發(fā)光元件、顯示器件及電子裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明期望提供一種具有較不易受基板效應(yīng)影響的構(gòu)造及結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件、包括所述發(fā)光元件的顯示器件以及包括所述顯示器件的電子裝置，所述發(fā)光元件包括發(fā)光部及用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光部的驅(qū)動(dòng)電路。所述驅(qū)動(dòng)電路至少包括：(A)驅(qū)動(dòng)晶體管，其為p溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，(B)圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管，(C)發(fā)光控制晶體管，以及(D)電容器。所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管及所述發(fā)光控制晶體管中的每一者均設(shè)置于n型阱中，所述n型阱形成于D型硅半導(dǎo)體基板中。所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極／漏極區(qū)域電連接至其中形成有所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述n型阱。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光元件、顯示器件及電子裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件、一種包括所述發(fā)光元件的顯示器件以及一種包括所述顯示器件的電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近來(lái)，包括有機(jī)電致發(fā)光元件(在下文中有時(shí)被簡(jiǎn)稱(chēng)為縮寫(xiě)形式“有機(jī)EL元件”)的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(在下文中有時(shí)被簡(jiǎn)稱(chēng)為縮寫(xiě)形式“有機(jī)EL顯示器件”)作為液晶顯示器件的替代品而受到關(guān)注。有機(jī)EL顯示器件為自發(fā)光類(lèi)型且具有低功耗的特性。此外，期望有機(jī)EL顯示器件能充分響應(yīng)高分辨率及高速視頻信號(hào)，因此能銳意進(jìn)行對(duì)有機(jī)EL顯示器件的實(shí)用性及商品化的開(kāi)發(fā)。
[0003]有機(jī)EL顯示器件包括多個(gè)發(fā)光元件，所述發(fā)光元件分別具有發(fā)光部EL及用于所述驅(qū)動(dòng)發(fā)光部EL的驅(qū)動(dòng)電路。例如，圖14中所示的等效電路圖圖示了包括具有三個(gè)晶體管及兩個(gè)電容器的驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件(例如未經(jīng)審查的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案第2008-287141號(hào))。圖14中的驅(qū)動(dòng)電路包括采樣晶體管Tr1、驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2、開(kāi)關(guān)晶體管Tr3、存儲(chǔ)電容器Cs及子電容器Csub。這些晶體管是p溝道型晶體管。所述驅(qū)動(dòng)電路連接至第一掃描線WS、第二掃描線DS及信號(hào)線SL。所述有機(jī)EL顯示器件因此被構(gòu)造成可具有固定的電源電壓，從而使所述有機(jī)EL顯示器件的幀(frame)變窄且使用壽命延長(zhǎng)。此外，與驅(qū)動(dòng)電路包括n溝道型晶體管的 情形相比，p溝道型晶體管所表現(xiàn)出的晶體管之間的性質(zhì)變化更小。
[0004]在未經(jīng)審查的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案第2008-287141號(hào)中所公開(kāi)的技術(shù)中，驅(qū)動(dòng)電路由薄膜晶體管(TFT晶體管)構(gòu)成。如果驅(qū)動(dòng)電路由設(shè)置于硅半導(dǎo)體基板上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管而非薄膜晶體管構(gòu)成，則應(yīng)考慮基板效應(yīng)(substrate effect)(晶體管的閾值電壓由于源極區(qū)域S與硅半導(dǎo)體基板之間的電位差而發(fā)生變化的現(xiàn)象)的影響?？赏ㄟ^(guò)下列表達(dá)式(I)來(lái)獲得由于P溝道型MOS晶體管中的基板效應(yīng)而發(fā)生閾值電壓變化之后的閾值電壓V' th的近似值。
[0005]V/ th ^ Vth(O)-Y (Vsb)172 (I)
[0006]在此表達(dá)式中，
[0007]Vsb:源極區(qū)域與硅半導(dǎo)體基板之間的電壓，
[0008]Vth(O):當(dāng)源極區(qū)域與硅半導(dǎo)體基板之間的電壓為0伏特時(shí)的閾值電壓，以及
[0009]y:取決于硅半導(dǎo)體基板的摻雜的常數(shù)。
[0010]在p溝道型MOS晶體管中，通常將形成于硅半導(dǎo)體基板中的n型阱的電位視為公共基板電位。基板電位被固定在驅(qū)動(dòng)電路中所用的最高電位處。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極區(qū)域S的電位恒定時(shí)，則源極區(qū)域S與硅半導(dǎo)體基板(即n型阱)之間的電壓Vsb恒定，因此不產(chǎn)生基板效應(yīng)。然而，未經(jīng)審查的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案第2008-287141號(hào)中所公開(kāi)的對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2執(zhí)行的閾值電壓校正處理在閾值電壓校正時(shí)段與發(fā)光時(shí)段之間改變驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極區(qū)域S中的電位，從而改變Vsb。Vsb的變化會(huì)產(chǎn)生能夠影響發(fā)光部EL的發(fā)光條件的基板效應(yīng)。
[0011]在下文中將參照?qǐng)D5中用于圖示像素電路操作的時(shí)序圖來(lái)闡述基板效應(yīng)的影響。在圖5中，“0幾”表示“51/’，“50/’表示“15”，且“0^』”表示“05”。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2中的源極區(qū)域S的電位由“源極電位(S) ”表示，而門(mén)電極的電位由“門(mén)極電位(G) ”表示。由于晶體管Tr1、Tr3是p溝道型晶體管，因此這些晶體管在第一掃描線WS、第二掃描線DS及信號(hào)線SL上的信號(hào)處于低電平(L)時(shí)進(jìn)入接通狀態(tài)，而所述晶體管在所述信號(hào)處于高電平(H)時(shí)進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)。
[0012]在圖5中，在從時(shí)刻T4~時(shí)刻T5的閾值電壓校正時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的門(mén)極電位(G)保持為參考電壓Vtjfs，同時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極區(qū)域S放電。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極電位(S)持續(xù)下降，一直到達(dá)使驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2斷開(kāi)的電位為止。在理想情形(不產(chǎn)生基板效應(yīng)的情形)中，驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2被斷開(kāi)時(shí)的源極電位(S)為
[0013]Vots+Vth(0)。
[0014]然而，實(shí)際上，隨著源極電位(S)的降低，會(huì)產(chǎn)生基板效應(yīng)并發(fā)生閾值電壓的提高，如下列表達(dá)式(I)所示。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2斷開(kāi)時(shí)的源極電位(S)為
[0015]Vots+Vth(0) + AVth (I)
[0016]其中，AVth是由基板效應(yīng)引起的閾值電壓的變化。隨后，當(dāng)在時(shí)刻T8處開(kāi)始發(fā)光時(shí)，開(kāi)關(guān)晶體管Tr3進(jìn)入接通狀態(tài)以將驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極電位(S)提高至電源電壓Vcc ；然而，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的閾值電壓為Vsb=O伏特，因此，在表達(dá)式⑴中AVth的值為O。
[0017]上述操作可通過(guò)晶體管的以下飽和電流表達(dá)式來(lái)表示。假定存在兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2,則分別由Vtlri (0)及Vth_2 (0)來(lái)表達(dá)所述兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的閾值電壓Vth(O)[其中Vtlri (0) <Vth_2]。此外，欲被施加至驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的門(mén)電極以用于校正閾值電壓的電壓被稱(chēng)為門(mén)極電位(G)，并由Vtjfs來(lái)表示。
[0018]如果開(kāi)關(guān)晶體管Tr3在時(shí)刻T4處進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)，則驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極區(qū)域S放電且因此源極電位(S)降低，從而斷開(kāi)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2。在其中不存在基板效應(yīng)的情形中，分別由表達(dá)式(2-1)及表達(dá)式(2-2)來(lái)表達(dá)所述兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管！^在閾值電壓校正處理完成時(shí)的源極電位(S)。可基于表達(dá)式(2-1)及表達(dá)式(2-2)由表達(dá)式(3-1)及表達(dá)式(3-2)來(lái)表達(dá)此時(shí)門(mén)電極與源極區(qū)域S之間的電位差VfpVgd。
