顯示裝置及其驅(qū)動方法與流程

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本發(fā)明涉及顯示裝置及其驅(qū)動方法，更詳細(xì)而言，涉及具有包含有機(jī)EL(Electro Luminescence)元件等電光學(xué)元件的像素電路的顯示裝置及其驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

歷來，作為顯示裝置具有的顯示元件，存在亮度由被施加的電壓控制的電光學(xué)元件和亮度由流過的電流控制的電光學(xué)元件。作為亮度由被施加的電壓控制的電光學(xué)元件的代表例，舉出液晶顯示元件。另一方面，作為亮度由流過的電流控制的電光學(xué)元件的代表例，舉出有機(jī)EL元件。有機(jī)EL元件也被稱為OLED(Organic Light-Emitting Diode：有機(jī)發(fā)光二極管)。使用了作為自發(fā)光型的電光學(xué)元件的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置與需要背光源和濾色片等的液晶顯示裝置相比，能夠容易地實現(xiàn)薄型化、低耗電化、高亮度化等。因此，近年來積極地進(jìn)行著有機(jī)EL顯示裝置的開發(fā)。

作為有機(jī)EL顯示裝置的驅(qū)動方式，已知無源矩陣方式(也被稱為單純矩陣方式)和有源矩陣方式。采用了無源矩陣方式的有機(jī)EL顯示裝置雖然結(jié)構(gòu)簡單，但難以實現(xiàn)大型化和高精細(xì)化。與此相對，采用了有源矩陣方式的有機(jī)EL顯示裝置(以下稱為“有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置”)與采用了無源矩陣方式的有機(jī)EL顯示裝置相比，能夠容易地實現(xiàn)大型化和高精細(xì)化。

在有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置中，呈矩陣狀形成有多個像素電路。有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置的像素電路典型地包含：選擇像素的輸入晶體管；和對向有機(jī)EL元件的電流供給進(jìn)行控制的驅(qū)動晶體管。另外，以下有時將從驅(qū)動晶體管向有機(jī)EL元件流動的電流稱為“驅(qū)動電流”。

圖36是表示以往的通常像素電路91的結(jié)構(gòu)的電路圖。該像素電路91同配置在顯示部的多個數(shù)據(jù)線S與多個掃描線G的各交叉點對應(yīng)地設(shè)置。如圖36所示，該像素電路91包括：2個晶體管T1、T2；1個電容器Cst；和1個有機(jī)EL元件OLED。晶體管T1是輸入晶體管，晶體管T2是驅(qū)動晶體管。

晶體管T1設(shè)置于數(shù)據(jù)線S與晶體管T2的柵極端子之間。該晶體管T1的柵極端子與掃描線G連接，源極端子與數(shù)據(jù)線S連接。晶體管T2與有機(jī)EL元件OLED串聯(lián)地設(shè)置。該晶體管T2的漏極端子與供給高電平電源電壓ELVDD的電源線連接，源極端子與有機(jī)EL元件OLED的陽極端子連接。另外，以下將供給高電平電源電壓ELVDD的電源線稱為“高電平電源線”，對高電平電源線標(biāo)注與高電平電源電壓相同的標(biāo)記ELVDD。電容器Cst的一端與晶體管T2的柵極端子連接，另一端與晶體管T2的源極端子。有機(jī)EL元件OLED的陰極端子與供給低電平電源電壓ELVSS的電源線連接。另外，以下將供給低電平電源電壓ELVSS的電源線稱為“低電平電源線”，對低電平電源線標(biāo)注與低電平電源電壓相同的標(biāo)記ELVSS。此外，這里，為了方便將晶體管T2的柵極端子、電容器Cst的一端與晶體管T1的漏極端子的連接點稱為“柵極節(jié)點VG”。另外，通常將漏極和源極中電位高的一者稱為漏極，但在本說明書的說明中，將一者定義為漏極，將另一者定義為源極，因此也有源極電位變得比漏極電位高的情況。

圖37是用于說明圖36所示的像素電路91的動作的時序圖。在時刻t1以前，掃描線G為非選擇狀態(tài)。因此，在時刻t1以前，晶體管T1成為截止?fàn)顟B(tài)，柵極節(jié)點VG的電位維持初始電平(例如與前1幀的寫入相應(yīng)的電平)。當(dāng)?shù)竭_(dá)時刻t1時，掃描線G成為選擇狀態(tài)，晶體管T1導(dǎo)通。由此，通過數(shù)據(jù)線S和晶體管T1，與該像素電路91形成的像素(子像素)的亮度對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Vdata被供給到柵極節(jié)點VG。然后，至?xí)r刻t2為止的期間，柵極節(jié)點VG的電位與數(shù)據(jù)電壓Vdata相應(yīng)地變化。此時，電容器Cst被充電到作為柵極節(jié)點VG的電位與晶體管T2的源極電位之差的柵極-源極間電壓Vgs。當(dāng)?shù)竭_(dá)時刻t2時，掃描線G變?yōu)榉沁x擇狀態(tài)。由此，晶體管T1截止，電容器Cst保持的柵極-源極間電壓Vgs確定。與電容器Cst保持的柵極-源極間電壓Vgs相應(yīng)地，晶體管T2向有機(jī)EL元件OLED供給驅(qū)動電流。其結(jié)果是，有機(jī)EL元件OLED以與驅(qū)動電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。

此外，在有機(jī)EL顯示裝置中，作為驅(qū)動晶體管典型地采用薄膜晶體管(TFT)。但是，薄膜晶體管的特性容易產(chǎn)生偏差。具體而言，閾值電壓和遷移率容易產(chǎn)生偏差。當(dāng)顯示部內(nèi)設(shè)置的驅(qū)動晶體管產(chǎn)生閾值電壓或遷移率的偏差時，產(chǎn)生亮度的偏差，因此顯示品質(zhì)下降。此外，閾值電壓和遷移率也隨著溫度變化。進(jìn)一步，有機(jī)EL元件的電流效率(發(fā)光效率)會隨著時間的經(jīng)過而下降。因此，即使向有機(jī)EL元件供給了固定電流，但隨著時間的經(jīng)過，亮度也逐漸下降。其結(jié)果是產(chǎn)生殘影。

于是，歷來，關(guān)于有機(jī)EL顯示裝置提出了對驅(qū)動晶體管、有機(jī)EL元件等電路元件的劣化進(jìn)行補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)。例如，在日本的特開2009-294371號公報中公開了根據(jù)參考電壓與圖像電壓之差等對圖像電壓進(jìn)行校正的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2009-294371號公報

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

但是，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，即使為了對電路元件的劣化進(jìn)行補(bǔ)償而對數(shù)據(jù)電壓進(jìn)行了校正，也存在校正后的數(shù)據(jù)電壓超出源極驅(qū)動器的可輸出的電壓范圍(以下稱為“驅(qū)動器輸出范圍”)的情況。在該情況下，對于劣化不能進(jìn)行期望的補(bǔ)償，不能進(jìn)行期望的灰度等級顯示。對此以下詳細(xì)進(jìn)行進(jìn)行說明。

在有機(jī)EL顯示裝置中，如上所述，像素電路內(nèi)作為電源電壓被供給高電平電源電壓ELVDD和低電平電源電壓ELVSS。此外，像素電路內(nèi)被從源極驅(qū)動器供給數(shù)據(jù)電壓。例如在能夠進(jìn)行256灰度等級的灰度等級顯示的有機(jī)EL顯示裝置的情況下，從源極驅(qū)動器輸出256等級的數(shù)據(jù)電壓。另外，在本說明書中，將進(jìn)行期望的灰度等級顯示所需要的數(shù)據(jù)電壓的范圍稱為“灰度等級電壓范圍”，將灰度等級電壓范圍的上限值-下限值間的大小稱為“灰度等級電壓寬度”。

圖38是表示能夠進(jìn)行256灰度等級的灰度等級顯示的有機(jī)EL顯示裝置在初始狀態(tài)下的高電平電源電壓ELVDD、低電平電源電壓ELVSS、驅(qū)動器輸出范圍與灰度等級電壓范圍的關(guān)系的一例的圖。另外，用標(biāo)記VL表示驅(qū)動器輸出范圍的下限，用標(biāo)記VH表示驅(qū)動器輸出范圍的上限，用V(0)表示與灰度等級值0對應(yīng)的電壓，用V(255)表示與灰度等級值255對應(yīng)的電壓。此外，用標(biāo)記Vth0表示像素內(nèi)的驅(qū)動晶體管在初始狀態(tài)下的閾值電壓。如圖38所示，在初始狀態(tài)下，灰度等級電壓范圍完全包含在驅(qū)動器輸出范圍中。

這里，關(guān)注某1個像素，假設(shè)該像素內(nèi)的驅(qū)動晶體管的閾值電壓如圖39所示那樣逐漸增大。在時刻t0(初始時刻)，灰度等級電壓范圍完全包含在驅(qū)動器輸出范圍(從VL至VH的范圍)中。在時刻t01，如果驅(qū)動晶體管的閾值電壓從初始時刻增大ΔVth(t01)，則與各灰度等級值對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓也從初始時刻增大ΔVth(t01)。因此，灰度等級電壓范圍整體從初始時刻上升ΔVth(t01)。另外，在該時刻t01，灰度等級范圍也完全包含在驅(qū)動器輸出范圍中。在時刻t02，如果驅(qū)動晶體管的閾值電壓從初始時刻增大ΔVth(t02)，則與各灰度等級值對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓也從初始時刻增大ΔVth(t02)。因此，灰度等級電壓范圍整體從初始時刻上升ΔVth(t02)。在該時刻t02，灰度等級電壓范圍中的高灰度等級部分超出驅(qū)動器輸出范圍。在本說明書中，將用于對電路元件的劣化進(jìn)行補(bǔ)償?shù)男Ｕ蟮臄?shù)據(jù)電壓像這樣變?yōu)轵?qū)動器輸出范圍外的電壓的情況稱為“灰度等級溢出”。在圖39的時刻t02，在高灰度等級部分發(fā)生灰度等級溢出，因此高灰度等級未正確地顯示。像以上這樣，根據(jù)以往技術(shù)，存在因驅(qū)動器輸出范圍的限制而產(chǎn)生灰度等級溢出，沒有進(jìn)行所期望的灰度等級顯示的情況。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

于是，本發(fā)明的目的在于實現(xiàn)能夠以不會引發(fā)灰度等級溢出的方式補(bǔ)償電路元件的劣化的顯示裝置。

解決問題的技術(shù)手段

本發(fā)明的第一方面是一種顯示裝置，其具有多個像素電路，該像素電路包含亮度由電流控制的電光學(xué)元件和用于控制要向上述電光學(xué)元件供給的電流的驅(qū)動晶體管，其特征在于，包括：

用于向上述多個像素電路供給灰度等級顯示用的數(shù)據(jù)電壓的多個數(shù)據(jù)線；

向上述多個數(shù)據(jù)線施加上述數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路；

將上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件中的至少一者作為對象電路元件，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量的閾值電壓變化量取得部；和

對向上述多個像素電路供給的低電平電源電壓和高電平電源電壓中的至少上述低電平電源電壓的值進(jìn)行控制的電源電壓控制部，

在上述多個像素電路中的各個像素電路中，上述驅(qū)動晶體管的控制端子被供給由對應(yīng)的數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)電壓，上述驅(qū)動晶體管的第一導(dǎo)通端子被供給上述高電平電源電壓，上述驅(qū)動晶體管的第二導(dǎo)通端子與上述電光學(xué)元件的陽極連接，上述電光學(xué)元件的陰極被供給上述低電平電源電壓，

上述電源電壓控制部根據(jù)由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量，控制上述低電平電源電壓的值。

本發(fā)明的第二方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括檢測上述對象電路元件的特性，基于檢測結(jié)果求出上述對象電路元件的閾值電壓的特性檢測部，

上述閾值電壓變化量取得部基于由上述特性檢測部求出的閾值電壓，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量。

本發(fā)明的第三方面，在本發(fā)明的第二方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述閾值電壓變化量取得部基于規(guī)定的基準(zhǔn)時的上述對象電路元件的閾值電壓與上述特性檢測部進(jìn)行了特性檢測的時刻的上述對象電路元件的閾值電壓之差，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量。

本發(fā)明的第四方面，在本發(fā)明的第二方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括偽電路元件，該偽電路元件是與上述對象電路元件相同種類的電路元件，并且是不被進(jìn)行驅(qū)動動作的電路元件，

上述閾值電壓變化量取得部根據(jù)基于上述特性檢測部進(jìn)行的特性檢測的檢測結(jié)果求出的上述對象電路元件的閾值電壓與上述偽電路元件的閾值電壓之差，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量。

本發(fā)明的第五方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括檢測溫度的溫度檢測部，

上述閾值電壓變化量取得部基于由上述溫度檢測部檢測出的溫度，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量。

本發(fā)明的第六方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

本發(fā)明的第七方面，在本發(fā)明的第六方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述閾值電壓變化量取得部求出作為上述對象電路元件的上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件這兩者的閾值電壓的變化量，

上述電源電壓控制部將上述低電平電源電壓的值設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低與上述驅(qū)動晶體管的上述代表值和上述電光學(xué)元件的上述代表值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第八方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量的值定義為算出變化值時，上述電源電壓控制部將上述低電平電源電壓的值設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低與上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第九方面，在本發(fā)明的第八方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述閾值電壓變化量取得部求出作為上述對象電路元件的上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件這兩者的閾值電壓的變化量，

