具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板及驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板。一資料寫(xiě)入晶體管包含一第一控制端連接一第一控制信號(hào)、一第一端連接一資料線、及一第二端。一驅(qū)動(dòng)晶體管包含一第二控制端、一第三端、及一第四端。一儲(chǔ)存電容連接該第二端與該第二控制端。該補(bǔ)償晶體管包含一第三控制端連接一第二控制信號(hào)、一第五端連接該儲(chǔ)存電容、及一第六端連接該第四端。一補(bǔ)償電容連接該第三端與該第五端及該第二控制端。一導(dǎo)通晶體管包含一第四控制端連接一第三控制信號(hào)、一第七端連接該第四端及一第八端連接一有機(jī)發(fā)光二極管元件。
【專利說(shuō)明】
具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板及驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是關(guān)于液晶顯示設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板及驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLE)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管依背板工藝技術(shù)可區(qū)分為P-type及N-type驅(qū)動(dòng)型式。Ρ-type大都應(yīng)用LTPS背板技術(shù)，而Ν-type大都應(yīng)用于a_Si及IGZO背板技術(shù)。圖1 及圖 2 分別為已知 2TlC(two transistors one capacitor)的 P-type及N-type驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路，其分別搭配一般(Normal) OLED元件及反向(Inverted)OLED元件。
[0003]P-type驅(qū)動(dòng)晶體管PTFT_dri的柵源極電壓(Vgs)所對(duì)應(yīng)的電壓為資料電位及高電位ELVDD的電壓，其中高電位ELVDD為一固定相對(duì)高電位。N-type驅(qū)動(dòng)晶體管NTFT_dri的柵源極電壓(Vgs)所對(duì)應(yīng)的電壓則為資料電位及低電位ELVSS的電壓。高電位ELVDD及低電位ELVSS分別為一固定相對(duì)高電位及低電位且不隨時(shí)間變化。對(duì)于已知P-type驅(qū)動(dòng)晶體管PTFT_dri而言，其會(huì)有驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓偏移(threshold voltage deviat1n)的現(xiàn)象。亦即，LTPS的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓(threshold voltage, Vt)因多晶結(jié)晶工藝，容易造成區(qū)域性的Vt變異。亦即對(duì)二尺寸相同的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管而言，當(dāng)輸入同等驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，卻無(wú)法輸出相同的電流，而造成亮度不均勻(mura)或均勻性不佳的問(wèn)題。
[0004]圖3 為已知 6T1C (six transistors one capacitor)的P-type 驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路。圖4是3中已知6T1C的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓(Vt)的電壓補(bǔ)償?shù)臅r(shí)序圖。由于6T1C的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管使用6個(gè)晶體管T1T6及一個(gè)電容Cst，像素布局(layout)將被受限于元件數(shù)目太多，于現(xiàn)有工藝能力實(shí)無(wú)法達(dá)成高精細(xì)(> 300ppi)的要求。同時(shí)，補(bǔ)償時(shí)間將同等于每資料寫(xiě)入時(shí)間，而于高分辨率應(yīng)用時(shí)(例如:FHD_1080RGB*1920、QHD_1440RGB*2560)可能因補(bǔ)償時(shí)間太短(< 1us)，而導(dǎo)致補(bǔ)償效果不佳。因此，已知的像素電路仍有予以改善的空間。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的主要是在提供一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板及驅(qū)動(dòng)方法，可運(yùn)用于高PPI (Pixel Per Inch)產(chǎn)品，可讓補(bǔ)償周期的補(bǔ)償時(shí)間大于柵極線時(shí)間。同時(shí)，亦可避免該有機(jī)發(fā)光二極管元件OLED的暗態(tài)漏光及電壓衰退，且具有ELVDD電壓衰退的補(bǔ)償功能。
