本發(fā)明關(guān)于一種顯示設(shè)備，尤指一種顯示區(qū)與非顯示區(qū)中的薄膜晶體管單元具有不同結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著顯示器技術(shù)不斷進(jìn)步，所有的顯示設(shè)備均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發(fā)展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發(fā)展成薄型顯示器，如液晶顯示設(shè)備、有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備或無機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備等。其中，薄型顯示器可應(yīng)用的領(lǐng)域相當(dāng)多，舉凡日常生活中使用的手機(jī)、筆記本電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂播放器、行動(dòng)導(dǎo)航裝置、電視等顯示設(shè)備，大多數(shù)均使用該些顯示設(shè)備。

雖然液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備已為市面上常見的顯示設(shè)備，特別是液晶顯示設(shè)備的技術(shù)更是相當(dāng)成熟，但隨著顯示設(shè)備不斷發(fā)展且消費(fèi)者對(duì)顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量要求日趨提高，各家廠商無不極力發(fā)展出具有更高顯示質(zhì)量的顯示設(shè)備。其中，除了顯示區(qū)上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)外，非顯示區(qū)中的柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域所使用的薄膜晶體管單元結(jié)構(gòu)，亦為影響顯示設(shè)備整體效率的因素的一。

有鑒于此，目前仍需針對(duì)顯示區(qū)及非顯示區(qū)的薄膜晶體管單元結(jié)構(gòu)做改良，以更進(jìn)一步提升顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一顯示設(shè)備，其中位于顯示區(qū)的薄膜晶體管單元的半導(dǎo)體層具有至少一凹陷，而可提升此區(qū)的薄膜晶體管的負(fù)柵極應(yīng)力(negative gate stress)表現(xiàn)，進(jìn)而提升此區(qū)的薄膜晶體管特性。

本發(fā)明的顯示設(shè)備包括：一基板，設(shè)有一顯示區(qū)及一非顯示區(qū)，且該非顯示區(qū)圍繞該顯示區(qū)設(shè)置；一第一薄膜晶體管單元，設(shè)于該顯示區(qū)上； 以及一第二薄膜晶體管單元，設(shè)于該非顯示區(qū)上。其中，該第一薄膜晶體管單元包括：一第一柵極電極，設(shè)于該基板上；一第一絕緣層，設(shè)于該第一柵極電極上；一第一半導(dǎo)體層，設(shè)于該第一絕緣層上且與該第一柵極電極對(duì)應(yīng)設(shè)置，包括一第一部份與第二部分，且該第一部分與該第二部分相距一預(yù)定距離；一第一源極及一第一漏極，分別設(shè)于該第一半導(dǎo)體層的該第一部分與該第二部分上。該第二薄膜晶體管單元包括：一第二柵極電極，設(shè)于該基板上；一第二絕緣層，設(shè)于該第二柵極電極上；一第二半導(dǎo)體層，設(shè)于該第二絕緣層上且與該第二柵極電極對(duì)應(yīng)設(shè)置；以及一第二源極及一第二漏極，設(shè)于該第二半導(dǎo)體層上。其中，該第一半導(dǎo)體層具有一第一厚度，該第二半導(dǎo)體層具有一第二厚度，其中，該第一厚度小于該第二厚度。

于本發(fā)明的顯示設(shè)備中，該第一厚度與該第二厚度的差值可介于至之間，較佳介于至之間；或該第一厚度與該第二厚度的差值可為第一半導(dǎo)體層的厚度的10-100％。

于本發(fā)明的顯示設(shè)備中，第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層的材料可為相同或不同材料，且較佳均為金屬氧化物(如：IGZO、AIZO、HIZO、ITZO、IGZTO、或IGTO)。

于本發(fā)明的顯示設(shè)備中，該第一半導(dǎo)體層的一表面包括一凹陷區(qū)域及一平坦區(qū)域，該第一半導(dǎo)體層在該凹陷區(qū)域具有該第一厚度，該第一半導(dǎo)體層在該平坦區(qū)域具有一第三厚度。其中，該第一厚度與該第三厚度的差值介于至之間；或該第一厚度與該第三厚度的差值為該第一半導(dǎo)體層的厚度的10-100％。