上述電源電壓控制部將上述低電平電源電壓的值設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低與上述驅(qū)動晶體管的上述算出變化值的最大值和上述電光學(xué)元件的上述算出變化值的最大值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第十方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量的值定義為算出變化值時，上述電源電壓控制部將上述低電平電源電壓的值設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低與上述多個像素電路的上述算出變化值中的最小值相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第十一方面，在本發(fā)明的第十方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述閾值電壓變化量取得部求出作為上述對象電路元件的上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件這兩者的閾值電壓的變化量，

上述電源電壓控制部將上述低電平電源電壓的值設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低與上述驅(qū)動晶體管的上述算出變化值的最小值和上述電光學(xué)元件的上述算出變化值的最小值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第十二方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量的值定義為算出變化值，并且將上述多個像素電路的上述算出變化值的平均值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值與最小值的平均值和上述多個像素電路的上述算出變化值的中位數(shù)中的1者定義為代表值時，上述電源電壓控制部將上述低電平電源電壓的值設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低以下電壓值的值：基于上述代表值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值、上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路能夠向上述多個像素電路供給的數(shù)據(jù)電壓的范圍與灰度等級顯示所需要的電壓的范圍的關(guān)系而決定的電壓值。

本發(fā)明的第十三方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量的值定義為算出變化值，并且將上述多個像素電路的上述算出變化值的平均值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值與最小值的平均值和上述多個像素電路的上述算出變化值的中位數(shù)中的1者定義為代表值時，上述電源電壓控制部將上述低電平電源電壓的值設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低以下電壓值的值：基于上述代表值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最小值、上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路能夠向上述多個像素電路供給的數(shù)據(jù)電壓的范圍與灰度等級顯示所需要的電壓范圍的關(guān)系而決定的電壓值。

本發(fā)明的第十四方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括求出上述驅(qū)動晶體管的遷移率的遷移率取得部，

上述電源電壓控制部根據(jù)由上述遷移率取得部求出的遷移率，控制上述高電平電源電壓的值。

本發(fā)明的第十五方面，在本發(fā)明的第十四方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述電源電壓控制部以滿足以下式子的方式控制上述高電平電源電壓的值Vh：

Vh>Vl+Vmax+(2×Imax/β)^1/2

其中，Vl為上述低電平電源電壓的值，Vmax為施加至上述電光學(xué)元件的陽極-陰極間的電壓的最大值，Imax為在上述電光學(xué)元件的陽極-陰極間流動的電流的最大值，β為與由上述遷移率取得部求出的遷移率成比例的增益值。

本發(fā)明的第十六方面，在本發(fā)明的第一方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述電源電壓控制部使上述高電平電源電壓的值向與上述低電平電源電壓的值的變化方向相同方向變化相同的值。

本發(fā)明的第十七方面是一種顯示裝置，其具有多個像素電路，該像素電路包含亮度由電流控制的電光學(xué)元件和用于控制要向上述電光學(xué)元件供給的電流的驅(qū)動晶體管，該顯示裝置的特征在于，包括：

用于向上述多個像素電路供給灰度等級顯示用的數(shù)據(jù)電壓的多個數(shù)據(jù)線；

向上述多個數(shù)據(jù)線施加上述數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路；

將上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件中的至少一者作為對象電路元件，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量的閾值電壓變化量取得部；和

至少控制第一電源電壓的值的電源電壓控制部，上述第一電源電壓為向上述多個像素電路供給的第一電平電壓和第二電平電壓中的一者，

在上述多個像素電路中的各個像素電路中，上述驅(qū)動晶體管的控制端子被供給由對應(yīng)的數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)電壓，上述驅(qū)動晶體管的第一導(dǎo)通端子被供給上述第二電平電壓，上述驅(qū)動晶體管的第二導(dǎo)通端子與上述電光學(xué)元件的一個電極連接，上述電光學(xué)元件的另一個電極被供給上述第一電平電壓，

上述電源電壓控制部根據(jù)由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量，控制上述第一電源電壓的值。

本發(fā)明的第十八方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括檢測上述對象電路元件的特性，基于檢測結(jié)果求出上述對象電路元件的閾值電壓的特性檢測部，

上述閾值電壓變化量取得部基于由上述特性檢測部求出的閾值電壓，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量。

本發(fā)明的第十九方面，在本發(fā)明的第十八方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

本發(fā)明的第二十方面，在本發(fā)明的第十八方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括偽電路元件，該偽電路元件是與上述對象電路元件相同種類的電路元件，并且是不被進(jìn)行驅(qū)動動作的電路元件，

本發(fā)明的第二十一方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括檢測溫度的溫度檢測部，

上述閾值電壓變化量取得部基于由上述溫度檢測部檢測出的溫度，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量。

本發(fā)明的第二十二方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

本發(fā)明的第二十三方面，在本發(fā)明的第二十二方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述閾值電壓變化量取得部求出作為上述對象電路元件的上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件這兩者的閾值電壓的變化量，

上述電源電壓控制部將上述第一電源電壓的值設(shè)定為使得與上述第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大與上述驅(qū)動晶體管的上述代表值和上述電光學(xué)元件的上述代表值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第二十四方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量的值定義為算出變化值，并且將上述第一電平電壓和上述第二電平電壓中的與上述第一電源電壓不同的電壓定義為第二電源電壓時，上述電源電壓控制部將上述第一電源電壓的值設(shè)定為使得與上述第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大與上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第二十五方面，在本發(fā)明的第二十四方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述閾值電壓變化量取得部求出作為上述對象電路元件的上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件這兩者的閾值電壓的變化量，

上述電源電壓控制部將上述第一電源電壓的值設(shè)定為使得與上述第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大與上述驅(qū)動晶體管的上述算出變化值的最大值和上述電光學(xué)元件的上述算出變化值的最大值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第二十六方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

本發(fā)明的第二十七方面，在本發(fā)明的第二十六方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述閾值電壓變化量取得部求出作為上述對象電路元件的上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件這兩者的閾值電壓的變化量，

上述電源電壓控制部將上述第一電源電壓的值設(shè)定為使得與上述第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大與上述驅(qū)動晶體管的上述算出變化值的最小值和上述電光學(xué)元件的上述算出變化值的最小值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹怠?/p>

本發(fā)明的第二十八方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量的值定義為算出變化值，并且將上述第一電平電壓和上述第二電平電壓中的與上述第一電源電壓不同的電壓定義為第二電源電壓，并且將上述多個像素電路的上述算出變化值的平均值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值與最小值的平均值和上述多個像素電路的上述算出變化值的中位數(shù)中的1者定義為代表值時，上述電源電壓控制部將上述第一電源電壓的值設(shè)定為使得與上述第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大以下電壓值的值：基于上述代表值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值、上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路能夠向上述多個像素電路供給的數(shù)據(jù)電壓的范圍與灰度等級顯示所需要的電壓范圍的關(guān)系而決定的電壓值。

本發(fā)明的第二十九方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

將由上述閾值電壓變化量取得部求出的變化量的值定義為算出變化值，并且將上述第一電平電壓和上述第二電平電壓中的與上述第一電源電壓不同的電壓定義為第二電源電壓，并且將上述多個像素電路的上述算出變化值的平均值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值與最小值的平均值和上述多個像素電路的上述算出變化值的中位數(shù)中的1者定義為代表值時，上述電源電壓控制部將上述第一電源電壓的值設(shè)定為使得與上述第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大以下電壓值的值：基于上述代表值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最大值、上述多個像素電路的上述算出變化值中的最小值、上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路能夠向上述多個像素電路供給的數(shù)據(jù)電壓的范圍與灰度等級顯示所需要的電壓范圍的關(guān)系而決定的電壓值。

本發(fā)明的第三十方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

還包括求出上述驅(qū)動晶體管的遷移率的遷移率取得部，

將上述第一電平電壓和上述第二電平電壓中的與上述第一電源電壓不同的電壓定義為第二電源電壓時，上述電源電壓控制部根據(jù)由上述遷移率取得部求出的遷移率控制上述第二電源電壓的值。

本發(fā)明的第三十一方面，在本發(fā)明的第三十方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述電源電壓控制部在上述第二電源電壓的值V2大于上述第一電源電壓的值V1的情況下，以滿足下式A的方式控制上述第二電源電壓的值V2，在上述第二電源電壓的值V2小于上述第一電源電壓的值V1的情況下，以滿足下式B的方式控制上述第二電源電壓的值V2：

V2>Vl+Vmax+(2×Imax/β)^1/2……(A)

V2<Vl-Vmax-(2×Imax/β)^1/2……(B)

其中，Vmax是施加在上述電光學(xué)元件的一個電極與另一個電極間的電壓的最大值，Imax是在上述電光學(xué)元件的一個電極與另一個電極間流動的電流的最大值，β是與由上述遷移率取得部求出的遷移率成比例的增益值。

本發(fā)明的第三十二方面，在本發(fā)明的第十七方面的基礎(chǔ)上，特征在于：

上述電源電壓控制部使上述第二電源電壓的值向與上述第一電源電壓的值的變化方向相同的方向變化相同的值。

本發(fā)明的第三十三方面一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置包括：多個像素電路，該像素電路包含亮度由電流控制的電光學(xué)元件和用于控制要向上述電光學(xué)元件供給的電流的驅(qū)動晶體管；用于向上述多個像素電路供給灰度等級顯示用的數(shù)據(jù)電壓的多個數(shù)據(jù)線；和向上述多個數(shù)據(jù)線施加上述數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，

該驅(qū)動方法的特征在于，包括：

閾值電壓變化量取得步驟，將上述驅(qū)動晶體管和上述電光學(xué)元件中的至少一者作為對象電路元件，求出上述對象電路元件的閾值電壓的變化量；和

電源電壓控制步驟，控制向上述多個像素電路供給的低電平電源電壓和高電平電源電壓中的至少上述低電平電源電壓的值，

在上述電源電壓控制步驟中，根據(jù)上述閾值電壓變化量取得步驟中求出的變化量，控制上述低電平電源電壓的值。

本發(fā)明的第三十四方面是一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置包括：多個像素電路，該像素電路包含亮度由電流控制的電光學(xué)元件和用于控制要向上述電光學(xué)元件供給的電流的驅(qū)動晶體管；用于向上述多個像素電路供給灰度等級顯示用的數(shù)據(jù)電壓的多個數(shù)據(jù)線；和向上述多個數(shù)據(jù)線施加上述數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，

該驅(qū)動方法的特征在于，包括：

至少控制第一電源電壓的值的電源電壓控制步驟，上述第一電源電壓為向上述多個像素電路供給的第一電平電壓和第二電平電壓中的一者，

在上述電源電壓控制步驟中，根據(jù)上述閾值電壓變化量取得步驟中求出的變化量，控制上述第一電源電壓的值。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，將驅(qū)動晶體管和電光學(xué)元件的至少一者作為對象電路元件求出該對象電路元件的閾值電壓的變化量，根據(jù)該變化量調(diào)整低電平電源電壓的值。因此，能夠使灰度等級電壓范圍(進(jìn)行期望的灰度等級顯示所需要的數(shù)據(jù)電壓的范圍)根據(jù)對象電路元件的特性變化的程度進(jìn)行偏移。由此，能夠防止灰度等級溢出的產(chǎn)生。此外，通過防止灰度等級溢出的產(chǎn)生，能夠得到顯示裝置的長壽命化的效果?；谝陨?，可實現(xiàn)能夠不引起灰度等級溢出地對電路元件的特性的變化進(jìn)行補(bǔ)償?shù)娘@示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，能夠在利用用于檢測像素電路內(nèi)的電路元件的特性的構(gòu)成要素的同時調(diào)整低電平電源電壓的值。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，可實現(xiàn)能夠不引起灰度等級溢出地補(bǔ)償由時間的經(jīng)過引起的電路元件的劣化的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的第四方面，根據(jù)基于特性檢測的結(jié)果的閾值電壓與偽電路元件的閾值電壓之差，求出閾值電壓的變化量。因此，能夠?qū)⑾袼仉娐穬?nèi)的電路元件的劣化分成由環(huán)境引起的部分和由點亮引起的部分來考慮。而且，通過使用該求出的變化量調(diào)整低電平電源電壓的值，并且基于特性檢測的結(jié)果進(jìn)行視頻信號的校正，由此，即使面板的外周條件、環(huán)境條件從初始時刻變化，也能夠不引發(fā)灰度等級溢出地有效地補(bǔ)償電路元件的劣化。

根據(jù)本發(fā)明的第五方面，基于溫度求出閾值電壓的變化量。由此，能夠不進(jìn)行驅(qū)動晶體管的特性的檢測地調(diào)整低電平電源電壓的值。

