專利名稱：半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于掩模板制造領(lǐng)域，尤其涉及半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法及其制 造方法。
背景技術(shù)：
隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，為了提高效率，減少工藝步驟，目前很多TFT-LCD公司都從 五次光刻轉(zhuǎn)到四次光刻，又從四次光刻減化到三次光刻。相應(yīng)的，制造過(guò)程中使用的掩模板 (MASK)也從原來(lái)使用的兩張掩模板，轉(zhuǎn)化為使用一張灰階掩模板GTM(Gray Tone Mask)或 者半灰階掩模板(HTM =Half Tone Mask)。對(duì)于用于制造如TFT-LCD、OLED用半灰階掩模板(HTM)，一般的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)半灰階掩模制板數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)如圖1所示，其包括柵電極501、信號(hào) 線電極502、源電極503、漏電極504、通孔505和像素電極506。其中，源電極503與漏電極 504之間形成TFT溝道602，501柵電極源電極503、漏電極504等部分形成TFT開(kāi)關(guān)器件 601。目前半灰階掩模板一般采用的原材料結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括石英玻璃301，金屬鉻及氧 化鉻薄膜302和光刻膠層303。其制作工藝流程如圖3所示，即投入如圖2的原材料，開(kāi)始 第一次曝光，曝光所需數(shù)據(jù)圖形如圖4，第一次顯影，第一次刻蝕，形成如圖4所需的圖形， 剝離光刻膠，進(jìn)行掩模板清洗，然后沉積半透過(guò)膜層，涂敷光刻膠，進(jìn)行二次曝光對(duì)位，二次 曝光，曝光數(shù)據(jù)如圖5，二次顯影，二次刻蝕，形成如圖6所需圖形，二次去掉光刻膠，清洗掩 模板，缺陷檢查，修復(fù)與貼膜，最后包裝出貨，共需要17步工序完成。工藝比較復(fù)雜，且浪費(fèi) 工時(shí)。同時(shí)，我們也發(fā)現(xiàn)在兩次曝光過(guò)程中，模板中半透過(guò)膜區(qū)域與數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)值存在二次對(duì) 位偏差現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種半灰階掩模板半曝光區(qū)設(shè)計(jì)方法及半灰 階掩模板制造方法，能夠使掩模板制造工藝流程簡(jiǎn)單，且解決二次對(duì)位偏差的問(wèn)題。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方 法，將半灰階掩模板的半曝光區(qū)設(shè)計(jì)形成曝光數(shù)據(jù)圖，所述曝光數(shù)據(jù)圖具有半曝光設(shè)計(jì)區(qū)， 根據(jù)具有半透過(guò)膜層的掩模材料在所述半曝光區(qū)僅一次曝光所需的光透過(guò)量，來(lái)設(shè)計(jì)半曝 光設(shè)計(jì)區(qū)的圖形形狀。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種半灰階掩模板制造方法，在二次刻蝕工藝之前采用以下 處理流程(1)投入掩模材料，所述掩模材料具有半透過(guò)膜層和光刻膠膜層；(2)采用上述曝光數(shù)據(jù)圖形進(jìn)行一次曝光；(3) 一次顯影；(4) 一次刻蝕；(5)掩模板清洗；
(6)灰化工藝。根據(jù)曝光所需的光透過(guò)量來(lái)設(shè)計(jì)半曝光設(shè)計(jì)區(qū)的形狀，以控制半曝光設(shè)計(jì)區(qū)的光 透過(guò)量，以調(diào)整半曝光區(qū)的光刻膠膜層的厚度，以便一次曝光、曝光后的光刻膠膜層的厚度 明顯減薄。一次顯影、一次刻蝕工序后，將掩模板清洗后，再經(jīng)灰化工藝把半曝光區(qū)變薄的 光刻膠膜層去掉，并經(jīng)二次刻蝕，把半曝光區(qū)的非半透過(guò)膜層去掉，顯露半透過(guò)膜層。與現(xiàn) 有技術(shù)二次曝光、二次對(duì)位流程對(duì)比，本技術(shù)方案只需要一次曝光、一次對(duì)位，解決了普通 制造方法二次對(duì)位偏差問(wèn)題，簡(jiǎn)化了制造工藝流程，而且掩模板材料本身具有半透過(guò)膜層， 不需要進(jìn)行二次沉積半透過(guò)膜層工序，使半灰階掩模板的制作工藝流程更加簡(jiǎn)單。