鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物以及作為其復(fù)合氧化物的氧化銦鎵鋅(InGaZnO4)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦鋯(In-Zr-O)、銦鋯鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦鋯錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦鋯鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、銦鋅鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銅錫招氧化物(In-Sn-Al-O)、銅招嫁氧化物(In-Al-Ga-O)、氧化銦鉭(In-Ta-O)、銦鉭鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦鉭錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦鉭鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、銦鍺鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦鍺錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦鍺鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦銦鋅氧化物(T1-1n-Zn-O)和鉿銦鋅氧化物(Hf-1n-Zn-O)中的任意一種。在半導(dǎo)體130由氧化物半導(dǎo)體材料制成的情況下，可以增加用于保護(hù)易受諸如高溫的外部環(huán)境的傷害的氧化物半導(dǎo)體材料的單獨(dú)的鈍化層。
[0079]半導(dǎo)體130包括溝道摻雜有N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)的溝道131以及形成在溝道的相應(yīng)側(cè)并摻雜有類型與在溝道上摻雜的摻雜雜質(zhì)的類型相反的摻雜雜質(zhì)的源極摻雜部分和漏極摻雜部分。在示例實(shí)施例中，源極摻雜部分和漏極摻雜部分分別與源電極和漏電極對(duì)應(yīng)。形成在半導(dǎo)體130中的源電極和漏電極可以通過(guò)僅摻雜對(duì)應(yīng)的區(qū)域來(lái)形成。此外，在半導(dǎo)體130中，不同晶體管的源電極和漏電極之間的區(qū)域被摻雜，因此源電極和漏電極可以彼此電連接。
[0080]如圖4所示，溝道131包括形成在驅(qū)動(dòng)晶體管Tl中的驅(qū)動(dòng)溝道131a、形成在開(kāi)關(guān)晶體管T2中的開(kāi)關(guān)溝道131b、形成在補(bǔ)償晶體管T3中的補(bǔ)償溝道131c (例如，包括第一補(bǔ)償溝道131cl和第二補(bǔ)償溝道131c2的補(bǔ)償溝道131c)、形成在初始化晶體管T4中的初始化溝道131d(例如，包括第一初始化溝道131dl和第二初始化溝道131d2的初始化溝道13Id)、形成在操作控制晶體管T5中的操作控制溝道13Ie、形成在發(fā)光控制晶體管T6中的發(fā)光控制溝道131f和形成在旁路晶體管T7中的旁路溝道131g。
[0081]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl包括驅(qū)動(dòng)溝道131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a。驅(qū)動(dòng)溝道131a是彎曲的并且可以具有蜿蜒的形狀或Z字形形狀。這樣，通過(guò)形成彎曲的驅(qū)動(dòng)溝道131a，驅(qū)動(dòng)溝道131a可以形成為在狹窄的空間中延長(zhǎng)。因此，施加到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的柵極電壓的驅(qū)動(dòng)范圍通過(guò)延長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)溝道131a而增大。由于柵極電壓的驅(qū)動(dòng)范圍增大，因此可以通過(guò)改變柵極電壓的大小來(lái)控制(例如，精細(xì)地控制)從有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)射的光的灰階，結(jié)果，可以提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的分辨率并且可以改善顯示質(zhì)量?？梢酝ㄟ^(guò)各種各樣地修改驅(qū)動(dòng)溝道131a的形狀來(lái)實(shí)施諸如“反轉(zhuǎn)S”、“S”、“Μ”和“W”的各種示例。
[0082]驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a與驅(qū)動(dòng)溝道131a疊置，驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a不與驅(qū)動(dòng)溝道131a疊置。
[0083]開(kāi)關(guān)晶體管T2包括開(kāi)關(guān)溝道131b、開(kāi)關(guān)柵電極155b、開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b。作為從掃描線121向下延伸的一部分的開(kāi)關(guān)柵電極155b與開(kāi)關(guān)溝道131b疊置，開(kāi)關(guān)源電極136b和開(kāi)關(guān)漏電極137b不與開(kāi)關(guān)溝道131b疊置。開(kāi)關(guān)源電極136b通過(guò)接觸孔62與數(shù)據(jù)線171連接。