根據(jù)本發(fā)明的第六局面，低電平電源電壓的值被設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低與所有像素的閾值電壓的變化量的“平均值”、或“最大值與最小值的平均值”、或“中位數(shù)”相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹?。因此，能夠?qū)﹄娐吩奶匦缘淖兓M(jìn)行補(bǔ)償，使得在高灰度等級側(cè)和低灰度等級側(cè)均盡可能不產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第七局面，能夠?qū)︱?qū)動晶體管和電光學(xué)元件的特性變化進(jìn)行補(bǔ)償，使得在高灰度等級側(cè)和低灰度等級側(cè)均盡可能不產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第八局面，低電平電源電壓的值被設(shè)定為比基準(zhǔn)時值低與所有像素的閾值電壓的變化量的最大值相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹?。因此，灰度等級電壓范圍的上限值有效地變低。由此，能夠有效防止在高灰度等級?cè)產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第九方面，能夠在有效防止高灰度等級側(cè)的灰度等級溢出的產(chǎn)生的同時，對驅(qū)動晶體管和電光學(xué)元件的特性變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第十方面，低電平電源電壓的值被設(shè)定為比基準(zhǔn)時的值低與所有像素的閾值電壓的變化量的最小值相當(dāng)?shù)碾妷褐?。因此，在低電平電源電壓的值的調(diào)整后，灰度等級電壓范圍的下限值也維持在盡可能高的值。由此，能夠防止在低灰度等級側(cè)產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，能夠在防止在低灰度等級側(cè)產(chǎn)生灰度等級溢出的同時對驅(qū)動晶體管和電光學(xué)元件的特性變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，在考慮各種條件的同時調(diào)整低電平電源電壓的值。因此，能夠在有效防止灰度等級溢出的產(chǎn)生的同時，對電路元件的特性變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，與本發(fā)明的第十二方面同樣地，能夠在有效防止灰度等級溢出的產(chǎn)生的同時對電路元件的特性的變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，伴隨低電平電源電壓的值被調(diào)整，高電平電源電壓的值也被調(diào)整。由此，能夠降低耗電。

根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，能夠防止通過調(diào)整高電平電源電壓的值而引起的動作不良的產(chǎn)生。

根據(jù)本發(fā)明的第十六方面，伴隨低電平電源電壓的值被調(diào)整，高電平電源電壓的值也被調(diào)整。由此，能夠降低耗電。

根據(jù)本發(fā)明的第十七方面，將驅(qū)動晶體管和電光學(xué)元件的至少一者作為對象電路元件，求出該對象電路元件的閾值電壓的變化量，根據(jù)該變化量調(diào)整電源電壓(被供給至像素電路內(nèi)的2個電平的電源電壓中的至少一者的電壓)的值。因此，能夠使灰度等級電壓范圍(進(jìn)行期望的灰度等級顯示所需要的數(shù)據(jù)電壓的范圍)根據(jù)對象電路元件的特性變化的程度進(jìn)行偏移。由此，防止灰度等級溢出的產(chǎn)生。此外，通過防止灰度等級溢出的產(chǎn)生，能夠得到顯示裝置的長壽命化的效果。基于以上，可實現(xiàn)能夠不引起灰度等級溢出地對電路元件的特性變化進(jìn)行補(bǔ)償?shù)娘@示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的第十八方面，能夠在利用用于檢測像素電路內(nèi)的電路元件的特性的構(gòu)成要素的同時，調(diào)整向像素電路內(nèi)供給的電源電壓的值。

根據(jù)本發(fā)明的第十九方面，可實現(xiàn)能夠不引起灰度等級溢出地對由時間的經(jīng)過導(dǎo)致的電路元件的劣化進(jìn)行補(bǔ)償?shù)娘@示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的第二十方面，根據(jù)基于特性檢測的結(jié)果的閾值電壓與偽電路元件的閾值電壓之差，求出閾值電壓的變化量。因此，能夠?qū)⑾袼仉娐穬?nèi)的電路元件的劣化分為由環(huán)境引起的部分和由點亮引起的部分來考慮。而且，使用該求出的變化量調(diào)整電源電壓(向像素電路內(nèi)供給的2個電平的電源電壓中的至少一者的電壓)的值，并且基于特性檢測的結(jié)果進(jìn)行視頻信號的校正，由此即使面板的外周條件和環(huán)境條件從初始時刻變化，也能夠不引起灰度等級溢出地有效地對電路元件的劣化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第二十一方面，基于溫度求出閾值電壓的變化量。由此，能夠不進(jìn)行驅(qū)動晶體管的特性的檢測地對向像素電路內(nèi)供給的2個電平的電源電壓中的至少一者的電壓的值進(jìn)行調(diào)整。

根據(jù)本發(fā)明的第二十二方面，第一電源電壓(第一電平電壓和第二電平電壓中的一者的電壓)的值被設(shè)定為使得與第二電源電壓(第一電平電壓和第二電平電壓中的與第一電源電壓不同的電壓)之差變得比基準(zhǔn)時的值大與所有像素的閾值電壓的變化量的“平均值”、或“最大值與最小值的平均值”、或“中位數(shù)”相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹?。因此，能夠?qū)﹄娐吩奶匦缘淖兓M(jìn)行補(bǔ)償，使得在高灰度等級側(cè)和低灰度等級側(cè)也能夠盡可能不產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第二十三方面，能夠?qū)︱?qū)動晶體管和電光學(xué)元件的特性的變化進(jìn)行補(bǔ)償，使得在高灰度等級側(cè)和低灰度等級側(cè)均盡可能不產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第二十四方面，第一電源電壓的值被設(shè)定為使得與第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大與所有像素的閾值電壓的變化量的最大值相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹?。因此，使灰度等級電壓范圍的上限值變低，從而能夠防止在高灰度等級?cè)產(chǎn)生灰度等級溢出，或者，使灰度等級電壓范圍的下限值變高，從而能夠有效地防止在低灰度等級側(cè)產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第二十五方面，能夠在有效地防止在高灰度等級側(cè)或低灰度等級側(cè)產(chǎn)生灰度等級溢出的同時，對驅(qū)動晶體管和電光學(xué)元件的特性的變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第二十六方面，第一電源電壓的值被設(shè)定為使得與第二電源電壓之差變得比基準(zhǔn)時的值大與所有像素的閾值電壓的變化量的最小值相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹?。因此，即使在第一電源電壓的值的調(diào)整后，灰度等級電壓范圍的下限值也維持在盡可能高的值，或者，灰度等級電壓范圍的上限值也維持在盡可能低的值。由此，能夠防止在低灰度等級側(cè)或高灰度等級側(cè)產(chǎn)生灰度等級溢出。

根據(jù)本發(fā)明的第二十七方面，能夠在防止在低灰度等級側(cè)或高灰度等級側(cè)產(chǎn)生灰度等級溢出的同時對驅(qū)動晶體管和電光學(xué)元件的特性的變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第二十八方面，在考慮各種條件的同時調(diào)整第一電源電壓的值。因此，在有效地防止灰度等級溢出的產(chǎn)生的同時對電路元件的特性的變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第二十九方面，與本發(fā)明的第二十八方面同樣地，能夠在有效防止灰度等級溢出的產(chǎn)生的同時對電路元件的特性的變化進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的第三十方面，伴隨第一電源電壓的值被調(diào)整，第二電源電壓的值也被調(diào)整。由此，能夠降低耗電。

根據(jù)本發(fā)明的第三十一方面，能夠防止通過調(diào)整第二電源電壓的值而引起的動作不良的產(chǎn)生。

根據(jù)本發(fā)明的第三十二方面，伴隨第一電源電壓的值被調(diào)整，第二電源電壓的值也被調(diào)整。由此，能夠降低耗電。

根據(jù)本發(fā)明的第三十三方面，能夠在顯示裝置的驅(qū)動方法的發(fā)明中獲得與本發(fā)明的第一方面相同的效果。

根據(jù)本發(fā)明的第三十四方面，能夠在顯示裝置的驅(qū)動方法的發(fā)明中獲得與本發(fā)明的第十七方面相同的效果。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖。

圖2是用于對上述實施方式中的柵極驅(qū)動器的動作進(jìn)行說明的時序圖。

圖3是用于對上述實施方式中的柵極驅(qū)動器的動作進(jìn)行說明的時序圖。

圖4是用于對上述實施方式中的柵極驅(qū)動器的動作進(jìn)行說明的時序圖。

圖5是用于說明上述實施方式中的輸出部內(nèi)的輸出/電流監(jiān)測電路的輸入輸出信號的圖。

圖6是表示上述實施方式中的像素電路和輸出/電流監(jiān)測電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖7是用于說明上述實施方式中的各行的動作的推移的圖。

圖8是用于說明上述實施方式中的關(guān)于監(jiān)測行的1水平掃描期間的詳細(xì)情況的時序圖。

圖9是用于說明上述實施方式中的進(jìn)行通常動作時的電流的流動的圖。

圖10是用于說明上述實施方式中的監(jiān)測行包含的像素電路(i行j列的像素電路)的動作的時序圖。

圖11是用于說明上述實施方式中的檢測準(zhǔn)備期間的電流的流動的圖。

圖12是用于說明上述實施方式中的TFT特性檢測期間的電流的流動的圖。

圖13是用于說明上述實施方式中的OLED特性檢測期間的電流的流動的圖。

圖14是用于說明上述實施方式中的TFT特性檢測期間的詳細(xì)情況的時序圖。

圖15是用于說明上述實施方式中的發(fā)光準(zhǔn)備期間的電流的流動的圖。

圖16是用于說明上述實施方式中的發(fā)光期間的電流的流動的圖。

圖17是用于說明上述實施方式的效果的圖。

圖18是用于說明上述實施方式的效果的圖。

圖19是用于說明低電平電源電壓的調(diào)整方法的圖。

圖20是用于說明低電平電源電壓的調(diào)整方法的圖。

圖21是用于說明低電平電源電壓的調(diào)整方法的圖。

圖22是用于說明低電平電源電壓的調(diào)整方法的圖。

圖23是用于說明低電平電源電壓的調(diào)整方法的圖。

圖24是用于說明低電平電源電壓的調(diào)整方法的圖。

圖25是用于說明低電平電源電壓的調(diào)整方法的圖。

圖26是用于說明上述實施方式的第五變形例中的偽像素的圖。

圖27是表示上述實施方式的第六變形例中的有機(jī)EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖。

圖28是表示上述實施方式的第六變形例中的TFT用溫度-閾值電壓對應(yīng)表結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖29是表示上述實施方式的第六變形例中的TFT用溫度-遷移率對應(yīng)表結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖30是表示上述實施方式的第七變形例中的像素電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖31是用于說明上述實施方式的第七變形例中的TFT特性檢測期間的電流的流動的圖。

圖32是用于說明上述實施方式的第七變形例中的OLED特性檢測期間的電流的流動的圖。

圖33是表示上述實施方式的第八變形例中的像素電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖34是用于說明上述實施方式的第八變形例中的TFT特性檢測期間的電流的流動的圖。

圖35是用于說明上述實施方式的第八變形例中的OLED特性檢測期間的電流的流動的圖。

圖36是表示以往的通常像素電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖37是用于說明圖36所示的像素電路的動作的時序圖。

圖38是表示能夠進(jìn)行256灰度等級的灰度等級顯示的有機(jī)EL顯示裝置在初始狀態(tài)下的高電平電源電壓ELVDD、低電平電源電壓ELVSS、驅(qū)動器輸出范圍與灰度等級電壓范圍的關(guān)系的一例的圖。

圖39是用于說明灰度等級溢出的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發(fā)明的一個實施方式進(jìn)行說明。另外，以下假設(shè)m和n為2以上的整數(shù)，i為1以上n以下的整數(shù)，j為1以上m以下的整數(shù)。此外，以下將設(shè)置在像素電路內(nèi)的驅(qū)動晶體管的特性稱為“TFT特性”，將設(shè)置在像素電路內(nèi)的有機(jī)EL元件的特性稱為“OLED特性”。

<1.整體結(jié)構(gòu)>

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置1的整體結(jié)構(gòu)的框圖。該有機(jī)EL顯示裝置1包括顯示部10、控制電路20、源極驅(qū)動器(數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路)30、柵極驅(qū)動器(掃描線驅(qū)動電路)40、校正數(shù)據(jù)存儲部50、有機(jī)EL用高電平電源61和有機(jī)EL用低電平電源62。另外，源極驅(qū)動器30和柵極驅(qū)動器40中的一者或兩者可以為與顯示部10一體地形成的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，由控制電路20實現(xiàn)閾值電壓變化量取得部和遷移率取得部。

在顯示部10配置有m條數(shù)據(jù)線S(1)～S(m)和與其正交的n條掃描線G1(1)～G1(n)。以下設(shè)數(shù)據(jù)線的延伸方向為Y方向，設(shè)掃描線的延伸方向為X方向。有時將沿著Y方向的結(jié)構(gòu)要素稱為“列”，有時將沿著X方向的結(jié)構(gòu)要素稱為“行”。此外，在顯示部10以與n條掃描線G1(1)～G1(n)一對一地對應(yīng)的方式配置有n條監(jiān)測控制線G2(1)～G2(n)。掃描線G1(1)～G1(n)與監(jiān)測控制線G2(1)～G2(n)相互平行。進(jìn)一步，在顯示部10以同n條掃描線G1(1)～G1(n)與m條數(shù)據(jù)線S(1)～S(m)的交叉點對應(yīng)的方式設(shè)置有n×m個像素電路11。通過像這樣設(shè)置n×m個像素電路11，在顯示部10形成有n行×m列的像素矩陣。此外，在顯示部10配置有供給高電平電源電壓ELVDD的高電平電源線和供給低電平電源電壓ELVSS的低電平電源線。

另外，以下在不需要將m條數(shù)據(jù)線S(1)～S(m)彼此區(qū)別開來的情況下將數(shù)據(jù)線僅以標(biāo)記S表示。同樣地，在不需要將n條掃描線G1(1)～G1(n)彼此區(qū)別開來的情況下，將掃描線僅以標(biāo)記G1表示，在不需要將n條監(jiān)測控制線G2(1)～G2(n)彼此區(qū)別開來的情況下將監(jiān)測控制線僅以標(biāo)記G2表示。

