相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

此申請(qǐng)要求2016年1月28日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0010849號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過引用被整體合并于此。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例的各方面涉及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光器件可以包括兩個(gè)電極以及位于這兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。從兩個(gè)電極之一注入的電子和從另一個(gè)電極注入的空穴可以結(jié)合以形成激子，激子可以發(fā)射能量，從而發(fā)射光。

有機(jī)發(fā)光器件可以包括多個(gè)像素，像素包括自發(fā)光器件。線以及用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)薄膜晶體管可以形成在像素中的每一個(gè)上。

寄生電容可能發(fā)生在布線與薄膜晶體管之間，這可能降低顯示質(zhì)量。

在此背景技術(shù)部分中公開的上述信息是為了增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此它可能包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實(shí)施例的方面涉及顯示設(shè)備以及包括發(fā)光器件的顯示設(shè)備。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例的方面包括通過防止或減少寄生電容的情況可以具有相對(duì)提高的顯示質(zhì)量的顯示設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，一種顯示設(shè)備包括：在第一方向上延伸的掃描線；在與第一方向交叉的第二方向上延伸的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；在第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間在第二方向上延伸并且被配置為接收固定電壓的固定電壓線；位于固定電壓線與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之一之間的輔助線，其中固定電壓被施加到輔助線；包括聯(lián)接至掃描線和第一數(shù)據(jù)線的第二晶體管以及聯(lián)接至第二晶體管和固定電壓線的第一晶體管的晶體管電路；以及聯(lián)接至晶體管電路的發(fā)光器件，其中晶體管電路的至少一部分位于固定電壓線與輔助線之間。

根據(jù)一些實(shí)施例，輔助線被配置為接收具有與固定電壓線相同的電平的固定電壓，并且輔助線聯(lián)接至固定電壓線。

根據(jù)一些實(shí)施例，輔助線具有與固定電壓線一起圍繞晶體管電路的至少一部分并且當(dāng)在平面中觀看時(shí)具有開口端的開環(huán)形狀。

根據(jù)一些實(shí)施例，輔助線當(dāng)在平面中觀看時(shí)具有與固定電壓線一起圍繞晶體管電路的至少一部分的閉環(huán)形狀。

根據(jù)一些實(shí)施例，輔助線與固定電壓線以及第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線位于同一層上。

根據(jù)一些實(shí)施例，固定電壓線是在第二方向上延伸的電源線。

根據(jù)一些實(shí)施例，輔助線與電源線以及第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線位于同一層上。

根據(jù)一些實(shí)施例，輔助線包括在第二方向上延伸的主體部分。

根據(jù)一些實(shí)施例，主體部分位于第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之一與第一晶體管的柵電極之間。

根據(jù)一些實(shí)施例，主體部分在平面中觀察時(shí)以最短距離橫跨連接在第一晶體管的柵電極與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之一之間的假想線。

附圖說明

在下文中參考附圖描述了一些示例性實(shí)施例的方面。然而，本系統(tǒng)和方法不應(yīng)被解釋為限于這些實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解。

在圖中，為了清楚起見，附圖的尺寸可能被放大了。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一元件被稱為在兩個(gè)元件“之間”時(shí)，它可以是這兩個(gè)元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件，除非另有說明。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

圖2是示出了圖1所示的顯示設(shè)備的示例性配置的解復(fù)用器和像素單元的詳細(xì)圖。

圖3是示出了包括在圖1和圖2中的像素的配置的電路圖。

圖4a是示出了圖3所示的像素的平面圖，圖4b是沿圖4a的線i-i'截取的剖視圖。

圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的用于檢查在顯示設(shè)備中是否出現(xiàn)串?dāng)_的串?dāng)_測(cè)試圖案的圖。

圖6是示出了圖3所示的像素的另一實(shí)施例的平面圖。

圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

圖8是示出了圖7所示的顯示設(shè)備的示例性配置的解復(fù)用器和像素單元的詳細(xì)視圖。

圖9是示出了圖7和圖8所示的像素的實(shí)施例的視圖。

圖10是示出了驅(qū)動(dòng)圖8所示的解復(fù)用器和圖9所示的像素的方法的波形圖。

圖11是圖9所示的像素的實(shí)施方式并示出了根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的每個(gè)晶體管的位置的平面圖。

圖12a是圖11所示的像素的詳細(xì)平面圖，圖12b是沿圖12a的線ii-ii'截取的剖視圖，圖12c是沿圖12a的線iii-iii'截取的剖視圖。

圖13是僅示出了圖12a所示的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、電源線和輔助線的平面圖。

圖14是圖9所示的像素的另一實(shí)施方式的平面圖。

圖15是示出了圖14所示的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、電源線和輔助線的平面圖。

圖16是示出了圖9所示的像素的另一實(shí)施方式的平面圖。

圖17是僅示出了圖16所示的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、電源線和輔助線的平面圖。

具體實(shí)施方式

雖然參考附圖描述了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的方面，但是應(yīng)當(dāng)理解，可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改變和修改。此外，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于其具體實(shí)施例，并且可以在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下進(jìn)行各種改變、等同和替換。

在全部圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在附圖中，為了本發(fā)明的清楚起見，元件的尺寸可能被放大了。雖然在本文中使用了術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開。例如，在不脫離發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被指定為第二元件。類似地，第二元件可以被指定為第一元件。此外，單數(shù)形式“一”包括復(fù)數(shù)指稱，除非上下文另有明確指示。

在本文中，應(yīng)當(dāng)理解術(shù)語“包括”或“具有”包括特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、部件或其組合，但不排除一個(gè)或多個(gè)不同的特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、部件或其組合。此外，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或板的元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，它可以直接在另一元件上，或在另一元件上而其間具有一個(gè)或多個(gè)中間元件。此外，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或板的元件被稱為在另一元件“下方”時(shí)，它可以在另一元件的正下方，或在另一元件下方而其間具有一個(gè)或多個(gè)中間元件。在此公開中，術(shù)語“基本上”包括在一些應(yīng)用下以及根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的完全、幾乎完全或任何顯著程度的含義。此外，“形成在……上”也可以表示“形成在……上方”。

本文使用的術(shù)語僅用于描述特定的實(shí)施例，并不旨在限制本發(fā)明。如本文所用，單數(shù)形式的“一”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確說明。將進(jìn)一步理解的是，當(dāng)在此說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和“包含”表明存在所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)”的表述放在一列元件之后時(shí)修飾的是整列元件，而不是修飾該列中的單獨(dú)元件。

如本文所用，術(shù)語“基本上”、“大約”和類似術(shù)語被用作近似的術(shù)語，而不是作為程度的術(shù)語，并且旨在包括本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公認(rèn)的在測(cè)量或計(jì)算的值中的固有公差。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí)施例時(shí)，使用“可以”指的是“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例”。如本文所用，術(shù)語“使用”和“被使用”可以被認(rèn)為分別和術(shù)語“利用”和“被利用”同義。此外，術(shù)語“示例性”意指示例或例示。

在下文中將參考附圖更詳細(xì)地描述一些示例性實(shí)施例的方面。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

參考圖1，根據(jù)一些實(shí)施例的顯示設(shè)備可以包括掃描驅(qū)動(dòng)器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120、像素單元130、時(shí)序控制器150、解復(fù)用器160和解復(fù)用器控制器170。

像素單元130可以包括像素pxl。在本實(shí)施例中，像素pxl可以位于由掃描線sl1至sln和數(shù)據(jù)線dl1至dlm劃分的區(qū)域中。圖1示出了包括m×n個(gè)像素pxl的像素單元130。像素pxl可以從外部器件接收第一電源elvdd和第二電源elvss。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第二電源elvss可以被設(shè)置為比第一電源elvdd低的電壓。像素pxl可以響應(yīng)于被供給到掃描線sl1至sln的掃描信號(hào)以水平線為單位被選擇并接收數(shù)據(jù)信號(hào)。接收數(shù)據(jù)信號(hào)的每個(gè)像素pxl可以響應(yīng)于接收到的數(shù)據(jù)信號(hào)控制經(jīng)由發(fā)光器件oled從第一電源elvdd流向第二電源elvss的電流的量，并且產(chǎn)生具有預(yù)定亮度的光。圖1所示的像素單元130中的像素pxl中的每一個(gè)可以是包括在圖2所示的單元像素upx中的子像素。換句話說，像素pxl中的每一個(gè)可以是顯示紅光、綠光和藍(lán)光中的一種的子像素。

掃描驅(qū)動(dòng)器110可以響應(yīng)于時(shí)序控制器150的控制而產(chǎn)生掃描信號(hào)，并將產(chǎn)生的掃描信號(hào)供給到掃描線sl1至sln。例如，掃描驅(qū)動(dòng)器110可以順序地將掃描信號(hào)供給到掃描線sl1至sln。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可以順序地將多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)供給到數(shù)據(jù)輸出線md1至mdp中的每一條。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可以在每個(gè)水平周期順序地將兩個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)供給到數(shù)據(jù)輸出線md1至mdp中的每一條。

解復(fù)用器160可以聯(lián)接至數(shù)據(jù)輸出線md1至mdp中的每一條。另外，解復(fù)用器160可以聯(lián)接至數(shù)據(jù)線dl1至dlm。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，解復(fù)用器160可以是4:1解復(fù)用器，數(shù)據(jù)線dl1至dlm的數(shù)量可以是數(shù)據(jù)輸出線md1至mdp的數(shù)量的四倍。解復(fù)用器160的結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)線dl1至dlm的數(shù)量和數(shù)據(jù)輸出線md1至mdp的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)施例而變化。

就圖1所示的像素單元130中的像素pxl而言，兩條數(shù)據(jù)線可以聯(lián)接至單條垂直線。聯(lián)接至解復(fù)用器160的數(shù)據(jù)線dl1至dlm中的第一數(shù)據(jù)線dl1和第三數(shù)據(jù)線dl3可以聯(lián)接至位于奇數(shù)水平線的像素pxl，并且第二數(shù)據(jù)線dl2和第四數(shù)據(jù)線dl4可以聯(lián)接至位于偶數(shù)水平線的像素pxl。另外，第五數(shù)據(jù)線dl5和第七數(shù)據(jù)線dl7可以聯(lián)接至位于偶數(shù)水平線的像素pxl，并且第六數(shù)據(jù)線dl6和第八數(shù)據(jù)線dl8可以聯(lián)接至位于奇數(shù)水平線的像素pxl。另外，彼此相鄰的奇數(shù)數(shù)據(jù)線和偶數(shù)數(shù)據(jù)線可以交替地聯(lián)接至位于同一垂直線中的像素pxl。例如，第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2可以交替地聯(lián)接至位于第一垂直線中的像素pxl。像素pxl的連接結(jié)構(gòu)僅是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)示例，并且各種其它連接結(jié)構(gòu)是可能的。

