一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置用于顯示部5202或其他集成電路。
[0220]圖19E是攝像機(jī)，該攝像機(jī)包括第一框體5801、第二框體5802、顯示部5803、操作鍵5804、透鏡5805以及連接部5806等。操作鍵5804及透鏡5805設(shè)置在第一框體5801中，顯示部5803設(shè)置在第二框體5802中。并且，第一框體5801與第二框體5802通過(guò)連接部5806連接，第一框體5801與第二框體5802之間的角度可以通過(guò)連接部5806改變。顯示部5803的映像也可以根據(jù)在連接部5806處的第一框體5801和第二框體5802之間的角度切換?？梢詫⒏鶕?jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置用于顯示部5803或其他集成電路。
[0221]圖19F是移動(dòng)電話，在框體5901中設(shè)置有顯示部5902、麥克風(fēng)5907、揚(yáng)聲器5904、攝像頭5903、外部連接部5906以及操作用的按鈕5905?？梢詫⒏鶕?jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置用于顯示部5902或其他集成電路。另外，在將根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置形成在具有柔性的襯底上時(shí)，可以將該半導(dǎo)體裝置應(yīng)用于具有如圖19F所示的具有曲面的顯示部5902中。
[0222]另外，在一個(gè)實(shí)施方式中描述的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)可以應(yīng)用于、組合于或者替換成在該實(shí)施方式中描述的其他內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)和/或在一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式中描述的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)。
[0223]注意，在實(shí)施方式中描述的內(nèi)容是指在各實(shí)施方式中利用各種【附圖說(shuō)明】的內(nèi)容或在說(shuō)明書(shū)的文章中所記載的內(nèi)容。
[0224]另外，通過(guò)將在一個(gè)實(shí)施方式中示出的附圖(也可以是其一部分)與該附圖的其他部分、在該實(shí)施方式中示出的其他附圖(也可以是其一部分)和/或在一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式中示出的附圖(也可以是其一部分)組合，可以構(gòu)成更多附圖。
[0225]另外，可以構(gòu)成不包括說(shuō)明書(shū)中的附圖或文章所未規(guī)定的內(nèi)容的發(fā)明的一個(gè)方式。另外，當(dāng)有某一個(gè)值的數(shù)值范圍的記載(上限值和下限值等)時(shí)，通過(guò)任意縮小該范圍或者去除該范圍的一部分，可以構(gòu)成去除該范圍的一部分的發(fā)明的一個(gè)方式。由此，例如，可以規(guī)定現(xiàn)有技術(shù)不包括在本發(fā)明的一個(gè)方式的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0226]作為具體例子，在記載有包括第一至第五晶體管的電路的電路圖。在該情況下，可以將該電路不包括第六晶體管的情況規(guī)定為發(fā)明。也可以將該電路不包括電容元件的情況規(guī)定為發(fā)明。再者，可以將該電路不包括具有特定連接結(jié)構(gòu)的第六晶體管的情況規(guī)定為發(fā)明。還可以將該電路不包括具有特定連接結(jié)構(gòu)的電容元件的情況規(guī)定為發(fā)明。例如，可以將不包括其柵極與第三晶體管的柵極連接的第六晶體管的情況規(guī)定為發(fā)明。例如，可以將不包括其第一電極與第三晶體管的柵極連接的電容元件的情況規(guī)定為發(fā)明。
[0227]作為其他具體例子，在關(guān)于某一個(gè)值，例如記載有“某一個(gè)電壓優(yōu)選為3V以上且1V以下”。在該情況下，例如，可以將不包括該電壓為-2V以上且IV以下的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。例如，可以將不包括該電壓為13V以上的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。例如，可以將該電壓為5V以上且8V以下的情況規(guī)定為發(fā)明。例如，可以將該電壓大約為9V的情況規(guī)定為發(fā)明。例如，可以將該電壓為3V以上且1V以下但不是9V的情況規(guī)定為發(fā)明。注意，即使記載有“某一個(gè)值優(yōu)選為某個(gè)范圍”、“某一個(gè)值最好滿足某個(gè)條件”，也不局限于該記載。換而言之，“優(yōu)選”、“最好”等的記載并不一定規(guī)定該值。
[0228]作為其他具體例子，在關(guān)于某一個(gè)值，例如記載有“某一個(gè)電壓優(yōu)選為10V”。在該情況下，例如，可以將不包括該電壓為-2V以上且IV以下的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。例如，可以將不包括該電壓為13V以上的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。
[0229]作為其他具體例子，在關(guān)于某一個(gè)物質(zhì)的性質(zhì)，例如記載有“某一個(gè)膜為絕緣膜”。在該情況下，例如，可以將不包括該絕緣膜為有機(jī)絕緣膜的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。例如，可以將不包括該絕緣膜為無(wú)機(jī)絕緣膜的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。例如，可以將不包括該膜為導(dǎo)電膜的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。例如，可以將不包括該膜為半導(dǎo)體膜的情況規(guī)定為發(fā)明的一個(gè)方式。
[0230]作為其他具體例子，在關(guān)于某一個(gè)層疊結(jié)構(gòu)，例如記載有“在A膜與B膜之間設(shè)置有某一個(gè)膜”。在該情況下，例如，可以將不包括該膜為四層以上的疊層膜的情況規(guī)定為發(fā)明。例如，可以將不包括在A膜與該膜之間設(shè)置有導(dǎo)電膜的情況規(guī)定為發(fā)明。
[0231]另外，在本說(shuō)明書(shū)等中，即使未指定有源元件(晶體管、二極管等)、無(wú)源元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的所有端子的連接對(duì)象，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員有時(shí)也能夠構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。就是說(shuō)，可以說(shuō)，即使未指定連接對(duì)象，發(fā)明的一個(gè)方式也是明確的。而且，當(dāng)指定了連接對(duì)象的內(nèi)容記載于本說(shuō)明書(shū)等中時(shí)，有時(shí)可以判斷未指定連接對(duì)象的發(fā)明的一個(gè)方式記載于本說(shuō)明書(shū)等中。尤其是在考慮端子連接對(duì)象有多個(gè)的情況下，該端子的連接對(duì)象不必限定在指定的部分。因此，有時(shí)通過(guò)僅指定有源元件(晶體管、二極管等)、無(wú)源元件(電容元件、電阻元件等)等所具有的一部分的端子的連接對(duì)象，能夠構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。
