專利名稱：電潤濕法顯示器裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示器裝置，特別有關于一種電潤濕法顯示器裝置及其 制造方法。
背景技術：
電潤濕法顯示器(Electrowetting Display)的原理是利用電潤濕 (Electrowetting)現(xiàn)象或電化毛細管(Electrocapillary)現(xiàn)象。當流體受到電場作 用而改變流體的表面自由能(Free Surface Energy), 4吏得流體的分布面積改 變。
國際知識產(chǎn)權組織申請案公開第WO 2005/051091號纟皮露一種電潤濕法 顯示器結構。請參閱圖1,傳統(tǒng)電潤濕法顯示器包括第二基板3與第一基板 4對向設置，圖案化像素電極7設置于第二基板3上。介電層8,例如具有 疏水性(hydrophobic)表面性材料層，設置于第二基板3與圖案化像素電極7 上。圖案化的親水性檔墻結構(pixelwall)13設置于介電層8上，定義出各個 像素區(qū)域。含黑色染料的不透明非極性液體5設置于檔墻結構13間的像素 區(qū)域，以及透明的極性液體6設置于第一基板4與第二基板3之間的間隙中。 當操作電壓關狀態(tài)時，不透明非極性液體5均勻分布于像素中，此時像素的 顯示狀態(tài)為暗態(tài)(dark state)。
當操作電壓開狀態(tài)時，亦即由電壓源9產(chǎn)生電場于第一基板4與第二基 板3之間，致使不透明非極性液體5受到電潤濕作用力影響內聚，因而露出 大部分的像素區(qū)域，此時像素的顯示狀態(tài)為亮態(tài)(bright state)。
傳統(tǒng)電潤濕法顯示器裝置的檔墻結構13為親水結構，其直接制作于疏 水性且低表面能材料的介電層8上，其優(yōu)點為可采全面涂布的方式形成低表 面能材料，然而使得親水的擋墻結構13不易直接制作在介電層8上，并且 容易從介電層8脫落，導致顯示器的失效。
美國專利早期^^開No. 2007/0188676 4皮露一種電潤濕法顯示器，利用不 透明非極性液體受電場電潤濕作用內聚，以控制顯示器像素的亮態(tài)與暗態(tài)。圖2是顯示另一傳統(tǒng)的電潤濕法顯示器的剖面示意圖。請參閱圖2，傳統(tǒng)電 潤濕法顯示器裝置包括背光模塊20與電潤濕法顯示器50，做為光開關。電 潤濕法顯示器50包括第二基板22，像素電極24設置于第二基板22上。介 電層(具疏水性表面性質)26設置于像素電極24上。圖案化的親水性檔墻結 構28設置于介電層26上，定義出各個像素區(qū)域。含黑色染料的不透明非極 性液體45以及透明的極性液體40設置于各個像素區(qū)域中。第一基板30其 上具有圖案化的共同電極32,相對第二基板22設置于檔墻結構28與透明的 才及性液體40上。
再者，國際知識產(chǎn)權組織申請案公開第WO 2006/017129號4皮露一種半 反穿式電潤濕法顯示器結構，在半反穿電潤濕法顯示器的結構中，將第二基 板與附有彩色濾光片的第一基板進行組立封裝，并在內部填入極性溶液與黑 色非極性溶液。半反穿形式的彩色電潤濕法顯示器具有多個像素，且于第二 基板上，個別像素內制作穿透區(qū)與反射區(qū)。
圖3是顯示傳統(tǒng)半反穿式電潤濕法顯示器的剖面示意圖。請參閱圖3， 傳統(tǒng)半反穿式彩色電潤濕法顯示器包括第二基板112設置于背光模塊111 上。圖案化反射板113，對應像素區(qū)域的反射區(qū)，設置于第二基板112上。 第二透明電極層114全面性設置于第二基板112上，并覆蓋反射板113。介 電層(具疏水性表面性質)115設置于第二透明電極層114上。圖案化擋墻結 構116設置于介電層115上，定義出多個像素區(qū)域。
第一基板118相對于第二基板112對向設置。第一透明電極層117設置 于第一基板118上。再者，在各像素區(qū)域內，第二基板112和第一基板118 之間的間隙中，夾置透明極性溶液層121與不透明非極性溶液層120a-120c。 電源供應器施予一偏壓于第一透明電極層114與第二透明電極層117之間， 通過偏壓造成的電潤濕作用力，控制各像素的反射區(qū)域與穿透區(qū)域顯像。當 施加電壓大于閾值電壓(threshold voltage)時，不透明非極性液體開始呈現(xiàn)內 聚現(xiàn)象而逐漸露出反射區(qū)域與穿透區(qū)域。
