專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其修復(fù)方法，特別是涉及一種可修復(fù)數(shù)據(jù)線斷路或短路的液晶顯示用的薄膜晶體管陣列基板及其修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD)面板是利用薄膜晶體管(TFT)控制液晶分子的取向從而控制透光的強(qiáng)弱來顯示圖像的。一塊完整的TFTLCD面板通常包括背光模組、偏光片、TFT陣列下基板、CF(彩膜)上基板、夾在上下基板之間的液晶分子層以及驅(qū)動電路。TFT陣列基板上的顯示區(qū)域包含多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)子像素區(qū)域一般為兩條柵極掃描線與兩條數(shù)據(jù)線交叉所形成的矩形或者其他形狀區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管以及像素電極，薄膜晶體管充當(dāng)開關(guān)元件。
柵極掃描線與數(shù)據(jù)線主要用來提供影像信號以驅(qū)動像素電極，但是由于制作時(shí)候成膜、微影、刻蝕等制造工藝的影響，柵極掃描線與數(shù)據(jù)線容易發(fā)生斷路或短路，導(dǎo)致線缺陷。另外，由于長寬比的原因，數(shù)據(jù)線一般比柵極掃描線設(shè)計(jì)得更窄一些，更容易發(fā)生斷路的情況。因此，為避免LCD面板生產(chǎn)由于線缺陷而導(dǎo)致的良率下降，需要對線缺陷特別是最容易發(fā)生的數(shù)據(jù)線斷路和短路缺陷進(jìn)行修復(fù)。
為此，美國專利US20050285989公開了一種對數(shù)據(jù)線斷路進(jìn)行修復(fù)的液晶顯示基板的結(jié)構(gòu)及其修復(fù)方法，該TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，TFT基板11包括在一個(gè)方向上延伸的柵極掃描線2和在與柵極掃描線2基本上垂直的方向上延伸的數(shù)據(jù)線6；柵極掃描線2和數(shù)據(jù)線6交叉形成像素區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有TFT5和透明像素電極9，像素電極9通過接觸孔9a和TFT5的源電極連接，其中數(shù)據(jù)線6含有至少兩個(gè)與遮光線2a重疊的突起6a；遮光線2a和2a-2位于數(shù)據(jù)線6的兩側(cè)；其中柵極掃描線2、遮光線2a和2a-2形成在第一金屬層上，數(shù)據(jù)線6形成在第二金屬層上，第一金屬層直接沉積在玻璃基板上，然后上面依次沉積第一保護(hù)層，非晶硅層，第二金屬層，第二保護(hù)層以及ITO像素電極層。如果信號線斷路發(fā)生在圖1中的12處，就可以利用遮光線2a對數(shù)據(jù)線6斷路的情況進(jìn)行修復(fù)，修復(fù)時(shí)只需要在突起6a和遮光線2a的重疊部分(激光照射部分10)進(jìn)行兩次激光焊接就可以對數(shù)據(jù)線斷路進(jìn)行修復(fù)。但是采用以上技術(shù)存在其缺點(diǎn)，該技術(shù)只能修復(fù)像素區(qū)間數(shù)據(jù)線的斷路，如果斷路發(fā)生在數(shù)據(jù)線和柵極掃描線的交界處或是數(shù)據(jù)線上發(fā)生短路，則不能修復(fù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種可修復(fù)數(shù)據(jù)線斷路或短路的薄膜晶體管陣列基板及其修復(fù)方法。
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括多條沿第一方向延伸的柵極掃描線；多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，柵極掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像素電極；形成在與柵極掃描線同一金屬層上的內(nèi)側(cè)遮光線和外側(cè)遮光線，并分布在數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；其中所述外側(cè)遮光線或數(shù)據(jù)線的一端至少有一突起，所述突起使數(shù)據(jù)線與外側(cè)遮光線交疊，外側(cè)遮光線的另一端與橫跨柵極掃描線的修復(fù)線的一端交疊，修復(fù)線的另一端與柵極掃描線交疊的修復(fù)襯墊交疊。