解復(fù)用器160可以響應(yīng)于來自解復(fù)用器控制器170的控制信號(hào)，在一個(gè)水平周期(例如，預(yù)定水平周期)順序地將數(shù)據(jù)信號(hào)供給到奇數(shù)數(shù)據(jù)線并且在下一個(gè)水平周期順序地將數(shù)據(jù)信號(hào)供給到偶數(shù)數(shù)據(jù)線。

解復(fù)用器控制器170可以將多個(gè)控制信號(hào)供給到解復(fù)用器160。解復(fù)用器控制器170可以控制控制信號(hào)的供給，使得數(shù)據(jù)信號(hào)可以以水平線為單位來供給。例如，解復(fù)用器控制器170可以控制控制信號(hào)的供給，使得在每個(gè)水平周期，奇數(shù)數(shù)據(jù)線(dl1、dl3、dl5、...、dlm-1)和偶數(shù)數(shù)據(jù)線(dl2、dl4、dl6、...、dlm)可以交替地聯(lián)接至數(shù)據(jù)輸出線md1至mdp。

時(shí)序控制器150可以響應(yīng)于從外部器件供給的同步信號(hào)控制掃描驅(qū)動(dòng)器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120和解復(fù)用器控制器170。另外，時(shí)序控制器150可以響應(yīng)于從解復(fù)用器控制器170供給的控制信號(hào)而將外部供給的數(shù)據(jù)重新排列并供給到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。

圖2是圖1所示的顯示設(shè)備的示例性配置的解復(fù)用器和像素單元的詳細(xì)視圖。為了便于說明，圖2示出了聯(lián)接至第一數(shù)據(jù)輸出線md1至第四數(shù)據(jù)輸出線md4的解復(fù)用器。另外，圖2僅示出了數(shù)據(jù)線dl1至dlm中的第一數(shù)據(jù)線dl1至第十六數(shù)據(jù)線dl16。

參考圖2，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的解復(fù)用器160可以包括第一開關(guān)sw1至第十六開關(guān)sw16。包括在解復(fù)用器160中的第一開關(guān)sw1至第十六開關(guān)sw16中的每一個(gè)可以聯(lián)接在對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)輸出線與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線之間。另外，像素單元的像素pxl中的每一個(gè)可以是紅色r像素、藍(lán)色b像素、第一綠色g1像素和第二綠色g2像素中的一個(gè)。如上面參考圖2所描述的，紅色r像素、藍(lán)色b像素、第一綠色g1像素和第二綠色g2像素可以形成單個(gè)單元像素upx。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，相同的像素?cái)?shù)據(jù)可以被施加到包括在單個(gè)單元像素upx中的第一綠色g1像素和第二綠色g2像素，或者不同的像素?cái)?shù)據(jù)可以被施加到其上。然而，單元像素upx的綠色可以由第一綠色g1像素和第二綠色g2像素顯示。

根據(jù)圖2所示的實(shí)施例，第一開關(guān)sw1至第十六開關(guān)sw16可以分別聯(lián)接至第一數(shù)據(jù)線dl1至第十六數(shù)據(jù)線dl16。另外，同一垂直線中的像素中的每一個(gè)可以不聯(lián)接至與相鄰像素聯(lián)接的同一數(shù)據(jù)線。換句話說，與單條垂直線相對(duì)應(yīng)的兩條數(shù)據(jù)線可以交替地聯(lián)接至包括在對(duì)應(yīng)垂直線中的像素。

第一開關(guān)sw1、第五開關(guān)sw5、第九開關(guān)sw9和第十三開關(guān)sw13可以聯(lián)接至第一數(shù)據(jù)輸出線md1。因此，第一數(shù)據(jù)線dl1、第五數(shù)據(jù)線dl5、第九數(shù)據(jù)線dl9和第十三數(shù)據(jù)線dl13可以從第一數(shù)據(jù)輸出線md1接收數(shù)據(jù)信號(hào)。

第二開關(guān)sw2、第六開關(guān)sw6、第十開關(guān)sw10和第十四開關(guān)sw14可以聯(lián)接至第三數(shù)據(jù)輸出線md3。因此，第二數(shù)據(jù)線dl2、第六數(shù)據(jù)線dl6、第十?dāng)?shù)據(jù)線dl10和第十四數(shù)據(jù)線dl14可以從第三數(shù)據(jù)輸出線md3接收數(shù)據(jù)信號(hào)。

第三開關(guān)sw3、第七開關(guān)sw7、第十一開關(guān)sw11和第十五開關(guān)sw15可以聯(lián)接至第二數(shù)據(jù)輸出線md2。因此，第三數(shù)據(jù)線dl3、第七數(shù)據(jù)線dl7、第十一數(shù)據(jù)線dl11和第十五數(shù)據(jù)線dl15可以從第二數(shù)據(jù)輸出線md2接收數(shù)據(jù)信號(hào)。

第四開關(guān)sw4、第八開關(guān)sw8、第十二開關(guān)sw12和第十六開關(guān)sw16可以聯(lián)接至第四數(shù)據(jù)輸出線md4。因此，第四數(shù)據(jù)線dl4、第八數(shù)據(jù)線dl8、第十二數(shù)據(jù)線dl12和第十六數(shù)據(jù)線dl16可以從第四數(shù)據(jù)輸出線md4接收數(shù)據(jù)信號(hào)。

第一開關(guān)sw1、第三開關(guān)sw3、第六開關(guān)sw6和第八開關(guān)sw8可以響應(yīng)于第一控制信號(hào)cs1而導(dǎo)通。另外，第九開關(guān)sw9、第十一開關(guān)sw11、第十四開關(guān)sw14和第十六開關(guān)sw16可以響應(yīng)于第二控制信號(hào)cs2而導(dǎo)通。另外，第二開關(guān)sw2、第四開關(guān)sw4、第五開關(guān)sw5和第七開關(guān)sw7可以響應(yīng)于第三控制信號(hào)cs3而導(dǎo)通。最后，第十開關(guān)sw10、第十二開關(guān)sw12、第十三開關(guān)sw13和第十五開關(guān)sw15可以響應(yīng)于第四控制信號(hào)cs4而導(dǎo)通。

可以分別通過第一掃描線sl1至第n掃描線sln順序地施加第一掃描信號(hào)s1至第n掃描信號(hào)sn。

當(dāng)施加第一控制信號(hào)cs1和第一掃描信號(hào)s1時(shí)，可以將數(shù)據(jù)施加到位于第一水平線的最左邊的四個(gè)像素pxl。另外，當(dāng)施加第二控制信號(hào)cs2和第一掃描信號(hào)s1時(shí)，可以將數(shù)據(jù)施加到第一水平線的第五至第八像素pxl。

當(dāng)施加第三控制信號(hào)cs3和第二掃描信號(hào)s2時(shí)，可以將數(shù)據(jù)施加到位于第二水平線的最左邊的四個(gè)像素pxl。另外，當(dāng)施加第四控制信號(hào)cs4和第二掃描信號(hào)s2時(shí)，可以將數(shù)據(jù)施加到第二水平線的第五至第八像素pxl。

換句話說，在施加第一掃描信號(hào)s1的水平周期期間，可以順序地施加第一控制信號(hào)cs1和第二控制信號(hào)cs2，并且在施加第二掃描信號(hào)s2的水平周期期間，可以順序地施加第三控制信號(hào)cs3和第四控制信號(hào)cs4。

數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過第一數(shù)據(jù)輸出線md1被施加到紅色r像素，并且數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過第三數(shù)據(jù)輸出線md3被施加到藍(lán)色b像素。另外，數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過第二數(shù)據(jù)輸出線md2被施加到第一綠色g1像素，數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過第四數(shù)據(jù)輸出線md4被施加到第二綠色g2像素。

圖3是示出了包括在圖1和圖2中的像素pxl之一的結(jié)構(gòu)的電路圖。

參考圖3，像素pxl可以被實(shí)現(xiàn)為包括第一晶體管t1、第二晶體管t2、存儲(chǔ)電容器cst和發(fā)光器件oled的電路。例如，圖3示出了位于第i行(其中i是小于n的自然數(shù))和第j列(j是小于m的自然數(shù))的像素pxl。像素pxl可以從對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線dlj和對(duì)應(yīng)的掃描線sli接收信號(hào)，并從第一電源elvdd和第二電源elvss接收電源電壓。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第二電源elvss的電壓可以被設(shè)置為低于第一電源elvdd的電壓。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，第二電源elvss可以接地。

第二晶體管t2的柵電極可以聯(lián)接至掃描線sli。第二晶體管t2可以響應(yīng)于從掃描線sli施加的掃描信號(hào)而導(dǎo)通。當(dāng)?shù)诙w管t2導(dǎo)通時(shí)，存儲(chǔ)電容器cst可以充入與被施加到數(shù)據(jù)線dlj的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電壓。第一晶體管t1可以基于存儲(chǔ)電容器cst的兩端處的電壓來控制流過發(fā)光器件oled的電流的量。因此，發(fā)光器件oled可以發(fā)射具有與被施加到數(shù)據(jù)線dlj的數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的亮度的光。

圖4a是圖3所示的像素的實(shí)施方式的平面圖，圖4b是沿圖4a的線i-i'截取的剖視圖。圖4a和圖4b示出了聯(lián)接至位于第i行和第j列的一個(gè)像素的掃描線和兩條相鄰數(shù)據(jù)線。為了便于說明，在圖4a和圖4b中，第i行中的掃描線可以被稱為“掃描線sl”，第j數(shù)據(jù)線和第(j+1)數(shù)據(jù)線可以被分別稱為“第一數(shù)據(jù)線dl1”和“第二數(shù)據(jù)線dl2”。

如圖4a和圖4b所示，每個(gè)像素pxl可以具有例如矩形形狀。然而，像素pxl的形狀可以變化。另外，像素pxl可以具有彼此不同的面積。例如，取決于顏色，像素pxl可以具有不同的面積或形狀。

