專(zhuān)利名稱(chēng)：投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
光刻工藝作為半導(dǎo)體工藝中的一個(gè)重要工藝，其利用光刻機(jī)將投影掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上的光刻膠層內(nèi)。為了保證所述光刻膠層內(nèi)形成的圖形的位置和形狀與所述投影掩膜版上的位置和形狀一致，光刻機(jī)首先進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)步驟，即將晶圓上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與所述投影掩膜版上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；然后，進(jìn)行聚焦步驟，即調(diào)整所述晶圓在所述光刻機(jī)中的高度，使得所述晶圓處于光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)的聚焦范圍內(nèi)。在對(duì)準(zhǔn)步驟和聚焦步驟后，所述光刻機(jī)進(jìn)行曝光步驟，即光刻機(jī)的快門(mén)打開(kāi)，光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)發(fā)射的紫外光，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光。在公開(kāi)號(hào)為CN 101419407A的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中還可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于現(xiàn)有光刻工藝的信息。為了保證在所述半導(dǎo)體襯底上形成的圖形與設(shè)計(jì)的圖形一致，首先應(yīng)保證所述投影掩膜版質(zhì)量符合設(shè)計(jì)和工藝的要求，并且所述投影掩膜版的圖形與設(shè)計(jì)圖形一致。需要保證所述投影掩膜版的質(zhì)量符合設(shè)計(jì)和工藝要求，在經(jīng)過(guò)實(shí)際的曝光工藝后，在晶圓上光刻膠層內(nèi)形成的圖形與設(shè)計(jì)的圖形一致。由于投影掩膜版通常在投影掩膜版工廠(mask shop)制作完成，在制作過(guò)程中投影掩膜版難以避免會(huì)有缺陷，需要對(duì)所述投影掩膜版上的缺陷進(jìn)行檢測(cè)和判斷，以確定所述缺陷是否會(huì)對(duì)實(shí)際的光刻工藝有影響，是否會(huì)在光刻工藝后形成在光刻膠層，從而破壞光刻膠的形狀，無(wú)法滿足設(shè)計(jì)的要求。因此，需要一種對(duì)投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，從而可以測(cè)試投影掩膜版的質(zhì)量是否合格，所述投影掩膜版的缺陷是否會(huì)對(duì)實(shí)際的光刻工藝產(chǎn)生影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供了一種投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，能夠?qū)λ鐾队把谀ぐ孢M(jìn)行模擬測(cè)試，可以測(cè)試投影掩膜版的質(zhì)量是否合格，所述投影掩膜版的缺陷是否會(huì)對(duì)實(shí)際的光刻工藝產(chǎn)生影響。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，用于基于圖像獲取單元獲得的待測(cè)試的掩膜版的缺陷圖像進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷所述待測(cè)試的投影掩膜版的質(zhì)量是否符合要求，所述投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)包括圖像分析單元，用于將所述缺陷圖像與所述投影掩膜版對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行比較，獲得所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像的偏差率；測(cè)試判斷單元，基于所述圖像分析單元輸出的偏差率，與最大允許偏差率比較，所述輸出偏差率未超出所述最大允許偏差率，則所述測(cè)試判斷單元判斷所述投影掩膜版質(zhì)量符合要求；反之，所述測(cè)試單元判斷所述投影掩膜版質(zhì)量不符合要求?？蛇x地，所述圖像分析單元包括圖像比較單元，用于將所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光處理，獲得所