本發(fā)明提供一種修復(fù)薄膜晶體管陣列基板的方法，包括形成在第一金屬層上并沿第一方向延伸的多條柵極掃描線；形成在第二金屬層上并沿第二方向延伸的多條數(shù)據(jù)線，柵極掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像素電極；形成在與柵極掃描線同一金屬層上的內(nèi)側(cè)遮光線和外側(cè)遮光線，并分布在數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；其中所述外側(cè)遮光線或數(shù)據(jù)線的一端至少有一突起，所述突起使數(shù)據(jù)線與外側(cè)遮光線交疊，外側(cè)遮光線的另一端與橫跨柵極掃描線的修復(fù)線的一端交疊，修復(fù)線的另一端與柵極掃描線交疊的修復(fù)襯墊交疊；當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路時(shí)，在上述四個(gè)交疊處用激光進(jìn)行照射連接，使數(shù)據(jù)線通過遮光線、修復(fù)線以及修復(fù)襯墊進(jìn)行連接，形成繞開斷路部分的路徑。
本發(fā)明還提供一種修復(fù)薄膜晶體管陣列基板的方法，包括形成在第一金屬層上并沿第一方向延伸的多條柵極掃描線；形成在第二金屬層上并沿第二方向延伸的多條數(shù)據(jù)線，柵極掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像素電極；形成在與柵極掃描線同一金屬層上的內(nèi)側(cè)遮光線和外側(cè)遮光線，并分布在數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；其中所述外側(cè)遮光線或數(shù)據(jù)線的一端至少有一突起，所述突起必須保證數(shù)據(jù)線與外側(cè)遮光線交疊，外側(cè)遮光線的另一端與橫跨柵極掃描線的修復(fù)線的一端交疊，修復(fù)線的另一端與柵極掃描線交疊的修復(fù)襯墊交疊；當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生短路時(shí)，首先在其短路處的兩側(cè)進(jìn)行激光切割，然后在上述四個(gè)交疊處用激光進(jìn)行照射連接，使數(shù)據(jù)線通過遮光線、修復(fù)線以及修復(fù)襯墊進(jìn)行連接，形成繞開短路部分的路徑。
基于上述構(gòu)思，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板及其修復(fù)方法，由于在數(shù)據(jù)線和柵極掃描線的交界處設(shè)計(jì)了一段修復(fù)結(jié)構(gòu)，克服了現(xiàn)有技術(shù)中只能修復(fù)像素區(qū)間數(shù)據(jù)線斷路的缺點(diǎn)，不僅可以修復(fù)像素區(qū)間的數(shù)據(jù)線的斷路情況，同時(shí)可以對數(shù)據(jù)線和柵極掃描線的交界處的斷路進(jìn)行修復(fù)，而且還可以對數(shù)據(jù)線和柵極掃描線短路的情況進(jìn)行修復(fù)，且不影響開口率，只要在四個(gè)交疊處進(jìn)行激光照射焊接即可達(dá)到修復(fù)的目的，修復(fù)方便簡單。
為了更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中TFT基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的TFT基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的TFT基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是采用本發(fā)明實(shí)施例一結(jié)構(gòu)對數(shù)據(jù)線斷路進(jìn)行修復(fù)的示意圖；圖5A和5B分別為修復(fù)前后沿圖4I-I方向的截面示意圖；圖6A和6B分別為修復(fù)前后沿圖4II-II方向的截面示意圖；圖7A和7B分別為修復(fù)前后沿圖4III-III方向的截面示意圖；圖8是采用本發(fā)明實(shí)施例二結(jié)構(gòu)對數(shù)據(jù)線與柵極掃描線交界處短路進(jìn)行修復(fù)的示意圖；圖9A和9B分別為修復(fù)前后沿圖8IV-IV方向的截面示意圖；圖10A和10B分別為修復(fù)前后沿圖8V-V方向的截面示意圖；圖11A和11B分別為修復(fù)前后沿圖8VI-VI方向的截面示意圖。