參考圖4a和圖4b，顯示設(shè)備可以包括基底基板bs、布線部分和像素pxl。

布線部分和連接至布線部分的像素pxl可以被提供到基底基板bs。

布線部分可以將信號(hào)提供到每個(gè)像素pxl、掃描線sl、數(shù)據(jù)線dl和電源線pl。掃描線sl可以在第一方向dr1上延伸。數(shù)據(jù)線dl1和dl2可以在與掃描線sl交叉的第二方向dr2上延伸。電源線pl可以在與數(shù)據(jù)線dl1、dl2和掃描線sl中的一個(gè)(例如數(shù)據(jù)線dl1和dl2)基本相同的方向上延伸。掃描線sl可以將掃描信號(hào)發(fā)送到晶體管，數(shù)據(jù)線dl1和dl2可以將數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送到晶體管，并且電源線pl可以將第一電源elvdd(參見圖1)提供到晶體管。

像素pxl可以包括聯(lián)接至布線部分的晶體管、聯(lián)接至晶體管的顯示器件、存儲(chǔ)電容器cst以及提供在晶體管的至少一部分與布線部分之間的輔助線axl。

晶體管可以包括驅(qū)動(dòng)顯示器件的第一晶體管t1和開關(guān)第一晶體管t1的第二晶體管t2。換句話說，第一晶體管t1可以是驅(qū)動(dòng)晶體管，并且第二晶體管t2可以是開關(guān)晶體管。

第二晶體管t2可以包括第二柵電極ge2、第二源電極se2和第二漏電極de2。第二柵電極ge2可以聯(lián)接至掃描線sl，第二源電極se2可以聯(lián)接至第一數(shù)據(jù)線dl1。第二漏電極de2可以聯(lián)接至第一晶體管t1的柵電極(例如，第一柵電極ge1)。第二晶體管t2可以響應(yīng)于被施加到掃描線sl的掃描信號(hào)而將被施加到第一數(shù)據(jù)線dl1的數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送到第一晶體管t1。

第一晶體管t1可以包括第一柵電極ge1、第一源電極se1和第一漏電極de1。第一柵電極ge1可以聯(lián)接至第二晶體管t2，第一源電極se1可以聯(lián)接至電源線pl，并且第一漏電極de1可以聯(lián)接至發(fā)光器件oled。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，描述了其中發(fā)光器件oled用作顯示器件的示例。然而，根據(jù)另一實(shí)施例，液晶顯示器件或電泳器件可以被用作顯示器件。

發(fā)光器件oled可以包括發(fā)射層eml以及彼此相對(duì)的陽極ad和陰極cd，發(fā)射層eml被插入陽極ad與陰極cd之間。陽極ad可以聯(lián)接至第一晶體管t1的第一漏電極de1。第二電源elvss可以被施加到陰極cd(參見圖1)，發(fā)射層eml可以響應(yīng)于第一晶體管t1的輸出信號(hào)而發(fā)光，并且通過發(fā)光與否來顯示圖像。從發(fā)射層eml發(fā)射的光可以取決于發(fā)射層eml的材料而變化，并且可以是彩色光或白光。

存儲(chǔ)電容器cst可以聯(lián)接在第一柵電極ge1與第一源電極se1之間，并且對(duì)輸入到第一晶體管t1的第一柵電極ge1的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行充電并保持。

存儲(chǔ)電容器cst可以包括形成在基底基板bs上的電容器下電極le和電容器上電極ue。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電容器下電極le可以是浮置的，并且電容器上電極ue可以聯(lián)接至電源線pl。根據(jù)另一示例性實(shí)施例，存儲(chǔ)電容器cst的形狀可以變化，并且電容器下電極le可以聯(lián)接至第二晶體管t2的第二柵電極ge2。

輔助線axl可以提供在第一晶體管t1(具體地，第一晶體管t1的第一柵電極ge1)與兩條數(shù)據(jù)線dl1和dl2中的一條之間。

輔助線axl可以被形成為防止可能在第一數(shù)據(jù)線dl1與作為驅(qū)動(dòng)晶體管的第一晶體管t1之間出現(xiàn)的寄生電容，特別是可能在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1的第一柵電極ge1之間出現(xiàn)的寄生電容。可以將預(yù)定的固定電壓施加到輔助線axl。輔助線axl可以防止第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1的至少一部分(特別是第一晶體管t1的第一柵電極ge1)之間的寄生電容。在下文中將主要描述第一晶體管t1的第一柵電極ge1。

輔助線axl可以提供在其間插入有第一晶體管t1的第一柵電極ge1的兩條相鄰的數(shù)據(jù)線dl1與dl2之間沒有布置被施加固定電壓的布線的部分處。被施加固定電壓的布線可以指被施加具有預(yù)定電勢(shì)的固定電壓從而防止第一柵電極ge1與相鄰數(shù)據(jù)線dl1和dl2之間的耦合的布線。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，因?yàn)榈谝浑娫幢皇┘拥诫娫淳€pl，因此電源線pl可以用作被施加固定電壓的布線。然而，本發(fā)明不限于此。當(dāng)在第一柵電極ge1與相鄰數(shù)據(jù)線dl1和dl2之間存在被施加另一固定電壓的另一布線時(shí)，輔助線axl可以提供在未布置對(duì)應(yīng)線路的部分處。

在下文中，將基于用作被施加固定電壓的布線的電源線pl進(jìn)行描述。電源線pl可以提供在第一柵電極ge1與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之一之間，并且輔助線axl可以提供在第一柵電極ge1與另一數(shù)據(jù)線之間。

例如，如圖4a和4b所示，電源線pl可以提供在第一柵電極ge1與第二數(shù)據(jù)線dl2之間，并且輔助線axl可以提供在第一柵電極ge1與第一數(shù)據(jù)線dl1之間。根據(jù)另一示例性實(shí)施例，電源線pl可以提供在第一柵電極ge1與第一數(shù)據(jù)線dl1之間，并且輔助線axl可以提供在第一柵電極ge1與第二數(shù)據(jù)線dl2之間。

根據(jù)一些示例性實(shí)施例，固定電壓可以被提供為與被施加到電源線pl的驅(qū)動(dòng)電壓基本相同的電平。然而，施加固定電壓的電平不限于此。固定電壓也可以被提供為第一晶體管t1與第一數(shù)據(jù)線dl1之間的寄生電容減小了的電平。根據(jù)一些示例性實(shí)施例，輔助線axl可以聯(lián)接至電源線pl，使得可以施加與被施加到電源線pl的驅(qū)動(dòng)電壓相同的固定電壓。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助線axl可以包括防止寄生電容的主體部分bdp和連接主體部分bdp與電源線pl的連接部分cnp。

主體部分bdp可以提供在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1之間。更具體地說，主體部分bdp可以提供在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1的第一柵電極ge1之間。

根據(jù)一些示例性實(shí)施例，主體部分bdp可以在與第一數(shù)據(jù)線dl1基本相同的方向(例如第二方向dr2)上延伸。

主體部分bdp可以對(duì)應(yīng)于第一柵電極ge1的長(zhǎng)度或?qū)挾龋⑶冶徊贾迷诘谝粩?shù)據(jù)線dl1與第一柵電極ge1之間，從而防止第一數(shù)據(jù)線dl1與第一柵電極ge1之間的耦合。當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)線dl1在一個(gè)方向(例如，預(yù)定方向)上彎曲或傾斜時(shí)，或者當(dāng)?shù)谝粬烹姌Oge1在不同方向上布置并形成為不同形狀時(shí)，主體部分bdp延伸的方向也可以被確定。換句話說，主體部分bdp延伸的方向可以不受限制。如果主體部分bdp可以防止第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1(特別是第一柵電極ge1)之間的寄生電容，則主體部分bdp可以在與圖中所示的方向不同的方向上延伸。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，主體部分bdp可以大到足以覆蓋第一柵電極ge1。例如，當(dāng)?shù)谝粬烹姌Oge1在第二方向dr2上具有第一長(zhǎng)度d1時(shí)，主體部分bdp可以在第二方向dr2上具有大于等于第一長(zhǎng)度d1的第二長(zhǎng)度d2。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，主體部分bdp可以被布置成在平面中觀察時(shí)橫跨以最短距離連接在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一柵電極ge1的面對(duì)第一數(shù)據(jù)線dl1的各點(diǎn)之間的假想線。

因?yàn)橹黧w部分bdp形成在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一柵電極ge1之間，因此第一數(shù)據(jù)線dl1與輔助線axl之間的距離可以小于第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1的第一柵電極ge1之間的距離。

連接部分cnp可以提供在電源線pl與主體部分bdp之間，并且將主體部分bdp的至少一部分連接至電源線pl。例如，連接部分cnp可以將電源線pl連接至主體部分bdp的在主體部分bdp延伸的方向上的一端或另一端。提供有連接部分cnp的一部分可以取決于像素的結(jié)構(gòu)(例如主體部分bdp和電源線pl的形狀)而變化。

因此，輔助線axl可以是從電源線pl分叉的分支形狀，并且與電源線pl一起圍繞第一柵電極ge1。輔助線axl可以在不發(fā)生第一柵電極ge1與第一數(shù)據(jù)線dl1之間的耦合的方向上(即在第二方向dr2的相反方向或第二方向dr2上)開口。輔助線axl和電源線pl可以形成在第二方向dr2的相反方向或第二方向dr2上開口的開環(huán)形狀。

在下文中將按照堆疊順序描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的顯示設(shè)備。

根據(jù)該實(shí)施例的顯示設(shè)備可以包括其上堆疊有晶體管和顯示器件的基底基板bs。

根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，緩沖層可以形成在基底基板bs上。緩沖層可以防止雜質(zhì)擴(kuò)散到第一晶體管t1和第二晶體管t2中。取決于基底基板bs的材料和處理?xiàng)l件，可以省略緩沖層。

第一有源圖案act1和第二有源圖案act2可以提供在緩沖層上。第一有源圖案act1和第二有源圖案act2可以包括半導(dǎo)體材料。第一有源圖案act1和第二有源圖案act2可以包括摻雜或未摻雜的硅，例如多晶硅或非晶硅，并且可以是包括氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體圖案。第一有源圖案act1和第二有源圖案act2可以摻雜有包括例如n型雜質(zhì)、p型雜質(zhì)和其它金屬的雜質(zhì)。

柵極絕緣層gi可以提供在第一有源圖案act1和第二有源圖案act2上。

掃描線sl、第一柵電極ge1、第二柵電極ge2和電容器下電極le可以提供在柵極絕緣層gi上方。第二柵電極ge2可以被提供為掃描線sl的一部分，或者從掃描線sl突出。第一柵電極ge1和第二柵電極ge2可以分別覆蓋與第一有源圖案act1的溝道區(qū)域和第二有源圖案act2的溝道區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。

層間絕緣層il可以提供在第一柵電極ge1和第二柵電極ge2上方，以覆蓋第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。

第一數(shù)據(jù)線dl1、第二數(shù)據(jù)線dl2、電源線pl、輔助線axl、第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2、第二漏電極de2以及電容器上電極ue可以提供在層間絕緣層il上。