[0006]依據(jù)本發(fā)明的一特色，本發(fā)明提出一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，具有多個(gè)像素電路，所述像素電路包含一資料寫(xiě)入晶體管、一儲(chǔ)存電容、一驅(qū)動(dòng)晶體管、一補(bǔ)償晶體管、一補(bǔ)償電容、及一導(dǎo)通晶體管。該資料寫(xiě)入晶體管包含一第一控制端連接一第一控制信號(hào)、一第一端連接一資料線、及一第二端。該驅(qū)動(dòng)晶體管包含一第二控制端、一第三端、及一第四端。該儲(chǔ)存電容連接該第二端與該第二控制端。該補(bǔ)償晶體管包含一第三控制端連接一第二控制信號(hào)、一第五端連接該儲(chǔ)存電容、及一第六端連接該第四端。該補(bǔ)償電容連接該第三端與該第五端及該第二控制端。該導(dǎo)通晶體管包含一第四控制端連接一第三控制信號(hào)、一第七端連接該第四端及一第八端連接一有機(jī)發(fā)光二極管元件。
[0007]依據(jù)本發(fā)明的另一特色，本發(fā)明提出一種一具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板具有多個(gè)像素電路，該多個(gè)像素電路是依行列排列，以形成多個(gè)區(qū)塊，每一區(qū)塊具有N列像素，該方法是包含以N個(gè)第一控制信號(hào)、一第二控制信號(hào)、及一第三控制信號(hào)來(lái)控制每一區(qū)塊，該N個(gè)第一控制信號(hào)、該第二控制信號(hào)、及該第三控制信號(hào)分別依序產(chǎn)生相關(guān)控制信號(hào)，以使每一區(qū)塊具有一重置周期、一補(bǔ)償周期、一寫(xiě)入周期、及一發(fā)光周期，其中，該重置周期、補(bǔ)償周期、寫(xiě)入周期及發(fā)光周期為獨(dú)立操作，該補(bǔ)償周期的一補(bǔ)償時(shí)間大于一個(gè)柵極線時(shí)間。
【附圖說(shuō)明】
[0008]為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實(shí)施例及附圖詳細(xì)說(shuō)明如后，其中:
[0009]圖1為已知2T1C的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路。
[0010]圖2為已知2T1C的N-type驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路。
[0011]圖3為已知6T1C的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路。
[0012]圖4是圖3中已知6T1C的P_type驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓的電壓補(bǔ)償?shù)臅r(shí)序圖。
[0013]圖5是本發(fā)明具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的示意圖。
[0014]圖6是本發(fā)明的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐返碾娐穲D。
[0015]圖7是本發(fā)明的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐返臅r(shí)序圖。
[0016]圖8是本發(fā)明圖6中各個(gè)晶體管的狀態(tài)示意圖。
[0017]圖9是本發(fā)明圖6中各個(gè)節(jié)點(diǎn)的電壓示意圖。
[0018]圖10是本發(fā)明的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐返牧硪浑娐穲D。
[0019]圖11是本發(fā)明的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐返挠忠浑娐穲D。
[0020]圖12是本發(fā)明具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的運(yùn)作示意圖。