附圖標(biāo)號說明2柵極掃描線 2a、2a-2遮光線 5TFT6數(shù)據(jù)線 6a突起 9像素電極9a接觸孔10激光照射部分 11TFT基板20柵極掃描線21內(nèi)側(cè)遮光線22外側(cè)遮光線22a、22b突起23、33a、33b修復(fù)襯墊24玻璃基板 25第一絕緣保護(hù)層26第二絕緣保護(hù)層30數(shù)據(jù)線31薄膜晶體管(TFT) 311柵級312源極 313漏極 314非晶硅層32修復(fù)線40像素電極 41接觸孔具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖及典型實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
實(shí)施例一圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的TFT基板結(jié)構(gòu)示意圖。
參照圖2、圖5A，薄膜晶體管陣列基板包括多條沿第一方向延伸的柵極掃描線20；多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線30，柵極掃描線20和數(shù)據(jù)線30交叉形成像素區(qū)域；像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置薄膜晶體管31和像素電極40，薄膜晶體管31由柵極311、源極312和漏極313構(gòu)成，柵極311與柵極掃描線20電連接，漏極313與數(shù)據(jù)線30電連接，源極312通過接觸孔41和像素電極40連接，柵極311形成在第一金屬層上，源極312和漏極形成在第二金屬層上，兩層之間有SiNx絕緣層25隔開，源極312和與漏極313對稱重疊沉積在柵極311兩側(cè)，非晶Si層314位于柵極和源、漏極之間；ITO像素電極層40沉積在最上層，與源、漏極層之間通過SiNx保護(hù)層26絕緣。
數(shù)據(jù)線30的兩側(cè)分布有內(nèi)側(cè)遮光線21和外側(cè)遮光線22，遮光線21和22形成在與柵極掃描線20同一金屬層(第一金屬層)上，用于遮蔽從像素電極40的外圍入射的光線；外側(cè)遮光線22的下端至少有一突起22a，突起22a可以由外側(cè)遮光線22朝向數(shù)據(jù)線30延伸形成，并與數(shù)據(jù)線30交疊，也可以由數(shù)據(jù)線30朝向外側(cè)遮光線22延伸形成，并與外側(cè)遮光線22交疊。外側(cè)遮光線22的上端向外延伸形成有突起22b，突起22b和沿第二方向延伸且橫跨柵極掃描線20的修復(fù)線32交疊，修復(fù)線32的另一端和沿第一方向且與柵極掃描線20交疊的修復(fù)襯墊23交疊，修復(fù)襯墊23、內(nèi)側(cè)遮光線21、外側(cè)遮光線22以及柵極掃描線20形成在同一金屬層(第一金屬層)上，修復(fù)線32與數(shù)據(jù)線30形成在同一金屬層(第二金屬層)上，修復(fù)線32與數(shù)據(jù)線30的距離大于等于6微米，以在制程上保證修復(fù)線32與數(shù)據(jù)線30彼此不會連在一起。
圖4是采用本發(fā)明實(shí)施例一對數(shù)據(jù)線斷路進(jìn)行修復(fù)的示意圖；圖5A和5B分別為修復(fù)前后沿圖4I-I方向的截面示意圖；圖6A和6B分別為修復(fù)前后沿圖4II-II方向的截面示意圖；圖7A和7B分別為修復(fù)前后沿圖4III-III方向的截面示意圖。
