 ym，如此方能確實降低掃描線111與數(shù)據(jù)線101的漏電效應(yīng)。在以下的揭露中，將說明本發(fā)明液晶顯示面板100的制程方式。請參閱圖3，首先提供一個玻璃基板500當(dāng)作下基板，接著進行一金屬薄膜沉積制程，以于玻璃基板500表面形成一層第一金屬層(未顯不),并利用一第一掩膜來進行第一微影蝕刻(Photo Etching Process, PEP)，以蝕刻得到薄膜晶體管120的柵極501以及掃描線111。接著請參閱圖4，接著沉積以氮化硅(SiNx)為材質(zhì)的絕緣層510而覆蓋柵極501以及掃描線111。于絕緣層510上連續(xù)沉積非晶娃(a-Si,Amorphous Si)層以及一高電子摻雜濃度的N+非晶硅層。利用第二掩膜來進行第二微影蝕刻以構(gòu)成半導(dǎo)體層511、512。半導(dǎo)體層511包含作為薄膜晶體管120通道的非晶硅層511a以及用來降低阻抗的歐姆接觸層(Ohmic contact layer) 511b。半導(dǎo)體層512包含非晶娃層512a以及N+非晶娃層512b。半導(dǎo)體層512是位于第一區(qū)域513，而其功效如前述，用來輔助絕緣層510，以加強數(shù)據(jù)線101與掃描線111的絕緣效果。請參閱圖5，接著在絕緣層510上形成一全面覆蓋的第二金屬層(未繪示于圖中)，并利用第三掩膜來進行第三微影蝕刻以分別定義出薄膜晶體管120的源極521及漏極522以及數(shù)據(jù)線101。如圖4亦可知，數(shù)據(jù)線與掃描線重疊于一重合區(qū)域220，而第一區(qū)域513的面積比重合區(qū)域220更大。較佳地，第一區(qū)域513的邊界需大于數(shù)據(jù)線101 (或掃描線111)的邊界，其距離D2(或Dl)大于1.5iim。請參閱圖6,如圖6所示,接著沉積以氮化娃(SiNx)為材質(zhì)的保護層(passivationlayer) 530，并覆蓋源極521、及漏極522和絕緣層510，再利用第四掩膜來進行第四微影蝕刻用以去除漏極522上方的部份保護層530，直至漏極522表面，以于漏極522上方形成連接孔(Via) 531。請再參閱圖2，圖2也是圖I所示的液晶顯示面板100在第一區(qū)域513和薄膜晶體管120的結(jié)構(gòu)示意圖。在保護層530上形成以氧化銦錫物(Indiiimtin oxide, ITO)為材質(zhì)的透明導(dǎo)電層，接著利用一第五掩膜蝕刻所述透明導(dǎo)電層以形成透明導(dǎo)電層130。透明電極層130通過預(yù)先形成的連接孔531與薄膜晶體管120的漏極522電性連接且連接至像素電容，以作為像素電極使用。至此，便完成本發(fā)明所述液晶顯示面板100。 如圖2所示，薄膜晶體管120的柵極501以一第一金屬層作成，其源極521與漏極522以一第二金屬層制成，而其通道則以一非晶硅層511作成。
此外，掃描線111亦以所述第一金屬層作成，用來傳遞自柵極驅(qū)動器傳遞過來的掃描信號，而數(shù)據(jù)線101亦以所述第二金屬層作成，用來傳遞自源極驅(qū)動器傳遞過來的數(shù)據(jù)信號。在此請注意，掃描線111與數(shù)據(jù)線101之間，除了傳統(tǒng)液晶顯示面板便會建置的絕緣層510之外，另形成了半導(dǎo)體層512。半導(dǎo)體層512使掃描線111與數(shù)據(jù)線101之間的距離加大，亦增強了掃描線111與數(shù)據(jù)線101間的絕緣效果，進而避免數(shù)據(jù)線101與掃描線111間的漏電。此外，半導(dǎo)體層512的面積必須大于掃描線111與數(shù)據(jù)線101重疊的重合區(qū)域220，如圖2所示，半導(dǎo)體層512所在的第一區(qū)域513大于重合區(qū)域220，且其距離大于I. 5 iim，如此便可半導(dǎo)體層512確實隔開數(shù)據(jù)線101與掃描線111，避免數(shù)據(jù)線101與掃描 線111間的漏電。在此請注意，由于在傳統(tǒng)的液晶屏幕制程之中，便已經(jīng)有非晶硅層的沉積與微影蝕刻，但是，在傳統(tǒng)的制程之中，非晶硅層僅僅作為薄膜晶體管120的通道使用，而并未有其他用途。因此，本發(fā)明利用原本的五道掩膜制程，將非晶硅層另形成于所述第一區(qū)域513，如此一來，本發(fā)明無須增加額外的成本與掩膜制程，便可將數(shù)據(jù)線101與掃描線111的距離拉大，以加強數(shù)據(jù)線101與掃描線111之間的絕緣效果，進而避免數(shù)據(jù)線101與掃描線111之間的漏電產(chǎn)生。請繼續(xù)參閱圖I。在此請注意，雖然于前述的實施例中，本發(fā)明另建置的非晶硅層512是用來防止數(shù)據(jù)線101與掃描線111間的漏電狀況，然而，如此的應(yīng)用并非本發(fā)明的限制。在實際應(yīng)用中，由于公共電壓線105與掃描線111均是由第一金屬層制成，且公共電壓線105與數(shù)據(jù)線101亦會相互重疊。因此，半導(dǎo)體層512也可用設(shè)置于公共電壓線105與數(shù)據(jù)線101之間，也就是說半導(dǎo)體層512另外覆蓋的第二區(qū)域514，是大致上符合數(shù)據(jù)線101與公共電壓線105的重合區(qū)域。因此半導(dǎo)體層512也可以加強公共電壓線105與數(shù)據(jù)線101間的絕緣效果，如此的相對應(yīng)變化，亦不違背本發(fā)明的精神。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，但該較佳實施例并非用以限制本發(fā)明，該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.