[0021]圖13是本發(fā)明具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]圖5是本發(fā)明具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的示意圖。該具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板500具有多個(gè)具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?00，每一像素電路600用以驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的一有機(jī)發(fā)光二極管元件以進(jìn)行顯示，如圖6所示其中一像素電路600的電路圖，該具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?00包含一資料寫(xiě)入晶體管T2、一儲(chǔ)存電容Cl、一驅(qū)動(dòng)晶體管T_dr1、一補(bǔ)償晶體管T3、一補(bǔ)償電容C2、及一導(dǎo)通晶體管T4。
[0023]該資料寫(xiě)入晶體管T2包含一第一控制端601連接一第一控制信號(hào)SN_n、一第一端602連接一資料線Data、及一第二端603。該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri包含一第二控制端604、一第三端605、及一第四端606。該儲(chǔ)存電容Cl連接該第二端603與該第二控制端604。該補(bǔ)償晶體管T3包含一第三控制端607連接一第二控制信號(hào)Com_n、一第五端608連接該儲(chǔ)存電容、及一第六端609連接該第四端606。該補(bǔ)償電容C2連接該第三端605與該第五端608及該第二控制端604。該導(dǎo)通晶體管T4包含一第四控制端609連接一第三控制信號(hào)Em_n、一第七端610連接該第四端606及一第八端611連接一有機(jī)發(fā)光二極管元件OLED。
[0024]該資料寫(xiě)入晶體管T2用以寫(xiě)入一顯示資料或一重置資料Vrst。該儲(chǔ)存電容Cl耦合至該資料寫(xiě)入晶體管T2，用以暫存該顯示資料或該重置資料Vrst。該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri耦合至該儲(chǔ)存電容Cl，用以產(chǎn)生一均勻的驅(qū)動(dòng)電流。該補(bǔ)償晶體管T3耦合至該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri，用以對(duì)該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的臨界電壓(threshold voltage, Vth)進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償電容C2耦合至該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri，用以暫存該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的臨界電壓Vth。該導(dǎo)通晶體管T4耦合至該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri及一有機(jī)發(fā)光二極管元件0LED，以使該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的該驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)，俾驅(qū)動(dòng)該有機(jī)發(fā)光二極管元件0LED，其中，該補(bǔ)償晶體管T3偵測(cè)該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的臨界電壓Vth，并將的儲(chǔ)存于該儲(chǔ)存電容Cl或該補(bǔ)償電容C2中。
[0025]如圖6所示，該資料寫(xiě)入晶體管T2的柵極是連接以接收一第一控制信號(hào)SN_n，其源極連接至一資料線Data，其漏極連接至一第一節(jié)點(diǎn)N。該儲(chǔ)存電容Cl的一端連接至該第一節(jié)點(diǎn)N，其另一端連接至一第二節(jié)點(diǎn)G。該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的柵極連接至該第二節(jié)點(diǎn)G，其源極連接至一第三節(jié)點(diǎn)S以進(jìn)而連接至一高電位ELVDD，其漏極連接至一第四節(jié)點(diǎn)D。該補(bǔ)償晶體管T3的柵極是連接以接收一第二控制信號(hào)Com_n，其源極/漏極連接至該第二節(jié)點(diǎn)G，其漏極/源極連接至該第四節(jié)點(diǎn)D。該補(bǔ)償電容C2的一端連接至該第二節(jié)點(diǎn)G，其另一端連接至該第三節(jié)點(diǎn)S。該導(dǎo)通晶體管T4的柵極連接以接收一第三控制信號(hào)Em_n，其源極連接至該第四節(jié)點(diǎn)D，其漏極連接至該有機(jī)發(fā)光二極管元件0LED。該有機(jī)發(fā)光二極管元件OLED的另一端連接至一低電位ELVSS。
