板區(qū)域可具有如下結(jié)構(gòu):其中具有圖1或圖2中所示形狀的基層10單獨存在，或在向下方向上依序形成上述的高折射層或無機層以及具有圖1或圖2中所示形狀的基層10 ;其中上述緩沖層在高折射層或無機層與基層之間形成；或其中載體膜或阻擋膜在需要時通過粘合層粘附在基層的下方。
[0085]有機層存在于第一電極層與第二電極層之間。該有機層可包含至少一個或兩個發(fā)光單元。在此結(jié)構(gòu)中，由發(fā)光單元產(chǎn)生的光可通過反射電極層的反射而發(fā)射至透明電極層。
[0086]當(dāng)存在至少兩個發(fā)射單元時，為了合適的發(fā)光，中間電極層或電荷產(chǎn)生層(CGL)可進(jìn)一步存在于多個發(fā)光單元之間。因此，所述發(fā)射單元可被中間電極層或具有電荷產(chǎn)生特性的CGL分隔。
[0087]構(gòu)成發(fā)光單元的材料沒有特別的限制。具有各種發(fā)光中心波長的熒光或磷光有機材料是本領(lǐng)域中已知的，且可選擇合適類型的已知材料以形成發(fā)光單元。用于發(fā)光單元的材料可為，但并不限于，Alq類材料，例如三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III) (Alg3)、4-MAlq3 或 Gaq3 ;環(huán)戊二烯衍生物，例如 C-545T (C26H26N202S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺-FPA、PhTDAOXD (Ph3Si)或 1，2，3，4，5-五苯基-1，3-環(huán)戊二烯(PPCP) ;4，4’ -雙(2，2’ - 二苯基乙烯基)_1，1’ -聯(lián)苯(DPVBi)、二苯乙烯基苯或其衍生物；4-( 二氰基亞甲基)-2-叔-丁基-6- (1，1，7，7，-四甲基久洛尼啶基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、DDP、AAAP或 NPAMLI ;或磷光材料，例如 Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir (acac)、(C6) 2Ir (acac)、bt2Ir(acac)、 dp2Ir(acac)、 bzq2Ir(acac)、 bo2Ir(acac)、 F2Ir(bpy)、 F2Ir(acac)、op2Ir (acac)、ppy2Ir (acac)、tpy2Ir (acac)、面-三[2_(4，5’- 二氣苯基)P比啶 _C’2，N]銥
(III)(FIrppy)或雙(2-(2’ -苯并[4，5_a]噻吩基)吡啶_N，C3’)(乙酰丙酮酸根)合銥(Btp2Ir(acac))0該發(fā)光單元可包括作為主體的上述材料，及包括作為摻雜劑的包含、二苯乙烯基聯(lián)苯、DPT、喹吖啶酮、紅熒烯、BTX、ABTX或DCJTB的主體-摻雜劑體系。
[0088]所述發(fā)光單元還可通過采用一種呈現(xiàn)發(fā)光特性的選自以下將描述的電子接受有機化合物或供電子有機化合物的合適物質(zhì)來形成。
[0089]所述有機層可以以還包含本領(lǐng)域中已知的各種其他功能層的各種結(jié)構(gòu)而形成，只要該有機層包含發(fā)光單元即可。作為能夠被包含在該有機層中的層，可使用電子注入層、空穴阻擋層、電子傳輸層、空穴傳輸層或空穴注入層。
[0090]所述電子注入層或電子傳輸層可使用(例如)電子接受有機化合物來形成。此處，作為電子接受有機化合物，可使用已知的任選的化合物，而沒有特別的限制。作為此類有機化合物，可使用:多環(huán)化合物，例如對三聯(lián)苯或四聯(lián)苯或其衍生物；多環(huán)烴化合物，例如萘、并四苯(tetracene)、、六苯并苯、屈、蒽、二苯基蒽、并四苯(naphthacene)或菲，或其衍生物；或雜環(huán)化合物，例如，菲咯啉、紅菲繞啉、菲啶、B 丫啶、喹啉、喹喔啉或吩嗪，或其衍生物。此外，可用作包含在低折射層中的電子接收有機化合物為:熒光素、、酞、萘并、酮、酞酮、萘并酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、二唑、醛連氮、二苯并唑啉、聯(lián)苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、8-羥基喹啉、氨基喹啉、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、部花青素、喹吖啶酮、紅熒烯或其衍生物；在專利公報例如，日本專利特開平申請第1988-295695號、日本專利特開平申請第1996-22557號、日本專利特開平申請第1996-81472號、日本專利特開平申請第1993-009470號或日本專利特開平申請第
1993-017764號中公開的金屬螯合絡(luò)合化合物，例如，具有至少一種金屬螯合oxinoid化合物，例如包括三(8-羥基喹啉)鋁、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙[苯并(f)-8-羥基喹啉]鋅、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)招、三(8-羥基喹啉)銦、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣的8-羥基喹啉及其衍射物作為配位體的金屬絡(luò)合物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1993-202011號、日本專利特開平申請第1995-179394號、日本專利特開平申請第1995-278124號或日本專利特開平申請第1995-228579號中公開的噁二唑化合物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1995-157473號中公開的三嗪化合物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第
