本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及用于液晶顯示裝置的控制裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置是利用液晶分子的排列方向在電場的作下發(fā)生變化的現(xiàn)象改變光源透光率的顯示裝置。液晶顯示裝置已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于諸如手機(jī)的移動終端和諸如平板電視的大尺寸顯示面板中。

圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的等效電路圖。液晶顯示裝置包括第一玻璃基板和第二玻璃基板，第一玻璃基板的第一表面與第二玻璃基板的第一表面相對。在第一玻璃基板的第一表面上形成設(shè)置彼此交叉的多條柵極掃描線和多條源極數(shù)據(jù)線，在二者的交叉位置設(shè)置選擇薄膜晶體管和像素電極。在第二玻璃基板的第一表面形成公共電極。像素電極和公共電極之間包含液晶層，可以等效為像素電容Clc。為了在像素的更新周期之間保持電壓，像素電容Clc可以并聯(lián)存儲電容Cs以獲得更長的保持時(shí)間。

柵極驅(qū)動器310連接至多條柵極掃描線，用于提供柵極電壓G1至Gm。源極驅(qū)動器410連接至多條源極數(shù)據(jù)線，用于提供灰階電壓S1至Sn。時(shí)序控制器110分別與柵極驅(qū)動器310和源極驅(qū)動器410相連接，從而向柵極驅(qū)動器310和源極驅(qū)動器410提供各種時(shí)序信號。

在上述的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法中，在每個(gè)幀周期中，在時(shí)序控制器110的控制下依次掃描多條柵極掃描線。經(jīng)由柵極掃描線選通薄膜晶體管，以及經(jīng)由源極數(shù)據(jù)線將與灰階相對應(yīng)的電壓施加至像素電容Clc，從而改變液晶分子的取向以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)灰階的亮度。

圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置中用于產(chǎn)生時(shí)序的控制裝置的示意性框圖。時(shí)序控制器110從存儲裝置121和122讀取掃描編碼數(shù)據(jù)，從而可以根據(jù)需要改變掃描方式，例如正反掃描切換?，F(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置在多個(gè)存儲裝置中存儲不同掃描方式的掃描編碼數(shù)據(jù)，并且利用開關(guān)單元130切換時(shí)序控制器110與多個(gè)存儲裝置之間的連接。在掃描驅(qū)動時(shí)，時(shí)序控制器110根據(jù)指定的掃描方式，從相應(yīng)的存儲裝置讀取掃描編碼數(shù)據(jù)。

然而，上述相關(guān)電路利用開關(guān)管等硬件材料實(shí)現(xiàn)液晶面板顯示效果的切換，從而導(dǎo)致產(chǎn)品成本增加。因此，期望簡化時(shí)序控制器選擇掃描編碼數(shù)據(jù)的控制方式，從而降低產(chǎn)品成本，并達(dá)到使液晶面板顯示效果多樣化的目的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于液晶顯示裝置的控制裝置，根據(jù)外部信號切換存儲單元的地址，從而使時(shí)序控制器根據(jù)統(tǒng)一地址碼能夠讀取不同的存儲單元內(nèi)的掃描編碼數(shù)據(jù)。

根據(jù)本實(shí)用新型，提供一種用于液晶顯示裝置的控制裝置，其特征在于，包括：

時(shí)序控制器，用于提供時(shí)序信號；以及

第一存儲單元和第二存儲單元，用于分別存儲兩種不同掃描模式的掃描編碼數(shù)據(jù)，

其中，所述第一存儲單元和所述第二存儲單元分別包括多個(gè)地址端，所述第一存儲單元根據(jù)第一信號設(shè)置所述第一存儲單元的地址，所述第二存儲單元根據(jù)第二信號設(shè)置所述第二存儲單元的地址，從而使時(shí)序控制器根據(jù)獲得的地址碼，從第一存儲單元或第二存儲單元讀取不同掃描模式的掃描編碼數(shù)據(jù)。