[0019]VH=VofZV1 (0) (2-1)
[0020]Vs_2=Voff+Vth_2(0) (2-2)
[0021]V1 = V1(Q) (3-1)
[0022]V2 = V2(O) (3-2)[0023]如果在此種狀態(tài)下開(kāi)始發(fā)光操作，則由表達(dá)式(4-1)及表達(dá)式(4-2)來(lái)表達(dá)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2至發(fā)光部EL的漏極電流Ids ;然而，根據(jù)表達(dá)式(3-1)及表達(dá)式(3-2)，漏極電流Ids的值為0，換言之，閾值電壓的變化(即Vtlri (0)及Vth_2 (0)的變化)被校正(抵消)。應(yīng)注意，“ U ”表示驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的有效遷移率。
[0024]Ids-1 = k.U ? [VgH-Vth-JO)]2 (4-1)
[0025]Ids_2 = k* U * [Vgs_2_Vth_2(0)]2 (4-2)
[0026]當(dāng)
[0027]L:溝道長(zhǎng)度，[0028]ff:溝道寬度，以及
[0029]Cm:(門(mén)極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù))X (真空介電常數(shù))/ (門(mén)極絕緣層的厚度)時(shí)，
[0030]k = (I / 2) ? (ff / L) ? C0xo
[0031]在其中產(chǎn)生基板效應(yīng)的情形中，源極電位(S)在閾值電壓校正處理期間受基板效應(yīng)影響。由下列表達(dá)式(2-1')及表達(dá)式(2-2')來(lái)表達(dá)在閾值電壓校正處理完成時(shí)的源極電位⑶。
[0032]Vs_/ =Vt^VtH (Q)+ A Vth_i (2-1')
[0033]\_2' =Vott+Vth_2(0) + AVth_2 (2-2')
[0034]在上述表達(dá)式中，A Vtlri及A Vth_2表示由基板效應(yīng)引起的閾值電壓的變化?？煞謩e基于表達(dá)式(2-1')及表達(dá)式(2-2')由表達(dá)式(3-1')及表達(dá)式(3-2')來(lái)表達(dá)此
時(shí)的 Vgs-l、^gs-2。
[0035]V1 = Vtlrf (0) +A Vtlri (3-1')
[0036]Vgs_2 = Vth-2(0) + AVth_2 (3-2')
[0037]如果在此種狀態(tài)下開(kāi)始發(fā)光操作，則由下列表達(dá)式(4-1')及表達(dá)式(4-2')來(lái)表達(dá)驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2至發(fā) 光部EL的漏極電流Ids ;然而，與表達(dá)式(4-1)及表達(dá)式(4-2)不同，漏極電流Ids的值不為0，換言之，閾值電壓的變化未被校正(抵消)。
[0038]Ids^1 = k * U ? [V^-V^ (O)]2
[0039]=k ? U ? [AVtlri]2 (4-1')
[0040]Ids_2 = k ? U ? [Vgs-2_Vth-2(0)]2
[0041]=k ? U ? [AVthJ2 (4-2')
[0042]A Ids=Ids_「Ids_2
[0043]=k ? U ? {[A VthJ2-[AVth_2]2}
[0044]換言之，即使執(zhí)行閾值電壓校正處理，漏極電流Ids也仍然會(huì)因基板效應(yīng)而變化僅A Ids。因此，可以說(shuō)存在一些問(wèn)題，這些問(wèn)題例如像素之間亮度的明顯差異以及屏幕均勻性的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0045]考慮到上述問(wèn)題，本發(fā)明期望提供一種具有較不易受基板效應(yīng)影響的構(gòu)造及結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件、一種包括所述發(fā)光元件的顯示器件、以及一種包括所述顯示器件的電子裝置。
[0046]本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括發(fā)光部及用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光部的驅(qū)動(dòng)電路，其中
[0047]所述驅(qū)動(dòng)電路至少包括:
[0048](A)驅(qū)動(dòng)晶體管，其為p溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
[0049](B)圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管，
[0050](C)發(fā)光控制晶體管，以及
[0051](D)電容器，其中，
[0052]所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管及所述發(fā)光控制晶體管中的每一者均設(shè)置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半導(dǎo)體基板中，并且，[0053]所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極/漏極區(qū)域電連接至其中形成有所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述n型阱。
[0054]本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及一種具有多個(gè)上述實(shí)施例的發(fā)光元件的顯示器件，所述發(fā)光元件以二維矩陣排列。本發(fā)明的又一實(shí)施例涉及一種包括上述實(shí)施例的顯示器件的電
子裝置。
[0055]在本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光元件、本發(fā)明實(shí)施例的顯示器件中所包括的發(fā)光元件、以及在本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置中所包括的發(fā)光元件(在下文中，這些發(fā)光元件被統(tǒng)稱(chēng)為“本發(fā)明的發(fā)光元件等”)中，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域之一的第一源極/漏極區(qū)域電連接至其中形成有所述驅(qū)動(dòng)晶體管的n型阱。在此種構(gòu)造下，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極/漏極區(qū)域的電位升高或其電壓增大時(shí)，所述n型阱的電位升高或其電壓增大。因此，可抑制基板效應(yīng)(也被稱(chēng)為背柵效應(yīng)(back gate effect)或基板偏置效應(yīng)(substrate biaseffect))的發(fā)生，以實(shí)現(xiàn)所述驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定操作以及抑制顯示器件或電子裝置的功耗的增大。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0056]圖1是部分顯示示例I的其中具有驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的示意性剖視圖，所述發(fā)光元件被安裝于顯示器件中或被安裝于設(shè)置在電子裝置中的顯示器件中；
[0057]圖2A及圖2B分別是部分顯示示例I及示例2的驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管及圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管的抽取部分的示意性剖視圖，所述驅(qū)動(dòng)電路被安裝于顯示器件中或被安裝于設(shè)置在電子裝置中的顯示器件中；
[0058]圖3是示例I的3Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖；
[0059]圖4是用于形成示例I的顯示器件或設(shè)置于電子裝置中的顯示器件的電路的概念圖；
[0060]圖5是示意性地圖示根據(jù)示例I的驅(qū)動(dòng)電路的操作的時(shí)序圖；
[0061]圖6A、圖6B、圖6C及圖6D是示意性地顯示形成示例I的驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)晶體管的接通/斷開(kāi)狀態(tài)等的圖；
[0062]圖7A、圖7B、圖7C、圖7D及圖7E是接續(xù)圖6D示意性地顯示形成示例I的驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)晶體管的接通/斷開(kāi)狀態(tài)等的圖；
[0063]圖8是示例3的4Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖；
[0064]圖9是示意性地圖示根據(jù)示例3的驅(qū)動(dòng)電路的操作的時(shí)序圖；
[0065]圖10A、圖10B、圖1OC及圖1OD是示意性地顯示形成示例3的驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)晶體管的接通/斷開(kāi)狀態(tài)等的圖；
[0066]圖11A、圖1 IB、圖1lC及圖1lD是接續(xù)圖1OD示意性地顯示形成示例3的驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)晶體管的接通/斷開(kāi)狀態(tài)等的圖；
[0067]圖12A、圖12B及圖12C是接續(xù)圖1lD示意性地顯示形成示例3的驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)晶體管的接通/斷開(kāi)狀態(tài)等的圖；
[0068]圖13是3Tr / IC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖；以及
