像素補償電路及amoled顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種像素補償電路及AMOLED顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，因而得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，以下稱為IXD)及有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de,以下稱為0LED)顯示裝置。
[0003]0LED顯示裝置通過自發(fā)光實現(xiàn)顯示，因而其不需背光源，具有對比度高、厚度小、視角廣、反應(yīng)速度快、可被制成柔性顯示面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被視為可以取代LCD的下一代顯示裝置。
[0004]0LED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型0LED (Passive Matrix 0LED，PM0LED)和有源矩陣型0LED (Active Matrix 0LED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，PM0LED的功耗較高，阻礙了其在大尺寸顯示裝置中的應(yīng)用，所以PM0LED通常用作小尺寸的顯示裝置。而AMOLED因其高發(fā)光效能，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。
[0005]圖1為現(xiàn)有的AMOLED像素電路的電路圖。在AMOLED顯示裝置的顯示區(qū)域內(nèi)，像素被設(shè)置成包括多行、多列的矩陣狀，每一像素通常采用由兩個薄膜晶體管與一個電容(Capacitor)組成的像素電路進行驅(qū)動，即采用2T1C的驅(qū)動方式。具體地，第一晶體管T1的柵極電性連接柵線Scan，源極電性連接數(shù)據(jù)信號線DATA，漏極與第二晶體管T2的柵極及電容C的一端電性連接；第二晶體管T2的源極電性連接高電壓信號端VDD，漏極電性連接有機發(fā)光二級管D的陽極；有機發(fā)光二級管D的陰極電性連接公共接地電極VSS ；電容C的一端電性連接第一晶體管T1的漏極，另一端電性連接第二晶體管T2的源極。顯示時，柵線Scan控制第一晶體管T1打開，數(shù)據(jù)信號線DATA的數(shù)據(jù)信號電壓經(jīng)過第一晶體管T1進入到第二晶體管T2的柵極及電容C，然后第一晶體管T1閉合，由于電容C作用，第二晶體管T2的柵極電壓仍可繼續(xù)保持數(shù)據(jù)信號電壓，使得第二晶體管T2處于導通狀態(tài)，高電壓信號端VDD與數(shù)據(jù)信號電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流通過第二晶體管T2進入有機發(fā)光二級管D，驅(qū)動有機發(fā)光二級管D發(fā)光。
[0006]上述AMOLED顯示裝置中，有機發(fā)光二極管D根據(jù)第二晶體管T2在飽和狀態(tài)下產(chǎn)生的電流驅(qū)動；而由于TFT制程上的不均勻性，各像素中第二晶體管T2的臨界電壓不同，以及，由于第二晶體管T2的閾值電壓Vth在有機發(fā)光二極管D發(fā)光過程中會發(fā)生不同程度的漂移，在采用上述2T1C驅(qū)動電路進行驅(qū)動時，各像素的亮度均一性很差，造成顯示不均等不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種像素補償電路及AMOLED顯示裝置，其可以避免發(fā)光器件在發(fā)光過程中的亮度發(fā)生變化，提高發(fā)光過程中的亮度均一性。
[0008]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種像素補償電路，其包括數(shù)據(jù)信號寫入模塊、高電壓信號寫入模塊、第一基準電壓寫入模塊、第二基準電壓寫入模塊、電壓維持模塊、驅(qū)動晶體管、電容和發(fā)光器件；所述數(shù)據(jù)信號寫入模塊在發(fā)光器件發(fā)光前階段與電容的第一端連接；所述第一基準電壓寫入模塊在發(fā)光器件發(fā)光前階段與驅(qū)動晶體管的控制極連接，所述第二基準電壓寫入模塊在發(fā)光器件發(fā)光前階段與驅(qū)動晶體管的漏極連接；所述高電壓信號寫入模塊在發(fā)光器件發(fā)光過程中與電容的第二端連接；所述電壓維持模塊在發(fā)光器件發(fā)光過程中與電容的第一端，以及驅(qū)動晶體管的控制極連接；所述驅(qū)動晶體管的源極與電容的第二端連接，漏極與發(fā)光器件的陽極連接；所述發(fā)光器件的陰極與公共接地電極連接。