[0232]另外，在本說(shuō)明書(shū)等中，只要至少指定某一個(gè)電路的連接對(duì)象，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員就有時(shí)可以指定發(fā)明?；蛘?，只要至少指定某一個(gè)電路的功能，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員就有時(shí)可以指定發(fā)明。就是說(shuō)，可以說(shuō)，只要指定功能，發(fā)明的一個(gè)方式就是明確的。另外，有時(shí)可以判斷指定了功能的發(fā)明的一個(gè)方式記載于本說(shuō)明書(shū)等中。因此，即使未指定某一個(gè)電路的功能，只要指定連接對(duì)象，就算是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。另外，即使未指定某一個(gè)電路的連接對(duì)象，只要指定其功能，就算是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。
[0233]注意，在本說(shuō)明書(shū)等中，可以在某一個(gè)實(shí)施方式中示出的附圖或者文章中取出其一部分而構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。從而，在記載有說(shuō)明某一部分的附圖或者文章的情況下，取出附圖或者文章的一部分的內(nèi)容也算是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式，所以能夠構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。并且，可以說(shuō)該發(fā)明的一個(gè)方式是明確的。因此，例如，可以在記載有有源元件(晶體管、二極管等)、布線、無(wú)源元件(電容元件、電阻元件等)、導(dǎo)電層、絕緣層、半導(dǎo)體層、有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料、零部件、裝置、工作方法、制造方法等中的一個(gè)或多個(gè)的附圖或者文章中，可以取出其一部分而構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。例如，可以從由N個(gè)(N是整數(shù))電路元件(晶體管、電容元件等)構(gòu)成的電路圖中取出M個(gè)(M是整數(shù)，M<N)電路元件(晶體管、電容元件等)來(lái)構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。作為其他例子，可以從由N個(gè)(N是整數(shù))層構(gòu)成的截面圖中取出M個(gè)(M是整數(shù)，M<N)層來(lái)構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。再者，作為其他例子，可以從由N個(gè)(N是整數(shù))要素構(gòu)成的流程圖中取出M個(gè)(M是整數(shù)，M<N)要素來(lái)構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。作為其他的例子，當(dāng)從“A包括B、C、D、E或F”的記載中任意抽出一部分的要素時(shí)，可以構(gòu)成“A包括B和E”、“A包括E和F”、“A包括C、E和F”或者“A包括B、C、D和E”等的發(fā)明的一個(gè)方式。
[0234]在本說(shuō)明書(shū)等中，在某一個(gè)實(shí)施方式中示出的附圖或文章示出至少一個(gè)具體例子的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是由上述具體例子導(dǎo)出該具體例子的上位概念。從而，在某一個(gè)實(shí)施方式中示出的附圖或文章示出至少一個(gè)具體例子的情況下，該具體例子的上位概念也是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式，可以構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。并且，可以說(shuō)該發(fā)明的一個(gè)方式是明確的。
[0235]另外，在本說(shuō)明書(shū)等中，至少示于附圖中的內(nèi)容(也可以是其一部分)是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。因此，即使在文章中沒(méi)有某一個(gè)內(nèi)容的描述，如果該內(nèi)容示于附圖中，就可以說(shuō)該內(nèi)容是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。同樣地，取出附圖的一部分的附圖也是所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式，而可以構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。并且，可以說(shuō)該發(fā)明的一個(gè)方式是明確的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管；以及 第一布線及第二布線， 其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管及所述第四晶體管具有相同的導(dǎo)電類型， 所述第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接， 所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的柵極與所述第一布線電連接， 所述第一晶體管的柵極與所述第四晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接， 所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第二布線電連接， 所述第二晶體管的柵極與所述第四晶體管的柵極電連接， 并且，所述第三晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第四晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第四晶體管的溝道寬度與溝道長(zhǎng)度之比高于所述第三晶體管的溝道寬度與溝道長(zhǎng)度之比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置， 其中所述第三晶體管包括第一半導(dǎo)體層及第一柵電極， 所述第四晶體管包括第二半導(dǎo)體層及第二柵電極， 并且所述第二半導(dǎo)體層與所述第二柵電極彼此重疊的區(qū)域大于所述第一半導(dǎo)體層與所述第一柵電極彼此重疊的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管中的至少一個(gè)的溝道形成區(qū)域包含氧化物半導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置， 其中所述第一布線將時(shí)鐘信號(hào)供應(yīng)給所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的所述柵極， 并且所述第二布線將電壓供應(yīng)給所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的所述源極和所述漏極中的一個(gè)。