優(yōu)選地，所述第二信號由所述第一信號經(jīng)過反相電路生成。

優(yōu)選地，所述反相電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻以及NMOS管，所述反相電路的輸入端和第一電阻的一端連接，所述第一電阻的另一端和所述NMOS管的柵極連接，所述NMOS管的漏極和供電端連接，所述NMOS管的源極接地，所述反相電路的輸入端和地之間連接第三電阻，所述NMOS管的漏極和供電端之間連接第二電阻，所述NMOS管的漏極和第二電阻之間的一個(gè)節(jié)點(diǎn)和所述反相電路的輸出端連接。

優(yōu)選地，所述NMOS管為n溝道耗盡型MOS管。

優(yōu)選地，所述時(shí)序控制器包括多個(gè)選擇端，所述多個(gè)選擇端分別接收多個(gè)選擇信號，所述時(shí)序控制器根據(jù)所述多個(gè)選擇信號獲得所述地址碼。

優(yōu)選地，所述地址碼與所訪問的存儲單元的地址的高有效位的數(shù)值相對應(yīng)。

優(yōu)選地，所述第一存儲單元和所述第二存儲單元為電可擦可編程只讀存儲器。

優(yōu)選地，所述時(shí)序控制器經(jīng)由I2C總線連接至所述第一存儲單元和所述第二存儲單元。

優(yōu)選地，所述第一信號為高電平信號，第二信號為低電平信號；或者，所述第一信號為低電平信號，所述第二信號為高電平信號。

本實(shí)用新型公開的控制裝置未采用開關(guān)單元切換不同的存儲單元，而是根據(jù)外部信號切換存儲單元的地址，當(dāng)外部信號變化時(shí)，存儲單元的地址隨之切換，從而使時(shí)序控制器根據(jù)同一地址碼讀取不同的存儲單元內(nèi)的不同的掃描編碼數(shù)據(jù)，從而賦予液晶面板更多的顯示效果。由于無需使用開關(guān)單元，因此可以減小電路板尺寸、避免開關(guān)元件導(dǎo)致的產(chǎn)品成本和信號而降低產(chǎn)品成本，增強(qiáng)顯示效果。

附圖說明

通過以下參照附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例的描述，本實(shí)用新型的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚。

圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的等效電路圖。

圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置中用于產(chǎn)生時(shí)序的控制裝置的示意性框圖。

圖3a示出本實(shí)用新型的液晶顯示裝置中用于產(chǎn)生時(shí)序的控制裝置的示意性框圖。

圖3b示出本實(shí)用新型的根據(jù)NW信號生成反相信號NW#的示意性框圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的各種實(shí)施例。在各個(gè)附圖中，相同的元件采用相同或類似的附圖標(biāo)記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個(gè)部分沒有按比例繪制。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

圖3a示出本實(shí)用新型第一實(shí)施例的液晶顯示裝置中用于產(chǎn)生時(shí)序的控制裝置的示意性框圖。該控制裝置例如用于圖1所示的液晶顯示裝置中，用于向柵極驅(qū)動器和源極驅(qū)動器提供各種時(shí)序信號。

在圖3a中，該控制裝置包括時(shí)序控制器110以及兩個(gè)存儲單元121和122。存儲單元121和122例如可以是電可擦可編程只讀存儲器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)。存儲單元121至122分別存儲不同長度和/或編碼方式的掃描編碼數(shù)據(jù)，例如，6位正掃編碼數(shù)據(jù)、6位反掃編碼數(shù)據(jù)、8位正掃編碼數(shù)據(jù)和8位反掃編碼數(shù)據(jù)。

時(shí)序控制器110包括時(shí)鐘端SCL和數(shù)據(jù)端SDA。存儲單元121和122分別包括時(shí)鐘端SCL和數(shù)據(jù)端SDA，存儲單元121和122的數(shù)據(jù)端分別和時(shí)序控制器110的數(shù)據(jù)端連接，存儲單元121和122的時(shí)鐘端分別和時(shí)序控制器110的時(shí)鐘端連，從而控制信號的傳輸。存儲單元121具有三個(gè)地址端A0至A2，A1-A2分別接地，A0和NW端連接，并根據(jù)NW端接收的信號使得存儲單元121的二進(jìn)制地址以000或001為地址高有效位。存儲單元122具有三個(gè)地址端A0至A2，A0和NW#端連接，并根據(jù)NW#端接收的信號使得存儲單元122的二進(jìn)制地址以000或001為地址高有效位。