于本發(fā)明的顯示設(shè)備中，于一實(shí)施例中，該凹陷區(qū)域具有兩個(gè)，且分別位于該第一部份及該第二部分上；于另一實(shí)施例中，該凹陷區(qū)域分布于該第一部分、該第二部分、與該第一部分與該第二部分之間的一第三部分上；于再一實(shí)施例中，凹陷區(qū)域設(shè)于部分該第一部分與該第二部分之間的一第三部分上；于更一實(shí)施例中，該凹陷區(qū)域設(shè)于整個(gè)該第一部分與該第二部分之間的一第三部分上。

本發(fā)明的顯示設(shè)備，位于顯示區(qū)的第一薄膜晶體管單元的第一半導(dǎo)體層的第一厚度小于位于非顯示區(qū)的第二薄膜晶體管單元的第二半導(dǎo)體層的第二厚度；特別是，于本發(fā)明的顯示設(shè)備中，第一半導(dǎo)體層的表面包括 一凹陷區(qū)域及一平坦區(qū)域，此凹陷區(qū)域所產(chǎn)生的膜內(nèi)缺陷可提升第一薄膜晶體管的負(fù)柵極應(yīng)力表現(xiàn)，進(jìn)而提升第一薄膜晶體管特性。此外，由于非顯示區(qū)的第二薄膜晶體管作為一柵極驅(qū)動(dòng)電路，故位于此區(qū)的第二薄膜晶體管的第二半導(dǎo)體層則不具有凹陷區(qū)域，如此可提升第二薄膜晶體管的高電流應(yīng)力(high current stress)表現(xiàn)。

附圖說明

圖1A為本發(fā)明實(shí)施例1的顯示設(shè)備的上視圖。

圖1B為本發(fā)明實(shí)施例1的顯示設(shè)備的剖面示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的剖面示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的顯示設(shè)備的非顯示區(qū)上的第二薄膜晶體管單元的上視圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例1的顯示設(shè)備的非顯示區(qū)上的第二薄膜晶體管單元的剖面示意圖。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例1的顯示設(shè)備的顯示區(qū)及非顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元及第二薄膜晶體管單元的剖面示意圖。

圖7A為本發(fā)明實(shí)施例1的第一薄膜晶體管單元的高電流應(yīng)力測試結(jié)果圖。

圖7B為本發(fā)明實(shí)施例1的第一薄膜晶體管單元的負(fù)柵極應(yīng)力測試結(jié)果圖。

圖7C為本發(fā)明實(shí)施例1的第一薄膜晶體管單元的負(fù)柵極應(yīng)力加上背光應(yīng)力的測試結(jié)果圖。

圖8A為本發(fā)明實(shí)施例1的第二薄膜晶體管單元的高電流應(yīng)力測試結(jié)果圖。

圖8B為本發(fā)明實(shí)施例1的第二薄膜晶體管單元的負(fù)柵極應(yīng)力測試結(jié)果圖。

圖8C為本發(fā)明實(shí)施例1的第一薄膜晶體管單元的負(fù)柵極應(yīng)力加上背光應(yīng)力的測試結(jié)果圖。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例2的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。

圖10為本發(fā)明實(shí)施例3的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。

圖11為本發(fā)明實(shí)施例4的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。

圖12A為本發(fā)明實(shí)施例5的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的剖面示意圖。

圖12B為本發(fā)明實(shí)施例5的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。

圖13為本發(fā)明實(shí)施例6的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的剖面示意圖。

【符號(hào)說明】

11 基板 11a 底面

12 線路 13 源極驅(qū)動(dòng)電路

14 對(duì)側(cè)基板 15 顯示層

2 第一薄膜晶體管單元 22 第一柵極電極

23 第一絕緣層 24 第一半導(dǎo)體層

24a，44a 表面 24b，24c 邊緣

241，242 凹陷區(qū)域 243 平坦區(qū)域

251 第一源極 252 第一漏極

253，453 通道區(qū) 4 第二薄膜晶體管單元

42 第二柵極電極 43 第二絕緣層

44 第二半導(dǎo)體層 451 第二源極

452 第二漏極 AA 顯示區(qū)

