專利名稱：光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和一種制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案 成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行 的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包 括所謂步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一 個目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向) 掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部 分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯 底上。 在光刻設(shè)備中，襯底將被定位在投影系統(tǒng)下面，所述投影系統(tǒng)用于將圖案形成裝 置的圖像投影到襯底的目標(biāo)部分上。為了將圖案形成裝置的圖像投影到襯底的不同的目標(biāo) 部分上并且為了掃描在投影系統(tǒng)下面的襯底，移動襯底。因而，通過定位系統(tǒng)，反射鏡塊是 可移動的。反射鏡塊通過襯底臺(也稱為晶片臺)將其移動傳遞給襯底。襯底臺通過真空、 經(jīng)由突節(jié)夾持到反射鏡塊(也稱為編碼器塊)。通過在投影系統(tǒng)下面更快地移動襯底可以 實現(xiàn)光刻投影設(shè)備的更高生產(chǎn)量。通過更高的加速可以實現(xiàn)更快的移動，更高的加速可以 引起反射鏡塊和襯底臺之間的(局部)滑動。反射鏡塊和襯底臺之間的滑動會導(dǎo)致襯底移 動到與之前確定的位置不同的另一位置，因而導(dǎo)致錯誤地曝光襯底。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在避免反射鏡塊和襯底臺之間的(局部)滑動。 根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，其配置用于調(diào)節(jié)輻射 束；支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在所述輻射束 的橫截面上賦予所述輻射束、以形成圖案化的輻射束；反射鏡塊，其設(shè)置有構(gòu)造用以保持襯 底的襯底臺；和投影系統(tǒng)，其配置用以將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分， 其中所述反射鏡塊構(gòu)造并布置用以減小所述反射鏡塊和所述襯底臺之間的滑動。


下面僅通過示例的方式，參考附圖對本發(fā)明的實施例進行描述，其中示意性附圖
中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設(shè)備；
圖2a示出傳統(tǒng)突節(jié)的橫截面； 圖2b-2d示出根據(jù)本發(fā)明的突節(jié)的橫截面； 圖3示出根據(jù)本發(fā)明實施例的反射鏡塊；禾口 圖4a和4b示出根據(jù)本發(fā)明另外實施例的反射鏡塊。 圖5a和5b每一個示出設(shè)置有夾持突節(jié)的反射鏡塊和襯底臺的垂直剖面。
具體實施例方式
圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括照 射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或任何其他合適的 輻射)；圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)或支持結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造成支撐圖案形成裝置 (例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM 相連。所述設(shè)備還包括反射鏡塊MB(也稱為編碼器塊)，其設(shè)置有構(gòu)造用以保持襯底(例如 涂敷有抗蝕劑的晶片)W的襯底臺(也稱為晶片臺)WT。襯底臺WT用真空夾持在反射鏡塊 上。突節(jié)設(shè)置在反射鏡塊和襯底臺WT之間。反射鏡塊連接到配置成根據(jù)確定的參數(shù)精確 定位襯底的第二定位裝置PW。所述設(shè)備還包括投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS， 其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包 括一根或多根管芯)上。 照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜 電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。
所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè) 計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置 MA。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保 持圖案形成裝置MA。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需 要成為固定的或可移動的。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于 所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可 以認(rèn)為與更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。 這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的 器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。 圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如 二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩 模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地 傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡 矩陣反射的輻射束。 這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這