4述投影掩膜版的缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像；偏差率計(jì)算單元，根據(jù)所述缺陷模擬曝光圖像與所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像，獲得所述缺陷模擬曝光圖像的相同位置的關(guān)鍵尺寸與所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像的相同位置的關(guān)鍵尺寸的比值，所述比值作為所述偏差率；通訊單元，用于從所述圖像分析單元獲取所述投影掩膜版的缺陷圖像；用于將所述投影掩膜版的缺陷圖像發(fā)送至所述圖像比較單元，將所述圖像比較單元獲得的所述缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像發(fā)送至所述偏差率計(jì)算單元，將所述偏差率計(jì)算單元獲得的偏差率發(fā)送至所述測(cè)試判斷單元。可選地，所述設(shè)計(jì)圖像的格式為⑶S格式的圖像，所述圖像比較單元包括圖像格式轉(zhuǎn)換單元，用于將所述缺陷圖像轉(zhuǎn)換為GDS格式的缺陷圖像，以便于所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行比較；缺陷融合單元，用于將所述圖像格式轉(zhuǎn)換單元獲得的GDS格式的缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像融合，獲得GDS格式的缺陷圖像；曝光參數(shù)存放單元，用于存放于模擬曝光處理所需的模擬曝光參數(shù)；曝光模擬單元，用于基于所述曝光參數(shù)分別對(duì)所述GDS格式的缺陷圖像和所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光，獲得缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像。可選地，所述曝光參數(shù)包括透鏡的數(shù)值孔徑值、sigma值?？蛇x地，所述曝光模擬參數(shù)與所述投影掩膜版和所述設(shè)計(jì)圖像對(duì)應(yīng)?？蛇x地，所述圖像獲取單元包括光學(xué)模塊，用于提供光源；掃描模塊，用于在所述光源作用下掃描所述待測(cè)試的投影掩膜版，得到所述投影掩膜版的圖像；圖象處理模塊，用于將所述掃描模塊的輸出的圖像與所述圖像處理模塊中的參考圖像比較，獲得所述投影掩膜版的缺陷圖像；圖像保存單元，用于將所述圖像處理模塊獲得的缺陷圖像保存?？蛇x地，所述圖像獲取單元為缺陷掃描裝置?？蛇x地，所述圖像獲取單元為KLA-Tancor公司提供的缺陷掃描裝置?？蛇x地，還包括設(shè)計(jì)圖像存放單元，用于存放不同的投影掩膜版對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)圖像?？蛇x地，所述偏差率為所述待測(cè)試的投影掩膜版的相同位置的圖像的關(guān)鍵尺寸與所述設(shè)計(jì)的圖像的相同位置的圖像的關(guān)鍵尺寸的比值?？蛇x地，所述最大允許偏差率的范圍為70% 130%。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，用于基于圖像獲取單元獲得的待測(cè)試的掩膜版的缺陷圖像進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷所述待測(cè)試的投影掩膜版的質(zhì)量是否符合要求，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)投影掩膜版的質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試，對(duì)所述投影掩膜版上缺陷進(jìn)行評(píng)估；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述設(shè)計(jì)圖像的格式為⑶S格式的圖像，所述圖像比較單元包括圖像格式轉(zhuǎn)換單元、缺陷融合單元、曝光參數(shù)存放單元和曝光模板單元，所述曝光模擬單元基于透鏡數(shù)值孔徑值和sigma值對(duì)所述GDS格式的缺陷圖像和所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光，從而獲得缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像更接近真實(shí)的缺陷圖像和設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像，提高了投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試準(zhǔn)確度。


圖1本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是利用本發(fā)明的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試合格的投影掩膜版進(jìn)行實(shí)際曝光獲得的ISO⑶bar曲線與模擬曝光的ISO⑶bar曲線。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有的投影掩膜版的測(cè)試設(shè)備價(jià)格較高，使得所述投影掩膜版的質(zhì)量測(cè)試成本
尚ο為了解決上述問(wèn)題，發(fā)明人提出投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，所述投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)能夠利用圖像獲取單元獲得投影掩膜版的缺陷圖像，然后對(duì)所述缺陷圖像進(jìn)行分析， 模擬所述投影掩膜版的缺陷曝光圖像，然后將所述缺陷曝光圖像與設(shè)計(jì)圖像的曝光圖像進(jìn)行分析，判斷所述投影掩膜版的質(zhì)量是否符合要求。