B 非顯示區(qū) D 深度

P1 第一部份 P2 第二部分

P3 第三部分 T1 第一厚度

T2 第二厚度 T3 第三厚度

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟習(xí)此技藝的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明亦可通過其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可針對(duì)不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本創(chuàng)作的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。

再者，說明書與請(qǐng)求項(xiàng)中所使用的序數(shù)例如”第一”、”第二”等的用詞，以修飾請(qǐng)求項(xiàng)的元件，其本身并不意含及代表該請(qǐng)求元件有任何的前的序數(shù)，也不代表某一請(qǐng)求元件與另一請(qǐng)求元件的順序、或是制造方法上的順序，該些序數(shù)的使用僅用來使具有某命名的一請(qǐng)求元件得以和另一具有相同命名的請(qǐng)求元件能作出清楚區(qū)分。

實(shí)施例1

圖1A為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的上視圖，其中，本實(shí)施例的顯示設(shè)備包括：一基板11，設(shè)有一顯示區(qū)AA及一非顯示區(qū)B，且非顯示區(qū)B圍繞顯示區(qū)AA設(shè)置。本實(shí)施例的顯示設(shè)備更包括源極驅(qū)動(dòng)電路(Drive IC)13，與基板11的非顯示區(qū)B上的線路12電性連接。此外，于本實(shí)施例的顯示設(shè)備中，柵極驅(qū)動(dòng)電路(圖未示)是建構(gòu)在薄膜晶體管陣列(圖未示)里，而為一GOP電路，且位于非顯示區(qū)B上。

圖1B為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的剖面示意圖，其中，本實(shí)施例的顯示設(shè)備更包括：一對(duì)側(cè)基板14，與基板11相對(duì)設(shè)置；以及一顯示層15，設(shè)于對(duì)側(cè)基板14與基板11間。于本實(shí)施例中，基板11可為上方設(shè)置有薄膜晶體管單元(圖未示)的薄膜晶體管基板，而對(duì)側(cè)基板14可為上方設(shè)置有彩色濾光層(圖未示)的彩色濾光片基板；然而，于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，彩色濾光層(圖未示)亦可設(shè)置在基板11上，此時(shí)，基板11則為一整合彩 色濾光片陣列的薄膜晶體管基板(color filter on array，COA)。此外，本實(shí)施例的顯示設(shè)備中的顯示層15可為一液晶層、一有機(jī)發(fā)光二極管元件層、一無機(jī)發(fā)光二極管元件層。當(dāng)本實(shí)施例的顯示設(shè)備中的顯示層15為液晶層時(shí)，本實(shí)施例的顯示設(shè)備更包括一背光模塊，設(shè)于基板11下方。

圖2及圖3分別為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示區(qū)AA上的第一薄膜晶體管單元的剖面示意圖及上視圖。首先，于基板11上形成一第一柵極電極22，再于第一柵極電極22及基板11上形成一作為柵極絕緣層的第一絕緣層23。而后，于第一絕緣層23上形成一第一半導(dǎo)體層24；于沉積第一半導(dǎo)體層24材料后，更進(jìn)行一蝕刻制程，以于第一半導(dǎo)體層24的一表面上形成至少一凹陷區(qū)域241，242。在此，形成凹陷區(qū)域241，242的蝕刻制程較佳使用濕蝕刻制程，且濕蝕刻所使用的蝕刻液可根據(jù)第一半導(dǎo)體層24的材料做調(diào)整；其中，蝕刻液的一具體例子包括一含有氟離子的蝕刻液。經(jīng)由濕蝕刻后，于第一半導(dǎo)體層24的凹陷區(qū)域241，242處，因濕蝕刻液內(nèi)的離子與第一半導(dǎo)體層24作用而會(huì)部分摻雜于第一半導(dǎo)體層24中，使得第一半導(dǎo)體層24產(chǎn)生缺陷(defect)。最后，于第一半導(dǎo)體層24上形成一第一源極251及一第一漏極252，則完成本實(shí)施例的顯示區(qū)AA上的第一薄膜晶體管單元2的制備。