[0069]圖14是現(xiàn)有技術(shù)中包括具有三個(gè)晶體管及兩個(gè)電容器的發(fā)光元件的等效電路圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0070]在下文中將參照附圖結(jié)合示例來(lái)闡述本發(fā)明；然而，本發(fā)明并非僅限于所述示例，且示例中的各種數(shù)值及材料是用于說(shuō)明。將按以下順序進(jìn)行闡述。
[0071]1.本發(fā)明的發(fā)光元件、顯示器件及電子裝置的概述
[0072]2.示例I (本發(fā)明的發(fā)光元件、顯示器件及電子裝置。3Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路)
[0073]3.示例2 (示例I的變化例)
[0074]4.示例3 (示例I或2的變化例，4Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路)等
[0075][本發(fā)明的發(fā)光元件、顯示器件及電子裝置的概述]
[0076]本發(fā)明的發(fā)光元件等包括驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管、發(fā)光控制晶體管及電容器，其中，
[0077]所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有:
[0078](A-1)第一源極/漏極區(qū)域，其連接至發(fā)光控制晶體管的第二源極/漏極區(qū)域；
[0079](A-2)第二源極/漏極區(qū)域，其連接至發(fā)光部；以及
[0080](A-3)門(mén)電極，其連接至所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管的第二源極/漏極區(qū)域，且所述門(mén)電極也連接至所述電容器的第二端部以形成第一節(jié)點(diǎn)，
[0081]所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管具有:
[0082](B-1)第一源極/漏極區(qū)域，其連接至數(shù)據(jù)線；以及
[0083](B-2)門(mén)電極，其連接至掃描線，
[0084]所述發(fā)光控制晶體管具有:
[0085](C-1)第一源極/漏極區(qū)域，其連接至電流供應(yīng)線；以及
[0086](C-2)門(mén)電極，其連接至發(fā)光控制線，以及
[0087]所述電容器具有連接至第二電流供應(yīng)線的第一端部。
[0088]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光元件等還包括:
[0089]第二電容器，以及
[0090]所述電容器的所述第一端部通過(guò)所述第二電容器連接至第二電流供應(yīng)線，且所述第一端部也連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域及所述發(fā)光控制晶體管的所述第二源極/漏極區(qū)域。
[0091]在根據(jù)本發(fā)明上述優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光元件等中，為方便起見(jiàn)，將其中形成有驅(qū)動(dòng)晶體管的n型阱稱(chēng)為“第一阱”，將其中形成有圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管的n型阱稱(chēng)為“第二阱”，以及將其中形成有發(fā)光控制晶體管的n型阱稱(chēng)為“第三阱”。盡管在本說(shuō)明書(shū)中圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管形成于第二阱中，然而優(yōu)選地，第二阱在所有發(fā)光元件中均處于相同電位。有時(shí)，為方便起見(jiàn)，將電流供應(yīng)線稱(chēng)為“第一電流供應(yīng)線”，并將電流供應(yīng)單元稱(chēng)為“第一電流供應(yīng)單元”。
[0092]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器件或安裝于電子裝置中的顯示器件中，第一電流供應(yīng)線連接至第一電流供應(yīng)單元，第二電流供應(yīng)線連接至第二電流供應(yīng)單元，數(shù)據(jù)線連接至圖像信號(hào)輸出電路，掃描線連接至掃描電路，且發(fā)光控制線連接至發(fā)光控制晶體管控制電路。所述第一電流供應(yīng)單元、圖像信號(hào)輸出電路、掃描電路及發(fā)光控制晶體管控制電路、或這些組件及第二電流供應(yīng)單元通常包括在顯示器件中。第一電流供應(yīng)線及第二電流供應(yīng)線可被制成一條公共線，且第一電流供應(yīng)單元及第二電流供應(yīng)單元也可被制成單個(gè)電流供應(yīng)單元。
[0093]驅(qū)動(dòng)電路包括至少三個(gè)晶體管及一個(gè)電容器；然而，更具體而言，所述驅(qū)動(dòng)電路可為:
[0094](A)包括三個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管及發(fā)光控制晶體管)及一個(gè)電容器的驅(qū)動(dòng)電路(被稱(chēng)為“3Tr / IC驅(qū)動(dòng)電路”)，
[0095](B)包括三個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管及發(fā)光控制晶體管)及兩個(gè)電容器的驅(qū)動(dòng)電路(被稱(chēng)為“3Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路”)，或者
[0096](C)包括四個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管、發(fā)光控制晶體管及第二發(fā)光控制晶體管)及兩個(gè)電容器的驅(qū)動(dòng)電路(被稱(chēng)為“4Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路”)，此外，所述驅(qū)動(dòng)電路可為4Tr / IC驅(qū)動(dòng)電路、5Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路或5Tr / IC驅(qū)動(dòng)電路。此外，發(fā)光部具體而言可為有機(jī)電致發(fā)光部(有機(jī)EL發(fā)光部)。驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極/漏極區(qū)域與第一阱彼此電連接。更具體而言，例如，n型連接區(qū)域設(shè)置于第一阱的表面區(qū)域中，連接區(qū)域與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極/漏極區(qū)域直接相互接觸或通過(guò)導(dǎo)電材料層而接觸?；蛘?，連接區(qū)域與驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極/漏極區(qū)域可通過(guò)接觸孔、布線等而彼此電連接。
[0097]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器件或安裝于電子裝置中的顯示器件可具有用于顯示所謂單色圖像的構(gòu)造，或具有一個(gè)像素具有多個(gè)子像素的構(gòu)造，具體而言，一個(gè)像素具有三個(gè)子像素:紅光發(fā)射子像素、綠光發(fā)射子像素及藍(lán)光發(fā)射子像素。另外，像素可具有子像素集合，所述子像素集合包括這三種子像素及一種或多種子像素(例如包括發(fā)出用于提高亮度的白色光的子像素的子像素集合、包括發(fā)出用于擴(kuò)大色彩再現(xiàn)范圍的互補(bǔ)色光的子像素的子像素集合、包括發(fā)出用于擴(kuò)大色彩再現(xiàn)范圍的黃色光的子像素的子像素集合、或包括發(fā)出用于擴(kuò)大色彩再現(xiàn)范圍的黃色光及青色光的子像素的子像素集合)。
[0098]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器件或安裝于電子裝置中的顯示器件中，各種電路(例如第一電流供應(yīng)單元、第二電流供應(yīng)單元、圖像信號(hào)輸出電路、掃描電路及發(fā)光控制晶體管控制電路)、各種布線(例如第一電流供應(yīng)線、第二電流供應(yīng)線、數(shù)據(jù)線、掃描線及發(fā)光控制線)及發(fā)光部可具有共同的構(gòu)造或結(jié)構(gòu)。具體而言，例如，作為有機(jī)EL發(fā)光部的發(fā)光部可形成有例如第一電極(例如陽(yáng)極電極)、有機(jī)材料層(其中例如堆疊有空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層的層)、第二電極(例如陰極電極)等。形成驅(qū)動(dòng)電路的電容器及第二電容器可形成有一個(gè)電極、另一電極及介于這些電極之間的介電層(絕緣層)。形成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管形成于硅半導(dǎo)體基板上方，且發(fā)光部隔著絕緣中間層形成于例如用于形成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管上方。電容器及第二電容器通常也隔著絕緣中間層形成于用于形成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管上方。驅(qū)動(dòng)晶體管的第二源極/漏極區(qū)域通過(guò)例如接觸孔而連接至用于形成發(fā)光部的第一電極。
[0099]示例 I
[0100]示例I涉及根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光元件、一種顯示器件及一種電子裝置，具體而言，涉及一種有機(jī)EL顯示器件及一種設(shè)置有所述有機(jī)EL顯示器件的電子裝置。在下文中，示例的顯示器件或安裝于示例的電子裝置中的顯示器件有時(shí)被共同簡(jiǎn)稱(chēng)為“示例的顯示器件”。圖1是部分地表示示例I的其中具有驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的示意性剖視圖，所述發(fā)光元件被安裝于顯示器件中或被安裝于設(shè)置在電子裝置中的顯示器件中。圖2A是部分地表示用于形成驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管及圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管的抽取部分的示意性剖視圖。圖3是示例I的顯示器件中的包括驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光元件的等效電路圖(此示例的驅(qū)動(dòng)電路是具有三個(gè)晶體管TRd,v、TRsig及TRa e以及兩個(gè)電容器C1及C2的3Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路)。圖4是形成顯示器件的電路的概念圖。為簡(jiǎn)化附圖，通過(guò)混合沿不同的垂直虛擬平面所截取的顯示器件剖視圖來(lái)制成圖1的示意性局部剖視圖。