參照圖4，當(dāng)數(shù)據(jù)線30在像素區(qū)間A-B處或是在信號線30和柵極掃描線20的交界C-D處發(fā)生斷路時(shí)，在下面所述四個(gè)位置進(jìn)行四次激光焊接即可進(jìn)行修復(fù)第一個(gè)激光焊接位置是突起22a與數(shù)據(jù)線30的交疊處，圖5A和5B分別是該位置(即I-I方向)激光焊接前后的截面示意圖，焊接后斷路的數(shù)據(jù)線30的下側(cè)與遮光線22進(jìn)行了連接；第二個(gè)焊接位置是突起22b與修復(fù)線32的疊處，圖6A和6B是該位置(即II-II方向)激光焊接前后的截面示意圖，焊接后，外側(cè)遮光線22與修復(fù)線32進(jìn)行了連接，第三個(gè)焊接位置是在修復(fù)線32與修復(fù)襯墊23的交疊處，第四個(gè)焊接位置是在信號線30與修復(fù)襯墊23的交疊處，圖7A和7B是第三、四位置(即III-III方向)激光焊接前后的截面示意圖，焊接后，修復(fù)線32與斷路的信號線30的上側(cè)進(jìn)行了連接；通過以上四次激光焊接，斷路的信號線30就通過遮光線22、修復(fù)線32以及修復(fù)襯墊23進(jìn)行連接，達(dá)到修復(fù)目的。
同理也可以采用下述實(shí)施例二的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)對數(shù)據(jù)線斷路進(jìn)行激光修復(fù)，如圖3所示，當(dāng)數(shù)據(jù)線30在像素區(qū)間或是數(shù)據(jù)線30與柵極掃描線20的交界處發(fā)生斷路時(shí)，都可采用上述方法進(jìn)行修復(fù)，修復(fù)時(shí)在四個(gè)位置進(jìn)行四次激光焊接第一個(gè)激光焊接位置是在突起22a與數(shù)據(jù)線30的交疊處，焊接后斷路的數(shù)據(jù)線30的下側(cè)與遮光線22進(jìn)行了連接；第二個(gè)焊接位置是在外側(cè)遮光線22與修復(fù)線32交疊處，焊接后，外側(cè)遮光線22與修復(fù)線32進(jìn)行了連接；第三個(gè)焊接位置是在修復(fù)線32與修復(fù)襯墊23的交疊處，第四個(gè)焊接位置是在數(shù)據(jù)線30與修復(fù)襯墊23的交疊處，第三、四焊接后，修復(fù)線32與斷路的數(shù)據(jù)線30的上側(cè)進(jìn)行了連接；通過以上四次激光焊接，斷路的數(shù)據(jù)線30就通過遮光線22、修復(fù)線32以及修復(fù)襯墊23進(jìn)行了連接，實(shí)現(xiàn)修復(fù)。
實(shí)施例二圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的TFT基板結(jié)構(gòu)示意圖。
參照圖3，與實(shí)施例一提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)不同的是，本實(shí)施例中的外側(cè)遮光線22的上端無突起22b，修復(fù)線32形成在像素電極層上，修復(fù)線32和修復(fù)襯墊23及外側(cè)遮光線22的重疊交叉中間層還分別設(shè)置有與數(shù)據(jù)線30形成在同一金屬層(第二金屬層)上的修復(fù)襯墊33a和33b。
圖8是采用本發(fā)明實(shí)施例二對數(shù)據(jù)線與柵極掃描線交界處短路進(jìn)行修復(fù)的示意圖；圖9A和9B分別為修復(fù)前后沿圖8IV-IV方向的截面示意圖；圖10A和10B分別為修復(fù)前后沿圖8V-V方向的截面示意圖；圖11A和11B分別為修復(fù)前后沿圖8VI-VI方向的截面示意圖。
參照圖8，當(dāng)數(shù)據(jù)線30與柵極掃描線20的交界處發(fā)生短路時(shí)，先進(jìn)行兩次激光切割，然后進(jìn)行四次激光焊接即可進(jìn)行修復(fù)。兩次切割的位置是在柵極掃描線20與數(shù)據(jù)線30的交界處且在柵極掃描線20的兩側(cè)，第一個(gè)焊接位置是在數(shù)據(jù)線30與修復(fù)襯墊23的交疊處，圖9A，9B是通過兩個(gè)切割位置以及第一個(gè)焊接位置(即IV-IVI方向)激光焊接前后的截面示意圖，切割前數(shù)據(jù)線30與柵極掃描線20通過異物進(jìn)行了連接，從而造成不能正常顯示，切割后信號線30與柵極掃描線20彼此斷開；第二個(gè)焊接位置是在修復(fù)線32與修復(fù)襯墊23的交疊處，第三個(gè)焊接位置是在外側(cè)遮光線22與修復(fù)線32的交疊處，在第二和第三焊接處，在修復(fù)線32與修復(fù)襯墊23或外側(cè)遮光線22層之間還設(shè)有兩個(gè)中間層的修復(fù)襯墊33a和33b，圖10A，10B是第二個(gè)和第三個(gè)焊接位置(即V-V方向)激光焊接前后的截面示意圖，通過這兩個(gè)中間層的修復(fù)襯墊33a和33b，修復(fù)線32與外側(cè)遮光線22之間實(shí)現(xiàn)了良好的連接；第四個(gè)激光焊接位置是在突起22a與數(shù)據(jù)線30的交疊處，圖11A，11B是第四個(gè)焊接位置(即VI-VI方向)激光焊接前后的截面示意圖；通過兩次切割和四次激光焊接，數(shù)據(jù)線30與柵極掃描線20之間的短路被切割開來，數(shù)據(jù)線30通過饒行修復(fù)襯墊23、修復(fù)線32以及遮光線22實(shí)現(xiàn)了修復(fù)。