具體地，請(qǐng)結(jié)合圖1所示的本發(fā)明的投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，所述測(cè)試系統(tǒng)用于基于圖像獲取單元10獲得的待測(cè)試的掩膜版的缺陷圖像進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷所述待測(cè)試的投影掩膜版的質(zhì)量是否符合要求，所述投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)包括圖像分析單元20，用于將所述缺陷圖像與所述投影掩膜版對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行比較，獲得所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像的偏差率；測(cè)試判斷單元30，基于所述圖像分析單元20輸出的偏差率，與最大允許偏差率比較，所述輸出偏差率未超出所述最大允許偏差率，則所述測(cè)試判斷單元30判斷所述投影掩膜版質(zhì)量符合要求；反之，所述測(cè)試單元判斷所述投影掩膜版質(zhì)量不符合要求。作為一個(gè)實(shí)施例，所述圖像獲取單元10包括光學(xué)模塊，用于提供光源；掃描模塊，用于在所述光源作用下掃描所述待測(cè)試的投影掩膜版，得到所述投影掩膜版的圖像；圖象處理模塊，用于將所述掃描模塊的輸出的圖像與所述圖像處理模塊中的參考圖像比較，獲得所述投影掩膜版的缺陷圖像；圖像保存單元，用于將所述圖像處理模塊獲得的缺陷圖像保存。所述圖像獲取單元10用于向所述投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)的圖像分析單元20提供待測(cè)試的掩膜版的缺陷圖像。作為一個(gè)實(shí)施例，所述圖像獲取單元10為缺陷掃描裝置。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，所述圖像獲取單元10為KLA-Tancor公司提供的缺陷掃描裝置，但是所述圖像獲取單元10還可以利用其他的專(zhuān)門(mén)的能夠?qū)ν队把谀ぐ孢M(jìn)行圖像拍照、獲得投影掩膜版的缺陷圖像的裝置。為了使得本發(fā)明的投影掩膜版能夠?qū)Ω鞣N類(lèi)型的投影掩膜版進(jìn)行檢測(cè)，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中在所述投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)中設(shè)置了設(shè)計(jì)圖像存放單元，所述設(shè)計(jì)存放單元用于向所述圖像分析單元20提供設(shè)計(jì)圖像，所述設(shè)圖像與不同的投影掩膜版對(duì)應(yīng)。作為一個(gè)實(shí)施例，所述圖像分析單元20包括
圖像比較單元，用于將所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光處理，獲得所述投影掩膜版的缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像；偏差率計(jì)算單元，根據(jù)所述缺陷模擬曝光圖像與所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像，獲得所述缺陷模擬曝光圖像的相同位置的關(guān)鍵尺寸與所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像的相同位置的關(guān)鍵尺寸的比值，所述比值作為所述偏差率；通訊單元，用于從所述圖像分析單元20獲取所述投影掩膜版的缺陷圖像；用于將所述投影掩膜版的缺陷圖像發(fā)送至所述圖像比較單元，將所述圖像比較單元獲得的所述缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像發(fā)送至所述偏差率計(jì)算單元，將所述偏差率計(jì)算單元獲得的偏差率發(fā)送至所述測(cè)試判斷單元。本實(shí)施例中，所述設(shè)計(jì)圖像的格式為GDS格式的圖像，為了能夠?qū)⑺鋈毕輬D像轉(zhuǎn)換為與所述設(shè)計(jì)圖像的格式相同的GDS格式的圖像，所述圖像比較單元包括圖像格式轉(zhuǎn)換單元，用于將所述缺陷圖像轉(zhuǎn)換為GDS格式的缺陷圖像，以便于所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行比較；缺陷融合單元，用于將所述圖像格式轉(zhuǎn)換單元獲得的GDS格式的缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像融合，獲得GDS格式的缺陷圖像；曝光參數(shù)存放單元，用于存放于模擬曝光處理所需的模擬曝光參數(shù)；曝光模擬單元，用于基于所述曝光參數(shù)分別對(duì)所述GDS格式的缺陷圖像和所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光，獲得缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像。其中，所述曝光參數(shù)包括透鏡的數(shù)值孔徑值(NA值)、sigma值。所述曝光模擬參數(shù)與所述投影掩膜版和所述設(shè)計(jì)圖像對(duì)應(yīng)。利用所述曝光參數(shù)可以模擬所述GDS格式的缺陷圖像和所述設(shè)計(jì)圖像在曝光后的缺陷模擬曝光圖像和設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像。本發(fā)明所述的偏差率為所述待測(cè)試的投影掩膜版的相同位置的圖像的關(guān)鍵尺寸與所述設(shè)計(jì)的圖像的相同位置的圖像的關(guān)鍵尺寸的比值。