，所述第四晶體管T4作為補(bǔ)償時(shí)期的開(kāi)關(guān)管作用。
[0032]第五晶體管T5，其柵極接第二掃描線(xiàn)SCAN2，漏極接第二電容C2的C端及第四晶體管T4的漏極，源極接第一電容Cl的A端及第三晶體管T3的柵極，所述第五晶體管T5為補(bǔ)償時(shí)期的開(kāi)關(guān)管作用，控制閾值電壓補(bǔ)償信號(hào)的寫(xiě)入。
[0033]如圖2所示，本發(fā)明中驅(qū)動(dòng)信號(hào)脈沖包括第一掃描線(xiàn)SCANl，第二掃描線(xiàn)SCAN2，第三掃描線(xiàn)SCAN3。
[0034]預(yù)充電階段:SCAN2和SCAN3保持高電平，第二晶體管T2和第五晶體管T5打開(kāi)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過(guò)第二晶體管T2給C2充電，同時(shí)信號(hào)通過(guò)第五晶體管T5到達(dá)第三晶體管T3，給Cl預(yù)充電Vdata。
[0035]補(bǔ)償階段:SCAN3設(shè)為低電平，第二晶體管T2關(guān)閉，第二電容C2放電給第一電容Cl，同時(shí)第一電容Cl放電給驅(qū)動(dòng)管第三晶體管T3。
[0036]發(fā)光階段:第二掃描線(xiàn)SCAN2和第三掃描線(xiàn)SCAN3設(shè)為低電平，此時(shí)第二晶體管T2和第五晶體管T5關(guān)閉，第一掃描線(xiàn)SCANl設(shè)為高電平將第一晶體管Tl打開(kāi)，同時(shí)第三晶體管T3驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光，此時(shí)OLED發(fā)光電流為:
[0037]1led = k (Vgs-Vth)2= k (2Vdata~Vth+1 Vth |) 2= k (2Vdata) 2，
[0038]其中k = yCoxW/2L，Cox為單位面積絕緣柵的電容大小，μ為薄膜晶體管的飽和迀移率，ff/L為薄膜晶體管的溝道寬長(zhǎng)比。
[0039]該5T2C像素補(bǔ)償結(jié)構(gòu)結(jié)合相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法，在同等數(shù)據(jù)電壓的作用和沒(méi)有大大提尚開(kāi)口率的情況下提尚了驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流。
[0040]結(jié)合本發(fā)明的AMOLED像素補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)方法，第一晶體管Tl、第二晶體管Τ2、第四晶體管Τ4、第五晶體管Τ5作為開(kāi)關(guān)管工作在線(xiàn)性區(qū)和截止區(qū)，第三晶體管Τ3作為驅(qū)動(dòng)管工作在飽和區(qū)。
[0041]結(jié)合本發(fā)明的AMOLED像素補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)方法以及工作在線(xiàn)性區(qū)和截止區(qū)的第一晶體管Tl、第二晶體管Τ2、第四晶體管Τ4、第五晶體管Τ5和工作在飽和區(qū)的第三晶體管Τ3的工作特性，第一晶體管Tl、第二晶體管Τ2、第三晶體管Τ3、第四晶體管Τ4、第五晶體管Τ5均為非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶-氧化銦鎵鋅薄膜晶體管中的一種。
[0042]通過(guò)上述的方案，便可實(shí)現(xiàn)AMOLED像素電路中薄膜晶體管閾值電壓的補(bǔ)償作用。
[0043]以上所述的本發(fā)明實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的修改、等同替換、和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 第一晶體管(Tl):其柵極接第一掃描線(xiàn)(SCANl)，漏極接數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)，源極接第一電容(Cl)的A端和第五晶體管(T5)的源極以及第三晶體管(T3)的柵極，所述第一晶體管(Tl)控制數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入，作為開(kāi)關(guān)管作用； 