第一源電極se1和第一漏電極de1可以分別通過穿過柵極絕緣層gi和層間絕緣層il的第四接觸孔ch4和第五接觸孔ch5接觸第一有源圖案act1。第二漏電極de2可以通過穿過層間絕緣層il的第三接觸孔ch3連接至第一柵電極ge1。第二源電極se2和第二漏電極de2可以分別通過穿過柵極絕緣層gi和層間絕緣層il的第一接觸孔ch1和第二接觸孔ch2接觸第二有源圖案act2。

電容器下電極le和電容器上電極ue可以形成存儲(chǔ)電容器cst，層間絕緣層il被插入在電容器下電極le與電容器上電極ue之間。

鈍化層psv可以提供在其上形成有第一源電極se1的基底基板bs上方。鈍化層psv可以用作保護(hù)第一晶體管t1和第二晶體管t2的保護(hù)層，或者用作平坦化第一晶體管t1和第二晶體管t2的上表面的平坦化層。

顯示器件的陽極ad可以提供在鈍化層psv上。陽極ad可以通過形成在鈍化層psv中的第六接觸孔ch6聯(lián)接至第一晶體管t1的第一漏電極de1。

像素限定層pdl可以提供在其上形成有陽極ad的基底基板bs上方，使得像素限定層pdl可以將像素區(qū)域劃分為與各個(gè)像素pxl相對(duì)應(yīng)的多個(gè)區(qū)域。像素限定層pdl可以暴露陽極ad的上表面并且圍繞像素pxl從基底基板bs突出。

發(fā)射層eml可以提供在由像素限定層pdl圍繞的像素區(qū)域中，并且陰極cd可以提供在發(fā)射層eml上。

密封層slm可以提供在陰極cd上，以覆蓋陰極cd。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以使第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1(即驅(qū)動(dòng)晶體管)之間的寄生電容最小化。

根據(jù)一些相關(guān)技術(shù)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管被布置在彼此相鄰的第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間時(shí)，可能在驅(qū)動(dòng)晶體管(例如驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極)與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之間形成寄生電容。然而，電源線可以被布置在驅(qū)動(dòng)晶體管與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之一(例如第二數(shù)據(jù)線)之間。因?yàn)楣潭妷罕皇┘拥诫娫淳€，因此可以防止或減小驅(qū)動(dòng)晶體管與第二數(shù)據(jù)線之間的寄生電容。然而，因?yàn)殡娫淳€未被布置在驅(qū)動(dòng)晶體管與另一數(shù)據(jù)線(即第一數(shù)據(jù)線)之間，因此可能形成寄生電容。該寄生電容可能引起顯示設(shè)備的串?dāng)_缺陷。

圖5是示出了用于檢查顯示設(shè)備是否具有串?dāng)_缺陷的串?dāng)_測(cè)試圖案的圖。

參考圖5，串?dāng)_測(cè)試圖案可以包括具有矩形形狀并顯示黑色的中央部分a1和具有矩形環(huán)并顯示白色的邊緣部分a2。在常規(guī)的顯示設(shè)備中，當(dāng)形成寄生電容時(shí)，盡管具有矩形形狀并位于中央部分a1的上方和下方的垂直部分a3應(yīng)顯示白色，但可能顯示灰色，也就是可能出現(xiàn)了垂直串?dāng)_缺陷。

由于以下原因，可能出現(xiàn)這種垂直串?dāng)_缺陷。

當(dāng)形成測(cè)試圖案時(shí)，與白色相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到與垂直部分a3相對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素的第一晶體管(例如，驅(qū)動(dòng)晶體管)的第一柵電極，并且隨后，與黑色相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到與中央部分a1相對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素的第一晶體管的第一柵電極。然而，當(dāng)在第一數(shù)據(jù)線與第一晶體管(例如，第一柵電極)之間出現(xiàn)耦合時(shí)，例如，當(dāng)垂直部分a3的第一數(shù)據(jù)線中與黑色相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)和與白色相對(duì)應(yīng)并被施加到垂直部分a3的第一柵電極的數(shù)據(jù)信號(hào)之間出現(xiàn)耦合時(shí)，被施加到垂直部分a3的第一柵電極的數(shù)據(jù)信號(hào)可能減小，并且發(fā)光器件的亮度可能因此減小。發(fā)光器件的亮度的減小可能導(dǎo)致像素顯示灰色而不是白色。

在根據(jù)該實(shí)施例的顯示設(shè)備中，因?yàn)樵诘谝粩?shù)據(jù)線與第一柵電極之間提供了用于防止第一數(shù)據(jù)線與第一晶體管之間、特別是第一數(shù)據(jù)線與第一柵電極之間的寄生電容的輔助線，因此可以避免垂直串?dāng)_。因此，可以相對(duì)地提高根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，示出了顯示設(shè)備包括解復(fù)用器。然而，本發(fā)明不限于此。在具有各種結(jié)構(gòu)的相關(guān)技術(shù)像素中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管與兩條數(shù)據(jù)線之間存在小的距離或者不存在單獨(dú)的屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí)，可能出現(xiàn)串?dāng)_缺陷?？梢酝ㄟ^使用根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的輔助線來避免串?dāng)_。近來，考慮到正在執(zhí)行顯示設(shè)備的高精度，相鄰數(shù)據(jù)線之間的耦合可能是不可避免的或常見的。通過在顯示設(shè)備中使用上述輔助線，可以實(shí)現(xiàn)防止或減少串?dāng)_缺陷的情況的高質(zhì)量顯示設(shè)備。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助線可以具有各種形狀。圖6是示出了圖3所示的像素的另一實(shí)施例的平面圖。因?yàn)榇藢?shí)施例除了輔助線之外具有與圖4a、圖4b和圖5所示的結(jié)構(gòu)基本相同或相似的結(jié)構(gòu)，因此可以省略其某些詳細(xì)描述，并且將主要描述關(guān)于輔助線的差別。

參考圖6，根據(jù)另一實(shí)施例的像素可以包括具有閉環(huán)形狀的輔助線。

根據(jù)此實(shí)施例，輔助線axl可以包括用于防止第一晶體管t1的第一柵電極ge1與數(shù)據(jù)線dl之間的寄生電容的主體部分bdp、連接主體部分bdp和電源線pl的第一連接部分cnp1以及第二連接部分cnp2。

主體部分bdp可以提供在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1之間。更具體地說，主體部分bdp可以提供在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一晶體管t1的第一柵電極ge1之間。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，主體部分bdp可以在與第一數(shù)據(jù)線dl1基本相同的方向(即第二方向dr2)上延伸。

主體部分bdp可以對(duì)應(yīng)于第一柵電極ge1的長(zhǎng)度或?qū)挾龋⑶冶徊贾迷诘谝粩?shù)據(jù)線dl1與第一柵電極ge1之間，從而防止第一數(shù)據(jù)線dl1與第一柵電極ge1之間的耦合。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，主體部分bdp可以大到足以覆蓋第一晶體管t1。

第一連接部分cnp1可以提供在電源線pl與主體部分bdp之間，并且將主體部分bdp的在縱向方向上的一端連接至電源線pl。第二連接部分cnp2可以提供在電源線pl與主體部分bdp之間，并且將主體部分bdp的在縱向方向上的另一端連接至電源線pl。

電源線pl的兩端、第一連接部分cnp1、主體部分bdp和第二連接部分cnp2可以彼此順序地連接，以形成閉環(huán)形狀。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，因?yàn)殡娫淳€pl連接至輔助線axl，因此可以將被施加到電源線pl的固定電壓(例如，第一電源)施加到輔助線axl。因此，輔助線axl可以防止第一柵電極ge1與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之一之間的耦合。第一柵電極ge1可以連接至第二晶體管t2的第二漏電極de2。因?yàn)檩o助線axl具有閉環(huán)形狀，因此輔助線axl可以有效地屏蔽第二漏電極de2和/或第二漏電極de2與第一柵電極ge1之間的連接部分。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，描述了其中一個(gè)像素包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器的示例。然而，本發(fā)明不限于此。例如，根據(jù)另一實(shí)施例，可以提供單個(gè)晶體管，并且可以提供防止晶體管與相鄰數(shù)據(jù)線之間的耦合的輔助線。顯示設(shè)備可以包括在第一方向上延伸的掃描線、在與第一方向交叉的第二方向上延伸的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線以及被施加固定電壓的固定電壓線。晶體管可以連接至掃描線和第一數(shù)據(jù)線。輔助線可以提供在晶體管的至少一部分與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線之一之間，并且可以向輔助線施加固定電壓。固定電壓線可以提供在晶體管與另一條數(shù)據(jù)線之間，并且可以向固定電壓線施加固定電壓。

另外，根據(jù)另一實(shí)施例，一個(gè)像素可以包括一個(gè)晶體管，并且一個(gè)像素可以包括至少三個(gè)晶體管，例如六個(gè)或七個(gè)晶體管。存儲(chǔ)電容器的數(shù)量也可以改變。

圖7是示出了根據(jù)另一實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

參考圖7，該顯示設(shè)備可以包括掃描驅(qū)動(dòng)器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120、包括像素pxl的像素單元130、時(shí)序控制器150、解復(fù)用器160以及解復(fù)用器控制器170。

除了掃描驅(qū)動(dòng)器110和像素pxl之外，圖7所示的顯示設(shè)備可具有與圖1所示的顯示設(shè)備相同的配置。在圖7所示的顯示設(shè)備中，掃描驅(qū)動(dòng)器110可以響應(yīng)于時(shí)序控制器150的控制而產(chǎn)生掃描信號(hào)，并將產(chǎn)生的掃描信號(hào)供給到掃描線sl1至sln。例如，掃描驅(qū)動(dòng)器110可以順序地將掃描信號(hào)供給到掃描線sl1至sln。另外，掃描驅(qū)動(dòng)器110可以響應(yīng)于時(shí)序控制器150的控制而產(chǎn)生發(fā)光控制信號(hào)，并將產(chǎn)生的發(fā)光控制信號(hào)供給到發(fā)光控制線el1至eln。圖7所示的像素pxl可以連接至與其對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線、掃描線以及發(fā)光控制線。除接收第一電源elvdd和第二電源elvss之外，像素pxl還可以從外部器件接收初始化電源vint。

圖8是示出了圖7所示的顯示設(shè)備的示例性配置的解復(fù)用器和像素單元的詳細(xì)電路圖。為了便于說明，圖8示出了聯(lián)接至第一數(shù)據(jù)輸出線md1至第四數(shù)據(jù)輸出線md4的解復(fù)用器。另外，圖8僅示出數(shù)據(jù)線dl1至dlm中的第一數(shù)據(jù)線dl1至第十六數(shù)據(jù)線dl16。