本實施方式中的數(shù)據(jù)線S不僅作為用作傳送使像素電路11內(nèi)的有機(jī)EL元件以期望的亮度發(fā)光的亮度信號的信號線，也用作用于將TFT特性和OLED特性的檢測用控制電位供給至像素電路11的信號線，和成為表示TFT特性及OLED特性的電流即后述的輸出/電流監(jiān)測電路330中能夠測定的電流的路徑的信號線。

控制電路20通過向源極驅(qū)動器30供給數(shù)據(jù)信號DA和源極控制信號SCTL來控制源極驅(qū)動器30的動作，通過向柵極驅(qū)動器40供給柵極控制信號GCTL來控制柵極驅(qū)動器40的動作。源極控制信號SCTL例如包括源極啟動脈沖、源極時鐘和鎖存選通信號。柵極控制信號GCTL例如包括柵極啟動脈沖、柵極時鐘和輸出使能信號。此外，控制電路20接受從源極驅(qū)動器30供給來的監(jiān)測數(shù)據(jù)MO，進(jìn)行存儲于校正數(shù)據(jù)存儲部50中的校正數(shù)據(jù)的更新。此外，監(jiān)測數(shù)據(jù)MO是為了求出TFT特性和OLED特性而測定到的數(shù)據(jù)。

控制電路20包括電源電壓控制部201。電源電壓控制部201通過向有機(jī)EL用高電平電源61供給電壓控制信號CTL1，對從有機(jī)EL用高電平電源61輸出的高電平電源電壓ELVDD的值進(jìn)行控制，通過向有機(jī)EL用低電平電源62供給電壓控制信號CTL2，對從有機(jī)EL用低電平電源62輸出的低電平電源電壓ELVSS的值進(jìn)行控制。另外，關(guān)于如何控制這些電壓將在后文詳細(xì)進(jìn)行說明。

柵極驅(qū)動器40與n條掃描線G1(1)～G1(n)及n條監(jiān)測控制線G2(1)～G2(n)連接。柵極驅(qū)動器40由移位寄存器和邏輯電路等構(gòu)成。此外，在本實施方式的有機(jī)EL顯示裝置1中，根據(jù)TFT特性和OLED特性，對從外部輸送來的視頻信號(為上述數(shù)據(jù)信號DA的原始數(shù)據(jù))實施校正。對此，本實施方式中，在各幀對1行的TFT特性和OLED特性進(jìn)行檢測。也就是說，如果在某幀對第一行的TFT特性和OLED特性進(jìn)行檢測，則在下一幀對第二行的TFT特性和OLED特性進(jìn)行檢測，在再下一幀對第三行的TFT特性和OLED特性進(jìn)行檢測。像這樣，在n幀期間對n行的TFT特性和OLED特性進(jìn)行檢測。另外，本說明書中，關(guān)注任意的幀時將被進(jìn)行TFT特性和OLED特性的檢測的行稱為“監(jiān)測行”，將監(jiān)測行以外的行稱為“非監(jiān)測行”。

這里，將進(jìn)行第一行的TFT特性和OLED特性的檢測的幀定義為第(k+1)幀時，n條掃描線G1(1)～G1(n)和n條監(jiān)測控制線G2(1)～G2(n)在第(k+1)幀如圖2所示被驅(qū)動，在第(k+2)幀如圖3所示被驅(qū)動，在第(k+n)幀如圖4所示被驅(qū)動。另外，圖2～圖4中，高電平的狀態(tài)為有效的狀態(tài)。此外，在圖2～圖4中，以標(biāo)記THm表示監(jiān)測行的1水平掃描期間，以標(biāo)記THn表示非監(jiān)測行的1水平掃描期間。

由圖2～圖4可知，監(jiān)測行和非監(jiān)測行中的1水平掃描期間的長度不同。詳細(xì)而言，監(jiān)測行的1水平掃描期間的長度成為非監(jiān)測行的1水平掃描期間的長度的4倍。不過，本發(fā)明不限于此。非監(jiān)測行與通常的顯示裝置同樣地在1幀期間中有1個選擇期間。監(jiān)測行與通常的顯示裝置不同，在1幀期間中有2個選擇期間。第一個選擇期間為1水平掃描期間THm中的最初4分之1的期間，第二個選擇期間為1水平掃描期間THm中的最后4分之1的期間。另外，關(guān)于監(jiān)測行的1水平掃描期間THm的更詳細(xì)的說明將在后文敘述。

如圖2～圖4所示，在各幀中，與非監(jiān)測行對應(yīng)的監(jiān)測控制線G2維持在非有效的狀態(tài)。與監(jiān)測行對應(yīng)的監(jiān)測控制線G2在1水平掃描期間THm中的選擇期間以外的期間(掃描線G1成為非有效的狀態(tài)的期間)維持在有效的狀態(tài)。在本實施方式中，以如以上那樣驅(qū)動n條掃描線G1(1)～G1(n)和n條監(jiān)測控制線G2(1)～G2(n)的方式構(gòu)成柵極驅(qū)動器40。另外，為了在監(jiān)測行在1幀期間中在掃描線G1產(chǎn)生2次脈沖，只要使用公知的方法對從控制電路20向柵極驅(qū)動器40發(fā)送的輸出使能信號的波形進(jìn)行控制即可。

源極驅(qū)動器30與m條數(shù)據(jù)線S(1)～S(m)連接。源極驅(qū)動器30包括驅(qū)動信號產(chǎn)生電路31、信號轉(zhuǎn)換電路32和由m個輸出/電流監(jiān)測電路330構(gòu)成的輸出部33。輸出部33內(nèi)的m個輸出/電流監(jiān)測電路330分別與m條數(shù)據(jù)線S(1)～S(m)中的對應(yīng)的數(shù)據(jù)線S連接。

驅(qū)動信號產(chǎn)生電路31包含移位寄存器、采樣電路和鎖存電路。在驅(qū)動信號產(chǎn)生電路31中，移位寄存器與源極時鐘同步地將源極啟動脈沖從輸入端向輸出端依次輸送。與源極啟動脈沖的該輸送相應(yīng)地從移位寄存器輸出與各數(shù)據(jù)線S對應(yīng)的采樣脈沖。采樣電路按照采樣脈沖的時序依次存儲1行的數(shù)據(jù)信號DA。鎖存電路與鎖存選通信號相應(yīng)地讀取并保存在采樣電路中存儲的1行的數(shù)據(jù)信號DA。

另外，在本實施方式中，數(shù)據(jù)信號DA包含：用于使各像素的有機(jī)EL元件以期望的亮度發(fā)光的亮度信號；和用于檢測TFT特性及OLED特性時控制像素電路11的動作的監(jiān)測控制信號。

信號轉(zhuǎn)換電路32包含D/A轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器。如上所述在驅(qū)動信號產(chǎn)生電路31內(nèi)的鎖存電路中保存的1行的數(shù)據(jù)信號DA由信號轉(zhuǎn)換電路32內(nèi)的D/A轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為模擬電壓。該轉(zhuǎn)換得到的模擬電壓被供給至輸出部33內(nèi)的輸出/電流監(jiān)測電路330。此外，信號轉(zhuǎn)換電路32被從輸出部33內(nèi)的輸出/電流監(jiān)測電路330供給監(jiān)測數(shù)據(jù)MO。該監(jiān)測數(shù)據(jù)MO由信號轉(zhuǎn)換電路32內(nèi)的A/D轉(zhuǎn)換器從模擬電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。然后，轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的監(jiān)測數(shù)據(jù)MO經(jīng)驅(qū)動信號產(chǎn)生電路31被供給至控制電路20。

圖5是用于說明輸出部33內(nèi)的輸出/電流監(jiān)測電路330的輸入輸出信號的圖。輸出/電流監(jiān)測電路330被從信號轉(zhuǎn)換電路32供給作為數(shù)據(jù)信號DA的模擬電壓Vs。該模擬電壓Vs經(jīng)輸出/電流監(jiān)測電路330內(nèi)的緩沖器被施加至數(shù)據(jù)線S。此外，輸出/電流監(jiān)測電路330具有對數(shù)據(jù)線S中流動的電流進(jìn)行測定的功能。由輸出/電流監(jiān)測電路330測定到的數(shù)據(jù)作為監(jiān)測數(shù)據(jù)MO被供給至信號轉(zhuǎn)換電路32。另外，對輸出/電流監(jiān)測電路330的詳細(xì)結(jié)構(gòu)將在后文中敘述(參照圖6)。

校正數(shù)據(jù)存儲部50包含TFT用偏置存儲器51a、OLED用偏置存儲器51b、TFT用增益存儲器52a和OLED用增益存儲器52b。另外，這4個存儲器可以為物理上的1個存儲器，也可以為物理上的不同存儲器。校正數(shù)據(jù)存儲部50存儲從外部輸送的視頻信號的校正中使用的校正數(shù)據(jù)。詳細(xì)而言，TFT用偏置存儲器51a將基于TFT特性的檢測結(jié)果得到的偏置值(該偏置值是與驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的值)作為校正數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。OLED用偏置存儲器51b將基于OLED特性的檢測結(jié)果得到的偏置值(該偏置值是與有機(jī)EL元件的發(fā)光閾值電壓對應(yīng)的值)作為校正數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。TFT用增益存儲器52a將基于TFT特性的檢測結(jié)果得到的增益值(該增益值是與驅(qū)動晶體管的遷移率對應(yīng)的值)作為校正數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。OLED用增益存儲器52b將基于OLED特性的檢測結(jié)果得到的劣化校正系數(shù)作為校正數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。另外，典型地與顯示部10內(nèi)的像素的數(shù)量相等數(shù)量的偏置值和增益值作為基于TFT特性的檢測結(jié)果得到的校正數(shù)據(jù)，被分別存儲于TFT用偏置存儲器51a和TFT用增益存儲器52a。此外，典型地與顯示部10內(nèi)的像素的數(shù)量相等數(shù)量的偏置值和劣化校正系數(shù)作為基于OLED特性的檢測結(jié)果得到的校正數(shù)據(jù)，被分別存儲于OLED用偏置存儲器51b和OLED用增益存儲器52b。不過，也可以對每多個像素在各存儲器中存儲1個值。

如上所述，控制電路20基于監(jiān)測數(shù)據(jù)MO進(jìn)行校正數(shù)據(jù)的更新。詳細(xì)而言，控制電路20基于從源極驅(qū)動器30供給來的監(jiān)測數(shù)據(jù)MO對TFT用偏置存儲器51a內(nèi)的偏置值、OLED用偏置存儲器51b內(nèi)的偏置值、TFT用增益存儲器52a內(nèi)的增益值和OLED用增益存儲器52b內(nèi)的劣化校正系數(shù)進(jìn)行更新。此外，控制電路20讀出TFT用偏置存儲器51a內(nèi)的偏置值、OLED用偏置存儲器51b內(nèi)的偏置值、TFT用增益存儲器52a內(nèi)的增益值和OLED用增益存儲器52b內(nèi)的劣化校正系數(shù)，進(jìn)行視頻信號的校正，使得電路元件的劣化得到補(bǔ)償。通過該校正得到的數(shù)據(jù)被作為數(shù)據(jù)信號DA被輸送到源極驅(qū)動器30。

有機(jī)EL用高電平電源61向顯示部10供給高電平電源電壓ELVDD。另外，高電平電源電壓ELVDD的值基于從電源電壓控制部201輸出的電壓控制信號CTL1被控制。有機(jī)EL用低電平電源62向顯示部10供給低電平電源電壓ELVSS。另外，低電平電源電壓ELVSS的值基于從電源電壓控制部201輸出的電壓控制信號CTL2被控制。

<2.像素電路和輸出/電流監(jiān)測電路結(jié)構(gòu)>

<2.1像素電路>

圖6是表示像素電路11和輸出/電流監(jiān)測電路330結(jié)構(gòu)的電路圖。另外，圖6所示的像素電路11是i行j列的像素電路11。該像素電路11具有1個有機(jī)EL元件OLED、3個晶體管T1～T3和1個電容器Cst。晶體管T1作為選擇像素的輸入晶體管起作用，晶體管T2作為對向有機(jī)EL元件OLED的電流供給進(jìn)行控制的驅(qū)動晶體管起作用，晶體管T3作為對是否檢測TFT特性及OLED特性進(jìn)行控制的監(jiān)測控制晶體管起作用。

晶體管T1設(shè)置于數(shù)據(jù)線S(j)與晶體管T2的柵極端子之間。該晶體管T1的柵極端子與掃描線G1(i)連接，源極端子與數(shù)據(jù)線S(j)連接。晶體管T2與有機(jī)EL元件OLED串聯(lián)地設(shè)置。該晶體管T2的柵極端子與晶體管T1的漏極端子連接，漏極端子與高電平電源線ELVDD連接，源極端子與有機(jī)EL元件OLED的陽極端子(陽極)連接。晶體管T3的柵極端子與監(jiān)測控制線G2(i)連接，漏極端子與有機(jī)EL元件OLED的陽極端子連接，源極端子與數(shù)據(jù)線S(j)連接。電容器Cst的一端與晶體管T2的柵極端子連接，另一端與晶體管T2的漏極端子連接。有機(jī)EL元件OLED的陰極端子(陰極)與低電平電源線ELVSS連接。