[0084]為了減少(或防止)漏電流而形成了兩個(gè)補(bǔ)償晶體管T3，這兩個(gè)補(bǔ)償晶體管T3包括彼此鄰近的第一補(bǔ)償晶體管T3-1和第二補(bǔ)償晶體管T3-2。第一補(bǔ)償晶體管T3-1位于掃描線121周圍，第二補(bǔ)償晶體管T3-2位于掃描線121的突起物的周圍。第一補(bǔ)償晶體管T3-1包括第一補(bǔ)償溝道131cl、第一補(bǔ)償柵電極155cl、第一補(bǔ)償源電極136cl和第一補(bǔ)償漏電極137cl，第二補(bǔ)償晶體管T3-2包括第二補(bǔ)償溝道131c2、第二補(bǔ)償柵電極155c2、第二補(bǔ)償源電極136c2和第二補(bǔ)償漏電極137c2。
[0085]作為掃描線121的一部分的第一補(bǔ)償柵電極155cl與第一補(bǔ)償溝道131cl疊置，第一補(bǔ)償源電極136cl和第一補(bǔ)償漏電極137cl不與第一補(bǔ)償溝道131cl疊置。第一補(bǔ)償源電極136cl與發(fā)光控制源電極136f和驅(qū)動(dòng)漏電極137a連接，第一補(bǔ)償漏電極137cl與第二補(bǔ)償源電極136c2連接。
[0086]作為從掃描線121向上突出的突起物的第二補(bǔ)償柵電極155c2與第二補(bǔ)償溝道131c2疊置，第二補(bǔ)償源電極136c2和第二補(bǔ)償漏電極137c2不與第二補(bǔ)償溝道131c2疊置。第二補(bǔ)償漏電極137c2通過(guò)接觸孔63與第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件(或第一數(shù)據(jù)連接器)174連接。
[0087]為了減少(或防止)漏電流而形成了兩個(gè)初始化晶體管T4，這兩個(gè)初始化晶體管T4包括彼此鄰近的第一初始化晶體管T4-1和第二初始化晶體管T4-2。第一初始化晶體管T4-1位于先前掃描線122周圍，第二初始化晶體管T4-2位于先前掃描線122的突起物的周圍。第一初始化晶體管T4-1包括第一初始化溝道131dl、第一初始化柵電極155dl、第一初始化源電極136dl和第一初始化漏電極137dl，第二初始化晶體管T4-2包括第二初始化溝道13ld2、第二初始化柵電極155d2、第二初始化源電極136d2和第二初始化漏電極137d2。
[0088]作為先前掃描線122的一部分的第一初始化柵電極155dl與第一初始化溝道131dl疊置，第一初始化源電極136dl和第一初始化漏電極137dl不與第一初始化溝道131dl疊置。第一初始化源電極136dl通過(guò)接觸孔64與第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件(或第二數(shù)據(jù)連接器)175連接，第一初始化漏電極137dl與第二初始化源電極136d2連接。
[0089]作為從先前掃描線122向下突出的突起物的第二初始化柵電極155d2與第二初始化溝道131d2疊置，第二初始化源電極136d2和第二初始化漏電極137d2不與第二初始化溝道131d2疊置。第二初始化漏電極137d2通過(guò)接觸孔63與第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174連接。
[0090]這樣，根據(jù)實(shí)施例，補(bǔ)償晶體管T3包括諸如第一補(bǔ)償晶體管T3-1和第二補(bǔ)償晶體管T3-2的兩個(gè)晶體管，初始化晶體管T4包括諸如第一初始化晶體管T4-1和第二初始化晶體管T4-2的兩個(gè)晶體管，結(jié)果，能夠通過(guò)阻擋處于截止?fàn)顟B(tài)的半導(dǎo)體130的電子移動(dòng)路徑來(lái)更有效地減少(或防止)漏電流的產(chǎn)生。
[0091]操作控制晶體管T5包括操作控制溝道131e、操作控制柵電極155e、操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e。作為發(fā)光控制線123的一部分的操作控制柵電極155e與操作控制溝道131e疊置，而不與操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e疊置。操作控制源電極136e通過(guò)接觸孔65與驅(qū)動(dòng)電壓線172的一部分連接。
[0092]發(fā)光控制晶體管T6包括發(fā)光控制溝道131f、發(fā)光控制柵電極155f、發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f。作為發(fā)光控制線123的一部分的發(fā)光控制柵電極155f與發(fā)光控制溝道131f疊置，而不與發(fā)光控制源電極136f和發(fā)光控制漏電極137f疊置。發(fā)光控制漏電極137f通過(guò)接觸孔66與第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件(或第三數(shù)據(jù)連接器)179連接。
[0093]旁路晶體管T7包括旁路溝道131g、旁路柵電極155g、旁路源電極136g和旁路漏電極137g。作為旁路控制線128的一部分的旁路柵電極155g與旁路溝道131g疊置，而不與旁路源電極136g和旁路漏電極137g疊置。旁路源電極136g與發(fā)光控制漏電極137f直接連接，旁路漏電極137g通過(guò)接觸孔67與第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175連接。
[0094]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的驅(qū)動(dòng)溝道131a的一端與開(kāi)關(guān)漏電極137b和操作控制漏電極137e連接，驅(qū)動(dòng)溝道131a的另一端與補(bǔ)償源電極136c和發(fā)光控制源電極136f連接。