[0026]本發(fā)明的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?00更具有一參考電壓電容C3，該參考電壓電容C3的一端連接至該第四節(jié)點(diǎn)D，其另一端連接至一參考電壓VREF，該VREF可為任一直流電壓(DC Bias)，如 ELVDD、ELVSS。
[0027]圖7是本發(fā)明的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?00的時(shí)序圖。圖8是圖6中各個(gè)晶體管的狀態(tài)示意圖。圖9是圖6中各個(gè)節(jié)點(diǎn)的電壓示意圖。
[0028]請(qǐng)一并參考圖6、圖7、圖8及圖9，于一重置周期時(shí)，該第一控制信號(hào)SN_n為一控制低電位(VSS)、第二控制信號(hào)Com_n為一控制高電位(VDD)、第三控制信號(hào)Em_n為一控制低電位(VSS)。該控制高電位(VDD)的電壓位準(zhǔn)可相同于該高電位ELVDD的電壓位準(zhǔn)，亦可異于該高電位ELVDD的電壓位準(zhǔn)。該控制低電位(VSS)的電壓位準(zhǔn)可相同于該低電位ELVSS的電壓位準(zhǔn)，亦可異于該低電位ELVSS的電壓位準(zhǔn)。
[0029]于該重置周期時(shí)，該資料寫(xiě)入晶體管T2及該導(dǎo)通晶體管T4是導(dǎo)通，該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri及該補(bǔ)償晶體管T3是關(guān)閉，資料線(Data)上為一重置資料(Vrst)，因此節(jié)點(diǎn)N被重置，其上的電壓為Vrst，并通過(guò)該儲(chǔ)存電容Cl將電壓Vrst耦合至節(jié)點(diǎn)G。該驅(qū)動(dòng)晶體管(T_dri)的柵極(G)電壓為:
[0030]VG = ELVDD+Vth+ (Data，-Vrst) * (Π_1)， (I)
[0031]當(dāng)中，fl= Cl/ (Cl+C2+C_paras)，亦即 fl < 1，C_paras 為該驅(qū)動(dòng)晶體管 T_dri 的柵極的雜散電容，Data’為一前一畫(huà)面周期的一顯示資料，Vrst為于該重置周期時(shí)所寫(xiě)入的該重置資料ELVDD為該高電位ELVDD的電壓值。且Data’小于Vrst，所以該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的柵極(或節(jié)點(diǎn)G)的電位大于ELVDD+Vth并足以使該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri處于關(guān)閉狀態(tài)(OFF)。而節(jié)點(diǎn)D電位為亦因該導(dǎo)通晶體管T4開(kāi)啟而被重置于Voled(O)，其中Voled(O)為該有機(jī)發(fā)光二極管元件OLED的臨界電壓。節(jié)點(diǎn)S的電位為ELVDD。于該重置(Reset)周期時(shí)無(wú)任何電流路徑存在于該有機(jī)發(fā)光二極管元件0LED，故可避免該有機(jī)發(fā)光二極管元件OLED暗態(tài)漏光及電壓衰退(TR Drop)。
[0032]于一補(bǔ)償周期時(shí)，該第一控制信號(hào)SN_n為控制低電位(VSS)、第二控制信號(hào)Com_n為控制低電位(VSS)、第三控制信號(hào)Em_n為控制高電位(VDD)。該資料寫(xiě)入晶體管T2及該補(bǔ)償晶體管T3是導(dǎo)通，該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri及該導(dǎo)通晶體管T4是關(guān)閉。該補(bǔ)償晶體管T3是導(dǎo)通，故參考電壓電容C3與儲(chǔ)存電容Cl及補(bǔ)償電容C2進(jìn)行電荷分享(charge sharing)，亦即該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的柵極與該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的漏極通過(guò)該補(bǔ)償晶體管T3做一電荷分享(Charge sharing)。此時(shí)該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri為二極管連接(d1de connect1n)而處于導(dǎo)通(0N)。然后該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的柵極慢慢放電至ELVDD+Vth，以完成該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的該臨界電壓(threshold voltage)偵測(cè)、并將的儲(chǔ)存于該儲(chǔ)存電容Cl及該補(bǔ)償電容C2。由于該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的柵極放電至ELVDD+Vth，故于補(bǔ)償周期中，該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri只有在補(bǔ)償周期剛開(kāi)始時(shí)導(dǎo)通，而在補(bǔ)償周期大部分時(shí)間中為關(guān)閉。上述的參考電壓電容C3亦可為寄生電容，亦即參考電壓電容C3可為非實(shí)體電容。