[0101]示例I的顯示器件包括多個(gè)以二維矩陣排列的示例I的發(fā)光元件I。發(fā)光元件I中的每一者均包括發(fā)光部(具體為有機(jī)EL發(fā)光部)ELP及用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光部ELP的驅(qū)動(dòng)電路。顯示器件具有以二維矩陣排列的NXM個(gè)像素。一個(gè)像素具有三個(gè)子像素(用于發(fā)出紅光的紅光發(fā)射子像素、用于發(fā)出綠光的綠光發(fā)射子像素、以及用于發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)光發(fā)射子像素)。示例I的電子裝置包括示例I的顯示器件。
[0102]如圖4中的概念電路圖所示,示例I的顯示器件包括:
[0103](a)第一電流供應(yīng)單元101 ；
[0104](b)第二電流供應(yīng)單元102 ；
[0105](C)掃描電路 103;
[0106](d)發(fā)光控制晶體管控制電路104 ;以及
[0107](e)圖像信號(hào)輸出電路105 ;并且還包括:
[0108](f)總計(jì)NXM個(gè)以二維矩陣排列的發(fā)光元件1，在第一方向上為N個(gè)發(fā)光元件1，且在不同于第一方向的第二方向(具體為垂直于第一方向的方向)上為M個(gè)發(fā)光兀件I;
[0109](g)連接至第一電流供應(yīng)單元101并沿第一方向延伸的M條電流供應(yīng)線(第一電流供應(yīng)線CSL1)；
[0110](h)連接至第二電流供應(yīng)單元102并沿第一方向延伸的M條第二電流供應(yīng)線CSL2 ；
[0111](i)連接至掃描電路103并沿第一方向延伸的M條掃描線SCL;
[0112](i)連接至發(fā)光控制晶體管控制電路104并沿第一方向延伸的M條發(fā)光控制線CLae;以及
[0113](k)連接至圖像信號(hào)輸出電路105并沿第二方向延伸的N條數(shù)據(jù)線DTL。
[0114]在圖4中，為簡(jiǎn)化附圖，由單條線表示第一電流供應(yīng)線CSL1及第二電流供應(yīng)線CSL2。盡管在圖4中顯示有3X3個(gè)發(fā)光元件1，然而此僅用于圖示。第一電流供應(yīng)單元101、第二電流供應(yīng)單元102、掃描電路103以及發(fā)光控制晶體管控制電路104可分別設(shè)置于第一電流供應(yīng)線CSL1、第二電流供應(yīng)線CSL2、掃描線SCL及發(fā)光控制線CLa e的一端或兩端上。
[0115]在示例I的發(fā)光元件I中，驅(qū)動(dòng)電路至少包括:
[0116](A)驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct，其為p溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管；
[0117](B)圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig，其為p溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管；
[0118](C)發(fā)光控制晶體管TRa c,其為p溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及
[0119](D)電容器(在下文中，為方便起見(jiàn)，所述電容器被稱(chēng)為“第一電容器C/’)。
[0120]驅(qū)動(dòng)晶體管TIVv、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig以及發(fā)光控制晶體管TRa c分別設(shè)置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半導(dǎo)體基板10中。如上所述，這些晶體管是p溝道型M0SFET。驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct設(shè)置于第一阱11中，圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig設(shè)置于第二阱12中，且發(fā)光控制晶體管TRa c設(shè)置于第三阱(圖未示出)中。[0121]作為驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的源極/漏極區(qū)域之一，源極/漏極區(qū)域23 (第一源極/漏極區(qū)域)電連接至其中形成有驅(qū)動(dòng)晶體管1&?的11型阱(第一阱11)。具體而言，如圖1及圖2A所示，n+型連接區(qū)域25設(shè)置于第一阱11的表面區(qū)域中。連接區(qū)域25與驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極/漏極區(qū)域23通過(guò)接觸孔70、布線等(具體而言，作為電容器C1的電極之一的電極41 (第一電極))而彼此電連接。
[0122]第一電容器C1 (在圖1中被圓圈包圍)包括電極(一個(gè)端或第一端)41、電極(另一端或第二端)42及介于電極41與電極42之間的介電層(絕緣層)43。
[0123]第二阱12在所有發(fā)光元件I中均處于相同電位。具體而言，第二阱12通過(guò)硅半導(dǎo)體基板10而被設(shè)定為處于預(yù)定電位(所述預(yù)定電位是基板電位，例如為驅(qū)動(dòng)電路中所用的最高電位)。第三阱也通過(guò)硅半導(dǎo)體基板10被設(shè)定為處于預(yù)定電位(所述預(yù)定電位是基板電位，例如為驅(qū)動(dòng)電路中所用的最高電位)。形成發(fā)光元件I的驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig及發(fā)光控制晶體管TRa e被隔離區(qū)域14環(huán)繞。
[0124]如圖3所示,示例I的發(fā)光元件I的驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct具有:
[0125](A-1)作為驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極/漏極區(qū)域之一的源極/漏極區(qū)域23(第一源極/漏極區(qū)域)，其連接至發(fā)光控制晶體管TRa e的源極/漏極區(qū)域37 (第二源極/漏極區(qū)域)；
[0126](A-2)作為驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的另一源極/漏極區(qū)域的源極/漏極區(qū)域24(第二源極/漏極區(qū)域)，其連接至發(fā)光部ELP ；以及
[0127](A-3)門(mén)電極21，其連接至圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig的源極/漏極區(qū)域34(第二源極/漏極區(qū)域)，還連接至第一電容器C1的端部42以形成第一節(jié)點(diǎn)ND115
[0128]圖像"[目號(hào)與入晶體管TRsig具有:`[0129](B-1)作為圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig的源極/漏極區(qū)域之一的源極/漏極區(qū)域33 (第一源極/漏極區(qū)域)，其連接至數(shù)據(jù)線DTL ；以及
[0130](B-2)門(mén)電極31，其連接至掃描線SCL。
[0131]發(fā)光控制晶體管TRei^具有:
[0132](C-1)作為發(fā)光控制晶體管TRa e的源極/漏極區(qū)域之一的源極/漏極區(qū)域36 (第一源極/漏極區(qū)域)，其連接至第一電流供應(yīng)線CSL1 ；以及
[0133](C-2)門(mén)電極35，其連接至發(fā)光控制線CLa c。
[0134]第一電容器C1的端部41連接至第二電流供應(yīng)線CSL2。
[0135]此外，示例I的發(fā)光元件I包括第二電容器C2，且第一電容器C1的端部41通過(guò)第二電容器C2而連接至第二電流供應(yīng)線CSL2，第一電容器C1的端部41還連接至驅(qū)動(dòng)晶體管TRnrv的源極/漏極區(qū)域23及發(fā)光控制晶體管TRa。的源極/漏極區(qū)域37。換言之，第二電容器C2的一個(gè)端部連接至第二電流供應(yīng)線CSL2，且第二電容器(:2的另一端部連接至第一電容器C1的端部41。
[0136]圖像信號(hào)輸出電路105在圖像信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào)或亮度信號(hào))Vsig與預(yù)定參考電位Vofs之間進(jìn)行切換，并提供圖像信號(hào)Vsig與預(yù)定參考電位Vtjfs其中之一至數(shù)據(jù)線DTL。此外，第一電流供應(yīng)單元101提供固定電位V。。至第一電流供應(yīng)線CSL1，類(lèi)似地，第二電流供應(yīng)單元102提供固定電位Ncc至第二電流供應(yīng)線CSL2。此外，掃描電路103連續(xù)提供掃描信號(hào)至掃描線SCL。發(fā)光控制晶體管控制電路104連續(xù)提供發(fā)光控制信號(hào)至發(fā)光控制線CLa。。[0137]如圖1所示，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極/漏極區(qū)域23(具體而言，在示例I中在發(fā)光部ELP發(fā)光時(shí)用作源極區(qū)域23的源極/漏極區(qū)域。此適用于下文中的說(shuō)明)通過(guò)接觸孔70連接至第一電容器C1的電極41，還連接至發(fā)光控制晶體管TRa c的源極/漏極區(qū)域37(圖1中未示出)。源極/漏極區(qū)域24(具體而言，在示例I中在發(fā)光部ELP發(fā)光時(shí)用作漏極區(qū)域24的源極/漏極區(qū)域。此適用于下文中的說(shuō)明)通過(guò)另一接觸孔及接觸焊盤(pán)71連接至發(fā)光部(有機(jī)EL發(fā)光部)ELP的第一電極51。門(mén)電極21通過(guò)又一接觸孔及接觸焊盤(pán)72連接至第一電容器C1的電極42以形成第一節(jié)點(diǎn)ND1,門(mén)電極21還連接至圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig的源極/漏極區(qū)域34 (具體而言，在示例I中在圖像信號(hào)被寫(xiě)入時(shí)用作漏極區(qū)域34的源極/漏極區(qū)域。此適用于下文中的說(shuō)明)。