同理，也可以采用上述實(shí)施例一所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，對柵極掃描線20與數(shù)據(jù)線30的交界處短路進(jìn)行修復(fù)，如圖2所示，修復(fù)時(shí)先進(jìn)行兩次激光切割，然后進(jìn)行四次激光焊接。切割的兩位置同樣是在柵極掃描線20與數(shù)據(jù)線30的交界處且在柵極掃描線20的兩側(cè)，第一個(gè)焊接位置是在數(shù)據(jù)線30與修復(fù)襯墊23的交疊處；第二個(gè)焊接位置是在修復(fù)襯墊23與修復(fù)線32的交疊處，第三個(gè)焊接位置是在突起22b與修復(fù)線32交疊處，第四個(gè)焊接位置是在突起22a與數(shù)據(jù)線30的交疊處；通過兩次激光切割和四次激光焊接，數(shù)據(jù)線30與柵極掃描線20短路被切割開來，數(shù)據(jù)線30通過饒行修復(fù)襯墊23、修復(fù)線32以及遮光線22實(shí)現(xiàn)修復(fù)。
綜上所述，由于本發(fā)明的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)線30和柵極掃描線20的交界處設(shè)計(jì)了一段修復(fù)結(jié)構(gòu)，可以克服傳統(tǒng)技術(shù)中的缺點(diǎn)，既可修復(fù)像素區(qū)間的數(shù)據(jù)線30的斷路情況，也可修復(fù)數(shù)據(jù)線30和柵極掃描線20的交界處數(shù)據(jù)線斷路的情況，還可以對數(shù)據(jù)線30和柵極掃描線20交界處短路的情況進(jìn)行修復(fù)，而且修復(fù)方便簡單，是一種簡單實(shí)用的TFT基板結(jié)構(gòu)及修復(fù)方法。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括多條沿第一方向延伸的柵極掃描線(20)；多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線(30)，柵極掃描線(20)和數(shù)據(jù)線(30)交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管(31)和像素電極(40)；形成在與柵極掃描線(20)同一金屬層上的內(nèi)側(cè)遮光線(21)和外側(cè)遮光線(22)，并分布在數(shù)據(jù)線(30)的兩側(cè)；其中所述外側(cè)遮光線(22)或數(shù)據(jù)線(20)的一端至少有一突起(22a)，所述突起(22a)使外側(cè)遮光線(22)與數(shù)據(jù)線(30)交疊，外側(cè)遮光線(22)的另一端與橫跨柵極掃描線(20)的修復(fù)線(32)的一端交疊，修復(fù)線(32)的另一端與柵極掃描線(20)交疊的修復(fù)襯墊(23)交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述的突起(22a)由外側(cè)遮光線(22)朝向數(shù)據(jù)線(30)延伸形成，或由數(shù)據(jù)線(30)朝向外側(cè)遮光線(22)延伸形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述的外側(cè)遮光線(22)的上端向外形成有突起(22b)，所述修復(fù)線(32)和突起(22b)重疊交叉，且所述修復(fù)襯墊(23)與柵極掃描線(20)形成在同一金屬層上(第一金屬層)，所述修復(fù)線(32)與數(shù)據(jù)線(30)形成在同一金屬層上(第二金屬層)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于所述的修復(fù)線(32)和數(shù)據(jù)線(30)之間的距離大于等于6微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述的修復(fù)襯墊(23)與柵極掃描線(20)形成在同一金屬層上，所述修復(fù)線(32)形成在像素電極層上，所述修復(fù)線(32)和修復(fù)襯墊(23)及外側(cè)遮光線(22)的重疊交叉中間層還分別設(shè)置有與數(shù)據(jù)線(30)形成在同一金屬層上的修復(fù)襯墊(33a)和(33b)。