圖4及圖5分別為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的非顯示區(qū)B上的第二薄膜晶體管單元的剖面示意圖及上視圖。于本實(shí)施例中，顯示區(qū)AA及非顯示區(qū)B上的薄膜晶體管單元以相似制程制作，除了非顯示區(qū)B的第二薄膜晶體管單元4的第二半導(dǎo)體層44不具有凹陷區(qū)域。首先，于基板11上形成一第二柵極電極42，再于第二柵極電極42及基板11上形成一作為柵極絕緣層的第二絕緣層43。而后，于第二絕緣層43上形成一第二半導(dǎo)體層44。最后，于第二半導(dǎo)體層44上形成一第二源極451及一第二漏極452，則完成本實(shí)施例的非顯示區(qū)B上的第二薄膜晶體管單元4的制備。

于本實(shí)施例中，基板11其可使用例如玻璃、塑料、可撓性材質(zhì)等基材材料所制成。第一絕緣層23及第二絕緣層43可同時(shí)形成，且可使用如氧化物、氮化物或氮氧化物等絕緣層材料制作；第一柵極電極22及第二柵極電極42可同時(shí)形成，而第一源極251及第一漏極252與第二源極451及第二漏極452可同時(shí)形成，且此些電極單元可使用導(dǎo)電材料，如金屬、 合金、金屬氧化物、金屬氮氧化物、或其他電極材料所制成；第一半導(dǎo)體層24及第二半導(dǎo)體層44可同時(shí)形成，且可使用如IGZO(indium galium zinc oxide)、AIZO(alumimun indium zinc oxide)、HIZO(hafnium indium gallium zinc oxide)、ITZO(indium tin zinc oxide)、IGZTO(indium gallium zinc tin oxide)、或IGTO(indium gallium tin oxide)的金屬氧化物制作。然而，于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，前述元件的材料并不僅限于此。

經(jīng)由前述制程后，如圖1及圖6所示，則可得到本實(shí)施例的顯示設(shè)備，包括：一基板11，設(shè)有一顯示區(qū)AA及一非顯示區(qū)B，且非顯示區(qū)B圍繞顯示區(qū)AA設(shè)置；一第一薄膜晶體管單元2，設(shè)于顯示區(qū)AA上；以及一第二薄膜晶體管單元4，設(shè)于非顯示區(qū)B上。其中，如圖2、圖3及圖6所示，第一薄膜晶體管單元2包括：一第一柵極電極22，設(shè)于基板11上；一第一絕緣層23，設(shè)于第一柵極電極22上；一第一半導(dǎo)體層24，設(shè)于第一絕緣層23上且與第一柵極電極22對(duì)應(yīng)設(shè)置，包括一第一部份P1與第二部分P2，且第一部份P1與第二部分P2相距一預(yù)定距離；一第一源極251及一第一漏極252，分別設(shè)于第一半導(dǎo)體層24的第一部份P1與第二部分P2上且與第一半導(dǎo)體層24連接，且第一源極251與第一漏極252相距一預(yù)定距離而與第一半導(dǎo)體層24形成一通道區(qū)253；其中，第一半導(dǎo)體層24朝向第一源極251與第一漏極252的一表面24a上具有兩凹陷區(qū)域241，242，且此兩凹陷區(qū)域241，242分別設(shè)于第一部份P1及第二部分P2上。此外，如圖4至圖6所示，第二薄膜晶體管單元4包括：一第二柵極電極42，設(shè)于基板11上；一第二絕緣層43，設(shè)于第二柵極電極42上；一第二半導(dǎo)體層44，設(shè)于第二絕緣層43上且與第二柵極電極42對(duì)應(yīng)設(shè)置；一第二源極451及一第二漏極452，設(shè)于第二半導(dǎo)體層44上且與第二半導(dǎo)體層44連接，且第二源極451及第二漏極452相距一預(yù)定距離而與第二半導(dǎo)體層44形成一通道區(qū)453。其中，第二半導(dǎo)體層44朝向第二源極451及第二漏極452的一表面44a上不具有凹陷區(qū)域。