[0138]此外，如圖1所示，圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig的源極/漏極區(qū)域33 (具體而言，在示例I中在圖像信號(hào)被寫(xiě)入時(shí)用作源極區(qū)域33的源極/漏極區(qū)域。此適用于下文中的說(shuō)明)通過(guò)另一接觸孔及接觸焊盤(pán)73以及數(shù)據(jù)線DTL連接至圖像信號(hào)輸出電路105。門(mén)電極31通過(guò)另一接觸孔及接觸焊盤(pán)74以及掃描線SCL連接至掃描電路103。
[0139]在圖1中，附圖標(biāo)記14指代隔離區(qū)域，而附圖標(biāo)記22、32指代門(mén)極絕緣層。設(shè)置接觸孔及接觸焊盤(pán)71、72、73、74是為了不與沿第一方向延伸的掃描線SCL及第一電流供應(yīng)線CSL1發(fā)生短路。圖1表示此種狀態(tài)。
[0140]或者，換言之，示例I的顯示器件包括多個(gè)發(fā)光元件1，發(fā)光元件I均包括發(fā)光部ELP及用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光部ELP的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述驅(qū)動(dòng)電路至少包括:
[0141]電容器C1;
[0142]驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct，其為p溝道型M0SFET，并基于電容器C1中所存儲(chǔ)的圖像信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào)或亮度信號(hào))Vsig來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光部ELP ；
[0143]圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig,其為p溝道型M0SFET，并將圖像信號(hào)Vsig存儲(chǔ)于電容器C1中；以及
[0144]發(fā)光控制晶體管TRa。，其為p溝道型M0SFET，并控制發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)，
[0145]驅(qū)動(dòng)晶體管TRtov，其形成于第一 n型阱11中，第一 n型阱11形成于D型硅半導(dǎo)體基板10上，
[0146]圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig,其形成于第二 n型阱12中，第二 n型阱12形成于p型硅半導(dǎo)體基板10上，
[0147]發(fā)光控制晶體管TRa c,其形成于第三n型阱中，所述第三n型阱形成于p型硅半導(dǎo)體基板10上，以及
[0148]驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極/漏極區(qū)域23電連接至第一阱11。
[0149]設(shè)置于硅半導(dǎo)體基板10上的驅(qū)動(dòng)晶體管TRtav、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig及發(fā)光控制晶體管TRa圖1中未示出)被絕緣中間層61覆蓋。第一電容器C1的電極41及介電層(絕緣層)43形成于絕緣中間層61上，且第一電容器C1的電極42形成于介電層(絕緣層)43上。此外，絕緣中間層62形成于介電層(絕緣層)43及第一電容器C1的電極42上方，且掃描線SCL形成于絕緣中間層62上。絕緣中間層63形成于絕緣中間層62及掃描線SCL上方，且數(shù)據(jù)線DTL形成于絕緣中間層63上。絕緣中間層64形成于絕緣中間層63及數(shù)據(jù)線DTL上方，且第一電流供應(yīng)線CSL1、第二電流供應(yīng)線CSL2(圖1中未示出)及發(fā)光控制線CLa c(圖1中未示出)形成于絕緣中間層64上。絕緣中間層65形成于絕緣中間層64、第一電流供應(yīng)線CSL1、第二電流供應(yīng)線CSL2及發(fā)光控制線CLa e上方，且用于形成發(fā)光部ELP的第一電極51形成于絕緣中間層65上。此外，在底部具有開(kāi)口的絕緣中間層66形成于絕緣中間層65及第一電極51上方,第一電極51通過(guò)所述開(kāi)孔而暴露,用于形成發(fā)光部ELP的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層(具有這些層組成的多層式結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料層52)及第二電極53形成于絕緣中間層66及第一電極51上方,且絕緣層67形成于第二電極53上。玻璃板(圖未示出)隔著粘合層(圖未示出)接合至絕緣層67上。在某些情形中，無(wú)需對(duì)有機(jī)材料層52及第二電極53執(zhí)行圖案化。掃描線SCL、數(shù)據(jù)線DTL、第一電流供應(yīng)線CSL1、第二電流供應(yīng)線CSL2及發(fā)光控制線CLa。的堆疊順序并非僅限于上述順序，且這些線基本上可以任意期望的順序堆疊。第二電極53連接至被施加預(yù)定陰極電壓VMth的地線。在圖3中，符號(hào)Ca指代發(fā)光部ELP的寄生電容。
[0150]上述發(fā)光元件I可通過(guò)常用方法制造，也可使用常用材料制造。
[0151]當(dāng)數(shù)據(jù)線DTL處于參考電位Nofs時(shí)，掃描電路103輸出掃描信號(hào)至掃描線SCL，以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的閾值電壓Vth執(zhí)行校正處理(閾值電壓校正處理)。當(dāng)數(shù)據(jù)線DTL處于圖像信號(hào)Vsig時(shí)，掃描電路103輸出掃描信號(hào)至掃描線SCL以執(zhí)行圖像信號(hào)寫(xiě)入處理，以將圖像信號(hào)Vsig寫(xiě)入至第一電容器C1，并執(zhí)行遷移率校正處理，以校正驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的遷移率U的變化。在圖像信號(hào)Vsig被寫(xiě)入第一電容器C1之后，發(fā)光控制晶體管控制電路104輸出發(fā)光控制信號(hào)至發(fā)光控制線CLa e以使發(fā)光部ELP發(fā)光。
[0152]將參照?qǐng)D5所示的時(shí)序圖及圖6A、圖6B、圖6C、圖6D及圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、
圖7E所示意性圖示的驅(qū)動(dòng)電路的操作來(lái)闡述示例I的發(fā)光元件I的操作。在本說(shuō)明中，將時(shí)刻T1?時(shí)刻T9設(shè)定為一個(gè)場(chǎng)的時(shí)段。時(shí)序圖沿時(shí)間軸T表示饋送至掃描線SCL及發(fā)光控制線CLa。的掃描信號(hào)及發(fā)光控制信號(hào)的波形，還表示驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)電極21處的電位[門(mén)極電位(G)]及源極區(qū)域23處的電位[源極電位(S)]的變化。時(shí)序圖還表示饋送至數(shù)據(jù)線DTL的圖像信號(hào)Vsig及參考電位Vtjfs的波形。就圖像信號(hào)而言，圖像信號(hào)Vsig及參考電位Vtjfs交替在一個(gè)水平掃描時(shí)段(1H時(shí)段)內(nèi)進(jìn)行切換。由于圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig及發(fā)光控制晶體管TRa e是p溝道型M0DFET，因此這些晶體管在掃描信號(hào)及發(fā)光控制信號(hào)處于低電平(L)時(shí)處于接通狀態(tài)，而在所述信號(hào)處于高電平(H)時(shí)處于斷開(kāi)狀態(tài)。
[0153]基于線序來(lái)驅(qū)動(dòng)形成各個(gè)像素的發(fā)光元件。具體而言，同時(shí)驅(qū)動(dòng)排列于第m行
(m=l、2、3、......、M)中的用于形成N個(gè)像素(3XN個(gè)子像素)中的各個(gè)像素的發(fā)光元件。
換言之，形成一行的發(fā)光元件是否發(fā)光的時(shí)序是通過(guò)將所述元件所屬的行視為一個(gè)單元來(lái)進(jìn)行控制的。用于將圖像信號(hào)寫(xiě)入至形成每一行的每一像素的處理可為用于將圖像信號(hào)同時(shí)寫(xiě)入至全部像素的處理(同時(shí)寫(xiě)入處理)、或用于將圖像信號(hào)依序?qū)懭胫撩恳幌袼氐奶幚?依序?qū)懭胩幚??？煽紤]發(fā)光元件及驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造來(lái)適當(dāng)選擇任一種信號(hào)寫(xiě)入處理。有時(shí)可執(zhí)行各種處理(下文中所述的閾值電壓校正處理、圖像信號(hào)寫(xiě)入處理以及遷移率校正處理)，直至排列于第m行中的每一發(fā)光兀件的水平掃描時(shí)段(第m水平掃描時(shí)段)結(jié)束為止。需要在第m水平掃描時(shí)段內(nèi)完成圖像信號(hào)寫(xiě)入處理及遷移率校正處理。相比之下，可根據(jù)發(fā)光元件及驅(qū)動(dòng)電路的類(lèi)型而在第m水平掃描時(shí)段之前執(zhí)行閾值電壓校正處理及閾值電壓校正處理的準(zhǔn)備處理。在上述處理全部完成之后，驅(qū)動(dòng)用于形成排列于第m行中的發(fā)光元件的發(fā)光部，以使其發(fā)光。可在上述處理全部完成之后或在繼上述處理完成之后的預(yù)定時(shí)段(例如對(duì)于預(yù)定數(shù)目的行的水平掃描時(shí)段)之后，立即驅(qū)動(dòng)發(fā)光部以使其發(fā)光?？筛鶕?jù)顯示器件的規(guī)格、發(fā)光元件及驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造等來(lái)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定所述預(yù)定時(shí)段。
[0154][在時(shí)刻T1之前]
[0155]在一個(gè)場(chǎng)開(kāi)始的時(shí)刻T1之前，圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig處于斷開(kāi)狀態(tài)，而發(fā)光控制晶體管TRa c處于接通狀態(tài)。由于驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct通過(guò)處于接通狀態(tài)的發(fā)光控制晶體管TRa c連接至第一電流供應(yīng)單元101，因此漏極電流I，ds根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的門(mén)電極/源極區(qū)域電位差Vgs(在下文中有時(shí)被簡(jiǎn)稱(chēng)為“電位差Vgs”)而被提供至發(fā)光部ELP。因此，發(fā)光部ELP在時(shí)刻Tl之前的階段中發(fā)光(參見(jiàn)圖6A)。