傳統(tǒng)電濕潤顯示器的主要第二基板結構包括低表面能材料層，以及圖案 化的親水結構制作于低表面能材料層。然而，由于低表面能材料層的表面具 有抗沾粘(anti-adhesion)的性質，致使難以進行后續(xù)大面積材料涂布與后續(xù)工 藝。更有甚者，即使勉強制作親水結構于其上，也會因低表面能材料層的表 面特性，而導致親水結構從低表面能材料層脫落。因此，業(yè)界企需一種克服親水結構制作于介電層上的制造方法，以及改進其結構穩(wěn)定性的電濕潤顯示 器結構。

發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供一種電潤濕法顯示器的結構與制作方法，將低表面能 材料層設計成圖案化形狀，并將親水性擋墻直接制作在低表面能材料層間且 與底層介電層直接接觸，以簡化親水性擋墻在工藝與提升結構上的可靠度。
本發(fā)明提供一種電潤濕法顯示器裝置，包括第一基板與第二基板對向 設置，其間夾置極性溶液層與非極性溶液層；第一透明電極層設置于該第一 基板上；第二電極層設置于該第二基板上；介電層設置于該第二電極層上； 以及具親水性表面的擋墻結構直接設置于介電層上，該擋墻結構定義出多個 區(qū)域；以及具有低表面能的材料層設置于該區(qū)域內的介電層上。
本發(fā)明另提供一種電潤濕法顯示器裝置，包括第一基板與第二基板對 向設置，其間夾置透明極性溶液層與不透明非極性溶液層；第一透明電極層 設置于該第一基板上；第二電極層設置于該第二基板上；介電層設置于該第 二電極層上；以及具親水性表面的擋墻結構直接設置于介電層上，該擋墻結 構定義出電潤濕法顯示器的像素區(qū)域；以及具有低表面能的材料層設置于各 像素區(qū)域內的介電層上。
本發(fā)明另提供一種電潤濕法顯示器裝置的制造方法，包括提供第一基 板，并形成第一透明電極層于其上；提供第二基板，并形成第二電極層于其 上；形成介電層于該第二電極層上；形成圖案化的具有低表面能的材料層于 該介電層，并露出一部分的該介電層表面；形成具親水性表面的擋墻結構于 該介電層上，該擋墻結構定義出多個區(qū)域，使其露出該具有低表面能的材料 層；以及對向組合該第一基板與該第二基板，使其間夾置極性溶液層與非極 性溶液層。
本發(fā)明另提供一種電潤濕法顯示器裝置的制造方法，包括提供第一基 板，并形成第一透明電極層于其上；提供第二基板，并形成第二電極層于其 上；形成介電層于該第二電極層上；形成具親水性表面的擋墻結構于該介電 層上，其中該擋墻結構定義出多個^f象素區(qū)域；形成具有低表面能的材料層于 該像素區(qū)域內的該介電層上；以及對向組合該第一基板與該第二基板，使其 間夾置極性溶液層與非極性溶液層。為使本發(fā)明能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細說明 如下。


圖1是顯示一傳統(tǒng)電潤濕法顯示器的剖面示意圖2是顯示另一傳統(tǒng)的電潤濕法顯示器的剖面示意圖3是顯示傳統(tǒng)半反穿式電潤濕法顯示器的剖面示意圖4A與4B分別顯示比豐支傳統(tǒng)與本發(fā)明實施例的電潤濕法顯示器的第
二基板結構的剖面示意圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的電潤濕法顯示器制造方法的流程圖； 圖6A-6E是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例制作電潤濕法顯示器的各步驟
的剖面示意圖7A-7D是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的各種親水性表面的擋墻結構的示 意圖8為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電潤濕法顯示器制造方法的流程圖9A-9E是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例制作電潤濕法顯示器的各步驟 的剖面示意圖；以及
圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明另 一 實施例的電潤濕法顯示器的剖面示意圖。 附圖標記說明 已知技術部分(圖1~3) 3第二基板 5不透明非極性液體 7像素電極 9電壓源 20背光模塊 24像素電極 28親水性檔墻結構 32共同電極 45不透明非極性液體 111背光模塊 113反射板
4第一基板
6透明的極性液體
8介電層
13檔墻結構(pixel wall)
22第二基板
26介電層
30第一基板
40透明的極性液體
50電潤濕法顯示器
112第二基板
114第二透明電^L層115介電層 117第一透明電極層