1994-203963號中公開的芪衍生物；二苯乙烯基亞芳基衍射物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1994-132080號或日本專利特開平申請第1994-88072號中公開的苯乙烯基衍生物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1994-100857號或日本專利特開平申請第1994-207170號中公開的二烯烴衍生物；熒光增白劑，例如苯并噁唑化合物、苯并噻唑化合物或苯并咪唑化物；二苯乙烯基苯化合物，例如1，4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯、1，4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)芐基、1，4_雙(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1，4_雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，例如2，5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2，5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2，5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2，5-雙(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2，5-雙[2-(4-聯(lián)苯基)乙烯基]吡嗪或2，5-雙[2-(1-花基)乙稀基]卩比嘆；二甲川(dimethylidine)化合物，例如1,4-亞苯基二甲川、4，4’ -亞苯基二甲川、2，5-二甲苯二甲川、2，6-亞萘基二甲川、1，4-亞聯(lián)苯基二甲川、1，4-對亞苯基甲川、9，10-蒽二基二甲川或4，4’ _(2，2-二-叔丁基苯基乙烯基)聯(lián)苯或4，4’ -(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯或其衍生物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1994-49079號或日本專利特開平申請第1994-293778號中公開的硅烷胺衍生物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1994-279322號或日本專利特開平申請第1994-279323號中公開的多官能苯乙烯基化合物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1994-107648號或日本專利特開平申請第1994-092947號中公開的噁二唑衍生物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1994-206865號中公開的蒽化合物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1994-145146號中公開的8-羥基喹啉鹽衍射物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1992-96990號中公開的四苯基丁二烯化合物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1991-296595號中公開的有機三官能化合物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1990-191694號中公開的香豆素衍生物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1990-196885號中公開的衍生物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1990-255789號中公開的萘衍生物；在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1990-289676號或日本專利特開平申請第1990-88689號中公開的酞酮；或在專利公報，例如，日本專利特開平申請第1990-250292號中公開的苯乙烯基胺衍生物。此外，在此，所述電子注入層可(例如)使用諸如LiF或CsF的材料來形成。
[0091]所述空穴阻擋層可為能夠通過防止所注入的空穴穿過發(fā)光單元進(jìn)入電子注入電極層從而提高元件的壽命和效率的層，且當(dāng)需要時，可使用已知材料在發(fā)光單元與電子注入電極層之間的合適部位來形成。