[0156][時(shí)刻T1]
[0157]在時(shí)刻T1處，發(fā)光控制線CLa e的電位從低電平改變至高電平(參見(jiàn)圖6B)。此種改變使發(fā)光控制晶體管TRa。進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)，以將驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev從第一電流供應(yīng)單元101斷開(kāi)，從而使發(fā)光部ELP進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)。
[0158][時(shí)刻T2]
[0159]隨后，在時(shí)刻T2處，發(fā)光控制線CLa e的電位從高電平改變至低電平(參見(jiàn)圖6C)。此種改變使發(fā)光控制晶體管TRa e進(jìn)入接通狀態(tài)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的源極電位(S)升高至電位Vcc。隨著源極電位⑶升高至電位Vcc，驅(qū)動(dòng)晶體管TRtov的門(mén)極電位(G)也向上移動(dòng)。
[0160][時(shí)刻T3]
[0161]在時(shí)刻T3處，數(shù)據(jù)線DTL處于參考電位V&。接著，掃描線SCL的電位改變至低電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入接通狀態(tài)(參見(jiàn)圖6D)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)極電位(G)變?yōu)閰⒖茧娢籚&。在此階段，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev具有充分大于驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的閾值電壓Vth的電位差 Vgs (Vcc-Vofs)，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev進(jìn)入接通狀態(tài)。應(yīng)注意，參考電壓Vtjfs被設(shè)定為滿足(Va-Vtjfs)MVthU然而，在此種狀態(tài)中，不期望的電流會(huì)流入至發(fā)光部ELP中。為防止出現(xiàn)此種情況，優(yōu)選地盡可能縮短從時(shí)刻T3~時(shí)刻T4的時(shí)段，還優(yōu)選地將IU的值設(shè)定為略大于IVtjfsI值的值。從時(shí)刻T2~超過(guò)時(shí)刻Tg的時(shí)段是用于校正閾值電壓的準(zhǔn)備時(shí)段。在準(zhǔn)備時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極區(qū)域23及門(mén)電極21的電位被分別重置為V。。及V—。
[0162][時(shí)刻T4]
[0163]在時(shí)刻T4處，發(fā)光控制線CLa。的電位改變至高電平，以使發(fā)光控制晶體管TRa。進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)。另一方面，圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig保持處于接通狀態(tài)(參見(jiàn)圖7A)。因此，存儲(chǔ)于第一電容器C1及第二電容器C2中的電荷通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev及發(fā)光部ELP而被釋放。接著，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)極電位(G)固定于VtjfsW，將驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev從第一電流供應(yīng)單元101斷開(kāi)，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極電位(S)降低。最后，在驅(qū)動(dòng)晶體管丁1^?被斷開(kāi)時(shí)(即源極電位⑶到達(dá)(Vtjf^lVthI)時(shí))的時(shí)間點(diǎn)處，電流不再流至驅(qū)動(dòng)晶體管TRtav。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct被斷開(kāi)時(shí)，源極區(qū)域23與門(mén)電極21之間產(chǎn)生恰好等于驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的閾值電壓Vth的電位差Vgs。此電位差被保持于連接在驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極區(qū)域23與門(mén)電極21之間的第一電容器C1中。
[0164][時(shí)刻T5]
[0165]在時(shí)刻T5處，掃描線SCL的電位改變至高電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)(參見(jiàn)圖7B)。當(dāng)晶體管1&?的門(mén)電極21被從數(shù)據(jù)線DTL斷開(kāi)時(shí)，閾值電壓校正處理完成。如上所述，從時(shí)刻T4~時(shí)刻T5的時(shí)段是閾值電壓校正處理的時(shí)段。
[0166][時(shí)刻T6]
[0167]在時(shí)刻T6處，掃描線SCL的電位改變至低電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入接通狀態(tài)(參見(jiàn)圖7C)。此時(shí)，數(shù)據(jù)線DTL的電位從參考電壓Vtjfs改變至圖像信號(hào)％&。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)極電位(G)變?yōu)閂Sig?；谟傻谝浑娙萜鰿1與第二電容器C2之間的電容比所確定的耦合，驅(qū)動(dòng)晶體管1&?的電位差Vgs由以下等式(A)來(lái)表達(dá)。在本說(shuō)明中，“cs”表不第一電容器C1的電容值,且“Csub”表不第二電容器C2的電容值。
[0168]Vgs = Vth| +Vg^ (A)
[0169]其中
[0170]V = (Vofs-Vsig) (Csub / (Cs+Csub)}
[0171][時(shí)刻T7]
[0172]隨后，在時(shí)刻T7處，掃描線SCL的電位改變至高電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)，從而完成圖像信號(hào)Vsig的寫(xiě)入處理。換言之，在從時(shí)刻T6~時(shí)刻T7的短時(shí)段中執(zhí)行用于將圖像信號(hào)Vsig寫(xiě)入至驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的門(mén)極電位(G)的圖像信號(hào)寫(xiě)入處理，在所述短時(shí)段中圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig處于接通狀態(tài)。通過(guò)此處理，驅(qū)動(dòng)晶體管TRnrv處的電位差Vgs變?yōu)?Vth+VSig)。應(yīng)注意，此值在Vtjfs為0伏特時(shí)有效。
[0173]在從時(shí)刻T6~時(shí)刻T7的圖像信號(hào)寫(xiě)入時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的遷移率U同時(shí)被校正。所校正的遷移率在時(shí)序圖中表達(dá)為AV。具體而言，驅(qū)動(dòng)晶體管1&?的門(mén)極電位(G)在圖像信號(hào)寫(xiě)入時(shí)段期間為Vsig ;然而，電流在同一時(shí)間流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev,因此源極電位⑶也改變A V。確切地說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev處的電位差Vgs為(Vth+VSig_AV)。變`化A V準(zhǔn)確地沿抵消驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct處的遷移率y變化的方向進(jìn)行作用。具體而言，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的遷移率U相對(duì)大時(shí)，A V大，但電位差Vgs相應(yīng)地變小，從而可抑制遷移率U的影響。反之，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRltevW遷移率y為小時(shí)，因?yàn)锳V小，所以電位差Vgs不會(huì)變得如此小。因此，電位差Vgs根據(jù)遷移率y的大小而變化，以平衡遷移率U的變化。用于校正遷移率的時(shí)間⑴很短(例如幾微秒)。遷移率校正后的電流值Ids由下列等式(B)來(lái)表達(dá)。
[0174]Ids = k ? U [Vgs' / {l+(Vgs' ? k ? u ? t / (Cs+Csub))} (B)
[0175][時(shí)刻T8]
[0176]在時(shí)刻T8處，發(fā)光控制線CLa。的電位改變至低電平，以使發(fā)光控制晶體管TRa。進(jìn)入接通狀態(tài)。因此，使驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極區(qū)域23與第一電流供應(yīng)單元101連接，此又使得開(kāi)始將電流供應(yīng)至驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev,從而使發(fā)光部ELP開(kāi)始發(fā)光。由于驅(qū)動(dòng)晶體管TRtov的門(mén)極電位(G)也因此刻的自舉效應(yīng)(bootstrap effect)而升高，因此第一電容器C1處所保持的電位差Vgs保持為(VSig+Vth_ A V)的值。