第二晶體管(T2):其柵極接第三掃描線(xiàn)(SCAN3)，漏極接數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)，源極接第二電容(C2)的D端以及第四晶體管(T4)的柵極，所述第二晶體管(T2)控制補(bǔ)償時(shí)期的數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入，作為開(kāi)關(guān)管作用； 第三晶體管(T3):其柵極接第一晶體管(Tl)的源極第一電容(Cl)的A端以及第五晶體管(T5)的源極，源極接供電電壓線(xiàn)，漏極接0LED，所述第三晶體管(T3)為驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的驅(qū)動(dòng)管； 第四晶體管(T4):其柵極接第二電容(C2)的D端以及第二晶體管(T2)的源極，漏極接第二電容(C2)的C端，源極接第一電容(Cl)的B端，所述第四晶體管(T4)作為補(bǔ)償時(shí)期的開(kāi)關(guān)管作用； 第五晶體管(T5):其柵極接第二掃描線(xiàn)(SCAN2)，漏極接第二電容(C2)的C端及第四晶體管(T4)的漏極，源極接第一電容(Cl)的A端及第三晶體管(T3)的柵極，所述第五晶體管(T5)為補(bǔ)償時(shí)期的開(kāi)關(guān)管作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述的第一晶體管(Tl)、第二晶體管(T2)、第三晶體管(T3)、第四晶體管(T4)、第五晶體管(T5)均為非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶-氧化銦鎵鋅薄膜晶體管中的一種。
3.一種基于權(quán)利要求1所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括: 1)預(yù)充電階段:第二掃描線(xiàn)(SCAN2)和第三掃描線(xiàn)(SCAN3)保持高電平，第二晶體管(T2)和第五晶體管(T5)打開(kāi)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過(guò)第二晶體管(T2)給第二電容(C2)充電，同時(shí)信號(hào)通過(guò)第五晶體管(T5)到達(dá)第三晶體管(T3)，給第一電容(Cl)預(yù)充電Vdata; 2)補(bǔ)償階段:第三掃描線(xiàn)(SCAN3)設(shè)為低電平，第二晶體管(T2)關(guān)閉，第二電容(C2)放電給第一電容(Cl)，同時(shí)第一電容(Cl)放電給驅(qū)動(dòng)管第三晶體管(T3)； 3)發(fā)光階段:第二掃描線(xiàn)(SCAN2)和第三掃描線(xiàn)(SCAN3)設(shè)為低電平，此時(shí)第二晶體管(T2)和第五晶體管(T5)關(guān)閉，第一掃描線(xiàn)(SCANl)設(shè)為高電平將第一晶體管(Tl)打開(kāi)，同時(shí)第三晶體管(T3)驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一晶體管(Tl)、第二晶體管(T2)、第四晶體管(T4)、第五晶體管(T5)作為開(kāi)關(guān)管工作在線(xiàn)性區(qū)和截止區(qū)，第三晶體管(T3)作為驅(qū)動(dòng)管工作在飽和區(qū)。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法，該電路第一晶體管的柵極接第一掃描控制線(xiàn)，漏極接數(shù)據(jù)線(xiàn)，源極接第一電容的A端，第二晶體管的柵極接第三掃描線(xiàn)，漏極也接數(shù)據(jù)線(xiàn)，源極接第四晶體管的柵極以及第二電容的D端，第三晶體管的柵極接第一電容的A端和第五晶體管的源極，源極接第一電容的B端，漏極接有機(jī)發(fā)光二極管OLED再到地，第四晶體管的柵極接第二電容的D端以及第五晶體管的漏極，源極接第一電容的B端以及第三晶體管的源極，漏極接第二電容的C端以及第五晶體管的漏極，第五晶體管的柵極接第二掃描線(xiàn)。本發(fā)明可以有效的補(bǔ)償薄膜晶體管的閾值電壓的漂移問(wèn)題，使顯示各像素驅(qū)動(dòng)OLED的電流達(dá)到一致，實(shí)現(xiàn)均勻顯示亮度的效果。
【IPC分類(lèi)】G09G3-32
【公開(kāi)號(hào)】CN104778922
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510208904
【發(fā)明人】史永勝, 胡雙, 高丹陽(yáng), 寧青菊
【申請(qǐng)人】陜西科技大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年7月15日
【申請(qǐng)日】2015年4月28日