另外，晶體管T2的柵極端子相當(dāng)于控制端子，漏極端子相當(dāng)于第一導(dǎo)通端子，源極端子相當(dāng)于第二導(dǎo)通端子。

此外，在圖36所示的結(jié)構(gòu)中，電容器Cst設(shè)置于晶體管T2的柵極-源極間。與此相對，在本實施方式中，電容器Cst設(shè)置于晶體管T2的柵極-漏極間。其理由如下所述。在本實施方式中，在1幀期間中，在使晶體管T3導(dǎo)通的狀態(tài)下進(jìn)行使數(shù)據(jù)線S(j)的電位變動的控制。假設(shè)在晶體管T2的柵極-源極間設(shè)置有電容器Cst，則與數(shù)據(jù)線S(j)的電位的變動相應(yīng)地，晶體管T2的柵極電位也變動。這樣一來，可能發(fā)生晶體管T2的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)不成為期望的狀態(tài)的情況。因此，在本實施方式中，如圖6所示在晶體管T2的柵極-漏極間設(shè)置有電容器Cst，使得晶體管T2的柵極電位不隨著數(shù)據(jù)線S(j)的電位的變動而變動。不過，在數(shù)據(jù)線S(j)的電位變動對晶體管T2的柵極電位影響小的情況下，也可以在晶體管T2的柵極-源極間設(shè)置電容器Cst。

<2.2關(guān)于像素電路內(nèi)的晶體管>

在本實施方式中，像素電路11內(nèi)的晶體管T1～T3均為n溝道型。此外，在本實施方式中，晶體管T1～T3采用氧化物TFT(將氧化物半導(dǎo)體用作溝道層的薄膜晶體管)。

以下，對氧化物TFT中包含的氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行說明。氧化物半導(dǎo)體層例如為In-Ga-Zn-O類的半導(dǎo)體層。氧化物半導(dǎo)體層例如包含In-Ga-Zn-O類的半導(dǎo)體。In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體是In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)的三元系氧化物。In、Ga和Zn的比例(組分比)沒有特別限定。例如可以為In︰Ga︰Zn＝2︰2︰1、In︰Ga︰Zn＝1︰1︰1、In︰Ga︰Zn＝1︰1︰2等。

具有In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層的TFT具有高遷移率(與非晶硅TFT相比超過20倍的遷移率)和低泄漏電流(與非晶硅TFT相比不足100分之1的泄漏電流)，因此適宜地用作像素電路內(nèi)的驅(qū)動TFT(上述晶體管T2)和開關(guān)TFT(上述晶體管T1)。如果使用具有In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體層的TFT，則能夠大幅削減顯示裝置的耗電。

In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體可以為非晶，也可以包含結(jié)晶部分，具有結(jié)晶性。作為晶質(zhì)In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體，優(yōu)選c軸與層面大致垂直地排列的晶質(zhì)In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體。這樣的In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)例如被公開在日本的特開2012-134475號公報中。

氧化物半導(dǎo)體層可以代替In-Ga-Zn-O類半導(dǎo)體而包含其它氧化物半導(dǎo)體。例如可以包含Zn-O類半導(dǎo)體(ZnO)、In-Zn-O類半導(dǎo)體(IZO(注冊商標(biāo)))、Zn-Ti-O類半導(dǎo)體(ZTO)、Cd-Ge-O類半導(dǎo)體、Cd-Pb-O類半導(dǎo)體、CdO(氧化鎘)、Mg-Zn-O類半導(dǎo)體、In-Sn-Zn-O類半導(dǎo)體(例如In₂O₃-SnO₂-ZnO)、In-Ga-Sn-O類半導(dǎo)體等。

<2.3輸出/電流監(jiān)測電路>

參照圖6對本實施方式的輸出/電流監(jiān)測電路330的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。該輸出/電流監(jiān)測電路330包含運算放大器331、電容器332和開關(guān)333。運算放大器331的反轉(zhuǎn)輸入端子與數(shù)據(jù)線S(j)連接，非反轉(zhuǎn)輸入端子被供給作為數(shù)據(jù)信號DA的模擬電壓Vs。電容器332和開關(guān)333設(shè)置于運算放大器331的輸出端子與數(shù)據(jù)線S(j)之間。如以上所述，該輸出/電流監(jiān)測電路330由積分電路構(gòu)成。在這種結(jié)構(gòu)中，開關(guān)333根據(jù)控制時鐘信號Sclk成為導(dǎo)通狀態(tài)時，運算放大器331的輸出端子-反轉(zhuǎn)輸入端子間成為短路狀態(tài)。由此，運算放大器331的輸出端子和數(shù)據(jù)線S(j)的電位變得與模擬電壓Vs的電位相等。進(jìn)行在數(shù)據(jù)線S(j)中流動的電流的測定時，開關(guān)333根據(jù)控制時鐘信號Sclk而成為斷開狀態(tài)。由此，因電容器332的存在，運算放大器331的輸出端子的電位根據(jù)在數(shù)據(jù)線S(j)中流動的電流的大小而變化。來自該運算放大器331的輸出被作為監(jiān)測數(shù)據(jù)MO向信號轉(zhuǎn)換電路32內(nèi)的A/D轉(zhuǎn)換器輸送。另外，在本實施方式中，由該輸出/電流監(jiān)測電路330和控制電路20實現(xiàn)特性檢測部。

<3.驅(qū)動方法>

<3.1概要>

接著，對本實施方式的驅(qū)動方法進(jìn)行說明。如上所述，在本實施方式中，在各幀進(jìn)行1行的TFT特性和OLED特性的檢測。在各幀，對監(jiān)測行執(zhí)行用于進(jìn)行TFT特性和OLED特性的檢測的動作(以下稱為“特性檢測動作”)，對非監(jiān)測行執(zhí)行通常動作。也就是說，如果將第一行被進(jìn)行TFT特性和OLED特性的檢測的幀定義為第(k+1)幀，則如圖7所示，各行的動作推移。此外，如果進(jìn)行TFT特性和OLED特性的檢測，則使用其檢測結(jié)果，進(jìn)行校正數(shù)據(jù)存儲部50內(nèi)的校正數(shù)據(jù)的更新。然后，利用存儲于校正數(shù)據(jù)存儲部50中的校正數(shù)據(jù)進(jìn)行視頻信號的校正，使得電路元件(晶體管T2、有機(jī)EL元件OLED)的劣化得到補(bǔ)償。進(jìn)一步，在本實施方式中，使用TFT特性和OLED特性的檢測結(jié)果，來控制低電平電源電壓ELVSS的值和高電平電源電壓ELVDD的值。另外，控制低電平電源電壓ELVSS的值和高電平電源電壓ELVDD的值的時間間隔沒有特別限定。

圖8是用于說明監(jiān)測行的1水平掃描期間THm的詳細(xì)情況的時序圖。如圖8所示，監(jiān)測行的1水平掃描期間THm包括：在監(jiān)測行中進(jìn)行檢測TFT特性和OLED特性的準(zhǔn)備的期間(以下稱為“檢測準(zhǔn)備期間”)Ta；進(jìn)行用于檢測TFT特性的電流測定的期間(以下稱為“TFT特性檢測期間”)Tb；進(jìn)行用于檢測OLED特性的電流測定的期間(以下稱為“OLED特性檢測期間”)Tc；和在監(jiān)測行進(jìn)行使有機(jī)EL元件OLED發(fā)光的準(zhǔn)備的期間(以下稱為“發(fā)光準(zhǔn)備期間”)Td。

在檢測準(zhǔn)備期間Ta，掃描線G1為有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2為非有效狀態(tài)，數(shù)據(jù)線S被供給電位Vmg。在TFT特性檢測期間Tb，掃描線G1為非有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2為有效狀態(tài)，數(shù)據(jù)線S被供給電位Vm_TFT。在OLED特性檢測期間Tc，掃描線G1為非有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2為有效狀態(tài)，數(shù)據(jù)線S被供給電位Vm_oled。在發(fā)光準(zhǔn)備期間Td，掃描線G1為有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2為非有效狀態(tài)，數(shù)據(jù)線S被供給與監(jiān)測行中包含的有機(jī)EL元件OLED的目標(biāo)亮度相應(yīng)的數(shù)據(jù)電位D。另外，關(guān)于電位Vmg、電位Vm_TFT和電位Vm_oled的詳細(xì)說明將在后文敘述。

<3.2像素電路的動作>

<3.2.1通常動作>

在各幀中，在非監(jiān)測行進(jìn)行通常動作。在非監(jiān)測行中包含的像素電路11中，在選擇期間進(jìn)行了基于與目標(biāo)亮度對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位Vdata的寫入之后，晶體管T1維持在截止?fàn)顟B(tài)。通過基于數(shù)據(jù)電位Vdata的寫入，晶體管T2成為導(dǎo)通狀態(tài)。晶體管T3維持在截止?fàn)顟B(tài)?；谝陨?，如圖9中由標(biāo)記71表示的箭頭那樣，通過晶體管T2向有機(jī)EL元件OLED供給驅(qū)動電流。由此，有機(jī)EL元件OLED以與驅(qū)動電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。

<3.2.2特性檢測動作>

在各幀中，在監(jiān)測行進(jìn)行特性檢測動作。圖10是用于說明監(jiān)測行中包含的像素電路11(設(shè)為i行j列的像素電路11)的動作的時序圖。另外，在圖10中，以第i行是監(jiān)測行的幀中的第i行的第一個選擇期間開始時刻為基準(zhǔn)，表示“1幀期間”。此外，這里，將監(jiān)測行的1幀期間中的上述1水平掃描期間THm以外的期間稱為“發(fā)光期間”。對發(fā)光期間標(biāo)注標(biāo)記TL。

在檢測準(zhǔn)備期間Ta，掃描線G1(i)為有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2(i)維持在非有效狀態(tài)。由此，晶體管T1成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管T3維持在截止?fàn)顟B(tài)。此外，在該期間，數(shù)據(jù)線S(j)被供給電位Vmg。通過基于該電位Vmg的寫入，電容器Cst被充電，晶體管T2成為導(dǎo)通狀態(tài)。通過以上，在檢測準(zhǔn)備期間Ta，如圖11中以標(biāo)記72表示的箭頭那樣，通過晶體管T2向有機(jī)EL元件OLED供給驅(qū)動電流。由此，有機(jī)EL元件OLED以與驅(qū)動電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。其中，有機(jī)EL元件OLED發(fā)光是極短的時間。

在TFT特性檢測期間Tb，掃描線G1(i)為非有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2(i)為有效狀態(tài)。由此，晶體管T1成為截止?fàn)顟B(tài)，晶體管T3成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在該期間，向數(shù)據(jù)線S(j)供給電位Vm_TFT。另外，在后述的OLED特性檢測期間Tc，向數(shù)據(jù)線S(j)供給電位Vm_oled。此外，如上所述，在檢測準(zhǔn)備期間Ta，進(jìn)行基于電位Vmg的寫入。

這里，如果將基于TFT用偏置存儲器51a中存儲的偏置值求出的晶體管T2的閾值電壓設(shè)為Vth(T2)，則設(shè)定電位Vmg的值、電位Vm_TFT的值和電位Vm_oled的值，使得下式(1)、(2)成立。

Vm_TFT+Vth(T2)<Vmg……(1)

Vmg<Vm_oled+Vth(T2)……(2)

此外，如果將基于OLED用偏置存儲器51b中存儲的偏置值求出的有機(jī)EL元件OLED的發(fā)光閾值電壓設(shè)為Vth(oled)，則設(shè)定電位Vm_TFT的值，使得下式(3)成立。

Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled)……(3)

進(jìn)一步，如果將有機(jī)EL元件OLED的擊穿電壓設(shè)為Vbr(oled)，則設(shè)定電位Vm_TFT的值，使得下式(4)成立。

Vm_TFT>ELVSS-Vbr(oled)……(4)

如以上所述，在檢測準(zhǔn)備期間Ta進(jìn)行基于滿足上式(1)、(2)的電位Vmg的寫入后，在TFT特性檢測期間Tb，將滿足上式(1)、(3)和(4)的電位Vm_TFT向數(shù)據(jù)線S(j)供給。基于上式(1)，在TFT特性檢測期間Tb，晶體管T2成為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，基于上式(3)、(4)，在TFT特性檢測期間Tb，有機(jī)EL元件OLED中不流動電流。

基于以上，在TFT特性檢測期間Tb，如圖12中用標(biāo)記73所示的箭頭所示，在晶體管T2中流動的電流經(jīng)晶體管T3向數(shù)據(jù)線S(j)輸出。由此，輸出到數(shù)據(jù)線S(j)的電流(灌電流)由輸出/電流監(jiān)測電路330測定。通過以上這樣，在使晶體管T2的柵極-源極間的電壓為規(guī)定大小(Vmg-Vm_TFT)的狀態(tài)下測定在該晶體管T2的漏極-源極間流動的電流的大小，檢測TFT特性。

在OLED特性檢測期間Tc，掃描線G1(i)維持在非有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2(i)維持在有效的狀態(tài)。因此，在該期間，晶體管T1維持在截止?fàn)顟B(tài)，晶體管T3維持在導(dǎo)通狀態(tài)。此外，如上所述，在該期間，數(shù)據(jù)線S(j)被供給電位Vm_oled。

這里，設(shè)定電位Vm_oled的值使得上式(2)和下式(5)成立。

ELVSS+Vth(oled)<Vm_oled……(5)

此外，若設(shè)晶體管T2的擊穿電壓為Vbr(T2)，則設(shè)定電位Vm_oled的值，使得下式(6)成立。

Vm_oled<Vmg+Vbr(T2)……(6)

如以上那樣，在OLED特性檢測期間Tc，向數(shù)據(jù)線S(j)供給滿足上式(2)、(5)和(6)的電位Vm_oled?；谏鲜?2)、(6)，在OLED特性檢測期間Tc，晶體管T2成為截止?fàn)顟B(tài)。此外，基于上式(5)，在OLED特性檢測期間Tc，在有機(jī)EL元件OLED中流動電流。