于本實(shí)施例中，如圖6所示，第一半導(dǎo)體層24具有一第一厚度T1，該第二半導(dǎo)體層具有一第二厚度T2，其中，第一厚度T1小于第二厚度T2。其中，第一厚度T1與第二厚度T2的差值并無特殊限制，可介于至之間，且較佳介于至之間?；蛘?，于本發(fā)明的其他實(shí)施 例中，第一厚度T1與第二厚度T2的差值為第一半導(dǎo)體層24的厚度(即，第三厚度T3)的10-100％。

在此，如圖2所示，第一半導(dǎo)體層24的表面24a包括一凹陷區(qū)域241，242及一平坦區(qū)域243，第一半導(dǎo)體層24在凹陷區(qū)域241，242具有一第一厚度T1，第一半導(dǎo)體層24在平坦區(qū)域243具有一第三厚度T3。其中，第一厚度T1與第三厚度T3的差值(即，第一半導(dǎo)體層24的凹陷區(qū)域241，242的深度D)可介于至之間?；蛘撸诒景l(fā)明的其他實(shí)施例中，第一厚度T1與第三厚度T3的差值(即，第一半導(dǎo)體層24的凹陷區(qū)域241，242的深度D)為第一半導(dǎo)體層24的第三厚度T3的10-100％。此外，第一半導(dǎo)體層24的凹陷區(qū)域241，242的形狀并無特別限制，可如本實(shí)施例中所示的圓形，或者其他多邊形或不規(guī)則性。此外，如圖2所示，于本實(shí)施例的顯示面板中，于一剖面線上，第一半導(dǎo)體層24的凹陷區(qū)域241，242的側(cè)壁為一垂直于表面24a的側(cè)壁；然而，于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，于一剖面線上，凹陷區(qū)域241，242的側(cè)壁可為一斜面或一曲面，此時(shí)，凹陷區(qū)域241，242的深度D則指其最大深度。

測試?yán)?/p>

在此，使用實(shí)施例1所制得的第一薄膜晶體管單元2(如圖2及圖3所示)及第二薄膜晶體管單元4(如圖4及圖5所示)，進(jìn)行其開關(guān)特性的測試。其中，第一薄膜晶體管單元2的第一半導(dǎo)體層24及第二薄膜晶體管單元4的第二半導(dǎo)體層44的材料均為IGZO；第一絕緣層23為氧化硅而第二絕緣層43的材料為氮化硅；第一柵極電極22及第二柵極電極42的材料均為下層為鋁而上層為鉬的金屬電極，但本發(fā)明并不僅限于此，也可使用銅或銀類的材料；而第一源極251及第一漏極252與第二源極451及第二漏極452的材料均為上下兩層為鉬而中間層為鋁(Mo/Al/Mo)的金屬電極，但本發(fā)明并不僅限于此，也可使用銅或銀類的材料；第一半導(dǎo)體層24及第二薄膜晶體管單元4的厚度T均約為而第一半導(dǎo)體層24上的凹陷區(qū)域241，242的深度D約為

高電流應(yīng)力(high current stress)測試的條件如下所述：Vg＝35V、Vd＝20V、Vs＝0V、測試溫度70℃、時(shí)間3600s，以確認(rèn)大電流流過薄膜晶體管時(shí)的元件穩(wěn)定性。