[0033]于一寫(xiě)入周期時(shí)，該第一控制信號(hào)SN_n為控制低電位(VSS)、第二控制信號(hào)Com_n為控制高電位(VDD)、第三控制信號(hào)Em_n為控制高電位(VDD)。該資料寫(xiě)入晶體管T2及該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri是導(dǎo)通，該補(bǔ)償晶體管T3及該導(dǎo)通晶體管T4是關(guān)閉，該資料寫(xiě)入晶體管T2是導(dǎo)通，以將該顯示資料寫(xiě)入并儲(chǔ)存于該儲(chǔ)存電容Cl中。該資料寫(xiě)入晶體管T2開(kāi)啟并將一顯示資料Data寫(xiě)入節(jié)點(diǎn)N，進(jìn)而該顯示資料Data被儲(chǔ)存電容Cl親合至節(jié)點(diǎn)G，故節(jié)點(diǎn)G的電壓為:
[0034]VG = ELVDD+Vth+(Data-Vrst)*fl， (2)
[0035]其中，Data為一現(xiàn)行畫(huà)面的一顯示資料。在此寫(xiě)入(Program)周期中需使該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri處于一開(kāi)啟狀態(tài)，亦即V6< ELVDD+Vth，所以可從⑵式中可以得出以下關(guān)系式:
[0036]Data Vrst。 (3)
[0037]于一發(fā)光周期時(shí)，該第一控制信號(hào)SN_n為控制高電位(VDD)、第二控制信號(hào)Com_n為控制高電位(VDD)、第三控制信號(hào)Em_n為控制低電位(VSS)。該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri及該導(dǎo)通晶體管T4是導(dǎo)通，該資料寫(xiě)入晶體管T2及該補(bǔ)償晶體管(T3)是關(guān)閉，該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的電流為:
[0038]I_T_dri= I_0LED= Kp* (Vgs-Vth) 2= Kpn* [ {Data-Vrst} *fl] 2， (4)
[0039]當(dāng)中，Vrst為該重置周期時(shí)所寫(xiě)入的該重置信號(hào)，Data為寫(xiě)入周期時(shí)所寫(xiě)入的該顯示資料，Kpn為該驅(qū)動(dòng)晶體管T_dri的晶體管傳導(dǎo)參數(shù)(transistor transconductanceparameter)，Kpn = l/2uCox*W/L，u為載子移動(dòng)率，Cox為單位面積電容，W/L為寛長(zhǎng)比。
[0040]由前述說(shuō)明可知，本發(fā)明的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?00為4T2C(fourtransistors two capacitors)的驅(qū)動(dòng)電路，且該補(bǔ)償周期及該寫(xiě)入周期為獨(dú)立操作，因此補(bǔ)償時(shí)間可以通過(guò)調(diào)整該補(bǔ)償周期的時(shí)間寬度及相關(guān)信號(hào)位置，即可增加或減少補(bǔ)償時(shí)間，而不被局限于一個(gè)資料寫(xiě)入時(shí)間(scan line time)。亦即該補(bǔ)償周期的一補(bǔ)償時(shí)間是大于一柵極線(Gate line)時(shí)間。故本發(fā)明技術(shù)可運(yùn)用于大尺寸及高分辨率面板上。
[0041]同時(shí)，由公式⑷中并沒(méi)有高電位ELVDD，故本發(fā)明技術(shù)具有ELVDD電壓衰退(IRDrop)的補(bǔ)償功能。
[0042]圖10是本發(fā)明具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?000的另一電路圖。圖10是圖6的對(duì)耦電路。圖11是本發(fā)明具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)南袼仉娐?100的又一電路圖。圖11與圖10的差異是將補(bǔ)償電容C2的一端由連接至該驅(qū)動(dòng)晶體管乙辦丨的柵極改為連接至該資料寫(xiě)入晶體管T2的源極/漏極。圖10及圖11的工作原理與圖6相同，是熟于該技術(shù)者基于本發(fā)明所揭露的技術(shù)可以完成，故不再贅述。