參考圖8，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的解復(fù)用器160可以包括第一開關(guān)sw1至第十六開關(guān)sw16。包括在解復(fù)用器160中的第一開關(guān)sw1至第十六開關(guān)sw16中的每一個(gè)可以聯(lián)接在對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)輸出線與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線之間。另外，像素單元的像素pxl中的每一個(gè)可以是紅色(r)像素、藍(lán)色(b)像素、第一綠色(g1)像素和第二綠色(g2)像素中的一種。紅色(r)像素、藍(lán)色(b)像素、第一綠色(g1)像素和第二綠色(g2)像素可以形成單個(gè)單元像素upx。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，相同的像素?cái)?shù)據(jù)可以被施加到包括在單個(gè)單元像素upx中的第一綠色g1像素和第二綠色g2像素，或者不同的像素?cái)?shù)據(jù)可以被施加到其上。然而，單元像素upx的綠色可以由第一綠色g1像素和第二綠色g2像素顯示。

在圖8所示的實(shí)施例中，第一開關(guān)sw1至第十六開關(guān)sw16可以分別聯(lián)接至第一數(shù)據(jù)線dl1至第十六數(shù)據(jù)線dl16。另外，同一垂直線中的像素中的每一個(gè)與相鄰像素可以不連接至同一條數(shù)據(jù)線。換句話說，與一條垂直線相對(duì)應(yīng)的兩條數(shù)據(jù)線可以交替地連接至包括在對(duì)應(yīng)垂直線中的像素。

因?yàn)閳D8所示的第一開關(guān)sw1至第十六開關(guān)sw16與第一數(shù)據(jù)線dl1至第十六數(shù)據(jù)線dl16之間的連接與圖2所示的連接相同，因此將省略其詳細(xì)描述。

圖8所示的像素pxl中的每一個(gè)可以聯(lián)接至對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線、對(duì)應(yīng)的掃描線和對(duì)應(yīng)的發(fā)光控制線。

圖9是示出了圖7和圖8所示的像素的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。圖9示出了位于第i行(i是小于n的自然數(shù))和第j列(j是小于m的自然數(shù))的像素pxl。根據(jù)該實(shí)施例的像素pxl可以包括發(fā)光器件oled、第一晶體管t1至第七晶體管t7以及存儲(chǔ)電容器cst。

發(fā)光器件oled的陽極可以經(jīng)由第六晶體管t6聯(lián)接至第一晶體管t1，其陰極可以聯(lián)接至第二電源elvss。發(fā)光器件oled可以產(chǎn)生具有與從第一晶體管t1供給的電流的量相對(duì)應(yīng)的預(yù)定亮度的光。

第一電源elvdd可以被設(shè)置為大于第二電源elvss的電壓，使得電流可以流過發(fā)光器件oled。

第七晶體管t7可以連接在初始化電源vint與發(fā)光器件oled的陽極之間。另外，第七晶體管t7的柵電極可以連接至第(i+1)掃描線sli+1。當(dāng)?shù)?i+1)掃描信號(hào)被供給到第(i+1)掃描線sli+1時(shí)，第七晶體管t7可以導(dǎo)通，使得初始化電源vint的電壓可以被供給到發(fā)光器件oled的陽極。初始化電源vint可以被設(shè)置為比數(shù)據(jù)信號(hào)低的電壓。

第六晶體管t6可以聯(lián)接在第一晶體管t1與發(fā)光器件oled之間。另外，第六晶體管t6的柵電極可以聯(lián)接至第i發(fā)光控制線eli。第六晶體管t6可以在第i發(fā)光控制信號(hào)被供給到第i發(fā)光控制線eli時(shí)截止，并且在剩余周期內(nèi)導(dǎo)通。

第五晶體管t5可以聯(lián)接在第一電源elvdd與第一晶體管t1之間。另外，第五晶體管t5的柵電極可以聯(lián)接至第i發(fā)光控制線eli。第五晶體管t5可以在第i發(fā)光控制信號(hào)被供給到第i發(fā)光控制線eli時(shí)截止，并且在剩余周期內(nèi)導(dǎo)通。

作為驅(qū)動(dòng)晶體管的第一晶體管t1的第一電極可以經(jīng)由第五晶體管t5聯(lián)接至第一電源elvdd。第一晶體管t1的第二電極可以經(jīng)由第六晶體管t6聯(lián)接至發(fā)光器件oled的陽極。另外，第一晶體管t1的柵電極可以聯(lián)接至第一節(jié)點(diǎn)n1。第一晶體管t1可以響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓，而控制經(jīng)由發(fā)光器件oled從第一電源elvdd流向第二電源elvss的電流的量。

第三晶體管t3可以聯(lián)接在第一晶體管t1的第二電極與第一節(jié)點(diǎn)n1之間。另外，第三晶體管t3的柵電極可以聯(lián)接至第i掃描線sli。第三晶體管t3可以在第i掃描信號(hào)被供給到第i掃描線sli時(shí)導(dǎo)通，以將第一晶體管t1的第二電極電連接至第一節(jié)點(diǎn)n1。因此，當(dāng)?shù)谌w管t3導(dǎo)通時(shí)，第一晶體管t1可以被連接為二極管。

第四晶體管t4可以聯(lián)接在第一節(jié)點(diǎn)n1與初始化電源vint之間。第四晶體管t4的柵電極可以聯(lián)接至第(i-1)掃描線sli-1。第四晶體管t4可以在第(i-1)掃描信號(hào)被供給到第(i-1)掃描線sli-1時(shí)導(dǎo)通，使得初始化電源vint的電壓可以被供給到第一節(jié)點(diǎn)n1。

第二晶體管t2可以聯(lián)接在第j數(shù)據(jù)線dlj與第一晶體管t1的第一電極之間。另外，第二晶體管t2的柵電極可以聯(lián)接至第i掃描線sli。第二晶體管t2可以在掃描信號(hào)被供給到第i掃描線sli時(shí)導(dǎo)通，以將第j數(shù)據(jù)線dlj電連接至第一晶體管t1的第一電極。

存儲(chǔ)電容器cst可以聯(lián)接在第一電源elvdd與第一節(jié)點(diǎn)n1之間。存儲(chǔ)電容器cst可以存儲(chǔ)與第j數(shù)據(jù)信號(hào)以及第一晶體管t1的閾值電壓相對(duì)應(yīng)的電壓。

圖10是示出了用于驅(qū)動(dòng)圖8所示的解復(fù)用器和圖9所示的像素的方法的波形圖。

參考圖8至圖10，可以順序地施加第(i-1)掃描信號(hào)si-1至第(i+2)掃描信號(hào)si+2。同時(shí)，可以在施加第(i-1)掃描信號(hào)si-1的水平周期期間順序地施加第一控制信號(hào)cs1和第二控制信號(hào)cs2。另外，在施加第i掃描信號(hào)si的水平周期期間，可以順序地施加第三控制信號(hào)cs3和第四控制信號(hào)cs4。隨后，在施加第(i+1)掃描信號(hào)si+1的水平周期期間，可以再次順序地施加第一控制信號(hào)cs1和第二控制信號(hào)cs2。此外，在施加第(i+2)掃描信號(hào)si+2的水平周期期間，可以順序地施加第三控制信號(hào)cs3和第四控制信號(hào)cs4。

首先，可以將第i發(fā)光控制信號(hào)ei供給到第i發(fā)光控制線eli。當(dāng)發(fā)光控制信號(hào)ei被供給到第i發(fā)光控制線eli時(shí)，第六晶體管t6和第五晶體管t5可以截止。

當(dāng)?shù)谖寰w管t5截止時(shí)，第一電源elvdd和第一晶體管t1的第一電極可以彼此電斷開。當(dāng)?shù)诹w管t6截止時(shí)，第一晶體管t1的第二電極和發(fā)光器件oled的陽極可以彼此電斷開。因此，在發(fā)光控制信號(hào)ei被供給到第i發(fā)光控制線eli的周期期間，像素pxl可以被設(shè)置為非發(fā)光狀態(tài)。

其后，可以將第(i-1)掃描信號(hào)si-1供給到第(i-1)掃描線sli-1。當(dāng)?shù)?i-1)掃描信號(hào)si-1被供給到第(i-1)掃描線sli-1時(shí)，第四晶體管t4可以導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谒木w管t4導(dǎo)通時(shí)，初始化電源vint的電壓可以被供給到第一節(jié)點(diǎn)n1。

在將第(i-1)掃描信號(hào)si-1供給到第(i-1)掃描線sli-1之后，可以將第i掃描信號(hào)si供給到第i掃描線sli。當(dāng)?shù)趇掃描信號(hào)si被供給到第i掃描線sli時(shí)，第三晶體管t3和第二晶體管t2可以導(dǎo)通。

當(dāng)?shù)谌w管t3導(dǎo)通時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)n1和第一晶體管t1的第二電極可以彼此電連接。換句話說，當(dāng)?shù)谌w管t3導(dǎo)通時(shí)，第一晶體管t1可以被連接為二極管。

當(dāng)?shù)诙w管t2導(dǎo)通時(shí)，可以從第j數(shù)據(jù)線dlj將第j數(shù)據(jù)信號(hào)dj供給到第一晶體管t1的第一電極。因?yàn)榈谝还?jié)點(diǎn)n1被初始化為初始化電源vint的電壓，因此第一晶體管t1可以導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝痪w管t1導(dǎo)通時(shí)，可以將通過從第j數(shù)據(jù)信號(hào)dj的電壓減去第一晶體管t1的閾值電壓的絕對(duì)值而得到的電壓供給到第一節(jié)點(diǎn)n1。存儲(chǔ)電容器cst可以存儲(chǔ)與第j數(shù)據(jù)信號(hào)dj以及第一晶體管t1的閾值電壓相對(duì)應(yīng)的電壓。

可以將第(i+1)掃描信號(hào)si+1供給到第(i+1)掃描線sli+1。當(dāng)?shù)?i+1)掃描信號(hào)si+1被供給到第(i+1)掃描線sli+1時(shí)，第七晶體管t7可以導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谄呔w管t7導(dǎo)通時(shí)，初始化電源vint的電壓可以被施加到發(fā)光器件oled的陽極，并且發(fā)光器件oled的寄生電容可以放電。