基于以上，在OLED特性檢測期間Tc，如圖13中標(biāo)記74所示的箭頭那樣，從數(shù)據(jù)線S(j)經(jīng)晶體管T3向有機(jī)EL元件OLED流動電流，有機(jī)EL元件OLED發(fā)光。在該狀態(tài)，在數(shù)據(jù)線S(j)中流動的電流由輸出/電流監(jiān)測電路330測定。通過以上那樣，在使有機(jī)EL元件OLED的陽極(陽極)-陰極(陰極)間的電壓為規(guī)定大小(Vm_oled-ELVSS)的狀態(tài)下測定在該有機(jī)EL元件OLED中流動的電流的大小，檢測OLED特性。

另外，關(guān)于電位Vmg的值、電位Vm_TFT的值和電位Vm_oled的值，除了上式(1)～(6)之外，也考慮所采用的輸出/電流監(jiān)測電路330中的電流的可測定范圍等來決定。

這里，對輸出/電流監(jiān)測電路330內(nèi)的開關(guān)333的導(dǎo)通/斷開狀態(tài)的變化進(jìn)行說明。開關(guān)333從斷開狀態(tài)切換為導(dǎo)通狀態(tài)時，電容器332中存儲的電荷被放電。然后，開關(guān)333從導(dǎo)通狀態(tài)切換到斷開狀態(tài)時，開始向電容器332充電。然后，輸出/電流監(jiān)測電路330作為積分電路動作。另外，開關(guān)333在要測定數(shù)據(jù)線S中流動的電流的期間，維持在截止?fàn)顟B(tài)。具體而言，首先在TFT特性檢測期間Tb，使開關(guān)333為導(dǎo)通狀態(tài)向數(shù)據(jù)線S供給電位Vm_TFT之后，使開關(guān)333為斷開狀態(tài)，測定數(shù)據(jù)線S中流動的電流。接著，在OLED特性檢測期間Tc，使開關(guān)333為導(dǎo)通狀態(tài)向數(shù)據(jù)線S供給電位Vm_oled之后，使開關(guān)333為斷開狀態(tài)測定數(shù)據(jù)線S中流動的電流。

此外，在本實施方式中，在TFT特性檢測期間Tb，基于2種電位(Vm_TFT_1和Vm_TFT_2)進(jìn)行TFT特性的檢測。具體而言，通過對用于切換開關(guān)333的導(dǎo)通/斷開狀態(tài)的控制時鐘信號Sclk和向數(shù)據(jù)線S(j)供給的電位(Vm_TFT_1和Vm_TFT_2)在TFT特性檢測期間Tb中如圖14所示那樣進(jìn)行控制，在期間Tb1基于電位Vm_TFT_1檢測TFT特性，在期間Tb2基于電位Vm_TFT_2檢測TFT特性。同樣地在OLED特性檢測期間Tc也基于2種電位檢測OLED特性。

當(dāng)將晶體管T2的閾值電壓設(shè)為Vth，將晶體管T2的增益設(shè)為β，將晶體管T2的柵極-源極間電壓設(shè)為Vgs時，晶體管T2在飽和區(qū)域進(jìn)行動作時，在晶體管T2的漏極-源極間流動的電流I(T2)以下式(7)表示。

I(T2)＝(β/2)×(Vgs-Vth)²……(7)

這里，晶體管T2的增益β以下式(8)表示。

β＝μ×(W/L)×Cox……(8)

在上式(8)中，μ、W、L和Cox分別表示晶體管T2的遷移率、柵極寬度、柵極長度和每單位面積的柵極絕緣膜電容。

在上式(8)中，μ(遷移率)根據(jù)晶體管T2的劣化程度而變化。因此，β(增益)根據(jù)晶體管T2的劣化程度而變化。此外，在上式(7)中，除了β以外，Vth(閾值電壓)也根據(jù)晶體管T2的劣化程度而變化。如上所述，在本實施方式中，在TFT特性檢測期間Tb基于2種電位進(jìn)行電流測定，因此通過解開基于將這些結(jié)果代入上式(7)中而得到的2個式子的聯(lián)立方程式，能夠求出進(jìn)行TFT特性的檢測的時刻的晶體管T2的閾值電壓和增益。另外，由上式(8)可知，β(增益)與μ(遷移率)為比例關(guān)系，求出增益相當(dāng)于求出遷移率。

在發(fā)光準(zhǔn)備期間Td，掃描線G1(i)為有效的狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2(i)為非有效的狀態(tài)。由此，晶體管T1成為導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管T3成為截止?fàn)顟B(tài)。此外，在該期間，數(shù)據(jù)線S(j)被供給與目標(biāo)亮度相應(yīng)的數(shù)據(jù)電位D(i，j)。通過基于該數(shù)據(jù)電位D(i，j)的寫入，電容器Cst被充電，晶體管T2成為導(dǎo)通狀態(tài)。基于以上，在發(fā)光準(zhǔn)備期間Td，如圖15中標(biāo)記75所示的箭頭那樣，經(jīng)晶體管T2向有機(jī)EL元件OLED供給驅(qū)動電流。由此，有機(jī)EL元件OLED以與驅(qū)動電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。

在發(fā)光期間TL，掃描線G1(i)為非有效狀態(tài)，監(jiān)測控制線G2(i)維持在非有效狀態(tài)。由此，晶體管T1成為截止?fàn)顟B(tài)，晶體管T3維持在截止?fàn)顟B(tài)。晶體管T1成為截止?fàn)顟B(tài)，在發(fā)光準(zhǔn)備期間Td中，通過基于與目標(biāo)亮度相應(yīng)的數(shù)據(jù)電位D(i，j)的寫入，電容器Cst被充電，因此晶體管T2維持在導(dǎo)通狀態(tài)。因此，在發(fā)光期間TL，如圖16中標(biāo)記76所示的箭頭那樣，經(jīng)晶體管T2向有機(jī)EL元件OLED供給驅(qū)動電流。由此，有機(jī)EL元件OLED以與驅(qū)動電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。也就是說，在發(fā)光期間TL，有機(jī)EL元件OLED與目標(biāo)亮度相應(yīng)地發(fā)光。

在本實施方式中，如以上那樣，在各幀進(jìn)行1行的TFT特性和OLED特性的檢測。由此，經(jīng)過n幀期間，檢測n行的TFT特性和OLED特性。

另外，關(guān)于檢測TFT特性和OLED特性的方法，不限于上述的方法。例如，也能夠采用與上述的電路結(jié)構(gòu)不同的電路結(jié)構(gòu)，也可以以與上述的時序不同的時序檢測各電路元件的特性。

<3.3校正數(shù)據(jù)的更新和視頻信號的校正>

當(dāng)檢測TFT特性和OLED特性時，基于檢測結(jié)果更新在校正數(shù)據(jù)存儲部50中存儲的校正數(shù)據(jù)。詳細(xì)而言，在TFT特性檢測期間Tb如上所述求出晶體管T2的閾值電壓和與晶體管T2的遷移率相當(dāng)?shù)脑鲆嬷?，因此與該求出的閾值電壓相當(dāng)?shù)钠弥底鳛樾碌钠弥当淮鎯τ赥FT用偏置存儲器51a中，并且該求出的增益值作為新的增益值被存儲于TFT用增益存儲器52a。此外，在OLED特性檢測期間Tc中求出有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓和有機(jī)EL元件OLED的劣化校正系數(shù)，因此與該求出的閾值電壓相當(dāng)?shù)钠弥当蛔鳛樾碌钠弥荡鎯τ贠LED用偏置存儲器51b，并且該求出的劣化校正系數(shù)被作為新的劣化校正系數(shù)存儲于OLED用增益存儲器52b。另外，在本實施方式中，在各幀進(jìn)行1行的TFT特性和OLED特性的檢測，因此在1幀期間，進(jìn)行TFT用偏置存儲器51a內(nèi)的m個偏置值、TFT用增益存儲器52a內(nèi)的m個增益值、OLED用偏置存儲器51b內(nèi)的m個偏置值和OLED用增益存儲器52b內(nèi)的m個劣化校正系數(shù)的更新。

控制電路20使用在校正數(shù)據(jù)存儲部50中存儲的校正數(shù)據(jù)進(jìn)行視頻信號的校正，使得電路元件的劣化得到補(bǔ)償。另外，如后述那樣，在本實施方式中，與晶體管T2(驅(qū)動晶體管)和有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移(從初始時刻起的閾值電壓的變化)的大小相應(yīng)地，低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低的值。這里，以ΔV表示初始時刻的低電平電源電壓ELVSS的值與進(jìn)行視頻信號的校正的時刻的低電平電源電壓ELVSS的值之差。

如果將視頻信號的伽瑪校正后的電壓設(shè)為Vc，將存儲于TFT用增益存儲器52a中的增益值設(shè)為B1，將存儲于OLED用增益存儲器52b的劣化校正系數(shù)設(shè)為B2，將存儲于TFT用偏置存儲器51a的偏置值設(shè)為Vt1，將存儲于OLED用偏置存儲器51b的偏置值設(shè)為Vt2，則校正后的電壓Vdata以下式(9)求出。

Vdata＝Vc·B1·B2+Vt1+Vt2-ΔV……(9)

表示上式(9)中求出的電壓Vdata的數(shù)字信號被作為數(shù)據(jù)信號DA從控制電路20輸送到源極驅(qū)動器30。另外，也可以由下式(10)求出校正后的電壓Vdata，使得由像素電路11內(nèi)的寄生電容引起的數(shù)據(jù)電位的衰減得到補(bǔ)償。

Vdata＝Z(Vc·B1·B2+Vt1+Vt2-ΔV)……(10)

這里，Z是用于對數(shù)據(jù)電位的衰減進(jìn)行補(bǔ)償?shù)南禂?shù)。

<3.4低電平電源電壓(ELVSS)的控制>

在本實施方式中，為了防止灰度等級溢出的產(chǎn)生，根據(jù)TFT特性和OLED特性的檢測結(jié)果，由電源電壓控制部201控制低電平電源電壓ELVSS的值。以下，對本實施方式中如何控制低電平電源電壓ELVSS的值進(jìn)行說明。

如上所述，在本實施方式中，經(jīng)n幀期間對n行的TFT特性和OLED特性進(jìn)行檢測。也就是說，按每n幀期間，對顯示部10內(nèi)的所有像素的TFT特性和OLED特性進(jìn)行檢測。由此，對所有的像素求出晶體管T2(驅(qū)動晶體管)和有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移，電路元件的劣化的程度存在偏差。也就是說，晶體管T2和有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小按每個像素不同。這里，在本實施方式中，顯示部10內(nèi)的所有像素的閾值偏移的大小的平均值被作為用于對低電平電源電壓ELVSS的值進(jìn)行控制的值來使用。

為了將所有像素的閾值偏移的大小的平均值用于低電平電源電壓ELVSS的值的控制，控制電路20首先對各像素基于初始時刻的晶體管T2的閾值電壓與進(jìn)行了TFT特性的檢測的時刻的晶體管T2的閾值電壓之差，求出晶體管T2的閾值偏移的大小(閾值電壓的變化量)。此外，控制電路20對各像素基于初始時刻的有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓與進(jìn)行了OLED特性的檢測的時刻的有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓之差，求出有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小。另外，為了說明的方便，將這樣求出的各電路元件的閾值偏移的大小稱為“算出變化值”。此外，在本實施方式中，由晶體管T2和有機(jī)EL元件OLED實現(xiàn)對象電路元件。

接著，關(guān)于晶體管T2的閾值偏移，控制電路20求出所有像素的算出變化值的平均值。此外，關(guān)于有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移，控制電路20求出所有像素的算出變化值的平均值。然后，控制電路20使用這些平均值來決定低電平電源電壓ELVSS的值。具體而言，若將初始時刻的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)為V_(ELVSS)(0)，將晶體管T2的算出變化值的平均值設(shè)為ΔVth_(TFT)(AVE)，將有機(jī)EL元件OLED的算出變化值的平均值設(shè)為ΔVth_(OLED)(AVE)，則控制后的低電平電源電壓ELVSS的值V_(ELVSS)由下式(11)求出。

V_(ELVSS)＝V_(ELVSS)(0)-ΔVth_(TFT)(AVE)-ΔVth_(OLED)(AVE)……(11)

由上式(11)可知，在本實施方式中，低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定成比初始時刻的值低了與晶體管T2(驅(qū)動晶體管)的閾值偏移的大小的平均值和有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小的平均值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐?。通常，閾值偏移隨著時間的經(jīng)過變大，因此低電平電源電壓ELVSS的值隨著時間的經(jīng)過變低。

在本實施方式中，如以上那樣控制低電平電源電壓ELVSS的值。另外，也可以如下式(12)所示，僅基于晶體管T2的閾值偏移的大小求出低電平電源電壓ELVSS的值，也可以如下式(13)所示，僅基于有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小求出低電平電源電壓ELVSS的值。

V_(ELVSS)＝V_(ELVSS)(0)-ΔVth_(TFT)(AVE)……(12)

V_(ELVSS)＝V_(ELVSS)(0)-ΔVth_(OLED)(AVE)……(13)