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種半灰階掩模板數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種半灰階掩模板材料的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種半灰階掩模板的制造流程示意圖；圖4是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種半灰階掩模板一次曝光所需的曝光數(shù)據(jù)圖；圖5是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種半灰階掩模板二次曝光所需的曝光數(shù)據(jù)圖；圖6是現(xiàn)有技術(shù)提供的經(jīng)過(guò)二次曝光后的一種半灰階掩模板的成品結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板材料的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光數(shù)據(jù)圖的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的成品的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的曝光數(shù)據(jù)圖采用X方向排布的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的曝光數(shù)據(jù)圖采用Y方向排布的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的曝光數(shù)據(jù)圖采用XY方向排布的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的曝光數(shù)據(jù)圖采用馬賽克方式排 布的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的曝光數(shù)據(jù)圖采用斜線方式排布 的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的曝光數(shù)據(jù)圖采用混合方式排布 的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16是本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光數(shù)據(jù)圖的透光部或非透光部為圓形的結(jié)構(gòu)示意 圖；圖17是本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光數(shù)據(jù)圖的透光部或非透光部為方形的結(jié)構(gòu)示意 圖；圖18是本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光數(shù)據(jù)圖的透光部或非透光部為橢圓形的結(jié)構(gòu)示 意圖；圖19是本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光數(shù)據(jù)圖的透光部或非透光部為環(huán)形的結(jié)構(gòu)示意 圖20是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用“U”形溝道的曝光數(shù)據(jù)圖的結(jié)構(gòu)示意圖；圖21是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半灰階掩模板的制造流程示意圖；圖22是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光前制板數(shù)據(jù)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合 附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用 以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種半灰階掩模板的制造方法，在二次刻蝕工藝之前采用以下 流程(1)在開(kāi)始曝光前，將制板數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)計(jì)形成曝光數(shù)據(jù)圖，投入掩模材料，如圖7 所示，該掩模材料包括依次設(shè)置的石英玻璃層401、半透過(guò)膜層402、ES (Etch Stop，刻蝕阻 擋)層403、鉻與氧化鉻薄膜層404和光刻膠膜層405 ；(2)采用曝光數(shù)據(jù)圖進(jìn)行曝光；(3) 一次顯影；(4) 一次刻蝕；(5)掩模板清洗；(6)灰化工藝。上述步驟(1)中，曝光前制板數(shù)據(jù)(如圖22所示)，經(jīng)設(shè)計(jì)后形成曝光數(shù)據(jù)圖形如 圖8所示。該曝光數(shù)據(jù)圖具有半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102，根據(jù)掩模材料半曝光區(qū)103所需的光透過(guò) 量，來(lái)設(shè)計(jì)半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102的形狀。