在將第(i+1)掃描信號(hào)si+1供給到第(i+1)掃描線sli+1之后，可以停止將第i發(fā)光控制信號(hào)ei供給到第i發(fā)光控制線eli。當(dāng)停止將第i發(fā)光控制信號(hào)ei供給到第i發(fā)光控制線eli時(shí)，第六晶體管t6和第五晶體管t5可以導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谖寰w管t5導(dǎo)通時(shí)，第一電源elvdd和第一晶體管t1的第一電極可以彼此電連接。當(dāng)?shù)诹w管t6導(dǎo)通時(shí)，第一晶體管t1的第二電極和發(fā)光器件oled的陽極可以彼此電連接。

第一晶體管t1可以響應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)n1的電壓，而控制經(jīng)由發(fā)光器件oled從第一電源elvdd流向第二電源elvss的電流的量。發(fā)光器件oled可以響應(yīng)于從第一晶體管t1供給的電流的量而產(chǎn)生具有預(yù)定亮度的光。實(shí)際上，像素pxl可以重復(fù)上述過程并產(chǎn)生具有與數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的亮度的光。

如上所述，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的顯示設(shè)備可以在時(shí)間上劃分?jǐn)?shù)據(jù)被施加到數(shù)據(jù)線的周期以及將與數(shù)據(jù)信號(hào)以及第一晶體管的閾值電壓相對(duì)應(yīng)的電壓存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器中的周期。因?yàn)榇_保了其中第一晶體管t1的閾值電壓被補(bǔ)償?shù)闹芷诘淖銐驎r(shí)間量，因此可以降低由高分辨率造成的瑕疵。

圖11是圖9所示的像素的實(shí)施方式并且示出了各個(gè)晶體管的位置的平面圖。圖12a是圖11所示的像素的詳細(xì)平面圖。圖12b是沿圖12a的線ii-ii'截取的剖視圖。圖12c是沿圖12a的線iii-iii'截取的剖視圖。在圖11、圖12a至圖12c中，基于布置在第i行和第j列的一個(gè)像素，示出了連接至該像素的掃描線、發(fā)光控制線、電源線和兩條相鄰的數(shù)據(jù)線。為了方便起見，在圖12a至圖12c中，第(i-1)行中的掃描線可以被稱為“第一掃描線sl1”，第i行中的掃描線可以被稱為“第二掃描線sl2”，第(i+1)行中的掃描線可以被稱為“第三掃描線sl3”，第j列中的數(shù)據(jù)線可以被稱為“第一數(shù)據(jù)線dl1”，在第(j+1)列中的數(shù)據(jù)線可以被稱為“第二數(shù)據(jù)線dl2”，第i行中的發(fā)光控制線可以被稱為“發(fā)光控制線el”，并且第j電源線可以被稱為“電源線pl”。

參考圖11、圖12a至圖12c，該顯示設(shè)備可以包括基底基板bs、布線部分和像素pxl。

布線部分可以將信號(hào)供給到每個(gè)像素pxl，并且包括掃描線、數(shù)據(jù)線、發(fā)光控制線el、電源線pl和初始化電源線ipl。

掃描線可以包括在第一方向dr1上延伸并且在第二方向dr2上順序布置的第一掃描線sl1、第二掃描線sl2和第三掃描線sl3。掃描信號(hào)可以被施加到掃描線。第(i-1)掃描信號(hào)可以被施加到第一掃描線sl1，第i掃描信號(hào)可以被施加到第二掃描線sl2，并且第(i+1)掃描信號(hào)可以被施加到第三掃描線sl3。

發(fā)光控制線el可以在第一方向dr1上延伸，并且被布置在第二掃描線sl2與第三掃描線sl3之間并與第二掃描線sl2和第三掃描線sl3分離。發(fā)光控制信號(hào)可以被施加到發(fā)光控制線el。

數(shù)據(jù)線可以包括在第二方向dr2上延伸并且在第一方向dr1上順序布置的第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2。數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到數(shù)據(jù)線dl。第j數(shù)據(jù)信號(hào)和第(j+1)數(shù)據(jù)信號(hào)可以分別被施加到第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2。

電源線pl可以在第二方向dr2上延伸，并且被布置在第一數(shù)據(jù)線dl1與第二數(shù)據(jù)線dl2之間并與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2分離。雖然電源線pl可以被部分地彎曲以相對(duì)于第二方向dr2傾斜，但是電源線pl可以被布置為在第二方向dr2上延伸。第一電源可以被施加到電源線pl。

初始化電源線ipl可以在第一方向dr1上延伸并且提供在第三掃描線sl3與下一行中的像素的第一掃描線sl1之間。初始化電源可以被施加到初始化電源線ipl。

每個(gè)像素可以包括第一晶體管t1至第七晶體管t7、存儲(chǔ)電容器cst、發(fā)光器件oled和輔助線axl。

第一晶體管t1可以包括第一柵電極ge1、第一有源圖案act1、第一源電極se1、第一漏電極de1和連接線cnl。

第一柵電極ge1可以聯(lián)接至第三晶體管t3的第三漏電極de3和第四晶體管t4的第四漏電極de4。連接線cnl可以連接第一柵電極ge1與第三漏電極de3和第四漏電極de4。連接線cnl的一端可以通過第一接觸孔ch1聯(lián)接至第一柵電極ge1，其另一端可以通過第二接觸孔ch2聯(lián)接至第三漏電極de3和第四漏電極de4。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一有源圖案act1與第一源電極se1和第一漏電極de1中的每一個(gè)可以包括摻雜雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第一源電極se1和第一漏電極de1可以包括摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層，并且第一有源圖案act1可以包括未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。

第一有源圖案act1可以具有在預(yù)定方向上延伸的條形，并且可以在縱向方向上彎曲多次。當(dāng)在平面中觀察時(shí)，第一有源圖案act1可以與第一柵電極ge1重疊。因?yàn)榈谝挥性磮D案act1在縱向方向上延伸，因此第一晶體管t1的溝道區(qū)域可以對(duì)應(yīng)地在縱向方向上延伸。因此，被施加到第一晶體管t1的柵極電壓的驅(qū)動(dòng)范圍可以變寬。因此，可以精細(xì)地控制從發(fā)光器件oled發(fā)射的光的灰度。

第一源電極se1可以聯(lián)接至第一有源圖案act1的一端、第二晶體管t2的第二漏電極de2和第五晶體管t5的第五漏電極de5。第一漏電極de1可以聯(lián)接至第一有源圖案act1的另一端、第三晶體管t3的第三源電極se3和第六晶體管t6的第六源電極se6。

第二晶體管t2可以包括第二柵電極ge2、第二有源圖案act2、第二源電極se2和第二漏電極de2。

第二柵電極ge2可以聯(lián)接至第二掃描線sl2。第二柵電極ge2可以被提供為第二掃描線sl2的一部分，或者從第二掃描線sl2突出。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第二有源圖案act2、第二源電極se2和第二漏電極de2中的每一個(gè)可以包括摻雜雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第二源電極se2和第二漏電極de2可以包括摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第二有源圖案act2可以包括未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第二有源圖案act2可以對(duì)應(yīng)于與第二柵電極ge2的重疊部分。第二源電極se2的一端可以聯(lián)接至第二有源圖案act2，并且其另一端可以通過第六接觸孔ch6聯(lián)接至第一數(shù)據(jù)線dl1。第二漏電極de2的一端可以聯(lián)接至第二有源圖案act2，并且其另一端可以聯(lián)接至第一晶體管t1的第一源電極se1和第五晶體管t5的第五漏電極de5。

第三晶體管t3可以包括雙柵極結(jié)構(gòu)，以便防止泄漏電流。換句話說，第三晶體管t3可以包括第3a晶體管t3a和第3b晶體管t3b。第3a晶體管t3a可以包括第3a柵電極ge3a、第3a有源圖案act3a、第3a源電極se3a和第3a漏電極de3a。第3b晶體管t3b可以包括第3b柵電極ge3b、第3b有源圖案act3b、第3b源電極se3b和第3b漏電極de3b。在下文中，第3a柵電極ge3a和第3b柵電極ge3b可以被稱為第三柵電極ge3，第3a有源圖案act3a和第3b有源圖案act3b可以被稱為第三有源圖案act3，第3a源電極se3a和第3b源電極se3b可以被稱為第三源電極se3，并且第3a漏電極de3a和第3b漏電極de3b可以被稱為第三漏電極de3。

第三柵電極ge3可以聯(lián)接至第二掃描線sl2。第三柵電極ge3可以被提供為第二掃描線sl2的一部分，或者從第二掃描線sl2突出。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第三有源圖案act3、第三源電極se3和第三漏電極de3中的每一個(gè)可以包括摻雜雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第三源電極se3和第三漏電極de3可以包括摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第三有源圖案act3可以包括未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第三有源圖案act3可以對(duì)應(yīng)于與第三柵電極ge3的重疊部分。第三源電極se3的一端可以聯(lián)接至第三有源圖案act3，并且其另一端可以聯(lián)接至第一晶體管t1的第一漏電極de1和第六晶體管t6的第六源電極se6。第三漏電極de3的一端可以聯(lián)接至第三有源圖案act3，并且其另一端可以聯(lián)接至第四晶體管t4的第四漏電極de4。另外，第三漏電極de3可以通過連接線cnl、第二接觸孔ch2和第一接觸孔ch1聯(lián)接至第一晶體管t1的第一柵電極ge1。

第四晶體管t4可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)，以便防止泄漏電流。換句話說，第四晶體管t4可以包括第4a晶體管和第4b晶體管。第4a晶體管可以包括第4a柵電極ge4a、第4a有源圖案act4a、第4a源電極se4a和第4a漏電極de4a。第4b晶體管可以包括第4b柵電極ge4b、第4b有源圖案act4b、第4b源電極se4b和第4b漏電極de4b。在下文中，第4a柵電極ge4a和第4b柵電極ge4b可以被稱為第四柵電極ge4，第4a有源圖案act4a和第4b有源圖案act4b可以被稱為第四有源圖案act4，第4a源電極se4a和第4b源電極se4b可以被稱為第四源電極se4，并且第4a漏電極de4a和第4b漏電極de4b可以被稱為第四漏電極de4。