當(dāng)以實(shí)施例1所制得的第一薄膜晶體管單元2及第二薄膜晶體管單元4進(jìn)行高電流應(yīng)力(high current stress)測試時(shí)，結(jié)果分別如圖7A及圖8A所示。如圖7A所示，在高電流及大電壓的情形下，隨著操作時(shí)間增加，第一薄膜晶體管單元2的Id-Vg曲線往右偏移；故若以第一薄膜晶體管單元2作為GOP電路所使用的薄膜晶體管單元時(shí)，由于所輸入的電壓固定，而此往右偏移的情形會(huì)造成薄膜晶體管單元輸出電流不足。然而，如圖8A所示，在高電流及大電壓的情形下，隨著操作時(shí)間增加，第二薄膜晶體管單元4的Id-Vg曲線偏移情形并不顯著；故若以第二薄膜晶體管單元4作為GOP電路所使用的薄膜晶體管單元時(shí)，可確保薄膜晶體管單元輸出電流維持在一定高電流。因此，相較于第一半導(dǎo)體層24具有凹陷區(qū)域241，242的第一薄膜晶體管單元2，第二半導(dǎo)體層44不具凹陷的第二薄膜晶體管單元4，因長時(shí)間使用仍可維持一定的高電流輸出，故較適用于作為GOP電路所使用的薄膜晶體管單元。

負(fù)柵極應(yīng)力(negative gate stress)測試條件如下所述：Vg＝-30V、Vd＝Vs＝0V、溫度70℃、時(shí)間3600s；負(fù)柵極應(yīng)力加上背光應(yīng)力(back light stress)的測試條件為Vg＝-30V、Vd＝Vg＝0V、溫度為室溫、時(shí)間3600s，加上8000～10000nits背光源照射下測量TFT Vth偏移(shift)結(jié)果。

當(dāng)以實(shí)施例1所制得的第一薄膜晶體管單元2及第二薄膜晶體管單元4進(jìn)行負(fù)柵極應(yīng)力(negative gate stress)測試時(shí)，結(jié)果分別如圖7B及圖8B所示；而負(fù)柵極應(yīng)力加上背光應(yīng)力(back light stress)測試的結(jié)果，則分別如圖7C及圖8C所示，其中，背光由基板11的底面11a朝第一源極251與第一漏極252(如圖2所示)或第二源極451與第二漏極452(如圖4所示)方向照射，如圖2及圖4的箭號(hào)所示。

如圖7B所示，在負(fù)偏壓下，在施與負(fù)柵極應(yīng)力前及后，第一薄膜晶體管單元2的Id-Vg曲線并無顯著偏移的情形發(fā)生；且即便在施與負(fù)柵極應(yīng)力及背光應(yīng)力前及后，如圖7C所示，也僅有少量的偏移情形產(chǎn)生。然而，如圖8B所示，在負(fù)偏壓下，在施與負(fù)柵極應(yīng)力前及后，第二薄膜晶體管單元4的Id-Vg曲線卻有顯著的向左偏移情形發(fā)生；且在施與負(fù)柵極應(yīng)力及背光應(yīng)力前及后，如圖8C所示，也有顯著的向左偏移情形。此結(jié)果表示，第一薄膜晶體管單元2無論是僅施加負(fù)柵極應(yīng)力或更同時(shí)施加背 光應(yīng)力，漏電流也無顯著增加，代表第一半導(dǎo)體層24具有凹陷區(qū)域241，242的第一薄膜晶體管單元2具有良好的開關(guān)特性而可適用于顯示區(qū)上；而第二薄膜晶體管單元4在僅施加負(fù)柵極應(yīng)力或更同時(shí)施加背光應(yīng)力下，所產(chǎn)生的漏電流會(huì)造成漏光的情形發(fā)生，故不適用于顯示區(qū)上。

實(shí)施例2

圖9為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。本實(shí)施例與實(shí)施例1的第一薄膜晶體管單元的結(jié)構(gòu)大致相同，除了本實(shí)施例的凹陷區(qū)域241，242是具有類似半圓形的外型，且位于第一半導(dǎo)體層24的邊緣24b，24c上。

實(shí)施例3

圖10為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。本實(shí)施例與實(shí)施例1的第一薄膜晶體管單元的結(jié)構(gòu)大致相同，除了本實(shí)施例的第一半導(dǎo)體層24僅具有單一凹陷區(qū)域241，分布于第一部分P1(第一源極251下方)、第二部份P2(第一漏極252下方)及第一部分P1與第二部份P2間的第三部分P3(通道區(qū)253)上。于本實(shí)施例凹陷區(qū)域241以類似橢圓形的外型加以表示，然而，于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，凹陷區(qū)域241可具有不同外形，只要分布情形如圖9所示即可。