本實(shí)施例中所采用的曝光數(shù)據(jù)圖如圖8所示，其包括 源電極203、漏電極204和溝道(半曝光區(qū)103在TFT結(jié)構(gòu)中即為溝道)，溝道位于漏電極 204和源電極203之間，在溝道內(nèi)包含有半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102，半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102的形狀、大 小、間隙、排布方式與曝光所需的光透過(guò)量相適應(yīng)。其中，半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102具有透光部105和非透光部104，通過(guò)調(diào)整非透光部104 形狀、間距、大小或排布方式等來(lái)調(diào)節(jié)光透過(guò)量。光照射于半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102后，經(jīng)過(guò)透光 部105能夠照射于光刻膠膜層405，使光刻膠膜層405的厚度減薄，而非透光部104上，通 過(guò)對(duì)其設(shè)計(jì)圖形的形狀、大小、間隙或排布方式而對(duì)光造成了阻擋，但由于設(shè)計(jì)的非透光部 104圖形小于曝光機(jī)的分辨率而沒(méi)有把光完全遮住，所以非透光部104上附有的光刻膠膜 層405也會(huì)減薄。同時(shí)，源電極203、漏電極204上的光刻膠膜層405由于光被源電極203 及漏電極204完全遮住，其上面的光刻膠膜層405幾乎沒(méi)有發(fā)生變化，而半曝光區(qū)103、漏電 極204和源電極203以外的區(qū)域，經(jīng)一次曝光后其上面的光刻膠膜層405完全被曝光掉了。 因此，掩模材料經(jīng)過(guò)一次曝光后，在半曝光區(qū)103處的光刻膠膜層405與源電極203、漏電極 204處的光刻膠膜層405就形成凹凸不平的表面。且半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102中的透光部105與 非透光部104上的光刻膠膜層405也可以形成凹凸不平的表面。這樣，掩模材料經(jīng)過(guò)步驟(2) —次曝光后，半曝光區(qū)103的光刻膠膜層405厚度比 源電極203、漏電極204區(qū)域的光刻膠膜層405厚度減薄，形成的凹凸不平表面再經(jīng)過(guò)步驟 (3) 一次顯影后，去除半曝光區(qū)103、漏電極204和源電極203區(qū)域外完全被曝光掉的的光刻膠；經(jīng)過(guò)步驟(4) 一次刻蝕，去除源電極203、漏電極204及半曝光區(qū)103區(qū)域外的鉻與 氧化鉻薄膜層404、ES層403與半透過(guò)膜層402 ；然后經(jīng)過(guò)步驟(5)將掩模板清洗，清除掩 模板上的反應(yīng)液和反應(yīng)殘留物。清洗后的掩模板可以看出，在其半曝光區(qū)103上的光刻膠 膜層405比源電極203、漏電極204上的光刻膠膜層405的厚度明顯減薄，且呈現(xiàn)凹凸不平 的表面。掩模板清洗后，經(jīng)步驟(6)灰化工藝，把變薄的半曝光區(qū)103區(qū)域的光刻膠去掉， 經(jīng)過(guò)二次刻蝕后，再把半曝光區(qū)103的鉻與氧化鉻薄膜層404與ES層403去掉，留下半透 過(guò)膜層402，形成如圖9所示的半灰階掩模板。后序的工序中，將掩模板經(jīng)過(guò)光刻膠剝離、掩模板清洗、檢查修復(fù)、貼膜后即可包 裝出貨。(主要制造流程如圖21所示)因此，對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法及其制造方法，將制 板數(shù)據(jù)在曝光前進(jìn)行設(shè)計(jì)，通過(guò)對(duì)圖形形狀、大小、間隙或排布方式設(shè)計(jì)，形成曝光數(shù)據(jù)圖， 掩模材料采用曝光數(shù)據(jù)圖形進(jìn)行曝光，通過(guò)控制光的透過(guò)量，來(lái)調(diào)整光刻膠膜層405的厚 度，經(jīng)過(guò)一次顯影、一次刻蝕后，光刻膠膜層405的厚度明顯減薄，將掩模板清洗后，再經(jīng)灰 化工藝把半曝光區(qū)103內(nèi)變薄的光刻膠膜層405去掉，并經(jīng)二次刻蝕，去除鉻與氧化鉻薄膜 層404和ES層403，顯露半透過(guò)膜層402。因此，與現(xiàn)有技術(shù)二次曝光、二次對(duì)位流程對(duì)比， 本技術(shù)方案只需要一次曝光、一次對(duì)位，解決了普通制造方法二次對(duì)位偏差問(wèn)題，簡(jiǎn)化了制 造工藝流程，而且掩模板材料本身具有半透過(guò)層，不需要進(jìn)行二次沉積半透過(guò)膜層工序，使 半灰階掩模板的制作工藝流程更加簡(jiǎn)單。