第四柵電極ge4可以聯(lián)接至第一掃描線sl1。第四柵電極ge4可以被提供為第一掃描線sl1的一部分，或者從第一掃描線sl1突出。第四有源圖案act4、第四源電極se4和第四漏電極de4中的每一個(gè)可以包括摻雜雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第四源電極se4和第四漏電極de4可以包括摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第四有源圖案act4可以包括未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第四有源圖案act4可以對(duì)應(yīng)于與第四柵電極ge4的重疊部分。第四源電極se4的一端可以聯(lián)接至第四有源圖案act4，并且其另一端可以聯(lián)接至初始化電源線ipl和前一行中的像素的第七晶體管t7的第七漏電極de7。輔助連接線aux可以提供在第四源電極se4與初始化電源線ipl之間。輔助連接線aux的一端可以通過第九接觸孔ch9聯(lián)接至第四源電極se4，并且輔助連接線aux的另一端可以通過前一行中的第八接觸孔ch8聯(lián)接至前一行中的初始化電源線ipl。第四漏電極de4的一端可以聯(lián)接至第四有源圖案act4，并且其另一端可以聯(lián)接至第三晶體管t3的第三漏電極de3。另外，第四漏電極de4可以通過連接線cnl、第二接觸孔ch2和第一接觸孔ch1聯(lián)接至第一晶體管t1的第一柵電極ge1。

第五晶體管t5可以包括第五柵電極ge5、第五有源圖案act5、第五源電極se5和第五漏電極de5。

第五柵電極ge5可以聯(lián)接至發(fā)光控制線el。第五柵電極ge5可以被提供為發(fā)光控制線el的一部分，或者從發(fā)光控制線el突出。第五有源圖案act5、第五源電極se5和第五漏電極de5中的每一個(gè)可以包括摻雜雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第五源電極se5和第五漏電極de5可以包括摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第五有源圖案act5可以包括未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第五有源圖案act5可以對(duì)應(yīng)于與第五柵電極ge5的重疊部分。第五源電極se5的一端可以聯(lián)接至第五有源圖案act5，并且其另一端可以通過第五接觸孔ch5聯(lián)接至電源線pl。第五漏電極de5的一端可以聯(lián)接至第五有源圖案act5，并且其另一端可以聯(lián)接至第一晶體管t1的第一源電極se1和第二晶體管t2的第二漏電極de2。

第六晶體管t6可以包括第六柵電極ge6、第六有源圖案act6、第六源電極se6和第六漏電極de6。

第六柵電極ge6可以聯(lián)接至發(fā)光控制線el。第六柵電極ge6可以被提供為發(fā)光控制線el的一部分，或者從發(fā)光控制線el突出。第六有源圖案act6、第六源電極se6和第六漏電極de6中的每一個(gè)可以包括摻雜雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第六源電極se6和第六漏電極de6可以包括摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第六有源圖案act6可以包括未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第六有源圖案act6可以對(duì)應(yīng)于與第六柵電極ge6的重疊部分。第六源電極se6的一端可以聯(lián)接至第六有源圖案act6，并且其另一端可以聯(lián)接至第一晶體管t1的第一漏電極de1和第三晶體管t3的第三源電極se3。第六漏電極de6的一端可以聯(lián)接至第六有源圖案act6，并且其另一端可以聯(lián)接至第七晶體管t7的第七源電極se7。

第七晶體管t7可以包括第七柵電極ge7、第七有源圖案act7、第七源電極se7和第七漏電極de7。

第七柵電極ge7可以聯(lián)接至第三掃描線sl3。第七柵電極ge7可以被提供為第三掃描線sl3的一部分，或者從第三掃描線sl3突出。第七有源圖案act7、第七源電極se7和第七漏電極de7中的每一個(gè)可以包括摻雜雜質(zhì)或未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第七源電極se7和第七漏電極de7可以包括摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層，并且第七有源圖案act7可以包括未摻雜雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。第七有源圖案act7可以對(duì)應(yīng)于與第七柵電極ge7的重疊部分。第七源電極se7的一端可以聯(lián)接至第七有源圖案act7，并且其另一端可以聯(lián)接至第六晶體管t6的第六漏電極de6。第七漏電極de7的一端可以聯(lián)接至第七有源圖案act7，并且其另一端可以聯(lián)接至初始化電源線ipl。此外，第七漏電極de7可以聯(lián)接至第四晶體管t4的第四源電極se4。第七漏電極de7和初始化電源線ipl可以通過輔助連接線aux和第八接觸孔ch8彼此聯(lián)接。

存儲(chǔ)電容器cst可以包括下電極le和上電極ue。下電極le可以包括第一晶體管t1的第一柵電極ge1。

當(dāng)在平面中觀察時(shí)，上電極ue可以與第一柵電極ge1重疊并且覆蓋下電極le。通過增大上電極ue與下電極le之間的重疊面積，可以增加存儲(chǔ)電容器cst的電容。上電極ue可以在第一方向dr1上延伸。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以向上電極ue施加具有與第一電源相同的電平的電壓。在形成接觸第一柵電極ge1和連接線cnl的第一接觸孔ch1的區(qū)域中，上電極ue可以具有開口opn。

發(fā)光器件oled可以包括陽極ad、陰極cd以及提供在陽極ad與陰極cd之間的發(fā)射層eml。

陽極ad可以提供在與每個(gè)像素相對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域中。陽極ad可以通過第七接觸孔ch7和第十接觸孔ch10聯(lián)接至第七晶體管t7的第七源電極se7和第六晶體管t6的第六漏電極de6。橋圖案brp可以提供在第七接觸孔ch7與第十接觸孔ch10之間，并將第六漏電極de6和第七源電極se7連接至陽極ad。

輔助線axl可以提供在第一晶體管t1(特別是在第一晶體管t1的連接線cnl)與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之一之間。

圖13是為了便于解釋示出了圖12a所示的第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2、電源線pl和輔助線axl的平面圖。

參考圖12a至圖12c和圖13，可以形成輔助線axl，以防止在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的第一晶體管t1與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之一之間可能出現(xiàn)的寄生電容，特別是在第一晶體管t1的連接線cnl與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之一之間可能出現(xiàn)的寄生電容。

可以將固定電壓(例如，預(yù)定的固定電壓)施加到輔助線axl。

與第一晶體管t1相關(guān)聯(lián)，第一柵電極ge1的相當(dāng)大的部分可以被存儲(chǔ)電容器cst的上電極ue屏蔽。因此，第一柵電極ge1與相鄰數(shù)據(jù)線dl中的一條之間的寄生電容可能不會(huì)相對(duì)較大。然而，通過第一接觸孔ch1直接連接至第一柵電極ge1的連接線cnl可能與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2形成在同一層上，并且與第一柵電極ge1的柵極電壓相同的柵極電壓可能被施加到連接線cnl上。因此，在連接線cnl與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之間可能形成相對(duì)較大的寄生電容。此外，存儲(chǔ)電容器cst的上電極ue被部分去除的開口opn可以形成在其中用于將第一柵電極ge1連接至連接線cnl的第一接觸孔ch1形成的區(qū)域中。開口opn可以允許第一柵電極ge1的未被覆蓋的一部分與相鄰的第二數(shù)據(jù)線dl2具有寄生電容。

輔助線axl可以基于連接線cnl被提供在相鄰的第一數(shù)據(jù)線dl1與第二數(shù)據(jù)線dl2之間沒有布置被施加固定電壓的布線的部分處。被施加固定電壓的布線可以指被施加具有預(yù)定電勢(shì)的固定電壓以便防止連接線cnl與相鄰數(shù)據(jù)線dl之間的耦合的布線。固定電壓線可以與連接線cnl以及第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2形成在同一層上，以便減小連接線cnl與相鄰數(shù)據(jù)線dl之間的耦合。

根據(jù)該實(shí)施例，被施加第一電源的電源線pl可以對(duì)應(yīng)于固定電壓線。除電源線pl之外，在第一柵電極ge1與相鄰數(shù)據(jù)線dl之間存在被施加另一固定電壓的另一布線，并且輔助線axl可以提供在未布置對(duì)應(yīng)線的部分處。在下文中對(duì)其中被施加固定電壓的布線是電源線的示例進(jìn)行描述。

電源線pl可以提供在第一柵電極ge1與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2之一之間。輔助線axl可以提供在第一柵電極ge1與另一數(shù)據(jù)線之間。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，如圖13所示，電源線pl可以提供在連接線cnl與第一數(shù)據(jù)線dl1之間。輔助線axl可以提供在連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間。當(dāng)電源線pl提供在連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間時(shí)，輔助線axl可以提供在連接線cnl與第一數(shù)據(jù)線dl1之間。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，固定電壓可以被提供為與被施加到電源線pl的驅(qū)動(dòng)電壓的電平基本相同的電平。輔助線axl可以聯(lián)接至電源線pl。

再次參考圖13，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助線axl可以提供在連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助線axl可以在與第二數(shù)據(jù)線dl2的方向基本相同的方向上(例如，在第二方向dr2上)延伸。

輔助線axl可以對(duì)應(yīng)于連接線cnl的長(zhǎng)度或?qū)挾?，并且被布置在第二?shù)據(jù)線dl2與連接線cnl之間，以防止第二數(shù)據(jù)線dl2與連接線cnl之間的耦合。因此，當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)線dl2在預(yù)定方向上彎曲或傾斜時(shí)，或者連接線cnl在不同方向上布置或形成為不同形狀時(shí)，輔助線axl延伸的方向也可以相應(yīng)地確定。換句話說，輔助線axl延伸的方向可以不受限制。如果輔助線axl可以防止連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間的寄生電容，則輔助線axl可以在與圖13所示的方向不同的方向上延伸。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助線axl可以大到足以覆蓋連接線cnl。當(dāng)連接線cnl在第二方向dr2上具有第三長(zhǎng)度d3時(shí)，輔助線axl可以在第二方向dr2上具有大于等于第三長(zhǎng)度d3的第四長(zhǎng)度d4。例如，當(dāng)?shù)诙较騞r2是向下方向并且與第二方向dr2相反的方向是向上方向時(shí)，輔助線axl的未連接至電源線pl的下端部可以位于連接線cnl的下端部的下方。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助線axl可以被布置為在平面中觀察時(shí)橫跨以最短距離連接在第一數(shù)據(jù)線dl1與第一柵電極ge1的面對(duì)第一數(shù)據(jù)線dl1的各點(diǎn)之間的假想線。

因?yàn)檩o助線axl形成在連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間，因此第二數(shù)據(jù)線dl2與輔助線axl之間的距離可以小于第二數(shù)據(jù)線dl2與連接線cnl之間的距離。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，如圖13所示，輔助線axl可以聯(lián)接至電源線pl，并且整個(gè)輔助線axl可以在平行于第二方向dr2的方向上延伸。然而，輔助線axl的形狀可以不限于此。根據(jù)另一實(shí)施例，可以包括與第二方向dr2平行的主體部分bdp以及在與第二方向dr2不同的另一方向布置并將電源線pl連接至主體部分bdp的一端或另一端的連接部分cnp?？紤]到電源線pl的彎曲形狀和延伸方向，連接部分cnp可以被布置為圍繞連接線cnl。提供有連接部分cnp的部分可以取決于像素的結(jié)構(gòu)(例如主體部分bdp和電源線pl的形狀)而變化。