[0043]圖12是本發(fā)明一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的運(yùn)作示意圖。圖13是本發(fā)明一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序圖。如圖12所示，該多個(gè)像素電路是依行列排列，以形成多個(gè)區(qū)塊(band)，每一區(qū)塊具有N列像素電路，其中Data_m、Data_m+1、…代表顯示面板的各資料線。該方法是包含以N個(gè)第一控制信號(hào)(SN_n)、一第二控制信號(hào)(Com_n)、及一第三控制信號(hào)(Em_n)來(lái)控制每一區(qū)塊(band)，該N個(gè)第一控制信號(hào)(SN_n)、該第二控制信號(hào)(Com_n)、及該第三控制信號(hào)(Em_η)分別依序產(chǎn)生相關(guān)控制信號(hào)，以使每一區(qū)塊(band)具有一重置(Reset)周期、一補(bǔ)償(Comp)周期、多個(gè)寫(xiě)入(Prog)周期、及一發(fā)光(Emitting)周期。于本實(shí)施例中，N = 3。該重置(Reset)周期的時(shí)間為Trst，補(bǔ)償(Comp)周期的時(shí)間為Tcom，寫(xiě)入(Prog)周期的時(shí)間為Ts。
[0044]如圖13所示，該重置(Reset)周期、補(bǔ)償(Comp)周期、及寫(xiě)入(Prog_N，Prog_N+l，…)周期及發(fā)光(Emitting)周期為獨(dú)立操作，該寫(xiě)入(Prog)周期是每個(gè)區(qū)塊(band)依序進(jìn)行序列掃描。由于該補(bǔ)償(Comp)周期及寫(xiě)入(Prog_N，Prog_N+l，…)周期為獨(dú)立操作，故該補(bǔ)償(Comp)周期的一補(bǔ)償時(shí)間(Tcom)是大于一個(gè)柵極線時(shí)間。
[0045]由前述說(shuō)明可知，本發(fā)明是4T2C的驅(qū)動(dòng)電路，故相較于6T1C的驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明占有較小的布局面積(layout area)，可運(yùn)用于高PPI (Pixel Per Inch)產(chǎn)品。且該補(bǔ)償周期及該寫(xiě)入周期為獨(dú)立操作，因此該補(bǔ)償周期的一補(bǔ)償時(shí)間是大于一柵極線時(shí)間，故本發(fā)明技術(shù)可運(yùn)用于大尺寸及高分辨率面板上。同時(shí)，可避免該有機(jī)發(fā)光二極管元件OLED暗態(tài)漏光及電壓衰退，且具有ELVDD電壓衰退的補(bǔ)償功能。
[0046]上述實(shí)施例僅是為了方便說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，具有多個(gè)像素電路，所述像素電路包含: 一資料寫(xiě)入晶體管，包含一第一控制端連接一第一控制信號(hào)、一第一端連接一資料線及一第二端； 一驅(qū)動(dòng)晶體管，包含一第二控制端、一第三端及一第四端； 一儲(chǔ)存電容，連接該第二端與該第二控制端； 一補(bǔ)償晶體管，包含一第三控制端連接一第二控制信號(hào)、一第五端連接該儲(chǔ)存電容及一第六端連接該第四端； 一補(bǔ)償電容，連接該第三端與該第五端及該第二控制端；以及 一導(dǎo)通晶體管，包含一第四控制端連接一第三控制信號(hào)、一第七端連接該第四端及一第八端連接一有機(jī)發(fā)光二極管元件。2.如權(quán)利要求1所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其中，于一發(fā)光周期時(shí)，該驅(qū)動(dòng)晶體管的該驅(qū)動(dòng)電流與該驅(qū)動(dòng)晶體管的該臨界電壓無(wú)關(guān)。3.如權(quán)利要求2所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其中，該資料寫(xiě)入晶體管的柵極接收該第一控制信號(hào)，其源極連接至該資料線，其漏極連接至一第一節(jié)點(diǎn)，該儲(chǔ)存電容的一端連接至該第一節(jié)點(diǎn)，其另一端連接至一第二節(jié)點(diǎn)，該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接至該第二節(jié)點(diǎn)，其源極連接至一第三節(jié)點(diǎn)以進(jìn)而連接至一高電位，其漏極連接至一第四節(jié)點(diǎn)，該補(bǔ)償晶體管的柵極連接以接收該第二控制信號(hào)，其源極/漏極連接至該第二節(jié)點(diǎn)，其漏極/源極連接至該第四節(jié)點(diǎn)，該補(bǔ)償電容的一端連接至該第二節(jié)點(diǎn)，其另一端連接至該第三節(jié)點(diǎn)，該導(dǎo)通晶體管的柵極連接以接收一第三控制信號(hào)，其源極連接至該第四節(jié)點(diǎn)，其漏極連接至該有機(jī)發(fā)光二極管元件。4.