一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及AMOLED像素驅(qū)動(dòng)技術(shù)，具體涉及像素閾值電壓補(bǔ)償?shù)尿?qū)動(dòng)電路，具體涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著平板顯示的發(fā)展，有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)顯示技術(shù)憑借其自發(fā)光、低功耗、響應(yīng)速度快、寬視角、可制成柔性面板等特性成為顯示行業(yè)的新寵兒。
[0003]按驅(qū)動(dòng)方式該技術(shù)可分為無(wú)源矩陣有機(jī)電致發(fā)光器件(PMOLED)和有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光器件(AMOLED)，PMOLED采用行列掃描的方式驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的
[0004]像素發(fā)光，相當(dāng)于給OLED脈沖電流的方式，而在AMOLED中，每個(gè)發(fā)光像素都有獨(dú)立的薄膜晶體管像素電路驅(qū)動(dòng)。相比兩種驅(qū)動(dòng)技術(shù)，后者相比前者其像素電路中器件功耗更小，器件壽命更長(zhǎng)，因此AMOLED驅(qū)動(dòng)方式成為目前OLED顯示的主流技術(shù)。
[0005]但是傳統(tǒng)的由兩個(gè)薄膜晶體管晶體管和一個(gè)電容組成的AMOLED像素電路結(jié)構(gòu)(2T1C結(jié)構(gòu))存在以下問(wèn)題:
[0006]2T1C像素電路結(jié)構(gòu)中驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流受薄膜晶體管閾值電壓的影響，并且由于工藝的差異和長(zhǎng)時(shí)間顯示的原因，會(huì)造成薄膜晶體管閾值電壓的不一致和漂移問(wèn)題，從而導(dǎo)致平板顯示各像素中OLED發(fā)光不均勻的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于解決上述傳統(tǒng)AMOLED像素電路中OLED發(fā)光不均勻問(wèn)題，提供一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法，使驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流不受薄膜晶體管的閾值電壓的影響，從而避免因工藝差異和長(zhǎng)時(shí)間顯示帶來(lái)的閾值電壓不一致和漂移問(wèn)題。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的方案是:
[0009]這種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:
[0010]第一晶體管:其柵極接第一掃描線，漏極接數(shù)據(jù)信號(hào)線，源極接第一電容的A端和第五晶體管的源極以及第三晶體管的柵極，所述第一晶體管控制數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入，作為開(kāi)關(guān)管作用；
[0011]第二晶體管:其柵極接第三掃描線，漏極接數(shù)據(jù)信號(hào)線，源極接第二電容的D端以及第四晶體管的柵極，所述第二晶體管控制補(bǔ)償時(shí)期的數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入，作為開(kāi)關(guān)管作用；
[0012]第三晶體管:其柵極接第一晶體管的源極第一電容的A端以及第五晶體管(T5)的源極，源極接供電電壓線，漏極接0LED，所述第三晶體管為驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的驅(qū)動(dòng)管；
[0013]第四晶體管:其柵極接第二電容的D端以及第二晶體管的源極，漏極接第二電容的C端，源極接第一電容的B端，所述第四晶體管作為補(bǔ)償時(shí)期的開(kāi)關(guān)管作用；
[0014]第五晶體管:其柵極接第二掃描線，漏極接第二電容的C端及第四晶體管的漏極，源極接第一電容的A端及第三晶體管的柵極，所述第五晶體管為補(bǔ)償時(shí)期的開(kāi)關(guān)管作用。
[0015]進(jìn)一步，以上所述的第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管均為非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶-氧化銦鎵鋅薄膜晶體管中的一種。
[0016]本發(fā)明還提出一種基于上述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括:
[0017]I)預(yù)充電階段:第二掃描線和第三掃描線保持高電平，第二晶體管和第五晶體管打開(kāi)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata通過(guò)第二晶體管給第二電容充電，同時(shí)信號(hào)通過(guò)第五晶體管到達(dá)第三晶體管，給第一電容預(yù)充電Vdata ；
[0018]2)補(bǔ)償階段:第三掃描線設(shè)為低電平，第二晶體管關(guān)閉，第二電容放電給第一電容，同時(shí)第一電容放電給驅(qū)動(dòng)管第三晶體管；
[0019]3)發(fā)光階段:第二掃描線和第三掃描線設(shè)為低電平，此時(shí)第二晶體管和第五晶體管關(guān)閉，第一掃描線設(shè)為高電平將第一晶體管打開(kāi)，同時(shí)第三晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。
[0020]進(jìn)一步，上述第一晶體管、第二晶體管、第四晶體管、第五晶體管作為開(kāi)關(guān)管工作在線性區(qū)和截止區(qū)，第三晶體管作為驅(qū)動(dòng)管工作在飽和區(qū)。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0022]本發(fā)明采用5T2C的像素補(bǔ)償結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法，消除了傳統(tǒng)AMOLED像素電路工作中薄膜晶體管的閾值電壓?jiǎn)栴}，使驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流不受薄膜晶體管閾值電壓的影響，從而排除了薄膜晶體管閾值電壓由于工藝差異和長(zhǎng)時(shí)間顯示所帶來(lái)的不均勻和漂移問(wèn)題，達(dá)到了顯示的發(fā)光均勻性，提供了顯示質(zhì)量。另外，該5T2C像素補(bǔ)償結(jié)構(gòu)結(jié)合相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法，相比其他像素補(bǔ)償電路，在同等數(shù)據(jù)電壓的作用和沒(méi)有大大提高開(kāi)口率的情況下提高了驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光的電流。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為本發(fā)明的5T2C像素補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)圖；
[0024]圖2為本發(fā)明的5T2C像素補(bǔ)償電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序圖；
[0025]其中，Tl為第一晶體管，T2為第二晶體管，T3為第三晶體管，T4為第四晶體管，T5為第五晶體管，Cl為第一電容，C2為第二電容，SCANl為第一掃描線，SCAN2為第二掃描線，SCAN3為第三掃描線，OLED為有機(jī)發(fā)光二極管，Vdata為數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，Vdd為提供像素電路的電源電壓。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述:
[0027]本發(fā)明能夠根據(jù)AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行像素中薄膜晶體管閾值電壓的補(bǔ)償。如圖1所示，本發(fā)明中像素驅(qū)動(dòng)電路包括第一晶體管Tl，第二晶體管T2，第三晶體管T3，第四晶體管T4，第五晶體管T5，第一電容Cl，第二電容C2，有機(jī)發(fā)光二極管0LED，數(shù)據(jù)信號(hào)電壓Vdata，提供像素電路的電源電壓VdcL
[0028]第一晶體管Tl，其柵極接第一掃描線SCAN1，漏極接數(shù)據(jù)信號(hào)線Vdata，源極接第一電容Cl的A端和第五晶體管T5的源極以及第三晶體管T3的柵極，所述第一晶體管Tl作為開(kāi)關(guān)管控制數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的寫(xiě)入，。
[0029]第二晶體管T2，其柵極接第三掃描線SCAN3，漏極接數(shù)據(jù)信號(hào)線Vdata，源極接第二電容C2的D端以及第四晶體管T4的柵極，所述第二晶體管T2同樣作為開(kāi)關(guān)管控制補(bǔ)償時(shí)期的數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入。
[0030]第三晶體管T3，其柵極接第一晶體管Tl的源極第一電容Cl的A端以及第五晶體管T5的源極，源極接供電電壓線，漏極接OLED，所述第三晶體管T3作為驅(qū)動(dòng)管為OLED提供驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。
[0031 ] 第四晶體管T4，其柵極接第二電容C2的D端以及第二晶體管T2的源極，漏極接第二電容C2的C端，源極接第一電容Cl的B端