[0177]此刻漏極電流匕與電位差Vgs之間的關(guān)系可由如上所述的表達(dá)式(4-1)及表達(dá)式(4-2)表達(dá)。由于作為驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極/漏極區(qū)域之一的源極/漏極區(qū)域23電連接至第一阱11，因此不會(huì)發(fā)生由上述基板效應(yīng)引起的閾值電壓的改變，且閾值電壓的變化最終會(huì)被校正(抵消)。簡(jiǎn)言之，欲被供應(yīng)至發(fā)光部ELP的漏極電流Ids基本上通過(guò)圖像信號(hào)Vsig來(lái)確定，而非取決于驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的閾值電壓Vth。換言之，發(fā)光部ELP發(fā)出具有對(duì)應(yīng)于圖像信號(hào)Vsig的亮度的光。[0178][時(shí)刻T9]
[0179]最后到達(dá)時(shí)刻T9，發(fā)光控制線CLa e的電位改變至高電平，以使發(fā)光控制晶體管TRa e進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)，從而結(jié)束發(fā)光并完成一個(gè)場(chǎng)。隨后過(guò)渡至下一個(gè)場(chǎng)，以再次重復(fù)閾值電壓校正處理、圖像信號(hào)寫(xiě)入處理、遷移率校正處理及發(fā)光操作。
[0180]在根據(jù)示例I的顯示器件中，作為形成驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極/漏極區(qū)域之一的第一源極/漏極區(qū)域電連接至第一阱。由于此種構(gòu)造，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極/漏極區(qū)域的電位升高或其電壓增大時(shí)，第一阱的電位也升高或其電壓增大。因此，可抑制基板效應(yīng)的發(fā)生，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定操作，并抑制顯示器件功耗的增大。由于驅(qū)動(dòng)晶體管的第一源極/漏極區(qū)域與第一阱彼此電連接，因此發(fā)光部ELP的劣化會(huì)引起發(fā)光部ELP的1-V特性的劣化。因此，即使當(dāng)?shù)谝浑姌O的電位升高時(shí)，也不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。此外，施加至驅(qū)動(dòng)晶體管TI^v的電壓振幅的最大值約為(Vee-Veath)，具體為約10伏特，所述最大值足夠小，以確保驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的耐受電壓具有充分的余裕。
[0181]示例2
[0182]示例2是示例I的變化例。圖2B是部分地表示在示例2的顯示器件中，用于形成驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev及圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig的抽取部分的示意性剖視圖。與示例I相似，在示例2中，n+型導(dǎo)電型的連接區(qū)域25設(shè)置于第一阱11的表面區(qū)域上。示例2與示例I的不同之處在于，導(dǎo)電材料層26(具體為金屬硅化物層)形成于連接區(qū)域25及源極區(qū)域23的表面上方。在此種構(gòu)造下，可將作為驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極/漏極區(qū)域之一的第一源極/漏極區(qū)域(源極區(qū)域23)可靠地電連接至第一阱11。
[0183]導(dǎo)電材料層26的具體形成方法是自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝(Self-alignedSiliCIDE(SALICIDE)proces`s)。具體而言，在形成驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)極絕緣層22、形成門(mén)電極21、通過(guò)離子注入形成源極/漏極區(qū)域23、24、通過(guò)離子注入形成連接區(qū)域25、以及形成門(mén)極側(cè)壁28、38之后，在整個(gè)表面上形成金屬層(例如鈷(cobalt)層)。隨后執(zhí)行的熱處理在硅半導(dǎo)體基板10中的硅原子與金屬層中的金屬原子之間引起反應(yīng)以形成金屬硅化物層。從而形成導(dǎo)電材料層26。此時(shí)也可在門(mén)電極21的頂面上形成金屬硅化物層。接著，將不與硅原子反應(yīng)的金屬層移除，并使金屬硅化物層退火以穩(wěn)定金屬硅化物層。這樣，可獲得能可靠地電連接驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的第一源極/漏極區(qū)域(源極區(qū)域23)及第一阱11的導(dǎo)電材料層26。示例3
[0184]示例3是示例I或示例2的變化例。圖8是在示例3的顯示器件中包括驅(qū)動(dòng)電路的發(fā)光兀件的等效電路圖(此不例的驅(qū)動(dòng)電路是具有四個(gè)晶體管TRto|rTRSig、TREL—c、TREl—c_2及兩個(gè)電容器CpC2的4Tr / 2C驅(qū)動(dòng)電路)。示例3的驅(qū)動(dòng)電路具有與示例I或示例2的驅(qū)動(dòng)電路相同的構(gòu)造及結(jié)構(gòu)，不同之處在于示例3的驅(qū)動(dòng)電路包括第二發(fā)光控制晶體管TREu—2。在示例3中，第二發(fā)光控制晶體管TRa e 2具有:連接至第二發(fā)光控制線CLa e 2的門(mén)電極；作為源極/漏極區(qū)域之一的第一源極/漏極區(qū)域，其連接至驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的第二源極/漏極區(qū)域(漏極區(qū)域24)；以及作為另一源極/漏極區(qū)域的第二源極/漏極區(qū)域，其具有電位Vss。第二發(fā)光控制線CLa t2連接至發(fā)光控制晶體管控制電路104。
[0185]將參照?qǐng)D9所顯示的時(shí)序圖以及圖10A、圖10B、圖10C、圖10D、圖11A、圖11B、圖11C、圖1lD及圖12A、圖12B、圖12C所示意性圖示的驅(qū)動(dòng)電路的操作，來(lái)闡述示例3的發(fā)光元件的操作。[0186][在時(shí)刻^之前]
[0187]在一個(gè)場(chǎng)開(kāi)始的時(shí)刻h之前，圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig及第二發(fā)光控制晶體管TRel c 2處于斷開(kāi)狀態(tài)，而發(fā)光控制晶體管TRa c處于接通狀態(tài)。由于驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev通過(guò)處于接通狀態(tài)的發(fā)光控制晶體管TRa c而連接至第一電流供應(yīng)單元101，因此漏極電流I，ds根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管TRtov的電位差Vgs而被提供至發(fā)光部ELP。因此，發(fā)光部ELP在時(shí)刻tl之前的階段中發(fā)光(參見(jiàn)圖10A)。
[0188][時(shí)刻tj
[0189]在時(shí)刻h處，發(fā)光控制線CLa。的電位從低電平改變至高電平(參見(jiàn)圖10B)。此種改變使發(fā)光控制晶體管TRa。進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)，以將驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev從第一電流供應(yīng)單元101斷開(kāi)，從而使發(fā)光部ELP進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)。
[0190][時(shí)刻t2]
[0191]隨后，在時(shí)刻t2處，第二發(fā)光控制線CLa。2的電位從高電平改變至低電平(參見(jiàn)圖10C)。此種改變使第二發(fā)光控制晶體管TRa e 2進(jìn)入接通狀態(tài)。因此，發(fā)光部ELP的第一電極(陽(yáng)極電極)51的電位變?yōu)閂ss。
[0192][時(shí)刻t3]
[0193]在隨后的時(shí)刻t3處，數(shù)據(jù)線DTL的電位變?yōu)閂tjfs。
[0194][時(shí)刻t4]
[0195]在隨后的時(shí)刻t4處，發(fā)光控制線CLa e的電位從高電平改變至低電平(參見(jiàn)圖10D)。因此，與驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的電位差Vgs相對(duì)應(yīng)的電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRDct。由于第二發(fā)光控制晶體管TRa t2處于接通狀態(tài)，因此發(fā)光部ELP的陽(yáng)極電位仍處于電位Vss。在示例3中，電位Vss被設(shè)定成滿足條件WyVm+V。-。因此，將反向偏壓施加至發(fā)光部ELP并使發(fā)光部ELP保持處于不發(fā)光狀態(tài)。接著，流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的電流進(jìn)一步流至第二發(fā)光控制晶體管TRa t2中。
[0196][時(shí)刻t5]
[0197]在隨后的時(shí)刻15處，掃描線SCL的電位改變至低電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入接通狀態(tài)(參見(jiàn)圖11A)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)極電位(G)變?yōu)閰⒖茧娢籚0fso此外，源極電位(S)變?yōu)殡娢籚。。，且漏極區(qū)域的電位變?yōu)殡娢籿ss。在此階段，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev具有充分大于驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的閾值電壓Vth的電位差Vgs，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct進(jìn)入接通狀態(tài)。就示例I的情形而言，參考電壓Vtjfs被設(shè)定成滿足(Vee-Vtjfs) > I Vth I。
[0198][時(shí)刻t6]