通過控制NW端和NW#端接收的信號的相位，能夠切換存儲單元121和存儲單元122的地址，例如，NW端接收的信號為高電平，NW#端接收的信號為低電平，則存儲單元121的地址為001，存儲單元122 的地址為000；再例如，NW端接收的信號為低電平，NW#端接收的信號為高電平，則存儲單元121的地址為000，存儲單元122的地址為001。從而，時(shí)序控制器根據(jù)獲得的地址碼，例如，000，可以讀取存儲單元121的掃描編碼數(shù)據(jù)，或者，可以讀取存儲單元122的掃描編碼數(shù)據(jù)。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，上述連接方式只是一種示例，NW和NW#端也可以分別和地址端A1或A2連接，以實(shí)現(xiàn)類似上述的存儲單元地址的切換。

時(shí)序控制器控制110可以包括多個(gè)選擇端，例如，SEL0-SEL2，選擇端SEL0-SEL2分別接收多個(gè)選擇信號，生成地址碼。例如，將SEL0-SEL2分別接地，獲得地址碼000，或者，將SEL0接地，SEL1-SEL2接高電平，得到地址碼110。但需和存儲單元的地址呼應(yīng)。即，生成的地址碼與所訪問的存儲單元的地址的高有效位的數(shù)值相對應(yīng)。

時(shí)序控制器110經(jīng)由I2C總線連接至兩個(gè)存儲單元，從而可以分別從兩個(gè)存儲單元中讀取掃描編碼數(shù)據(jù)。I2C總線是由PHILIPS公司開發(fā)的兩線式串行總線，包括時(shí)鐘總線SCL和數(shù)據(jù)總線SDA，從而實(shí)現(xiàn)同步數(shù)據(jù)通信。為此，時(shí)序控制器110的時(shí)鐘端SCL連接至?xí)r鐘總線SCL，數(shù)據(jù)端SDA連接至數(shù)據(jù)總線SDA。

在該實(shí)施例中，時(shí)序控制器110作為主機(jī)，存儲單元作為從機(jī)。在數(shù)據(jù)總線SDA傳送的字節(jié)中，包括從機(jī)地址和讀取內(nèi)容，從而實(shí)現(xiàn)尋址。

進(jìn)一步地，可以根據(jù)反相電路生成和信號NW相反的信號NW#。反相電路如圖3b所示，包括兩個(gè)電阻R1、R23、R2以及NMOS管Q1，

反相電路的輸入端為NW，輸出端為NW#，供電端為VCC，NW和電阻R1的一端連接，R1的另一端連接Q1的柵極，Q1的漏極連接供電端VCC，源極連接到地，NW端和地之間連接電阻R23，Q1的漏極和供電端之間連接電阻R2，在Q1漏極和電阻R2之間選擇一個(gè)節(jié)點(diǎn)連接到輸出端NW#。在上述反相電路中，當(dāng)NW端輸入一個(gè)低電平信號時(shí)，Q1導(dǎo)通，NW#端獲得一個(gè)高電平的信號，當(dāng)NW端輸入一個(gè)高電平信號時(shí)，Q1截止，NW#端獲得一個(gè)低電平的信號。NMOS管Q1優(yōu)選為n溝道耗盡型MOS管。

在本實(shí)用新型的控制裝置中，根據(jù)外部信號切換存儲單元的地址，當(dāng)外部信號變化時(shí)，存儲單元的地址隨之變化，從而使時(shí)序控制器根據(jù)同一地址碼讀取不同的存儲單元內(nèi)的不同的掃描編碼數(shù)據(jù)，從而賦予液晶面板更多的顯示效果。

依照本實(shí)用新型的實(shí)施例如上文所述，這些實(shí)施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該實(shí)用新型僅為所述的具體實(shí)施例。顯然，根據(jù)以上描述，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本實(shí)用新型的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地利用本實(shí)用新型以及在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上的修改使用。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。