[0092]所述空穴注入層或空穴傳輸層可包含，例如供電子有機化合物。作為供電子有機化合物，可以使用:N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基苯基4州’-二苯基州州’-二(3-甲基苯基)-4，4’-二氨基聯(lián)苯、2，2-雙(4-二-對甲苯基氨基苯基)丙烷、N，N，N’，N’_四-對甲苯基-4，4’ -二氨基聯(lián)苯、雙(4-二-對甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N，N’ -二苯基-N，N’ - 二 (4-甲氧基苯基)_4，4’ - 二氨基聯(lián)苯、N，N，N’，N’ -四苯基-4，4’ - 二氨基二苯醚、4，4’-雙(二苯基氨基)四聯(lián)苯、4-N，N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’ -N, N- 二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1，1-雙(4- 二-對三氨基苯基)環(huán)己烷、1，1-雙(4-二-對三氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷、雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N，N，N-三(對甲苯基)胺、4-( 二-對甲苯基氨基)-4’ -[4-( 二-對甲苯基氨基)苯乙烯基]芪、N，N，N’，N’ -四苯基-4，4’ - 二氨基聯(lián)苯基N-苯基咔唑、4，4’ -雙[N- (1 -萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4 ’ -雙[N- (1 -萘基)-N-苯基氨基]對三聯(lián)苯、4，4 ’ -雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’ -雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、1，5-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]萘、4，4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯苯基氨基]聯(lián)苯、4，4”-雙[1(1-蒽基)-~-苯基氨基]-對三聯(lián)苯、4，4’ -雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[N-(2-茈基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4’-雙[N_ (1-暈苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、2，6-雙(二-對甲苯基氨基)萘、2，6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘、2，6-雙[N-(l-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4，4’_雙[N，N-二(2-萘基)氨基]三聯(lián)苯、4，4’-雙{N-苯基-N-[4-(l-萘基)苯基]氨基}聯(lián)苯、4，4’ -雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯、2，6-雙[N，N-二-(2-萘基)氨基]芴或4，4’-雙(N，N-二-對甲苯基氨基)三聯(lián)苯，或芳胺類化合物(如雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺)，但本申請并不限于此。
[0093]所述空穴注入層或空穴傳輸層可通過將有機化合物分散在聚合物中，或使用衍生自該有機化合物的聚合物來形成。此外，還可使用η-共軛聚合物(例如，聚對苯乙烯撐及其衍生物)、空穴傳輸非共軛聚合物(例如，聚(N-乙烯基咔唑))或σ -共軛聚合物(例如，聚硅烷)。
[0094]所述空穴注入層可使用導(dǎo)電聚合物，例如，金屬酞菁如銅酞菁或非金屬酞菁、碳膜及聚苯胺來形成，或可通過使用芳胺化合物作為氧化劑與路易斯酸(Lewis acid)反應(yīng)來形成。
[0095]所述有機層的特定結(jié)構(gòu)沒有特別的限制。用于形成空穴或電子注入電極層及有機層，例如發(fā)光單元、電子注入或透明層或空穴注入或傳輸層的各種材料及方法是本領(lǐng)域中已知的，且所有方法均可用于制造所述0ED。
[0096]所述0ED的上部區(qū)域可包含在向上方向上依序形成的無機層及覆蓋膜。為了將所述無機層與用于0ED的基板區(qū)分開，上部區(qū)域中所包含的無機層可稱為第二無機層，而該基板中所包含的無機層可稱為第一無機層。
[0097]存在的所述第二無機層用以防止、抑制或降低外部材料的滲透，由此獲得耐久性，且特定材料及形成方法可與在第一無機層的類別中所描述的材料及方法類似。然而，與該第一無機層不同的是，當(dāng)將第二無機層設(shè)計為向所述基板區(qū)域發(fā)光時，則不必形成具有高折射率的第二無機層。
[0098]第二無機層上存在的覆蓋膜可為用于保護(hù)0ED的結(jié)構(gòu)，其為，例如，已知的阻擋膜、金屬片或?qū)щ娔?，或其至少兩種的堆疊結(jié)構(gòu)。上部區(qū)域中的該覆蓋膜可通