6.一種修復(fù)薄膜晶體管陣列基板的方法，包括形成在第一金屬層上并沿第一方向延伸的多條柵極掃描線(20)；形成在第二金屬層上并沿第二方向延伸的多條數(shù)據(jù)線(30)，柵極掃描線(20)和數(shù)據(jù)線(30)交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管(31)和像素電極(40)；形成在與柵極掃描線(20)同一金屬層上的內(nèi)側(cè)遮光線(21)和外側(cè)遮光線(22)，并分布在數(shù)據(jù)線(30)的兩側(cè)；其中所述外側(cè)遮光線(22)或數(shù)據(jù)線(20)的一端至少有一突起(22a)，所述突起(22a)使外側(cè)遮光線(22)與數(shù)據(jù)線(30)交疊，外側(cè)遮光線(22)的另一端與橫跨柵極掃描線(20)的修復(fù)線(32)的一端交疊，修復(fù)線(32)的另一端與柵極掃描線(20)交疊的修復(fù)襯墊(23)交疊；當(dāng)數(shù)據(jù)線(30)發(fā)生斷路時(shí)，在上述四個(gè)交疊處用激光進(jìn)行照射連接，使數(shù)據(jù)線(30)通過遮光線(22)、修復(fù)線(32)以及修復(fù)襯墊(23)進(jìn)行連接，形成繞開斷路部分的路徑。
7.一種修復(fù)薄膜晶體管陣列基板的方法，包括形成在第一金屬層上并沿第一方向延伸的多條柵極掃描線(20)；形成在第二金屬層上并沿第二方向延伸的多條數(shù)據(jù)線(30)，柵極掃描線(20)和數(shù)據(jù)線(30)交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管(31)和像素電極(40)；形成在與柵極掃描線(20)同一金屬層上的內(nèi)側(cè)遮光線(21)和外側(cè)遮光線(22)，并分布在數(shù)據(jù)線(30)的兩側(cè)；其中所述外側(cè)遮光線(22)或數(shù)據(jù)線(20)的一端至少有一突起(22a)，所述突起(22a)使外側(cè)遮光線(22)與數(shù)據(jù)線(30)交疊，外側(cè)遮光線(22)的另一端與橫跨柵極掃描線(20)的修復(fù)線(32)的一端交疊，修復(fù)線(32)的另一端與柵極掃描線(20)交疊的修復(fù)襯墊(23)交疊；當(dāng)數(shù)據(jù)線(30)發(fā)生短路時(shí)，首先在其短路處的兩側(cè)進(jìn)行激光切割，然后在上述四個(gè)交疊處用激光進(jìn)行照射連接，使數(shù)據(jù)線(30)通過遮光線(22)、修復(fù)線(32)以及修復(fù)襯墊(23)進(jìn)行連接，形成繞開短路部分的路徑。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種膜晶體管陣列基板及其修復(fù)方法，膜晶體管陣列基板包括多條沿第一方向延伸的柵極掃描線；多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，柵極掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像素電極；形成在與柵極掃描線同一金屬層上的內(nèi)側(cè)遮光線和外側(cè)遮光線，并分布在數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；其中所述外側(cè)遮光線或數(shù)據(jù)線的一端至少有一突起，所述突起使數(shù)據(jù)線與外側(cè)遮光線交疊，外側(cè)遮光線的另一端與橫跨柵極掃描線的修復(fù)線的一端交疊，修復(fù)線的另一端與柵極掃描線交疊的修復(fù)襯墊交疊；可修復(fù)數(shù)據(jù)線的斷路和短路缺陷。
文檔編號G02F1/13GK101051642SQ20071004020
公開日2007年10月10日 申請日期2007年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月28日
發(fā)明者張鋒 申請人:上海廣電光電子有限公司