因此，輔助線axl可以具有從電源線pl分叉的分支形狀，并且與電源線pl一起圍繞連接線cnl。輔助線axl可以在不發(fā)生連接線cnl與第一數(shù)據(jù)線dl1之間的耦合的方向上(即在第二方向dr2上或者與第二方向dr2相反的方向上)開口。輔助線axl和電源線pl可以包括在第二方向dr2上或在與第二方向dr2相反的方向上開口的開環(huán)形狀。

再次參考圖11、圖12a至圖12c，將根據(jù)堆疊順序描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)。

第一有源圖案act1至第七有源圖案act7可以提供在基底基板bs上。第一有源圖案act1至第七有源圖案act7可以包括半導(dǎo)體材料。

緩沖層可以提供在基底基板bs與第一有源圖案act1至第七有源圖案act7之間。

柵極絕緣層gi可以提供在其上形成有第一有源圖案act1至第七有源圖案act7的基底基板bs上。

第一掃描線sl1至第三掃描線sl3、發(fā)光控制線el和第一柵電極ge1至第七柵電極ge7可以提供在柵極絕緣層gi上。第一柵電極ge1可以是存儲(chǔ)電容器cst的下電極le。第二柵電極ge2和第三柵電極ge3可以與第二掃描線sl2一體地形成。第四柵電極ge4可以與第一掃描線sl1一體地形成。第五柵電極ge5和第六柵電極ge6可以與發(fā)光控制線el一體地形成。第七柵電極ge7可以與第三掃描線sl3一體地形成。

第一層間絕緣層il1可以提供在其上形成有第一掃描線sl1的基底基板bs上方。

存儲(chǔ)電容器cst的上電極ue和初始化電源線ipl可以提供在第一層間絕緣層il1上。上電極ue可以覆蓋下電極le，并且與下電極le形成存儲(chǔ)電容器cst，同時(shí)第一層間絕緣層il1插入在上電極ue與下電極le之間。

第二層間絕緣層il2可以提供在其上形成有上電極ue的基底基板bs上方。

第一數(shù)據(jù)線dl1、第二數(shù)據(jù)線dl2、電源線pl、連接線cnl、輔助連接線aux、橋圖案brp和輔助線axl可以形成在第二層間絕緣層上il2上。

第一數(shù)據(jù)線dl1可以通過穿過第一層間絕緣層il1、第二層間絕緣層il2和柵極絕緣層gi的第六接觸孔ch6連接至第二源電極se2。第二數(shù)據(jù)線dl2可以聯(lián)接至下一行中的像素。電源線pl可以通過穿過第二層間絕緣層il2的第三接觸孔ch3和第四接觸孔ch4聯(lián)接至存儲(chǔ)電容器cst的上電極ue。

電源線pl可以通過穿過第一層間絕緣層il1、第二層間絕緣層il2和柵極絕緣層gi的第五接觸孔ch5連接至第五源電極se5。

連接線cnl可以通過穿過第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2的第一接觸孔ch1連接至第一柵電極ge1。另外，連接線cnl可以通過穿過柵極絕緣層gi、第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2的第二接觸孔ch2連接至第三漏電極de3和第四漏電極de4。

輔助連接線aux可以通過穿過第二層間絕緣層il2的第八接觸孔ch8聯(lián)接至初始化電源線ipl。輔助連接線aux可以通過穿過柵極絕緣層gi、第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2的第九接觸孔ch9聯(lián)接至第四源電極se4和前一行中的第七漏電極de7。

橋圖案brp可以作為連接第六漏電極de6和陽極ad的介質(zhì)提供在第六漏電極de6與陽極ad之間。橋圖案brp可以通過穿過柵極絕緣層gi、第一層間絕緣層il1和第二層間絕緣層il2的第七接觸孔ch7連接至第六漏電極de6和第七源電極se7。

輔助線axl可以聯(lián)接至電源線pl并與電源線pl一體地形成。

鈍化層psv可以提供在其上形成有第一數(shù)據(jù)線dl1的基底基板bs上方。

陽極ad可以提供在鈍化層psv上。陽極ad可以通過穿過鈍化層psv的第十接觸孔ch10聯(lián)接至橋圖案brp。因?yàn)闃驁D案brp通過第七接觸孔ch7聯(lián)接至第六漏電極de6和第七源電極se7，因此陽極ad可以最終聯(lián)接至第六漏電極de6和第七源電極se7。

像素限定層pdl可以提供在其上形成有陽極ad的基底基板bs上方，以便對(duì)應(yīng)于各像素pxl劃分像素區(qū)域。像素限定層pdl可以暴露陽極ad的上表面并且圍繞像素pxl從基底基板bs突出。

發(fā)射層eml可以提供在由像素限定層pdl圍繞的像素區(qū)域中，并且陰極cd可以提供在發(fā)射層eml上。

密封層slm可以提供在陰極cd上以覆蓋陰極cd。

根據(jù)上述實(shí)施例，可以使第一晶體管t1(特別是第一晶體管t1的連接線cnl)與第二數(shù)據(jù)線dl2之間的寄生電容最小化。

根據(jù)另一實(shí)施例，輔助線可以具有各種形狀。圖14是圖9所示的像素的另一實(shí)施方式的平面圖。圖15是為了說明的目的僅示出了圖14所示的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線、電源線和輔助線的平面圖。

參考圖14和圖15，根據(jù)另一實(shí)施例的像素可以包括具有閉環(huán)形狀的輔助線。

根據(jù)此實(shí)施例，輔助線axl可以包括阻擋在連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間形成寄生電容的主體部分bdp以及將主體部分bdp連接至電源線pl的連接部分cnp。

主體部分bdp可以提供在連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，主體部分bdp可以在與第二數(shù)據(jù)線dl2基本相同的方向(即第二方向dr2)上延伸。

主體部分bdp可以對(duì)應(yīng)于連接線cnl的長(zhǎng)度或?qū)挾?，并且被布置在連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間，以防止連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間的耦合。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，主體部分bdp可以大到足以覆蓋連接線cnl。例如，當(dāng)連接線cnl沿第二方向dr2具有第三長(zhǎng)度d3時(shí)，輔助線axl可以在第二方向dr2上具有大于等于第三長(zhǎng)度d3的第五長(zhǎng)度d5。

連接部分cnp可以提供在電源線pl與主體部分bdp之間，并且將主體部分bdp在縱向方向上的一端連接至電源線pl。電源線pl、主體部分bdp和連接部分cnp中的每一個(gè)的兩端可以順序連接，以形成閉環(huán)形狀。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，因?yàn)殡娫淳€連接至輔助線，被施加到電源線的固定電壓(例如，第一電源)可以被施加到輔助線上。因此，輔助線可以有效地屏蔽電場(chǎng)，從而不引起連接線與第二數(shù)據(jù)線之間的耦合。例如，因?yàn)檩o助線具有閉環(huán)形狀，因此可以在所有方向上有效地密封連接線。

根據(jù)上述實(shí)施例，對(duì)其中為每個(gè)像素提供電源線作為固定電壓線的示例進(jìn)行了描述。另外，輔助線可以聯(lián)接至電源線。然而，并不一定利用電源線作為固定電壓線。如果不同的布線連接至輔助線以減少或防止寄生電容，則可以施加不同于第一電源的另一固定電壓。在這種情況下，輔助線可以聯(lián)接至施加另一固定電壓的布線。

圖16是圖9所示的像素的另一實(shí)施方式的平面圖。為了便于說明，圖17是僅示出了圖16所示的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線、電源線以及輔助線的平面圖。

參考圖16和圖17，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助線axl可以聯(lián)接至被施加初始化電源的初始化電源線ipl。作為具有預(yù)定電勢(shì)的固定電壓的初始化電源可以被施加到初始化電源線ipl。

初始化電源線ipl可以提供在第一層間絕緣層il1上。輔助線axl可以提供在第二層間絕緣層il2上，并且輔助線axl可以通過穿過第二層間絕緣層il2的第十一接觸孔ch11聯(lián)接至初始化電源線ipl。

輔助線axl可以從與初始化電源線ipl接觸的部分在與第二方向dr2相反的縱向方向上延伸。輔助線axl可以在縱向方向上跨越連接線cnl和第二數(shù)據(jù)線dl2延伸，并且大到足以覆蓋連接線cnl。當(dāng)連接線cnl在第二方向dr2上具有第三長(zhǎng)度d3時(shí)，輔助線axl在第二方向dr2上可以具有大于等于第三長(zhǎng)度d3的第六長(zhǎng)度d6。例如，當(dāng)?shù)诙较騞r2是向下方向并且與第二方向dr2相反的方向是向上方向時(shí)，輔助線axl的未連接至初始化電源線ipl的頂端部分可以位于連接線cnl的頂端部分上方。

輔助線axl可以與電源線pl一起圍繞連接線cnl，使得輔助線axl可以在第二方向dr2以及與第二方向dr2相反的方向上開口。

根據(jù)此實(shí)施例，可以通過被施加固定電壓(即，第一電源)的電源線pl來防止或減少連接線cnl與第一數(shù)據(jù)線dl1之間的寄生電容?？梢酝ㄟ^被施加固定電壓(即，初始化電源)的初始化電源線ipl來防止或減少連接線cnl與第二數(shù)據(jù)線dl2之間的寄生電容。

具有上述配置和其它實(shí)施例的顯示設(shè)備可以被用于各種應(yīng)用產(chǎn)品，例如但不限于移動(dòng)裝置、智能電話、電子書、膝上型計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)和廣告牌。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以防止或減少每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管與相鄰數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，使得可以防止或減少垂直串?dāng)_缺陷。因此，可以提高根據(jù)實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量。

盡管在本文中公開了示例性實(shí)施例，但是這些實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限制性的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。此外，各種領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本文所描述的本發(fā)明將提出其它任務(wù)的解決方案并且提出其它應(yīng)用的改進(jìn)。申請(qǐng)人的意圖是通過本文的權(quán)利要求覆蓋本發(fā)明的所有這些用途以及對(duì)為了公開的目的而選擇的本文中的本發(fā)明的示例性實(shí)施例可能進(jìn)行的那些改變和修改，所有這些都不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明的示例性實(shí)施例應(yīng)當(dāng)在所有方面被認(rèn)為是說明性的而不是限制性的，本發(fā)明的精神和范圍由所附權(quán)利要求及其等同方案指示。