118第一基板 120a-120c非極性溶液層
121極性溶液層 126穿透區(qū)域
本發(fā)明部分(圖4A~10)
210第二基板結構 220A、 220B具低表面能的材料層
225A、 225B介面 230A、 230B親水性的擋墻結構
S3I0-S340制造流程步驟410第二基板
420第二電極 430介電層
440滾4侖 442凸版
445具有低表面能的材料層
445，噴涂含氟類的疏水性高分子材料
450、 450A-450D、 450a親水性表面的擋墻結構
460第一基板 470第一透明電極層
480非極性溶液層 485極性溶液層 500噴墨裝置
具體實施例方式
以下以各實施例并伴隨著圖式說明的范例，做為本發(fā)明的參考依據(jù)。在 圖式或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的圖號。且在圖中，實 施例的形狀或是厚度可擴大，并以筒化或是方^t標示。再者，圖中各元件的 部分將以分別描述說明的，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所 屬技術領域中技術人員所知的形式，另外，特定的實施例僅為揭示本發(fā)明使 用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。
圖4A與4B分別顯示比較傳統(tǒng)與本發(fā)明實施例的電潤濕法顯示器的第 二基板結構的剖面示意圖。請參閱圖4A，傳統(tǒng)電潤濕法顯示器的第二基板 結構包括第二基板結構210，其包括介電層(未圖示)。低表面能材料層(或具 疏水性表面性質)220A全面性地形成于第二基板結構210上。接著，再將具 親水性表面的擋墻結構230A形成于低表面能材料層220A。然而，如先前所 述，由于低表面能材料層220A的表面具有抗沾粘的性質，使得低表面能材 料層220A與擋墻結構230A間的介面225A因極性相異而無法形成良好的粘 著性，并造成難以進行大面積化材料涂布與后續(xù)工藝。并且即使勉強形成親 水結構，也有可能因為低表面能材料層220A的低表面能特性，而導致親水結構從介電層上脫落。
相對地，請參閱圖4B，本發(fā)明實施例的電潤濕法顯示器的第二基板結 構包括第二基板結構210。第二基板結構210包括其他主動元件、被動元件、 像素電極以及介電層(未圖示)覆蓋于其上。圖案化的低表面能材料層(或具疏 水性表面性質)220B形成于第二基板結構210上，露出預定間隔的第二基板 結構210表面。接著，再將具親水性表面的擋墻結構230B形成于低表面能 材料層220B之間，直接與第二基板結構210的表面接觸。如此，可避免直 接形成擋墻結構230B于低表面能材料層220B上，且第二基板結構210與 擋墻結構230B間的介面225B因極性相容而形成良好的粘著性，因而改善 電潤濕法顯示器的可靠度。
圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的電潤濕法顯示器制造方法的流程圖。請 參閱圖5，電潤濕法顯示器裝置的制造方法包括提供第一基板(S310),并形 成第一透明電極層于其上(S312)。另一方面，提供第二基板(S320)，并形成 第二電極層于其上(S322)。第二電極層可為透明電極，或者為具反射性質的 反射電極。接著，形成介電層于第二電極層上(S324)，再形成圖案化的具有 低表面能的材料層于該介電層上(S326),對應各像素區(qū)域，其間的間距露出 一部分的該介電層表面。接著，再形成具親水性表面的擋墻結構于該介電層 上(S328),該擋墻結構位于圖案化具低表面能材料層的間距，且直接與介電 層接觸，由此定義出多個區(qū)域，使其露出該具有低表面能的材料層。接著， 對向組合該第一基板與該第二基板，使其間夾置極性溶液層與非極性溶液層 (S330)。最后，進形其他后續(xù)步驟，例如組裝背光模塊及彩色濾光膜，完成 電潤濕法顯示器裝置(S340)。
圖6A-6E是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實施例制作電潤濕法顯示器的各步驟 的剖面示意圖。請參閱圖6A,提供第二基板410,其材料包括玻璃、高分子 材料或金屬，并形成第二電極420于第二基板410上。接著，形成介電層430 于第二電極420上。
第二電極層420為圖案化結構，包括長方形、正方形、三角形、圓形、 梯形或橢圓形，并且其材料包括金屬或氧化物。再者，第二電極層420的厚 度范圍大約介于0.01-1微米Oim)。