如權(quán)利要求2所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其中，于一重置周期時(shí)，該資料寫(xiě)入晶體管及該導(dǎo)通晶體管導(dǎo)通，該驅(qū)動(dòng)晶體管及該補(bǔ)償晶體管關(guān)閉，該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓為:VG = ELVDD+Vth+ (Data> Vrst)*(fll)， 當(dāng)中，fl = Cl/(Cl+C2+C_paras)，C_paras為該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的雜散電容，Data’為一前一畫(huà)面周期的一顯示資料，Vrst為于該重置周期時(shí)所寫(xiě)入的該重置資料。5.如權(quán)利要求4所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其中，于一補(bǔ)償周期時(shí)，該資料寫(xiě)入晶體管及該補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，該驅(qū)動(dòng)晶體管及該導(dǎo)通晶體管關(guān)閉，該補(bǔ)償晶體管導(dǎo)通，該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與該驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極通過(guò)該補(bǔ)償晶體管做一電荷分享，且使該驅(qū)動(dòng)晶體管為二極管連接，以完成該驅(qū)動(dòng)晶體管的該臨界電壓偵測(cè)、并將之儲(chǔ)存于該儲(chǔ)存電容及該補(bǔ)償電容。6.如權(quán)利要求5所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其中，于一寫(xiě)入周期時(shí)，該資料寫(xiě)入晶體管及該驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通，該補(bǔ)償晶體管及該導(dǎo)通晶體管關(guān)閉，該資料寫(xiě)入晶體管導(dǎo)通，以將該顯示資料寫(xiě)入并儲(chǔ)存于該儲(chǔ)存電容中。7.如權(quán)利要求6所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其中，該補(bǔ)償周期及該寫(xiě)入周期為獨(dú)立操作，該補(bǔ)償周期的一補(bǔ)償時(shí)間大于一柵極線時(shí)間。8.如權(quán)利要求7所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其中，于該發(fā)光周期時(shí)，該驅(qū)動(dòng)晶體管及該導(dǎo)通晶體管導(dǎo)通，該資料寫(xiě)入晶體管及該補(bǔ)償晶體管關(guān)閉，該驅(qū)動(dòng)晶體管的電流為: I—t—dri= I —OLED= Kp* (Vgs-Vth) 2= Kpn* [ {Data-Vrst} *f I] 2， 當(dāng)中，Vrst為該重置周期時(shí)所寫(xiě)入的該重置信號(hào)，Data為寫(xiě)入周期時(shí)所寫(xiě)入的該顯示資料，Kpn為該驅(qū)動(dòng)晶體管的晶體管傳導(dǎo)參數(shù)，Kpn= l/2uCox*W/L，u為載子移動(dòng)率，Cox為單位面積電容，W/L為寛長(zhǎng)比。9.一種具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板具有多個(gè)像素電路，該多個(gè)像素電路依行列排列，以形成多個(gè)區(qū)塊，每一區(qū)塊具有N列像素電路，該方法包含以N個(gè)第一控制信號(hào)、一第二控制信號(hào)、及一第三控制信號(hào)來(lái)控制每一區(qū)塊，該N個(gè)第一控制信號(hào)、該第二控制信號(hào)、及該第三控制信號(hào)分別依序產(chǎn)生相關(guān)控制信號(hào)，以使每一區(qū)塊具有一重置周期、一補(bǔ)償周期、一寫(xiě)入周期、及一發(fā)光周期， 其中，該重置周期、補(bǔ)償周期、寫(xiě)入周期及發(fā)光周期為獨(dú)立操作，該補(bǔ)償周期的一補(bǔ)償時(shí)間大于一個(gè)柵極線時(shí)間。10.如權(quán)利要求9所述的具有臨界電壓補(bǔ)償?shù)挠袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法，其中，該寫(xiě)入周期是每個(gè)區(qū)塊依序進(jìn)行序列掃描。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK105989796SQ201510059887
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月5日
【發(fā)明人】曾名駿, 郭拱辰
【申請(qǐng)人】群創(chuàng)光電股份有限公司