里使用的術(shù)語"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。 如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備
可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。 所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多反射鏡塊(和/或兩個或更多的掩
模臺或"掩模支撐結(jié)構(gòu)")的類型。在這種"多臺"機器中，可以并行地使用附加的臺或支撐
結(jié)構(gòu)，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺或支撐結(jié)
構(gòu)用于曝光。 光刻設(shè)備也可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便充滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體也可以應(yīng)用到光刻設(shè)備的其他空間，例如圖案形成裝置(例如，掩模)和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)可以用于增大投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA。這里所用的術(shù)語"浸沒"并不意味著諸如襯底等結(jié)構(gòu)必須浸入到液體中，而只意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
參照圖l，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射束。該源和光刻設(shè)備可以是分離的實體(例如當(dāng)該源是受激準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源S0傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源S0可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。 所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為o-外部和o-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束B，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。 所述輻射束B入射到保持在圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置(例如掩模)MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述反射鏡塊MB，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IF(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(掩模)MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述反射鏡塊MB的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT可以僅與短行程致動器相連，或者可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置(例如掩模)MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標(biāo)
5記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置(例如掩模)MA上的情況下，所
述掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。
所示的設(shè)備可以用于以下模式中的至少一種中 1.在步進模式中，在將圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和反射鏡塊MB或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后，將所述反射鏡塊MB或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。 2.在掃描模式中，在對圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和反射鏡塊MB或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。反射鏡塊MB或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"相對于圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。 3.在另一個模式中，將保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT保持為基本靜止，并且在對所述反射鏡塊MB或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述反射鏡塊MB或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