[0095]存儲(chǔ)電容器Cst包括第一存儲(chǔ)電極155a和第二存儲(chǔ)電極178，在第一存儲(chǔ)電極155a和第二存儲(chǔ)電極178之間設(shè)置有第二絕緣層160。第一存儲(chǔ)電極155a對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a，第二存儲(chǔ)電極178是第一驅(qū)動(dòng)電壓線172a的延伸區(qū)域并對(duì)于每個(gè)像素逐個(gè)形成。在一個(gè)實(shí)施例中，第二絕緣層160是介電材料，存儲(chǔ)電容是由存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中的電荷以及兩個(gè)電極155a和178之間的電壓確定的。這樣，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a被用作第一存儲(chǔ)電極155a，結(jié)果，由于驅(qū)動(dòng)溝道131a在像素中具有大面積，因此能夠提供(或確保)可使用較少空間形成存儲(chǔ)電容器的空間。
[0096]第一存儲(chǔ)電極155a (其為驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a)通過(guò)接觸孔61與第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174連接。第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174形成在同一層上以基本上平行于數(shù)據(jù)線171，并且連接驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a與第二補(bǔ)償晶體管T3-2的第二補(bǔ)償漏電極137c2和第二初始化晶體管T4-2的第二初始化漏電極137d2。
[0097]因此，存儲(chǔ)電容器Cst存儲(chǔ)與通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)電壓線172a傳遞到第二存儲(chǔ)電極178的驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的柵極電壓之差對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容。
[0098]存儲(chǔ)電容器Cst可以在平面上具有基本上矩形的形狀，并且包括主單元(或主部分)Cst1、存儲(chǔ)補(bǔ)償單元(或存儲(chǔ)補(bǔ)償器)Cst2和連接單元(或連接器)Cst3。在圖5中，存儲(chǔ)補(bǔ)償單元Cst2形成在具有矩形形狀的存儲(chǔ)電容器Cst的左下側(cè)，連接單元Cst3形成在具有矩形形狀的存儲(chǔ)電容器Cst的右上側(cè)，主單元Cstl與除了連接單元Cst3和存儲(chǔ)補(bǔ)償單元Cst2之外的大部分區(qū)域?qū)?yīng)。具體地，連接單元Cst3對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174通過(guò)接觸孔61與第一存儲(chǔ)電極155a連接的部分。
[0099]如圖5所示，在主單元Cstl中，第二存儲(chǔ)電極178的邊緣71與第一存儲(chǔ)電極155a的邊緣51分隔開(kāi)主余量寬度xl和yl而被定位在邊緣51的外部。即，大部分第二存儲(chǔ)電極178覆蓋第一存儲(chǔ)電極155a以最大地提供(或確保)存儲(chǔ)電容器Cst的存儲(chǔ)電容。主余量寬度xl和yl包括作為豎直邊緣之間的距離的主水平余量寬度xl和作為水平邊緣之間的距離的主豎直余量寬度yl。
[0100]存儲(chǔ)補(bǔ)償單元Cst2被定位為在對(duì)角線上面對(duì)連接單元Cst3。在存儲(chǔ)補(bǔ)償單元Cst2中，第二存儲(chǔ)電極178的邊緣72與第一存儲(chǔ)電極155a的邊緣52分隔開(kāi)補(bǔ)償余量寬度x2和y2而被定位在邊緣52的內(nèi)部(例如，沿朝向第二存儲(chǔ)電極178的中心的方向從第一存儲(chǔ)電極155a的邊緣52偏離)。詳細(xì)地，存儲(chǔ)補(bǔ)償單元Cst2的第一存儲(chǔ)電極155a的邊緣對(duì)應(yīng)于第一切角部分52，其中，第一切角部分52在具有基本上矩形形狀的第一存儲(chǔ)電極155a的角部分處凹進(jìn)，存儲(chǔ)補(bǔ)償單元Cst2的第二存儲(chǔ)電極178的邊緣對(duì)應(yīng)于第二切角部分72，其中，第二切角部分72在具有基本上矩形形狀的第二存儲(chǔ)電極178的角部分處凹進(jìn)。另外，第二切角部分72與第一切角部分52分隔開(kāi)補(bǔ)償余量寬度x2和y2而被定位在第一切角部分52的內(nèi)部(例如，沿朝向第二存儲(chǔ)電極178的中心的方向從第一切角部分52偏咼)。
[0101]補(bǔ)償余量寬度x2和y2包括作為豎直邊緣之間的距離的補(bǔ)償水平余量寬度x2和作為水平邊緣之間的距離的補(bǔ)償豎直余量寬度12。
[0102]另外，在連接單元Cst3中，第二存儲(chǔ)電極178的邊緣73位于第一存儲(chǔ)電極155a的邊緣53的內(nèi)部(例如，沿朝向第二存儲(chǔ)電極178的中心的方向從第一存儲(chǔ)電極155a的邊緣53偏離)。詳細(xì)地，連接單元Cst3的第一存儲(chǔ)電極155a的邊緣53與具有基本上矩形形狀的第一存儲(chǔ)電極155a的第三角53對(duì)應(yīng)，連接單元Cst3的第二存儲(chǔ)電極17