[0009]其中，所述像素補償電路還包括連接控制模塊，所述連接控制模塊連接在驅(qū)動晶體管的漏極和發(fā)光器件的陽極之間，用于控制驅(qū)動晶體管和發(fā)光器件之間的通斷。
[0010]其中，所述數(shù)據(jù)信號寫入模塊包括數(shù)據(jù)信號線和第一晶體管，所述第一晶體管的控制極與柵線連接，源極與數(shù)據(jù)信號線連接，漏極與所述電容的第一端連接。
[0011 ] 其中，所述第一基準電壓寫入模塊包括第一基準電壓端和第二晶體管，所述第二晶體管的控制極與柵線連接，源極與第一基準電壓端連接，漏極與所述驅(qū)動晶體管的控制極連接。
[0012]其中，所述第二基準電壓寫入模塊包括第二基準電壓端和第三晶體管，所述第三晶體管的控制極與柵線連接，源極與第二基準電壓端連接，漏極與所述驅(qū)動晶體管的漏極和發(fā)光器件的陽極連接。
[0013]其中，所述第二基準電壓寫入模塊包括第二基準電壓端和第三晶體管，所述第三晶體管的控制極與柵線連接，源極與第二基準電壓端連接，漏極與所述驅(qū)動晶體管的漏極和連接控制模塊連接。
[0014]其中，所述高電壓信號寫入模塊包括高電壓信號端和第四晶體管，所述第四晶體管的控制極與第一發(fā)光信號端連接，源極與高電壓信號端連接，漏極與所述電容的第二端連接。
[0015]其中，所述電壓維持模塊包括第五晶體管，所述第五晶體管的控制極與第一發(fā)光信號端連接，源極與所述電容的第一端連接，漏極與所述驅(qū)動晶體管的控制極連接。
[0016]其中，所述連接控制模塊包括第六晶體管，所述第六晶體管的控制極與第二發(fā)光信號端連接，源極與驅(qū)動晶體管的漏極和第二基準電壓寫入模塊連接，漏極與發(fā)光器件的陽極連接。
[0017]作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種AMOLED顯示裝置，其包括上述像素補償電路。
[0018]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0019]本發(fā)明提供的像素補償電路，其在發(fā)光器件發(fā)光前階段，通過第一基準電壓寫入模塊和第二基準電壓寫入模塊分別向驅(qū)動晶體管的柵極和漏極寫入第一基準電壓和第二基準電壓，并以此使所述驅(qū)動晶體管的源極的電壓包含驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth;從而使發(fā)光器件的發(fā)光階段，所生成的驅(qū)動電流與驅(qū)動晶體管的閾值電壓以及高電壓信號端無關(guān)，這樣驅(qū)動晶體管的制程工藝的均勻性，以及其閾值電壓Vth在發(fā)光過程中的漂移，以及高電壓信號端的壓降不會對發(fā)光器件的發(fā)光亮度造成影響，從而可以避免發(fā)光器件在發(fā)光過程中的亮度發(fā)生變化，提高發(fā)光過程中的亮度均一性。而且，在發(fā)光器件的發(fā)光階段，所述電容保持懸置狀態(tài)，使其兩端的電壓差，即驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間的差值保持不變，從而使所述驅(qū)動電流不會因高電壓信號端的變化而變動，從而進一步避免發(fā)光器件在發(fā)光過程中的亮度發(fā)生變化，提高發(fā)光過程中的亮度均一性。
[0020]本發(fā)明提供的AMOLED顯示裝置，其采用本發(fā)明提供的上述像素補償電路，可以避免每個像素內(nèi)的發(fā)光器件在一幀畫面中的發(fā)光亮度發(fā)生變化，以及，避免各像素內(nèi)的驅(qū)動晶體管的制程工藝造成各像素內(nèi)發(fā)光器件發(fā)光亮度的不均勻，從而提高顯示效果和顯示均勻性。
【附圖說明】
[0021]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0022]圖1為現(xiàn)有的AMOLED像素電路的電路圖；
[0023]圖2為本發(fā)明第一實施方式中像素補償電路的電路圖；
[0024]圖3為圖2所示像素補償電路中各信號的時序圖；
[0025]圖4為tl階段的等效電路圖；
[0026]圖5為t2階段的等效電路圖；
[0027]圖6為本發(fā)明第二實施方式中像素補償電路的電路圖；
[0028]圖7為圖6所示像素補償電路中各信號的時序圖。
【具體實施方式】
[0029]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施