要注意的是，如上面所述，反射鏡塊MB包括襯底臺WT。然而，在與反射鏡塊的主要部分(反射鏡的主要部分是不具有襯底臺的反射鏡塊)相關(guān)地討論襯底臺時，并且不會存在混淆的風(fēng)險的時候，術(shù)語"反射鏡塊"用來僅表示該主要部分。 為了減小反射鏡塊MB和襯底臺之間的滑動，在本發(fā)明的一個實施例中可以在反射鏡塊MB和襯底臺之間設(shè)置具有增大柔性的突節(jié)。由于反射鏡塊MB上的第二定位裝置施加的加速力導(dǎo)致的反射鏡塊MB相對于襯底臺的局部變形可以引起滑動。反射鏡塊MB的其中第二定位裝置連接到襯底臺的區(qū)域可能會經(jīng)受第二定位裝置引起的最大變形。增大柔性使得突節(jié)有可能在不滑動的情況下吸收一部分變形，這在減小反射鏡塊MB和襯底臺之間的滑動方面具有顯著的效果和優(yōu)越性能。圖2a公開了一種傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)對稱突節(jié)2的橫截面，其設(shè)置有與連接表面9連接的連接區(qū)域3和接觸區(qū)域1。如果突節(jié)2用其連接區(qū)域3連接到反射鏡塊MB，襯底臺將由突節(jié)2的接觸區(qū)域或表面1支撐，而如果突節(jié)2用其連接區(qū)域3與襯底臺WT連接，反射鏡塊MB將與突節(jié)2的接觸表面接觸。突節(jié)可以具有0. 5mm的直徑和0. 15mm的高度。為了提高柔性，突節(jié)2可以設(shè)置有加長的長度(見圖2b)。加長的長度可以大于大約0. 15mm，例如大約2. 3mm。這些突節(jié)的類型提供超越傳統(tǒng)突節(jié)的優(yōu)越的性能和優(yōu)點。附加地，直徑可以最小化。然而，當(dāng)突節(jié)更長時很難將直徑變得更細(xì)，因為突節(jié)會斷裂。因此，對于長度大約2.3mm的突節(jié)，會選擇大約1.5mm的直徑。如果使用更少的突節(jié)，1. 3mm的直徑也會減小突節(jié)和襯底臺之間的接觸壓力。
圖2c和2d公開了突節(jié)，其具有通過設(shè)置比突節(jié)的接觸面1更小的最小連接區(qū)域3而提供額外柔性的結(jié)構(gòu)。在圖2c中，突節(jié)通過柱狀物5連接，該柱狀物具有最小連接區(qū)域，其在柱狀物的整個長度上具有相同的尺寸并且等于連接區(qū)域3。如果必要，側(cè)部7可以提供對柔性的限制。圖2d中的突節(jié)的柔性還可以以相同的方式由側(cè)部7和表面9進行限制。圖2d中的突節(jié)的柔性主要由小于突節(jié)2的連接區(qū)域3的最小連接區(qū)域11來確定，而圖2c中的突節(jié)的柔性在柱狀物11的整個長度上被確定。具有圖2c和2d中的相對大的接觸表面1的優(yōu)點在于，接觸壓力隨著襯底臺或反射鏡塊MB的表面減小而減小。
在一個實施例中，提高突節(jié)的柔性的另一種方法是使用具有提高的柔性的材料制造所述突節(jié)。例如，突節(jié)能夠由具有大約90GPa楊氏模量的微晶玻璃(Zerodur )形成。材料的柔性使得可以在突節(jié)將要滑動之前吸收更多的晶片臺WT的變形。
在一個實施例中，減小反射鏡塊MB和襯底臺WT之間的滑動的另一種方式是減小由反射鏡塊MB上的第二定位裝置施加的加速力帶來的反射鏡塊MB的局部變形。第二定位裝置的致動器與反射鏡塊MB連接的反射鏡塊MB的致動器區(qū)域AA(圖3)會經(jīng)受由致動器引起的最大變形。通過在反射鏡塊MB中、在用于夾持所述襯底臺的所述夾持區(qū)域CA和其中配置用于定位反射鏡塊MB的致動器連接至反射鏡塊MB的致動器區(qū)域AA之間設(shè)置狹槽SL，由加速力引起的反射鏡塊MB的變形將會更小程度地達到所述夾持區(qū)域CA。由于夾持區(qū)域CA將會更少變形，滑動更不容易發(fā)生，因為作用在所述變形區(qū)域中的突節(jié)上的力和作用在所述夾持區(qū)域CA的其他突節(jié)上的力之間差值更小。圖3中的狹槽SL基本上垂直于夾持區(qū)域CA的表面，但也可以制成基本上平行于夾持區(qū)域CA的表面。如果狹槽基本上垂直于夾持區(qū)域，平行于夾持區(qū)域的表面的力將不會引起夾持區(qū)域的變形，而如果狹槽基本上平行于夾持區(qū)域的表面，沿垂直于夾持區(qū)域的方向的力將不再使夾持區(qū)域變形。
在實施例中，反射鏡塊MB和襯底臺之間的滑動還可以通過構(gòu)造具有增大的剛度的反射鏡塊MB來進行減小。增大的剛度可以通過用具有更高剛度的材料構(gòu)造反射鏡塊MB來實現(xiàn)。反射鏡塊MB可以由具有大約140GPa的楊氏模量的堇青石或具有大約360GPa的楊氏模量的SiSic形成。另一種可能是改善反射鏡塊MB的特定部分的厚度。例如，夾持區(qū)域CA可以由更厚的材料形成，以提供附加的剛度給反射鏡塊MB的所述部分，使得在反射鏡塊MB的加速過程中夾持區(qū)域CA的變形更小。 圖4a和4b示出構(gòu)造用于減小滑動的反射鏡塊MB。襯底臺用真空夾持在設(shè)置在反射鏡塊MB的夾持區(qū)域CA中的突節(jié)上。通過設(shè)置大于反射鏡塊MB的夾持區(qū)域CA的襯底臺WT，產(chǎn)生無突節(jié)的減小的夾持區(qū)域RA，在該夾持區(qū)域RA沒有夾持作用發(fā)生。在圖4a中，減小的夾持區(qū)域RA圍繞夾持區(qū)域CA的邊緣，這減小夾持區(qū)域CA的邊緣周圍的滑動。在圖4b中，減小的區(qū)域RA靠近反射鏡塊MB的第二定位裝置的致動器連接至反射鏡塊MB的致動器區(qū)域AA，這減小了靠近其中反射鏡塊MB的變形被最大化的致動器區(qū)域AA的滑動。