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管；以及 第一布線、第二布線及第三布線， 其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管及所述第四晶體管具有相同的導(dǎo)電類型， 所述第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接， 所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第一布線電連接， 所述第一晶體管的柵極與所述第四晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接， 所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第二布線電連接， 所述第二晶體管的柵極與所述第四晶體管的柵極電連接， 所述第三晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第四晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)電連接， 并且，所述第三晶體管的柵極與所述第三布線電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第四晶體管的溝道寬度與溝道長(zhǎng)度之比高于所述第三晶體管的溝道寬度與溝道長(zhǎng)度之比。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置， 其中所述第三晶體管包括第一半導(dǎo)體層及第一柵電極， 所述第四晶體管包括第二半導(dǎo)體層及第二柵電極， 并且所述第二半導(dǎo)體層與所述第二柵電極彼此重疊的區(qū)域大于所述第一半導(dǎo)體層與所述第一柵電極彼此重疊的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管中的至少一個(gè)的溝道形成區(qū)域包含氧化物半導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置， 其中所述第一布線將第一時(shí)鐘信號(hào)供應(yīng)給所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)， 所述第二布線將電壓供應(yīng)給所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的所述源極和所述漏極中的一個(gè)， 并且所述第三布線將第二時(shí)鐘信號(hào)供應(yīng)給所述第三晶體管的所述柵極。
11.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管及第七晶體管；以及 第一布線、第二布線、第三布線及第四布線， 其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管及所述第七晶體管具有相同的導(dǎo)電類型， 所述第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接， 所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第一布線電連接， 所述第一晶體管的柵極與所述第四晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接， 所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第二布線電連接， 所述第二晶體管的柵極與所述第四晶體管的柵極、所述第六晶體管的源極和漏極中的一個(gè)及所述第七晶體管的源極和漏極中的一個(gè)電連接， 所述第三晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第四晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)電連接， 所述第五晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第七晶體管的柵極電連接， 所述第五晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第四布線電連接， 并且，所述第六晶體管的柵極與所述第三布線電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第四晶體管的溝道寬度與溝道長(zhǎng)度之比高于所述第三晶體管的溝道寬度與溝道長(zhǎng)度之比。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置， 其中所述第三晶體管包括第一半導(dǎo)體層及第一柵電極， 所述第四晶體管包括第二半導(dǎo)體層及第二柵電極， 并且所述第二半導(dǎo)體層與所述第二柵電極彼此重疊的區(qū)域大于所述第一半導(dǎo)體層與所述第一柵電極彼此重疊的區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管和所述第七晶體管中的至少一個(gè)的溝道形成區(qū)域包含氧化物半導(dǎo)體。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置， 其中所述第一布線將第一時(shí)鐘信號(hào)供應(yīng)給所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)， 所述第二布線將電壓供應(yīng)給所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)及所述第三晶體管的所述源極和所述漏極中的一個(gè)， 所述第三布線將第二時(shí)鐘信號(hào)供應(yīng)給所述第六晶體管的所述柵極， 并且所述第四布線將起始脈沖供應(yīng)給所述第四晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第三晶體管的柵極與所述第一布線電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第五布線， 其中所述第三晶體管的柵極與所述第五布線電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第五晶體管的柵極與所述第三布線電連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第五晶體管的柵極與所述第四布線電連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第六晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第三布線電連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第五布線， 其中所述第六晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第五布線電連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第七晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第二布線電連接。
23.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第七晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與所述第三布線電連接。
【專利摘要】本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種新穎的移位寄存器。本發(fā)明的一個(gè)方式包括晶體管101、晶體管102、晶體管103及晶體管104。晶體管101的第一端子與布線111連接，且晶體管101的第二端子與布線112連接。晶體管102的第一端子與布線113連接，且晶體管102的第二端子與布線112連接。晶體管103的第一端子與布線113連接，且晶體管103的柵極與布線111或布線119連接。晶體管104的第一端子與晶體管103的第二端子連接，且晶體管104的第二端子與晶體管101的柵極連接，且晶體管104的柵極與晶體管102的柵極連接。
【IPC分類】G09G3-36, G11C19-28
【公開(kāi)號(hào)】CN104867464
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510087445
【發(fā)明人】梅崎敦司
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年2月25日
【公告號(hào)】US20150243678