介電層430的材料包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN》、氧化鉭(Ta203)、 鋯鈦酸鉛(PZT)、鈦酸鍶鋇(BST)、鈦酸鋇(BTO)或聚偏二氟乙烯(polyvinylidene difluoride, PVDF)。
接著，施以凸版印刷(relief printing)步驟，通過滾輪440及凸版442將圖 案化的具有低表面能的材料層445轉印于介電層430上，對應各像素區(qū)域， 其間的間距露出一部分的介電層430表面，如圖6B所示。該具有4氐表面能 的材料層445的材料包括含氟或含氯類的疏水性的高分子材料，或含氟或含 氯類的自聚性分子膜，其厚度范圍大約介于0.1納米(nm)至1微米Oim),并 且其表面張力值小于25dyne/cm,優(yōu)選為小于20dyne/cm。
請參閱圖6C，全面形成厚膜材料層450，例如正光致抗蝕劑、負光致抗 蝕劑、光固性樹脂或熱固性樹脂，于介電層430上，并覆蓋具低表面能的材 料層445。接著，施以光刻及蝕刻步驟將其圖案化，以形成親水性表面的擋 墻結構450。該擋墻結構450位于圖案化具低表面能材料層的間距處，且直 接與介電層430接觸，由此定義出多個區(qū)域，使其露出具有低表面能的材料 層445，如圖6D所示。
應注意的是，擋墻結構450可為黑色矩陣擋墻結構，能吸收可見光波長 范圍的光線。再者，擋墻結構的厚度范圍大約介于5-50微米Oim)。
再請參閱圖6D，另一方面，提供第一基板460,并形成第一透明電極層 470于其上。第一基板460的材料包括玻璃、高分子材料或金屬。第一透明 電極層470為圖案化結構，包括長方形、正方形、三角形、圓形、梯形或橢 圓形，或者該第一透明電極層470亦可為全面的電極結構。再者，第一透明 電極層470的材料包括金屬或氧化物，且其厚度范圍大約介于0.01-1微米 (iam)。
接著，對向組合第二基板410與第一基板460，使其間夾置非極性溶液 層480與極性溶液層485,如圖6E所示。非極性溶液層480的材料包括硅 油(silicon oil)、癸烷(decane)、十二烷(dodecane)、十四烷(tetradecane)或上述 材料的任意混合，并且，其厚度范圍大抵為1 1O微米0m)。再者，非極性 溶液層480另包括有色染料(dye)或是有色顏料(pigment)。另 一方面，極性溶 液層的材料包括水、氯化鈉水溶液或氯化鉀水溶液，且其厚度范圍介于 10-100微米(pm)。
圖7A-7D是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的各種親水性表面的擋墻結構的示 意圖，但此為舉例而非只限于此擋墻結構。請參閱圖7A，具親水性表面的 擋墻結構450A可為長條形山脊狀，寬度均一且等于圖案化的具有低表面能的材料層445間距的寬度。請參閱圖7B，根據(jù)本發(fā)明另一實施例，具親水 性表面的擋墻結構450B直接與介電層430接觸，另具有兩側延伸部覆蓋部 分的低表面能的材料層445。具親水性表面的擋墻結構450B的頂部寬度等 于或大于其底部寬度?；蛘撸垍㈤唸D7C,具親水性表面的擋墻結構450C 直接與介電層430接觸，且其剖面為梯形，亦即具親水性表面的擋墻結構 450C的頂部寬度小于其底部寬度。請參閱圖7D，具親水性表面的擋墻結構 450D為格子狀?；蛘?，低表面能的材料層445的形狀為長條狀，而親水性 表面的擋墻結構450D為格子狀，使得親水性表面的擋墻結構450D沿著長 條狀低表面能的材料層445的部分直接與介電層430接觸，而擋墻結構450D 沿另一方向的部分與低表面能的材料層445接觸。
圖8為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電潤濕法顯示器制造方法的流程圖。本 實施例的電潤濕法顯示器的制造方法步驟，基本與先前所述對應的圖5實施 例步驟應相同，為本發(fā)明所屬技術領域中技術人員所理解，為求簡明之故， 在此省略相關細節(jié)的披露。然不同之處在于，先形成具親水性表面的擋墻結 構于介電層上(S328),定義出多個像素區(qū)域，使其露出介電層。接著，再形 成圖案化的具有低表面能的材料層于像素區(qū)域內的介電層上(S326)。例如以
噴墨法噴涂含氟類的疏水性高分子材料于像素區(qū)域內的介電層上。
圖9A-9E是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例制作電潤濕法顯示器的各步驟 的剖面示意圖。請參閱圖9A，提供第二基板410,其材料包括玻璃、高分子 材料或金屬，并形成第二電極420于第二基板410上。接著，形成介電層430 于第二電極420上。