實(shí)施例4

圖11為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的上視圖。本實(shí)施例與實(shí)施例3的第一薄膜晶體管單元的結(jié)構(gòu)大致相同，除了本實(shí)施例的第一半導(dǎo)體層24中的凹陷區(qū)域241設(shè)于部分第一部分P與第二部分P2之間的一第三部分P3上；換言之，僅設(shè)于部分通道區(qū)253中，而未設(shè)于第一源極251下方及第一漏極252下方。同樣的，于本實(shí)施例凹陷區(qū)域241以類似橢圓形的外型加以表示，然而，于本發(fā)明的其他實(shí)施例中，凹陷區(qū)域241可具有不同外形，只要分布情形如圖11所示即可。

實(shí)施例5

圖12A及12B分別為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的剖面示意圖及上視圖。本實(shí)施例與實(shí)施例4的第一薄膜晶體管單元的結(jié)構(gòu)大致相同，除了本實(shí)施例的第一半導(dǎo)體層24中的凹陷區(qū)域241 設(shè)于整個(gè)第一部分P1與第二部分P2之間的一第三部分P3上；換言之，設(shè)于整個(gè)通道區(qū)253中，且未設(shè)于第一源極251下方及第一漏極252下方。

于實(shí)施例4及5中，第一半導(dǎo)體層24中的凹陷區(qū)域241的制作，可與實(shí)施例1相同，即在形成第一半導(dǎo)體層24后先進(jìn)行蝕刻凹陷區(qū)域241后，再進(jìn)行形成第一源極251及第一漏極252的制程?；蛘撸趯?shí)施例4及5中，可于形成第一半導(dǎo)體層24后暫不進(jìn)行蝕刻，待完成第一源極251及第一漏極252的制程后，再部分或整個(gè)蝕刻通道區(qū)253中的第一半導(dǎo)體層24，以形成如圖11、圖12A及圖12B所示的凹陷區(qū)域241。

實(shí)施例6

圖13為本實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示區(qū)上的第一薄膜晶體管單元的剖面示意圖。本實(shí)施例與實(shí)施例1的第一薄膜晶體管單元的結(jié)構(gòu)大致相同，除了本實(shí)施例的第一半導(dǎo)體層24中的凹陷區(qū)域241，242整個(gè)貫穿第一半導(dǎo)體層24。換言的，于本實(shí)施例中，實(shí)施例1中的第一厚度T1為即，第一半導(dǎo)體層24的凹陷區(qū)域241，242的深度D為第一半導(dǎo)體層24的第三厚度T3的100％。

于前述實(shí)施例中，僅以底柵極薄膜晶體管單元加以說明；于本發(fā)明的其他實(shí)施例的顯示面板中，顯示區(qū)的第一薄膜晶體管單元及非顯示區(qū)的第二薄膜晶體管單元亦可為頂柵極薄膜晶體管單元，只要第一半導(dǎo)體層朝向第一源極與第一漏極的一表面上具有凹陷，而第二半導(dǎo)體層朝向第二源極與第二漏極的一表面上不具有凹陷。

于本發(fā)明中，前述實(shí)施例所制得的顯示面板，可應(yīng)用于液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板、或無機(jī)發(fā)光二極管面板上。此外，前述實(shí)施例所制得的顯示面板，亦可與觸控面板合并使用，而做為一觸控顯示設(shè)備。同時(shí)，本發(fā)明前述實(shí)施例所制得的顯示面板或觸控顯示設(shè)備，可應(yīng)用于本技術(shù)領(lǐng)域已知的任何需要顯示屏幕的電子裝置上，如顯示器、手機(jī)、筆記本電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂播放器、行動(dòng)導(dǎo)航裝置、電視等需要顯示影像的電子裝置上。

上述實(shí)施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。