對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例提供的用于半灰階掩模板半曝 光區(qū)設(shè)計(jì)方法中的上述曝光數(shù)據(jù)圖，為了使半曝光區(qū)103光透過(guò)量滿足曝光后所需光刻膠 的厚度，可通過(guò)調(diào)整半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102上的透光部105和非透光部104的形狀、間距、大小 或排布方式來(lái)調(diào)節(jié)光透過(guò)量。本實(shí)施例中，如圖10和圖11所示，在半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102內(nèi)，該透光部105或非透 光部104可沿X方向或者Y方向設(shè)置，使透光部105和非透光部104平行相間排列；如圖12 所示，透光部105或非透光部104還可沿XY方向設(shè)置；或者如圖13所示，采用馬賽克方式； 或者如圖14所示，采用斜線方式；或者如圖15所示，采用混合排布的方式設(shè)置。通過(guò)調(diào)整 透光部105和非透光部104之間的間距和排列方式，來(lái)調(diào)節(jié)半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102的光透過(guò)量。其中，還可調(diào)節(jié)上述非透光部104的大小、形狀來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102 的光透過(guò)量，本實(shí)施例中，透光部105或非透光部104可呈圓形(如圖16所示)、或者方形 (如圖17所示)、或者橢圓形(如圖18所示)、或者環(huán)形(如圖19所示)或者這些形狀的 混合ο本發(fā)明實(shí)施例提供的透光部105和非透光部104的排布方式并不限于上述幾種方 式，只要其設(shè)置能夠滿足半曝光區(qū)103的光透過(guò)量，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。并且對(duì)于 透光部105與非透光部104的形狀，也不限于本實(shí)施例列舉的這幾種，同樣只要通過(guò)調(diào)節(jié)透 光部105與非透光部104的形狀，能夠滿足半曝光區(qū)103的光透過(guò)量，也均在本發(fā)明的保護(hù) 范圍之內(nèi)。而且，該半灰階掩模板半曝光區(qū)103的設(shè)計(jì)方法，并不完全僅指對(duì)半曝光設(shè)計(jì)區(qū) 102內(nèi)透光部105與非透光部104的圖形形狀、大小、間隙或排布方式設(shè)計(jì)，也可以通過(guò)對(duì)半 曝光區(qū)103的邊緣形狀的設(shè)計(jì)來(lái)改變其圖形形狀，以滿足半曝光區(qū)103的光透過(guò)量，當(dāng)然這 種對(duì)半曝光區(qū)103的邊緣形狀設(shè)計(jì)也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
半曝光區(qū)103的形狀除了可以為如圖8所示的“C”形結(jié)構(gòu)，或者為如圖10所示的 “I”形結(jié)構(gòu)，還可以為如圖20所示的“U”形結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，半曝光區(qū)103并不完全局限于溝道 各種形狀，但只要是采用了該種半灰階掩模板半曝光區(qū)設(shè)計(jì)方法，無(wú)論是采用何種形狀的 半曝光區(qū)103，均在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，該半灰階掩模板制造中還可以采用其他類型的掩模材料，只要掩模材料中 具有半透過(guò)膜層402，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，對(duì)于半灰階掩模板制造方法中所提及的曝光數(shù)據(jù)圖，由于半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102 包含在半曝光區(qū)103中，根據(jù)曝光所需的光透過(guò)量來(lái)設(shè)計(jì)半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102的形狀，從而控 制半曝光設(shè)計(jì)區(qū)102光透過(guò)量，以調(diào)整半曝光區(qū)103的光刻膠膜層405的厚度，經(jīng)一次曝光 后半曝光區(qū)103的光刻膠膜層405厚度與源電極203、漏電極204上的光刻膠膜層405厚 度相比明顯減薄。半曝光區(qū)103與源電極203、漏電極204區(qū)呈現(xiàn)凹凸不平表面，經(jīng)一次顯 影、一次刻蝕、灰化工藝后，將半曝光區(qū)的光刻膠去掉，再經(jīng)二次刻蝕后，把半曝光區(qū)的鉻與 氧化鉻膜層404和ES層403去掉，顯露出半透過(guò)膜層402。使該半灰階掩模板的處理工藝 流程更加簡(jiǎn)單。且解決二次對(duì)位偏差問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供的半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法及半灰階掩模板制造方 法可用于TFT_LCD ARRAY、TFT_LCD CF及OLED或者其他領(lǐng)域的掩模板制造。