所述最大允許偏差率的范圍為70% 130%。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)工藝對(duì)所述最大允許偏差率的范圍進(jìn)行具體的設(shè)置。作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述最大允許偏差率的范圍為90 110%。發(fā)明人利用經(jīng)過(guò)所述投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試合格的投影掩膜版在晶圓上進(jìn)行實(shí)際的曝光，請(qǐng)參考圖2所示的經(jīng)過(guò)本發(fā)明的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試合格投影掩膜版在晶圓上曝光后ISO⑶bar與本發(fā)明的投影掩膜版模擬的曝光后ISO⑶bar。其中曲線A為利用本發(fā)明的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試合格的投影掩膜版模擬的曝光后ISO CD bar曲線，而曲線B為未利用本發(fā)明的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試合格的掩膜版在晶圓上保管后的ISO CD bar，可以看出，曲線A與曲線B較為接近，利用本發(fā)明的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)分析的投影掩膜版的缺陷與真實(shí)的曝光后的缺陷較為一致，從而本發(fā)明的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試結(jié)果與實(shí)際利用所述投影掩膜版曝光的結(jié)果較為接近，可以用于投影掩膜版的缺陷測(cè)試、評(píng)估投影掩膜版的質(zhì)量是否合格。本發(fā)明所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)可以為安裝在個(gè)人計(jì)算機(jī)上的軟件程序，可以存儲(chǔ)于存儲(chǔ)介質(zhì)(例如U盤(pán)、磁盤(pán)等)，從而便于靈活的在各種計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，無(wú)需硬件設(shè)備的支持。綜上，本發(fā)明提供的投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，用于基于圖像獲取單元獲得的待測(cè)試的掩膜版的缺陷圖像進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷所述待測(cè)試的投影掩膜版的質(zhì)量是否符合要求，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)投影掩膜版的質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試，對(duì)所述投影掩膜版上缺陷進(jìn)行評(píng)估；進(jìn)一步優(yōu)化地，所述設(shè)計(jì)圖像的格式為⑶S格式的圖像，所述圖像比較單元包括 圖像格式轉(zhuǎn)換單元、缺陷融合單元、曝光參數(shù)存放單元和曝光模板單元，所述曝光模擬單元基于透鏡數(shù)值孔徑值和sigma值對(duì)所述GDS格式的缺陷圖像和所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光，從而獲得缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像更接近真實(shí)的缺陷圖像和設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像，提高了投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試準(zhǔn)確度。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，用于基于圖像獲取單元獲得的待測(cè)試的掩膜版的缺陷圖像進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷所述待測(cè)試的投影掩膜版的質(zhì)量是否符合要求，其特征在于，所述投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)包括圖像分析單元，用于將所述缺陷圖像與所述投影掩膜版對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行比較，獲得所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像的偏差率；測(cè)試判斷單元，基于所述圖像分析單元輸出的偏差率，與最大允許偏差率比較，所述輸出偏差率未超出所述最大允許偏差率，則所述測(cè)試判斷單元判斷所述投影掩膜版質(zhì)量符合要求；反之，所述測(cè)試單元判斷所述投影掩膜版質(zhì)量不符合要求。