<3.5高電平電源電壓(ELVDD)的控制>

在本實施方式中，如上所述，伴隨低電平電源電壓ELVSS的值被控制，高電平電源電壓ELVDD的值也被電源電壓控制部201控制。另外，控制高電平電源電壓ELVDD的值是為了降低耗電。以下，對在本實施方式中如何控制高電平電源電壓ELVDD的值進(jìn)行說明。

在本實施方式中，通過檢測TFT特性求出所有像素的晶體管T2(驅(qū)動晶體管)的增益(與遷移率成比例的值)，晶體管T2的劣化程度存在偏差。也就是說，晶體管T2的增益按每個像素不同。這里，在本實施方式中，顯示部10內(nèi)的所有像素的增益的平均值被作為用于對高電平電源電壓ELVDD的值進(jìn)行控制的值來使用。

具體而言，若將初始時刻的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)為V_(ELVSS)(0)，將向有機(jī)EL元件OLED的陽極(陽極)-陰極(陰極)間施加的電壓的最大值設(shè)為Voled，將晶體管T2的過驅(qū)動電壓(柵極-源極間電壓與閾值電壓之差)的最大值設(shè)為“Vgs-Vth”，則求出控制后的高電平電源電壓ELVDD的值V_(ELVDD)，使得滿足下式(14)。

V_(ELVDD)>V_(ELVSS)+Voled+Vgs-Vth……(14)

上式(14)是表示滿足飽和狀態(tài)的條件的式子。

此外，晶體管T2在飽和區(qū)域動作時，關(guān)于晶體管T2的過驅(qū)動電壓“Vgs-Vth”，下式(15)成立。

Vgs-Vth＝(2×Ioled/β)^1/2……(15)

其中，在上式(15)中，Ioled表示在有機(jī)EL元件OLED的陽極(陽極)-陰極(陰極)間流動的電流的大小，β表示晶體管T2的增益。

這里，將晶體管T2的所有像素的增益的最小值代入上式(15)的β。將由此得到的“Vgs-Vth”的值代入上式(14)的“Vgs-Vth”。也就是說，也可以認(rèn)為控制后的高電平電源電壓ELVDD的值V_(ELVDD)以滿足下式(16)的方式求出。

V_(ELVDD)>V_(ELVSS)+Voled+(2×Ioled/β)^1/2……(16)

另外，在不進(jìn)行遷移率(增益)的檢測的情況下，也可以使高電平電源電壓ELVDD的值向與低電平電源電壓的值的變化方向相同的方向變化相同的值。

在本實施方式中，如以上那樣控制高電平電源電壓ELVDD的值。由此，例如低電平電源電壓ELVSS的值成為低于初始時刻的值時，通過將高電平電源電壓ELVDD的值設(shè)定為在滿足上式(16)的范圍內(nèi)盡可能低的值，來降低耗電。

<4.效果>

在本實施方式的有機(jī)EL顯示裝置1中，設(shè)置有對像素電路11內(nèi)的驅(qū)動晶體管(晶體管T2)和有機(jī)EL元件OLED的特性進(jìn)行檢測的監(jiān)測功能。通過該監(jiān)測功能，求出驅(qū)動晶體管和有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓。各像素的閾值電壓按每規(guī)定期間求出，因此能夠求出各像素的驅(qū)動晶體管的閾值偏移和各像素的有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移。而且，如圖17中標(biāo)記78的箭頭所示那樣，將低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)定為比初始時刻的值低了與所有像素的算出變化值(閾值偏移的大小)的平均值相當(dāng)?shù)闹档闹?。由此，與低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整前相比，灰度等級電壓范圍(進(jìn)行期望的灰度等級顯示所需要的數(shù)據(jù)電壓的范圍)整體降低。因此，用于補(bǔ)償?shù)男Ｕ蟮臄?shù)據(jù)電壓中的在現(xiàn)有技術(shù)中引起灰度等級溢出的電壓成為驅(qū)動器輸出范圍內(nèi)的電壓(參照圖18)。其結(jié)果是，防止灰度等級溢出的產(chǎn)生。此外，由于灰度等級溢出的產(chǎn)生被防止，所以也得到有機(jī)EL顯示裝置的長壽命化的效果。如以上那樣，根據(jù)本實施方式，可實現(xiàn)能夠不引發(fā)灰度等級溢出地補(bǔ)償電路元件的劣化的有機(jī)EL顯示裝置。

此外，根據(jù)本實施方式，伴隨低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低的值，如圖17中標(biāo)記79的箭頭所示，高電平電源電壓ELVDD的值也被設(shè)定為比初始時刻的值低的值。由此，降低耗電。另外，高電平電源電壓ELVDD的值不是一定需要調(diào)整。

進(jìn)一步，在本實施方式中，分別對晶體管T2和有機(jī)EL元件OLED求出所有像素的閾值偏移的大小(算出變化值)的平均值。因此，也可以在TFT用偏置存儲器51a、OLED用偏置存儲器51b(圖1參照)中存儲“各像素的算出變化值”與“所有像素的算出變化值的平均值”之差的值。像這樣通過將差值存儲于存儲器，能夠減少該有機(jī)EL顯示裝置1所需要的存儲器的容量。

<5.變形例>

以下，對上述實施方式的變形例進(jìn)行說明。另外，以下僅對與上述實施方式不同的點進(jìn)行詳細(xì)說明，對于與上述實施方式相同的點省略說明。

<5.1第一變形例>

在上述實施方式中，基于所有像素的算出變化值(閾值偏移的大小)的平均值調(diào)整了低電平電源電壓ELVSS的值。但是，本發(fā)明不限于此。也可以基于所有像素的算出變化值中的最大值與最小值的正中的值(即，所有像素的算出變化值中的最大值與最小值的平均值)來調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值。此外，也可以基于所有像素的算出變化值的中位數(shù)(median)來調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值。

即，也可以在將所有像素的算出變化值的平均值、所有像素的算出變化值中的最大值與最小值的平均值和所有像素的算出變化值的中位數(shù)中的1個定義為代表值時，將低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)定為比初始時刻的值低了與代表值相當(dāng)?shù)碾妷褐怠?/p>

<5.2第二變形例>

在上述實施方式中，基于所有像素的算出變化值(閾值偏移的大小)的平均值調(diào)整了低電平電源電壓ELVSS的值。但是，本發(fā)明不限于此。在本變形例中，基于所有像素的算出變化值中的最大值調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值。

具體而言，若將初始時刻的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)為V_(ELVSS)(0)，將晶體管T2(驅(qū)動晶體管)的算出變化值的最大值設(shè)為ΔVth_(TFT)(MAX)，將有機(jī)EL元件OLED的算出變化值的最大值設(shè)為ΔVth_(OLED)(MAX)，則控制后的低電平電源電壓ELVSS的值V_(ELVSS)由下式(17)求出。

V_(ELVSS)＝V_(ELVSS)(0)-ΔVth_(TFT)(MAX)-ΔVth_(OLED)(MAX)……(17)

根據(jù)本變形例，低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低了與晶體管T2的閾值偏移的大小的最大值和有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小的最大值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹?。因此，灰度等級電壓范圍的上限值有效地降低。由此，有效地防止高灰度等級?cè)的灰度等級溢出的產(chǎn)生。

<5.3第三變形例>

在本變形例中，基于所有像素的算出變化值中的最小值調(diào)整了低電平電源電壓ELVSS的值。具體而言，將初始時刻的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)為V_(ELVSS)(0)，將晶體管T2(驅(qū)動晶體管)的算出變化值的最小值設(shè)為ΔVth_(TFT)(MIN)，將有機(jī)EL元件OLED的算出變化值的最小值設(shè)為ΔVth_(OLED)(MIN)，則控制后的低電平電源電壓ELVSS的值V_(ELVSS)由下式(18)求出。

V_(ELVSS)＝V_(ELVSS)(0)-ΔVth_(TFT)(MIN)-ΔVth_(OLED)(MIN)……(18)

根據(jù)本變形例，低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低了與晶體管T2的閾值偏移的大小的最小值和有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小的最小值之和相當(dāng)?shù)碾妷褐档闹?。因此，在低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整后，灰度等級電壓范圍的下限值也維持在盡可能高的值。由此，防止低灰度等級側(cè)的灰度等級溢出的產(chǎn)生。

<5.4第四變形例>

由上述實施方式、上述第一變形例、上述第二變形例和上述第三變形例可知，關(guān)于低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整方法可以考慮各種方法。關(guān)于此，對滿足以下(A)～(E)的條件的例子進(jìn)行研究。

(A)初始時刻(ta)的低電平電源電壓ELVSS的值為0V，假設(shè)閾值電壓的值(這里，驅(qū)動晶體管的閾值電壓的值與有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓的值之和)為0V，則灰度等級電壓范圍(進(jìn)行期望的灰度等級顯示所需要的數(shù)據(jù)電壓的范圍)為3V～7V。

(B)在所有像素，初始時刻(ta)的閾值偏移的大小為0V。

(C)時刻tb的所有像素的算出變化值的最小值為1V。

(D)時刻tb的所有像素的算出變化值的最大值為3.5V。

(E)時刻tb的所有像素的算出變化值的平均值為2V。

另外，為了說明的方便，將算出變化值最小的像素稱為“最小偏移像素”，將算出變化值最大的像素稱為“最大偏移像素”。此外，在圖19～圖25中，將最小偏移像素的灰度等級電壓范圍用標(biāo)記81的箭頭表示，將最大偏移像素的灰度等級電壓范圍用標(biāo)記82的箭頭表示。

在上述例子中，在低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低了與在時刻tb所有像素的算出變化值的最大值相當(dāng)?shù)闹档闹登闆r下(參照第一變形例)，如圖19所示，最小偏移像素的灰度等級電壓范圍成為0.5V～4.5V，最大偏移像素的灰度等級電壓范圍成為3V～7V。此外，在上述的例子中，在低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低了與在時刻tb所有像素的算出變化值的平均值相當(dāng)?shù)闹档闹档那闆r下(參照上述實施方式)，如圖20所示，最小偏移像素的灰度等級電壓范圍成為2V～6V，最大偏移像素的灰度等級電壓范圍成為4.5V～8.5V。進(jìn)一步，在上述例子中，低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低了與在時刻tb所有像素的算出變化值的最小值相當(dāng)?shù)闹档闹档那闆r下(參照第二變形例)，如圖21所示，最小偏移像素的灰度等級電壓范圍成為3V～7V，最大偏移像素的灰度等級電壓范圍成為5.5V～9.5V。

這里，假設(shè)驅(qū)動器輸出范圍為1V～10V。此時，在基于時刻tb所有像素的算出變化值的平均值進(jìn)行了低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整的情況下，由圖22可知，在最小偏移像素和最大偏移像素均不會產(chǎn)生灰度等級溢出。與此相對，在基于時刻tb所有像素的算出變化值的最大值進(jìn)行了低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整的情況下，由圖23可知，在最小偏移像素，在低灰度等級部分產(chǎn)生灰度等級溢出。

此外，假設(shè)驅(qū)動器輸出范圍為0V～8V。此時，基于時刻tb所有像素的算出變化值的平均值進(jìn)行了低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整的情況下，由圖24可知，在最大偏移像素在高灰度等級部分產(chǎn)生灰度等級溢出。與此相對，基于時刻tb所有像素的算出變化值的最大值進(jìn)行了低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整的情況下，由圖25可知，在最小偏移像素和最大偏移像素均不產(chǎn)生灰度等級溢出。

由以上可知，根據(jù)所有像素的算出變化值的平均值、所有像素的算出變化值的最大值、所有像素的算出變化值的最小值、驅(qū)動器輸出范圍和灰度等級電壓寬度，調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值時的最佳方法不同。

因此，本變形例中，控制后的低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定為比初始時刻的值低了基于所有像素的算出變化值的平均值、所有像素的算出變化值的最大值、所有像素的算出變化值的最小值、驅(qū)動器輸出范圍與灰度等級電壓寬度的關(guān)系而決定的電壓值的值。

另外，在基于所有像素的算出變化值的最小值進(jìn)行了低電平電源電壓ELVSS的值的調(diào)整的情況下，可以認(rèn)為整體上灰度等級電壓范圍僅稍微變低。因此，也可以將控制后的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)定為比初始時刻的值低了基于所有像素的算出變化值的平均值、所有像素的算出變化值的最大值、驅(qū)動器輸出范圍與灰度等級電壓寬度的關(guān)系而決定的電壓值的值。

此外，將所有像素的算出變化值的平均值、所有像素的算出變化值中的最大值與最小值的平均值和所有像素的算出變化值的中位數(shù)中的1個定義為代表值時，將控制后的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)定為比初始時刻的值低了基于代表值、所有像素的算出變化值的最大值、所有像素的算出變化值的最小值、驅(qū)動器輸出范圍與灰度等級電壓寬度的關(guān)系而決定的電壓值的值。進(jìn)一步，也可以將控制后的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)定為比初始時刻的值低了基于代表值、所有像素的算出變化值的最大值、驅(qū)動器輸出范圍與灰度等級電壓寬度的關(guān)系而決定的電壓值。

進(jìn)一步，作為防止灰度等級溢出的產(chǎn)生的方法，可以考慮將初始時刻灰度等級電壓范圍的上限值和下限值分別設(shè)定為從驅(qū)動器輸出范圍的上限值和下限值偏離一定程度后的值，以及以能夠抑制閾值偏移的大小的最大值與最小值之差的擴(kuò)展的時間間隔來調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值。