請參閱圖9B,全面形成厚膜材料層450,例如正光致抗蝕劑、負光致抗 蝕劑、光固性樹脂或熱固性樹脂，于介電層430上。接著，施以光刻及蝕刻 步驟將其圖案化，以形成親水性表面的擋墻結構450。
接著，請參閱圖9C,施以噴墨印刷(inkjetprinting)步驟，通過噴墨裝置 500，噴涂含氟類的疏水性高分子材料445，于各像素區(qū)域內的介電層430， 以形成圖案化的具有低表面能的材料層445。
請參閱圖9D,另一方面，提供第一基板460，并形成第一透明電極層 470于其上。接著，對向組合第二基板410與第一基板460,使其間夾置非 極性溶液層480與極性溶液層485，如圖9E所示。最后，進行其他后續(xù)步 驟，例如組裝背光模塊及彩色濾光膜，完成電潤濕法顯示器裝置。應注意的是，雖然在本發(fā)明上述各實施例中，以親水性表面的擋墻結構
450的上緣直接接觸第一基板460為例說明，然非用以限定本發(fā)明的電潤濕 法顯示器。在其他實施例中，親水性表面的擋墻結構450a的高度可低于第 一基板、第二基板之間的間隙高度(cellgap)，而使擋墻結構MOa不與第一基 板460接觸，如圖IO所示。例如，擋墻結構450a的高度約lO微米Oim), 第一基板、第二基板之間的間隙高度(cellgap)約為50微米0im)。
本發(fā)明雖以實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何本 發(fā)明所屬技術領域中技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可做些許 的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種電潤濕法顯示器裝置，包括第一基板與第二基板對向設置，其間夾置極性溶液層與非極性溶液層；第一透明電極層設置于該第一基板上；第二電極層設置于該第二基板上；介電層設置于該第二電極層上；具親水性表面的擋墻結構直接設置于介電層上，該擋墻結構定義出多個區(qū)域；以及具有低表面能的材料層設置于該區(qū)域內的介電層上。
2. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該擋墻結構具有兩側 延伸部，與該具有低表面能的材料層接觸。
3. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該擋墻結構為矩陣連 續(xù)式擋墻結構，其一部分直接設置于介電層上，其另一部分設置于該介電層 上。
4. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該擋墻結構的材料包 括正光致抗蝕劑、負光致抗蝕劑、光固性樹脂或熱固性樹脂。
5. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該擋墻結構為黑色矩 陣擋墻結構，能吸收可見光波長范圍的光線。
6. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該擋墻結構的厚度范 圍介于5-50微米。
7. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第一基板的材料包 括玻璃、高分子材料或金屬。
8. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第二基板的材料包 括玻璃、高分子材料或金屬。
9. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第一透明電極層為 圖案化結構，包括長方形、正方形、三角形、圓形、梯形或橢圓形。
10. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第一透明電極層 為全面的電極結構。
11. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第一透明電極層的 材料包括金屬或氧化物。
12. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第一透明電極層 的厚度范圍介于0.01-1微米。
13. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第二電極層為圖 案化結構，包括長方形、正方形、三角形、圓形、梯形或橢圓形。
14. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第二電極層的材 料包括金屬或氧化物。
15. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該第二電極層的厚 度范圍介于0.01-1微米。
16. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該具有低表面能的 材料層的材料包括含氟或含氯類的疏水性的高分子材料，或含氟或含氯類的 自聚性分子膜。
17. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該具有低表面能的 厚度范圍介于0.1納米至1微米，其表面張力值小于25dyne/cm。
18. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該極性溶液層的材 料包括水、氯化鈉水溶液或氯化鉀水溶液。
19. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該極性溶液層的厚 度范圍介于10-100微米。
20. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該非極性溶液層的 材料包括硅油、癸烷、十二烷、十四烷或上述材料的任意混合。
21. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該非極性溶液層的 厚度范圍大抵為1~10微米。
22. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該非極性溶液層包 括有色染料或是有色顏料。
23. 如權利要求1所述的電潤濕法顯示器裝置，其中該介電層的材料包 括二氧化硅、氮化硅、氧化鉭、鋯鈦酸鉛、鈦酸鍶鋇、鈦酸鋇或聚偏二氟乙 烯。
24. —種電潤濕法顯示器裝置，包括第一基板與第二基板對向設置，其間夾置透明極性溶液層與不透明非極 性溶液層；第 一透明電極層設置于該第 一基板上； 第二電極層設置于該第二基板上；介電層設置于該第二電極層上；以及具親水性表面的擋墻結構直接設置于介電層上，該擋墻結構定義出電潤 濕法顯示器的像素區(qū)域；以及具有低表面能的材料層設置于各像素區(qū)域內的介電層上。
25. —種電潤濕法顯示器裝置的制造方法，包括 提供第一基板，并形成第一透明電極層于其上； 提供第二基板，并形成第二電極層于其上； 形成介電層于該第二電極層上；形成圖案化的具有低表面能的材料層于該介電層，并露出一部分的該介 電層表面；形成具親水性表面的擋墻結構于該介電層上，該擋墻結構定義出多個區(qū) 域，使其露出該具有低表面能的材料層；以及對向組合該第 一基板與該第二基板，使其間夾置極性溶液層與非極性溶 液層。
26. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該擋墻 結構具有兩側延伸部，使其與該具有低表面能的材料層接觸。
27. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該擋墻 結構為矩陣連續(xù)式擋墻結構，其一部分直接設置于介電層上，其另一部分設 置于該介電層上。
28. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該擋墻 結構的材料包括正光致抗蝕劑、負光致抗蝕劑、光固性樹脂或熱固性樹脂。
29. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該擋墻 結構為黑色矩陣擋墻結構，能吸收可見光波長范圍的光線。
30. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該擋墻 結構的厚度范圍介于5-50微米。
31. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該擋墻 結構的形成方法包括光刻工藝、才莫具成型、網(wǎng)印成型技術、干膜轉印法或激 光熱轉印法。
32. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第一 基板的材料包括玻璃、高分子材料或金屬。
33. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第二基板的材料包括玻璃、高分子材料或金屬。
34. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第一 透明電極層為圖案化結構，包括長方形、正方形、三角形、圓形、梯形或橢 圓形。
35. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第一 透明電極層為全面的電極結構。
36. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第一 透明電極層的材料包括金屬或氧化物。
37. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第一 透明電極層的厚度范圍介于0.01-1微米。
38. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第二 電極層為圖案化結構，包括長方形、正方形、三角形、圓形、梯形或橢圓形。
39. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第二 電極層的材料包括金屬或氧化物。
40. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該第二 電極層的厚度范圍介于0.01-1微米。
41. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該具有 低表面能的材料層的形成方法包括凸版印刷、光刻工藝、網(wǎng)印成型法、噴墨 法、干膜轉印法或激光熱轉印法。
42. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該具有 低表面能的材料層的材料包括含氟或含氯類的疏水性的高分子材料，或含氟 或含氯類的自聚性分子膜。
43. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該具有 低表面能的厚度范圍介于0.1納米至1微米，其表面張力值小于25dyne/cm。
44. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該極性 溶液層的材料包括水、氯化鈉水溶液或氯化鉀水溶液。
45. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該極性 溶液層的厚度范圍介于10-100微米。
46. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該非極 性溶液層的材料包括硅油、癸烷、十二烷、十四烷或上述材料的任意混合。
47. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該非極性溶液層的厚度范圍大抵為1~10微米。
48. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該非極 性溶液層包括有色染料或是有色顏料。
49. 如權利要求25所述的電潤濕法顯示器裝置的制造方法，其中該介電 層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化鉭、鋯鈦S吏鉛、鈦酸鍶鋇、鈦酸鋇或 聚偏二氟乙烯。
50. —種電潤濕法顯示器裝置的制造方法，包括 提供第一基板，并形成第一透明電極層于其上； 提供第二基板，并形成第二電極層于其上； 形成介電層于該第二電極層上；形成具親水性表面的擋墻結構于該介電層上，其中該擋墻結構定義出多 個像素區(qū)域；形成具有低表面能的材料層于該像素區(qū)域內的該介電層上；以及 對向組合該第一基板與該第二基板，使其間夾置極性溶液層與非極性溶 液層。
全文摘要
本發(fā)明公開了提供一種電潤濕法顯示器裝置及其制造方法。該電潤濕法顯示器裝置包括第一基板與第二基板對向設置，其間夾置極性溶液層與非極性溶液層。第一透明電極層設置于該第一基板上。第二電極層設置于該第二基板上。介電層設置于該第二電極層上。具親水性表面的擋墻結構直接設置于介電層上，該擋墻結構定義出多個區(qū)域，以及具有低表面能的材料層設置于該區(qū)域內的介電層上。
文檔編號G02B26/02GK101493576SQ20081000855
公開日2009年7月29日 申請日期2008年1月23日 優(yōu)先權日2008年1月23日
發(fā)明者羅國隆, 蕭志郡 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院