還可以通過構(gòu)造反射鏡塊MB和襯底臺WT、使得兩者的變形匹配，來減小反射鏡塊MB和襯底臺之間的滑動。因而，在反射鏡塊MB的高變形區(qū)域中，襯底臺WT的剛度可以減小。隨后，在反射鏡塊MB的加速過程中，反射鏡塊MB的變形將導(dǎo)致襯底臺的變形。當(dāng)加速停止時這種變形是可逆的，使得這種變形不會導(dǎo)致任何曝光誤差。滑動通常不是可逆的，使得當(dāng)加速停止時，襯底臺和反射鏡塊MB相對彼此與發(fā)生滑動之前將不會在相同位置上。因而，滑動導(dǎo)致曝光誤差。另一可選方案是在高變形區(qū)域中為突節(jié)設(shè)置增大的柔性，以便更好地在反射鏡塊MB的加速過程中吸收這些區(qū)域中的變形。 反射鏡塊MB可以構(gòu)造并布置成通過設(shè)置更少數(shù)目的突節(jié)減小反射鏡塊MB和襯底臺之間的滑動。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在反射鏡塊MB和襯底臺之間可以設(shè)置一萬個突節(jié)。為了最小化反射鏡塊MB和襯底臺之間的滑動，該數(shù)目可以減小到150，這提供顯著的效果。具體地，突節(jié)上的摩擦力由每個突節(jié)的夾持力乘以摩擦系數(shù)確定。夾持力由作用在襯底臺的區(qū)域上的真空引起。通過在更少的突節(jié)上分布該夾持力，能夠增大每個突節(jié)的夾持力和摩擦力。因而，使局部滑動的發(fā)生最小化。 突節(jié)還可以在其接觸表面上設(shè)置高摩擦的涂層，或者可以改變接觸粗糙度以提高摩擦。在更高接觸粗糙度的情況下更不容易發(fā)生滑動。兩個良好拋光表面之間的粘結(jié)也可以減小滑動。通過暫時地震動反射鏡塊MB也可以避免滑動。通過震動反射鏡塊MB，反射鏡塊MB與襯底臺之間的接觸被改善，這增大了摩擦力而減小了滑動的機會。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在反射鏡塊之間接觸區(qū)域的中心處設(shè)置具有相對高的剛度的突節(jié)，而在接觸區(qū)域的邊緣設(shè)置具有相對低的剛度的突節(jié)(所謂"柔性"突節(jié))。在接觸區(qū)域的中心處的剛性突節(jié)適于吸收襯底臺WT相對于反射鏡塊的慣量，因為在接觸區(qū)域的中心處由反射鏡塊的變形帶來的負(fù)載(機械壓力)相對低。在接觸區(qū)域的邊緣，反射鏡塊的變形相對大，使得具有相對低的剛度的突節(jié)("柔性"突節(jié))是適當(dāng)?shù)模员愦_保在這些邊緣不會發(fā)生滑動。根據(jù)先進的實施例，突節(jié)的剛度能夠從中心到邊緣逐步地增大，從中心的150%剛度(這里"剛度"指的是如在所有突節(jié)具有相同剛度的情形中使用的有關(guān)傳統(tǒng)突節(jié)的剛度)到邊緣的50%剛度。 圖5a是示意地示出反射鏡塊MB和襯底臺WT的一半的垂直剖面。這里襯底臺WT設(shè)置有不同剛度的突節(jié)。這可以通過改變突節(jié)的高度來實現(xiàn)，通過在襯底臺鉆孔的方式在突節(jié)周圍鉆孔能夠獲得不同高度的突節(jié)。位于靠近邊緣的突節(jié)高于位于中心接觸區(qū)域的突節(jié)，但是它們具有相同的直徑，使得位于中心的突節(jié)的剛度高于靠近邊緣的突節(jié)的剛度。
圖5b是示意地示出反射鏡塊MB和襯底臺WT的一半的垂直剖面。在這個實施例中，襯底臺WT在平面內(nèi)剛性地耦合到反射鏡塊MB。這種耦合確保襯底臺相對于反射鏡塊MB的慣性力將不會導(dǎo)致襯底臺相對于反射鏡塊的滑動，從而確保照射襯底所需的精確度。在這種方式中，剛性襯底臺WT可以減小反射鏡塊MB的變形。所述耦合能夠通過用耦合元件填充反射鏡塊MB和襯底臺WT之間的間隙來實現(xiàn)。另一種方式是使用一個剛性肋B或多個剛性肋B形式的一個或更多個耦合元件。根據(jù)圖5b中的實施例，元件A和剛性肋B兩者都使用。 在根據(jù)本發(fā)明的所有實施例中，可以設(shè)置具有不對稱水平橫截面的突節(jié)，以便實現(xiàn)這些突節(jié)在不同的水平方向上具有不同的剛度的效果。在這種方式中，能夠最優(yōu)化反射鏡塊和襯底臺之間的匹配，使得最小化滑動的風(fēng)險。 盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造特定器件(例如，集成電路)，但應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應(yīng)用，這些應(yīng)用包括，但不限于集成電路、集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影 的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這 種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這 里使用的所述術(shù)語"襯底"也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。 雖然以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻術(shù)的情況中使用本發(fā)明的實施例， 但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的實施例可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允 許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的 圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)鋲河〉教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過 施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案 形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。 這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)和深紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm 范圍的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。 這里使用的術(shù)語"透鏡"可以認(rèn)為是一個或多種類型的光學(xué)元件的組合體，包括折 射型、反射型、磁學(xué)型、電磁型和靜電型光學(xué)部件。 盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以以與上述