<5.5第五變形例>

在上述實施方式中，基于初始時刻的閾值電壓(晶體管T2的閾值電壓的值與有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓的值之和)與特性檢測時刻的閾值電壓之差，求出用于決定低電平電源電壓ELVSS的值的算出變化值(閾值電壓的變化量)。但是，本發(fā)明不限于此。也可以在面板內(nèi)設(shè)置維持在非點亮狀態(tài)的偽像素，根據(jù)基于特性檢測的結(jié)果求出的閾值電壓與偽像素內(nèi)電路元件(晶體管、有機(jī)EL元件)的閾值電壓之差，求出用于決定低電平電源電壓ELVSS的值的算出變化值。

在本變形例中，如圖26所示，在面板內(nèi)的有效顯示區(qū)域外的區(qū)域設(shè)置偽像素64。在偽像素內(nèi)作為偽電路元件設(shè)置沒有進(jìn)行驅(qū)動動作的晶體管和有機(jī)EL元件。并且，控制電路20對各像素根據(jù)基于TFT特性的檢測結(jié)果求出的晶體管T2的閾值電壓與偽像素內(nèi)的晶體管的閾值電壓之差，求出晶體管T2的算出變化值。此外，控制電路20對各像素根據(jù)基于OLED特性的檢測結(jié)果求出的有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓與偽像素內(nèi)的有機(jī)EL元件的閾值電壓之差求出有機(jī)EL元件OLED的算出變化值。

此外，偽電路元件的劣化，能夠看作是由溫度等的環(huán)境引起的。與此相對，有效顯示區(qū)域(有效區(qū)域)內(nèi)的電路元件的劣化，除了由環(huán)境引起的部分之外，存在由點亮引起的部分?；谝陨希軌?qū)⒂行э@示區(qū)域內(nèi)的電路元件的劣化分成由環(huán)境引起的部分和由點亮引起的部分來考慮。并且，使用如上所述那樣求出的算出變化值調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值，并且基于特性檢測的結(jié)果進(jìn)行視頻信號的校正，由此即使面板的外周條件、環(huán)境條件從初始時刻變化，也能夠不引起灰度等級溢出地有效補(bǔ)償電路元件的劣化。

<5.6第六變形例>

在上述實施方式中，基于電路元件(晶體管T2、有機(jī)EL元件OLED)的特性檢測的結(jié)果求出電路元件的閾值電壓，基于該求出的閾值電壓求出算出變化值。但是，本發(fā)明不限于此，也可以基于溫度求出算出變化值。

圖27是表示本變形例的有機(jī)EL顯示裝置2的整體結(jié)構(gòu)的框圖。在該有機(jī)EL顯示裝置2除了上述實施方式的結(jié)構(gòu)要素之外，還設(shè)置有溫度傳感器(溫度檢測部)65。此外，在控制電路20設(shè)置有3個查找表(TFT用溫度-閾值電壓對應(yīng)表25a、OLED用溫度-閾值電壓對應(yīng)表25b和TFT用溫度-遷移率對應(yīng)表26)。

溫度傳感器65檢測溫度。由該溫度傳感器65得到的檢測溫度TEM被供給至控制電路20。圖28是表示TFT用溫度-閾值電壓對應(yīng)表25a結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖28所示，在TFT用溫度-閾值電壓對應(yīng)表25a中存儲有溫度與晶體管的閾值電壓的對應(yīng)關(guān)系。同樣地，OLED用溫度-閾值電壓對應(yīng)表25b中存儲有溫度與有機(jī)EL元件的閾值電壓的對應(yīng)關(guān)系。圖29是表示TFT用溫度-遷移率對應(yīng)表26結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖29所示，在TFT用溫度-遷移率對應(yīng)表26中存儲有溫度與晶體管的遷移率的對應(yīng)關(guān)系。

在以上那樣的結(jié)構(gòu)中，控制電路20根據(jù)由溫度傳感器65得到的檢測溫度TEM取得晶體管T2的閾值電壓和有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓。進(jìn)一步，控制電路20基于這樣取得的晶體管T2的閾值電壓和有機(jī)EL元件OLED的閾值電壓求出晶體管T2的閾值偏移的大小和有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小。并且，若將初始時刻的低電平電源電壓ELVSS的值設(shè)為V_(ELVSS)(0)，將晶體管T2的閾值偏移的大小設(shè)為ΔVth_(TFT)，將有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小設(shè)為ΔVth_(OLED)，則控制后的低電平電源電壓ELVSS的值V_(ELVSS)由下式(19)求出。

V_(ELVSS)＝V_(ELVSS)(0)-ΔVth_(TFT)-ΔVth_(OLED)……(19)

并且，低電平電源電壓ELVSS的值被設(shè)定成由上式(19)求得的值。

此外，控制電路20基于由溫度傳感器65得到的檢測溫度TEM取得晶體管T2的遷移率。并且，用該遷移率，與上述實施方式同樣地調(diào)整高電平電源電壓ELVDD的值。

根據(jù)本變形例，能夠不進(jìn)行TFT特性的檢測、OLED特性的檢測地調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值和高電平電源電壓ELVDD的值。

<5.7第七變形例>

在上述實施方式中，采用圖6所示結(jié)構(gòu)的像素電路11，但本發(fā)明不限于此。圖30是表示本變形例的像素電路11結(jié)構(gòu)的電路圖。晶體管T1設(shè)置在數(shù)據(jù)線S(j)與晶體管T2的柵極端子之間。該晶體管T1的柵極端子與掃描線G1(i)連接，源極端子與數(shù)據(jù)線S(j)連接。晶體管T2與有機(jī)EL元件OLED串聯(lián)地設(shè)置。該晶體管T2的柵極端子與晶體管T1的漏極端子連接，漏極端子與有機(jī)EL元件OLED的陰極端子(陰極)連接，源極端子與低電平電源線ELVSS連接。晶體管T3的柵極端子與監(jiān)測控制線G2(i)連接，漏極端子與有機(jī)EL元件OLED的陰極端子連接，源極端子與數(shù)據(jù)線S(j)連接。電容器Cst的一端與晶體管T2的柵極端子連接，另一端與晶體管T2的漏極端子連接。有機(jī)EL元件OLED的陽極端子(陽極)與高電平電源線ELVDD連接。

在以上那樣的結(jié)構(gòu)中，設(shè)定電位Vmg的值、電位Vm_TFT的值和電位Vm_oled的值，使得在TFT特性檢測期間(參照圖8的Tb)如圖31中標(biāo)記77所示的箭頭那樣流動電流，并且在OLED特性檢測期間(參照圖8的Tc)如圖32中標(biāo)記78所示的箭頭流動電流，由此檢測TFT特性和OLED特性。并且，與上述實施方式同樣地，控制低電平電源電壓ELVSS的值和高電平電源電壓ELVDD的值。也就是說，低電平電源電壓ELVSS的值由上式(11)求出，高電平電源電壓ELVDD的值以滿足上式(16)的方式求出。此外，與上述實施方式同樣地，也可以由上式(12)或上式(13)求出低電平電源電壓ELVSS的值。

在如以上那樣采用圖30所示的結(jié)構(gòu)的像素電路11的情況下，得到與上述實施方式同樣的效果。

<5.8第八變形例>

在上述實施方式中，像素電路11內(nèi)的晶體管T1～T3是n溝道型。但是，本發(fā)明不限定于此，也能夠?qū)ο袼仉娐?1內(nèi)的晶體管T1～T3采用p溝道型晶體管。圖33是表示本變形例的像素電路11結(jié)構(gòu)的電路圖。除了晶體管T1～T3為p溝道型這一點之外，本變形例的結(jié)構(gòu)與上述實施方式的結(jié)構(gòu)(參照圖6)相同。

在本變形例中，設(shè)定電位Vmg的值、電位Vm_TFT的值和電位Vm_oled的值，使得在TFT特性檢測期間(參照圖8的Tb)如圖34中標(biāo)記83所示的箭頭那樣流動電流，并且在OLED特性檢測期間(參照圖8的Tc)如圖35中標(biāo)記84所示的箭頭那樣流動電流，由此檢測TFT特性和OLED特性。

在本變形例中，使用晶體管T2(驅(qū)動晶體管)的算出變化值(閾值偏移的大小)的平均值和有機(jī)EL元件OLED的算出變化值(閾值偏移的大小)的平均值，求出高電平電源電壓ELVDD的值。具體而言，若將初始時刻的高電平電源電壓ELVDD的值設(shè)為V_(ELVDD)(0)，將晶體管T2的算出變化值的平均值設(shè)為ΔVth_(TFT)(AVE)，將有機(jī)EL元件OLED的算出變化值的平均值設(shè)為ΔVth_(OLED)(AVE)，則控制后的高電平電源電壓ELVDD的值V_(ELVDD)由下式(20)求出。

V_(ELVDD)＝V_(ELVDD)(0)+ΔVth_(TFT)(AVE)+ΔVth_(OLED)(AVE)……(20)

另外，也可以如下式(21)所示僅基于晶體管T2的閾值偏移的大小求出高電平電源電壓ELVDD的值，還可以如下式(22)所示僅基于有機(jī)EL元件OLED的閾值偏移的大小求出高電平電源電壓ELVDD的值。

V_(ELVDD)＝V_(ELVDD)(0)+ΔVth_(TFT)(AVE)……(21)

V_(ELVDD)＝V_(ELVDD)(0)+ΔVth_(OLED)(AVE)……(22)

此外，在本變形例中，顯示部10內(nèi)的所有像素的增益的平均值被作為用于控制低電平電源電壓ELVSS的值的值使用。具體而言，若將初始時刻的高電平電源電壓ELVDD的值設(shè)為V_(ELVDD)(0)，將施加至有機(jī)EL元件OLED的陽極(陽極)-陰極(陰極)間的電壓的最大值設(shè)為Voled，將晶體管T2的過驅(qū)動電壓(柵極-源極間電壓與閾值電壓之差)的最大值設(shè)為“Vgs-Vth”，則控制后的低電平電源電壓ELVSS的值V_(ELVSS)以滿足下式(23)的方式求出。其中，Vgs、Vth為絕對值。

V_(ELVSS)<V_(ELVDD)-Voled-(Vgs-Vth)……(23)

上式(23)是表示滿足飽和狀態(tài)的條件的式子。

如上所述，晶體管T2在飽和區(qū)域動作時，對于晶體管T2的過驅(qū)動電壓“Vgs-Vth”，上式(15)成立。這里，將晶體管T2的所有像素的增益的最小值代入上式(15)的β。將由此得到的“Vgs-Vth”的值代入上式(23)的“Vgs-Vth”。即，也可以認(rèn)為，控制后的低電平電源電壓ELVSS的值V_(ELVSS)以滿足下式(24)的方式求出。

V_(ELVSS)<V_(ELVDD)-Voled-(2×Ioled/β)^1/2……(24)

另外，在不進(jìn)行遷移率(增益)的檢測的情況下，也可以使高電平電源電壓ELVDD的值向與低電平電源電壓的值的變化方向相同的方向變化相同的值。

在本變形例中，像以上那樣控制高電平電源電壓ELVDD的值和低電平電源電壓ELVSS的值。由此，在采用圖33所示的結(jié)構(gòu)的像素電路11的情況下，也得到與上述實施方式同樣的效果。

另外，在采用圖33所示的結(jié)構(gòu)的像素電路11的情況下，也可以基于所有像素的算出變化值中的最大值調(diào)整高電平電源電壓ELVDD的值(參照上述第二變形例)。具體而言，若將初始時刻的高電平電源電壓ELVDD的值設(shè)為V_(ELVDD)(0)，將晶體管T2(驅(qū)動晶體管)的算出變化值的最大值設(shè)為ΔVth_(TFT)(MAX)，將有機(jī)EL元件OLED的算出變化值的最大值設(shè)為ΔVth_(OLED)(MAX)時，也可以由下式(25)求出控制后的高電平電源電壓ELVDD的值V(_ELVDD)。

V_(ELVDD)＝V_(ELVDD)(0)+ΔVth_(TFT)(MAX)+ΔVth_(OLED)(MAX)……(25)

此外，在采用圖33所示的結(jié)構(gòu)的像素電路11的情況下，也可以基于所有像素的算出變化值中的最小值調(diào)整高電平電源電壓ELVDD的值(參照上述第三變形例)。具體而言，若將初始時刻的高電平電源電壓ELVDD的值設(shè)為V_(ELVDD)(0)，將晶體管T2(驅(qū)動晶體管)的算出變化值的最小值設(shè)為ΔVth_(TFT)(MIN)，將有機(jī)EL元件OLED的算出變化值的最小值設(shè)為ΔVth_(OLED)(MIN)時，也可以由下式(26)求出控制后的高電平電源電壓ELVDD的值V_(ELVDD)。

V_(ELVDD)＝V_(ELVDD)(0)+ΔVth_(TFT)(MIN)+ΔVth_(OLED)(MIN)……(26)

<6.其它>

本發(fā)明不限于上述實施方式和上述各變形例，能夠在不脫離本發(fā)明的趣旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形而實施。此外，也能夠采用將上述第一變形例～第八變形例適當(dāng)組合而成的結(jié)構(gòu)。例如，在采用上述第七變形例的像素電路11的同時，也可以如上述第一變形例所記載的那樣調(diào)整低電平電源電壓ELVSS的值。

標(biāo)記說明

1、2……有機(jī)EL顯示裝置

10……顯示部

11……像素電路

20……控制電路

30……源極驅(qū)動器

40……柵極驅(qū)動器

50……校正數(shù)據(jù)存儲部

61……有機(jī)EL用高電平電源

62……有機(jī)EL用低電平電源

65……溫度傳感器

201……電源電壓控制部