2.如權(quán)利要求1所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像分析單元包括 圖像比較單元，用于將所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光處理，獲得所述投影掩膜版的缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像；偏差率計(jì)算單元，根據(jù)所述缺陷模擬曝光圖像與所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像，獲得所述缺陷模擬曝光圖像的相同位置的關(guān)鍵尺寸與所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像的相同位置的關(guān)鍵尺寸的比值，所述比值作為所述偏差率；通訊單元，用于從所述圖像分析單元獲取所述投影掩膜版的缺陷圖像；用于將所述投影掩膜版的缺陷圖像發(fā)送至所述圖像比較單元，將所述圖像比較單元獲得的所述缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像發(fā)送至所述偏差率計(jì)算單元，將所述偏差率計(jì)算單元獲得的偏差率發(fā)送至所述測(cè)試判斷單兀。
3.如權(quán)利要求2所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述設(shè)計(jì)圖像的格式為GDS 格式的圖像，所述圖像比較單元包括圖像格式轉(zhuǎn)換單元，用于將所述缺陷圖像轉(zhuǎn)換為GDS格式的缺陷圖像，以便于所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行比較；缺陷融合單元，用于將所述圖像格式轉(zhuǎn)換單元獲得的GDS格式的缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像融合，獲得GDS格式的缺陷圖像；曝光參數(shù)存放單元，用于存放于模擬曝光處理所需的模擬曝光參數(shù)；曝光模擬單元，用于基于所述曝光參數(shù)分別對(duì)所述GDS格式的缺陷圖像和所述設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行模擬曝光，獲得缺陷模擬曝光圖像和所述設(shè)計(jì)圖像的模擬曝光圖像。
4.如權(quán)利要求3所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述曝光參數(shù)包括透鏡的數(shù)值孑L徑值、sigma值。
5.如權(quán)利要求3所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述曝光模擬參數(shù)與所述投影掩膜版和所述設(shè)計(jì)圖像對(duì)應(yīng)。
6.如權(quán)利要求1所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像獲取單元包括 光學(xué)模塊，用于提供光源；掃描模塊，用于在所述光源作用下掃描所述待測(cè)試的投影掩膜版，得到所述投影掩膜版的圖像；圖象處理模塊，用于將所述掃描模塊的輸出的圖像與所述圖像處理模塊中的參考圖像比較，獲得所述投影掩膜版的缺陷圖像；圖像保存單元，用于將所述圖像處理模塊獲得的缺陷圖像保存。
7.如權(quán)利要求6所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像獲取單元為缺陷掃描裝置。
8.如權(quán)利要求7所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像獲取單元為KLA-Tancor公司提供的缺陷掃描裝置。
9.如權(quán)利要求1所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，還包括設(shè)計(jì)圖像存放單元，用于存放不同的投影掩膜版對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)圖像。
10.如權(quán)利要求1所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述偏差率為所述待測(cè)試的投影掩膜版的相同位置的圖像的關(guān)鍵尺寸與所述設(shè)計(jì)的圖像的相同位置的圖像的關(guān)鍵尺寸的比值。
11.如權(quán)利要求1所述的投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述最大允許偏差率的范圍為70% 130%。
全文摘要
本發(fā)明提供了投影掩膜版的測(cè)試系統(tǒng)，用于基于圖像獲取單元獲得的待測(cè)試的掩膜版的缺陷圖像進(jìn)行分析，根據(jù)分析結(jié)果判斷所述待測(cè)試的投影掩膜版的質(zhì)量是否符合要求，所述投影掩膜版測(cè)試系統(tǒng)包括圖像分析單元，用于將所述缺陷圖像與所述投影掩膜版對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)圖像進(jìn)行比較，獲得所述缺陷圖像與所述設(shè)計(jì)圖像的偏差率；測(cè)試判斷單元，基于所述圖像分析單元輸出的偏差率，與最大允許偏差率比較，所述輸出偏差率未超出所述最大允許偏差率，則所述測(cè)試判斷單元判斷所述投影掩膜版質(zhì)量符合要求；反之，所述測(cè)試單元判斷所述投影掩膜版質(zhì)量不符合要求。本發(fā)明利用軟件測(cè)試投影掩膜版，降低了投影掩膜版的測(cè)試成本。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102566291SQ20101061337
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者趙蓓, 郭貴琦 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司