不同的方式來實現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的至少一 個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或具有存儲其中的所述的計算機程序的數(shù)據(jù)存
儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。 上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本領(lǐng)域的技術(shù)人 員在不脫離以下所述權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對上述本發(fā)明進行修改。
權(quán)利要求
一種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束，以形成圖案化的輻射束；反射鏡塊，其設(shè)置有構(gòu)造用以保持襯底的襯底臺；和投影系統(tǒng)，其配置用以將所述圖案化的輻射束投射到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所述反射鏡塊構(gòu)造并布置用以減小所述反射鏡塊和所述襯底臺之間的滑動。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，在所述反射鏡塊中設(shè)置狹槽。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述狹槽設(shè)置于反射鏡塊的用于夾持所述襯底 臺的夾持區(qū)域和用于將致動器連接到所述反射鏡塊的致動器區(qū)域之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述狹槽沿基本上垂直于所述夾持區(qū)域的方向 設(shè)置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述狹槽沿基本上平行于所述夾持區(qū)域的方向設(shè)置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述反射鏡塊包括具有高于大約100GPa的楊氏 模量的材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述設(shè)備，其中，突節(jié)設(shè)置在所述反射鏡塊和所述襯底臺之間且在 所述反射鏡塊上的用于夾持所述襯底臺的整個夾持區(qū)域上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，所述夾持區(qū)域小于所述襯底臺的尺寸。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，所述突節(jié)具有大于0. 15mm的長度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，所述突節(jié)具有大于2mm的長度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，所述突節(jié)具有比最小連接區(qū)域大的接觸表面。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，在與其中配置用于定位所述反射鏡塊的致動器 連接到所述反射鏡塊的致動器區(qū)域靠近的區(qū)域內(nèi)的所述夾持區(qū)域上沒有突節(jié)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，所述突節(jié)包括柔性突節(jié)和附加突節(jié)，所述柔性 突節(jié)相對于所述附加突節(jié)具有增大的柔性，其中所述柔性突節(jié)位于與其中配置用于定位所 述反射鏡塊的致動器連接到所述反射鏡塊的致動器區(qū)域靠近的區(qū)域內(nèi)，而所述附加突節(jié)位 于所述夾持區(qū)域的剩余區(qū)域內(nèi)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，所述突節(jié)包括粗糙的接觸表面。
15. 根據(jù)權(quán)利要求7-14中任一項所述的設(shè)備，其中，設(shè)置在所述夾持區(qū)域中心的突節(jié) 具有比設(shè)置在所述夾持區(qū)域邊緣處的突節(jié)的剛性更高的剛性。
16. 根據(jù)權(quán)利要求7-15中任一項所述的設(shè)備，其中，所述反射鏡塊和所述襯底通過連 接器元件和/或通過剛性肋在水平平面內(nèi)以相對高的剛度耦合。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻設(shè)備和一種器件制造方法。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束；支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束，以形成圖案化的輻射束；反射鏡塊，其設(shè)置有構(gòu)造用以保持襯底的襯底臺；和投影系統(tǒng)，其配置用以將所述圖案化的輻射束投射到所述襯底的目標(biāo)部分上，其中所述反射鏡塊構(gòu)造并布置用以減小所述反射鏡塊和所述襯底臺之間的滑動。如果反射鏡塊的加速度大且襯底臺相對于反射鏡塊局部地滑動，會發(fā)生滑動?；瑒訒?dǎo)致曝光誤差，因為襯底的位置不再由所需的精確度來確定。
文檔編號G03F9/00GK101713929SQ20091017854
公開日2010年5月26日 申請日期2009年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月7日
發(fā)明者A·A·梅尤恩迪杰克斯, A·B·杰尤恩克, E·R·魯普斯卓, H·J·M·凡阿畢倫, J·J·奧騰斯, M·M·P·A·沃梅尤恩, M·霍本, P·斯密特斯, R·T·P·考姆彭, R·W·A·H·理納爾斯 申請人:Asml荷蘭有限公司