ー種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括一玻璃基板以及ー薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包含ー柵極、一源極以及ー漏極；其特征在于所述液晶顯示面板另包含 一掃描線，位于所述玻璃基板上，所述掃描線耦接至所述薄膜晶體管的所述柵扱； 一絕緣層，位于所述掃描線之上； 一數(shù)據(jù)線，位于所述絕緣層之上，耦接于所述薄膜晶體管的所述源極，其中所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線重疊于一重合區(qū)域；以及 一半導(dǎo)體層，位于所述柵極絕緣層以及所述數(shù)據(jù)線之間，所述半導(dǎo)體層的位置對應(yīng)所述重合區(qū)域，且所述半導(dǎo)體層的面積大于所述重合區(qū)域，以通過所述半導(dǎo)體層來加強所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線之間的絕緣效果。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于所述半導(dǎo)體層為ー非晶硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于所述非晶硅層距的邊緣與所述重合區(qū)域的邊緣之間的距離大于I. 5微米。
4.ー種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括一玻璃基板以及ー薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包含ー柵極、一源極以及ー漏極；其特征在于所述液晶顯示面板另包含 一公共電壓線，位于所述玻璃基板上，用來傳遞一公共電壓至所述液晶顯示面板； 一絕緣層，位于所述公共電壓線之上； 一數(shù)據(jù)線，位于所述絕緣層之上，耦接于所述薄膜晶體管的所述源極，所述數(shù)據(jù)線與所述公共電壓線重疊于一重合區(qū)域；以及 一半導(dǎo)體層，位于所述柵極絕緣層以及所述數(shù)據(jù)線之間，所述半導(dǎo)體層的位置對應(yīng)所述重合區(qū)域，且所述半導(dǎo)體層的面積大于所述重合區(qū)域，以通過所述半導(dǎo)體層來加強所述數(shù)據(jù)線與所述公共電壓線之間的絕緣效果。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于所述半導(dǎo)體層為ー非晶硅層。
6.ー種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含 提供一玻璃基板； 形成一第一金屬層于所述玻璃基板上； 蝕刻所述第一金屬層，以形成一薄膜晶體管的柵極以及一掃描線； 在所述第一薄膜晶體管的柵極以及所述掃描線上形成一絕緣層； 形成一半導(dǎo)體層于所述絕緣層上； 蝕刻所述半導(dǎo)體層，以形成所述薄膜晶體管的通道區(qū)域以及ー第一區(qū)域；以及形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極和漏極以及一數(shù)據(jù)線，其中所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線重疊于一重合區(qū)域，所述重合區(qū)域與所述第一區(qū)域的位置對應(yīng)，且所述第一區(qū)域的面積大于所述重合區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體層為ー非晶硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板，其特征在于所述第一區(qū)域的邊緣與所述重合區(qū)域的邊緣之間的距離大于I. 5微米。
9.ー種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于所述方法包含 提供一玻璃基板； 形成一第一金屬層于所述玻璃基板上； 蝕刻所述第一金屬層，以形成一薄膜晶體管的柵極以及一公共電壓線；在所述第一薄膜晶體管的柵極以及所述掃描在線形成一絕緣層； 形成一半導(dǎo)體層于所述絕緣層上； 蝕刻所述半導(dǎo)體層，以形成所述薄膜晶體管的通道區(qū)域以及ー第一區(qū)域；以及形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極和漏扱、以及一數(shù)據(jù)線； 其中所述數(shù)據(jù)線與所述公共電壓線重疊于一重合區(qū)域，所述重合區(qū)域與所述第一區(qū)域的位置對應(yīng)，且所述第一區(qū)域的面積大于所述重合區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體層為ー非晶硅層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶顯示面板和其制造方法，于數(shù)據(jù)線與掃描線的重合區(qū)域，除了于數(shù)據(jù)線與掃描線之間利用一絕緣層來絕緣，還在所述絕緣層與數(shù)據(jù)線之間另建置一非晶硅層來加強數(shù)據(jù)線與掃描線之間的絕緣效果，進而降低漏電的狀況。此外，本發(fā)明可以在不增加掩膜制程的條件下，達成前述的結(jié)構(gòu)，因此，本發(fā)明液晶顯示面板和其制造方法無須增加額外的成本，便可有效減少數(shù)據(jù)線與掃描線漏電的情況。
文檔編號G02F1/1368GK102636926SQ20111034115
公開日2012年8月15日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者陳虹瑞 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司