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法，將半灰階掩模板的半曝光區(qū)設(shè)計(jì)形成曝光數(shù)據(jù)圖，所述曝光數(shù)據(jù)圖具有半曝光設(shè)計(jì)區(qū)，根據(jù)具有半透過(guò)膜層的掩模材料在所述半曝光區(qū)僅一次曝光所需的光透過(guò)量，來(lái)設(shè)計(jì)半曝光設(shè)計(jì)區(qū)的圖形形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述半曝光 設(shè)計(jì)區(qū)具有透光部和非透光部，所述透光部或者非透光部通過(guò)調(diào)整形狀、間距、大小或排布 方式來(lái)調(diào)節(jié)所述光透過(guò)量。
3.如權(quán)利要求2所述的半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述透光部 或非透光部沿X方向，或者Y方向，或者XY方向，或者馬賽克方式、或者斜線方式、或者混合 排布的方式。
4.如權(quán)利要求2所述的半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述透光部 或非透光部呈圓形、或者環(huán)形、或者方形、或者橢圓形。
5.如權(quán)利要求1所述的半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，通過(guò)對(duì)所述 半曝光區(qū)的邊緣形狀設(shè)計(jì)，來(lái)改變所述半曝光區(qū)的光透過(guò)量。
6.一種半灰階掩模板制造方法，包括二次刻蝕工藝步驟，其特征在于，在二次刻蝕工藝 之前采用以下處理流程(1)投入掩模材料，所述掩模材料具有半透過(guò)膜層和光刻膠膜層；(2)采用如權(quán)利要求1所述的曝光數(shù)據(jù)圖進(jìn)行一次曝光；(3)—次顯影；(4)一次刻蝕；(5)掩模板清洗；(6)灰化工藝。
7.如權(quán)利要求6所述的半灰階掩模板制造方法，其特征在于，所述曝光數(shù)據(jù)圖的半曝 光設(shè)計(jì)區(qū)具有透光部和非透光部，所述透光部或非透光部通過(guò)調(diào)整形狀、間距、大小或排布 方式來(lái)調(diào)節(jié)所述光透過(guò)量。
8.如權(quán)利要求7所述的半灰階掩模板制造方法，其特征在于，經(jīng)過(guò)灰化工藝后，將半曝 光區(qū)的光刻膠去掉，露出緊附于光刻膠膜層下面的薄膜層；經(jīng)過(guò)二次刻蝕后，將露出附在于 半透過(guò)膜層上面的薄膜層去掉，保留所述半透過(guò)膜層。
9.如權(quán)利要求6所述的半灰階掩模板制造方法，其特征在于，所述掩模材料包括依次 設(shè)置的石英玻璃層、半透過(guò)膜層、ES層、鉻與氧化鉻膜層和光刻膠膜層。
10.如權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的半灰階掩模板制造方法，其特征在于，所述二次刻蝕 工藝后，還包含以下處理工藝光刻膠剝離、掩模板清洗、檢查修復(fù)、貼膜和包裝出貨工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半灰階掩模板半曝光區(qū)的設(shè)計(jì)方法及其制造方法，將半灰階掩模板的半曝光區(qū)設(shè)計(jì)形成曝光數(shù)據(jù)圖，所述曝光數(shù)據(jù)圖具有半曝光設(shè)計(jì)區(qū)，根據(jù)具有半透過(guò)膜層的掩模材料在所述半曝光區(qū)僅一次曝光所需的光透過(guò)量，來(lái)設(shè)計(jì)半曝光設(shè)計(jì)區(qū)的圖形形狀。通過(guò)控制半曝光設(shè)計(jì)區(qū)光透過(guò)量，調(diào)整半曝光區(qū)的光刻膠膜層厚度，從而使曝光后光刻膠膜層厚度明顯減薄。與現(xiàn)有技術(shù)二次曝光、二次對(duì)位流程對(duì)比，本技術(shù)方案只需要一次曝光、一次對(duì)位，解決了普通制造方法二次對(duì)位偏差問(wèn)題，簡(jiǎn)化了制造工藝流程，而且掩模板材料本身具有半透過(guò)膜層，不需要進(jìn)行二次沉積半透過(guò)膜層工序，使半灰階掩模板的制作工藝流程更加簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)G03F1/08GK101943854SQ20091010858
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2009年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月3日
發(fā)明者侯宏浩, 戴海哲, 李春蘭, 洪志華, 熊啟龍, 譚景霞, 鄧振玉 申請(qǐng)人:深圳清溢光電股份有限公司