[0199]在隨后的時(shí)刻t6處，發(fā)光控制線CLa e的電位從低電平改變至高電平(參見(jiàn)圖11B)。此種改變使發(fā)光控制晶體管TRa。進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)。接著，電流從第一電容器C1經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev而流至第二發(fā)光控制晶體管TRa c 2。圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig仍處于接通狀態(tài)。隨后，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRtov的門(mén)極電位(G)固定于Vtjfs的情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct從第一電流供應(yīng)單元101斷開(kāi)，因此驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的源極電位(S)降低。最后，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev被斷開(kāi)時(shí)(即源極電位⑶到達(dá)(Vtjf^lVthI)時(shí))的時(shí)間點(diǎn)處，電流不再流至驅(qū)動(dòng)晶體管TRtav。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct被斷開(kāi)時(shí)，源極區(qū)域與門(mén)電極之間會(huì)產(chǎn)生恰好等于驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的閾值電壓Vth的電位差。此電位差保持于連接在驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極區(qū)域與門(mén)電極之間的第一電容器C1中。[0200][時(shí)刻t7]
[0201]在隨后的時(shí)刻&處，掃描線SCL的電位改變至高電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)(參見(jiàn)圖11C)。驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)電極被從數(shù)據(jù)線DTL斷開(kāi)，且閾值電壓校正處理完成。如上所述，從時(shí)刻丨6~時(shí)刻丨7的時(shí)段是閾值電壓校正處理的時(shí)段。在此時(shí)段期間，電流從第一電容器C1經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev而流至第二發(fā)光控制晶體管TRa
2。此使驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極電位⑶隨著時(shí)間的推移而降低。
[0202][時(shí)刻t8]
[0203]在隨后的時(shí)刻t8處，數(shù)據(jù)線DTL的電位從參考電位Vtjfs改變至圖像信號(hào)Vsig。
[0204][時(shí)刻t9]
[0205]在隨后的時(shí)刻^處，掃描線SCL的電位改變至低電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入接通狀態(tài)(參見(jiàn)圖11D)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的門(mén)極電位(G)變?yōu)榇笥隍?qū)動(dòng)晶體管TRltev的閾值電壓Vth的VSig。因此電流從第一電容器C1經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev而流至第二發(fā)光控制晶體管TRa e 2。此使驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極電位(S)隨著時(shí)間的推移而降低。[時(shí)刻t10]
[0206]在隨后的時(shí)刻t1(l處，掃描線SCL的電位改變至高電平，以使圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)，從而完成圖像信號(hào)Vsig的寫(xiě)入處理(圖12A)。換言之，在圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管TRsig處于接通狀態(tài)的從時(shí)刻t9~時(shí)刻t1(l的時(shí)段中，執(zhí)行用于將圖像信號(hào)Vsig寫(xiě)入至驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的門(mén)極`電位(G)的圖像信號(hào)寫(xiě)入處理。通過(guò)此處理，驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct處的電位差Vgs變?yōu)?Vth+VSig)。應(yīng)注意，此值在Vtjfs為0伏特時(shí)有效。
[0207]在從時(shí)刻〖9~時(shí)刻t1(l的圖像信號(hào)寫(xiě)入時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管遷移率y被同時(shí)校正。具體而言，驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的門(mén)極電位(G)在圖像信號(hào)寫(xiě)入時(shí)段期間為Vsig ;然而，電流在同一時(shí)間流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev，因此源極電位(S)也改變A V。確切而言，驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev處的電位差Vgs是(Vth+VSig_ A V)。變化A V確切地沿抵消驅(qū)動(dòng)晶體管TRtov的遷移率U變化的方向進(jìn)行作用。具體而言，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的遷移率y相對(duì)大時(shí)，AV大，但電位差Vgs相應(yīng)地變小，從而可抑制遷移率y的影響。反之，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的遷移率U為小時(shí)，因?yàn)锳V小，所以電位差Vgs不會(huì)變得如此小。因此，電位差Vgs根據(jù)遷移率U的大小而變化，以平衡遷移率U的變化。用于校正遷移率的時(shí)間(t)很短(如幾微秒)。遷移率校正后的電流值Ids由如上所示的等式(B)來(lái)表達(dá)。
[0208][時(shí)刻tn]
[0209]在隨后的時(shí)刻tn處，第二發(fā)光控制線CLa e 2的電位改變至高電平，以使第二發(fā)光控制晶體管TRa t2進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)(參見(jiàn)圖12B)。
[0210][時(shí)刻t12]
[0211]在隨后的時(shí)刻t12處，發(fā)光控制線CLae的電位改變至低電平，以使發(fā)光控制晶體管TRa c進(jìn)入接通狀態(tài)(參見(jiàn)圖12C)。因此，使—驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極區(qū)域與第一電流供應(yīng)單元101連接，以又開(kāi)始將電流供應(yīng)至驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev，從而使發(fā)光部ELP開(kāi)始發(fā)光。由于此刻驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的門(mén)極電位(G)也因自舉效應(yīng)而升高，因此保持于第一電容器(^處的電位差Vgs保持為(VSig+Vth- A V)的值。
[0212]此刻漏極電流Ids與電位差Vgs之間的關(guān)系可由如上所述表達(dá)式(4-1)及表達(dá)式(4-2)表達(dá)。由于作為驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev的源極/漏極區(qū)域之一的第一源極/漏極區(qū)域電連接至第一阱，因此不會(huì)發(fā)生由上述基板效應(yīng)所引起的閾值電壓的改變，且閾值電壓的改變最終會(huì)被校正(抵消)。簡(jiǎn)言之，欲被提供至發(fā)光部ELP的漏極電流Ids基本上是由圖像信號(hào)Vsig確定，而非取決于驅(qū)動(dòng)晶體管TRdct的閾值電壓Vth。換言之，發(fā)光部ELP發(fā)出具有對(duì)應(yīng)于圖像信號(hào)Vsig的亮度的光。此后，發(fā)光控制線CLa。的電位改變至高電平，以使發(fā)光控制晶體管TRa。進(jìn)入斷開(kāi)狀態(tài)，從而結(jié)束發(fā)光并完成一個(gè)場(chǎng)。隨后過(guò)渡至下一個(gè)場(chǎng)，以再次重復(fù)閾值電壓校正處理、圖像信號(hào)寫(xiě)入處理、遷移率校正處理及發(fā)光操作。
[0213]盡管已基于優(yōu)選實(shí)施例闡述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器件及電子裝置，然而本發(fā)明的顯示器件及電子裝置并非僅限于這些示例。示例中顯示器件及驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造及結(jié)構(gòu)僅用于圖示，并可進(jìn)行適當(dāng)改變。驅(qū)動(dòng)方法也僅用于圖示，并可進(jìn)行適當(dāng)改變。
[0214]例如，如圖13的等效電路圖所不,驅(qū)動(dòng)電路可被構(gòu)造成具有二個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管及發(fā)光控制晶體管)及單個(gè)電容器。驅(qū)動(dòng)電路的詳細(xì)操作闡述于未經(jīng)審查的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案第2011-209434中。在該驅(qū)動(dòng)電路中，電容器C1的一端直接連接至電流供應(yīng)線CSL。此外，當(dāng)執(zhí)行圖像信號(hào)Vsig的寫(xiě)入處理且漏極電流Ids被提供至驅(qū)動(dòng)晶體管TRltev時(shí)，由發(fā)光控制晶體管控制電路104施加高電位VH(固定值)至發(fā)光控制線CLel c,而在除上述時(shí)間之外的任何時(shí)間則施加低電位固定值)。當(dāng)發(fā)光部ELP的閾值電壓為 Vth—EL 時(shí)，
[0215]VH^Vth_EL+Vcath
[0216]VL〈Vth_EL+Vcath。
[0217]盡管示例中的各個(gè)晶體管為p溝道型晶體管，然而除驅(qū)動(dòng)晶體管之外的晶體管有時(shí)可被替換成n溝道型晶體管。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器件可被應(yīng)用于例如電視機(jī)接收器、數(shù)字照相機(jī)中所包括的監(jiān)視器、攝像機(jī)中所包括的監(jiān)視器、個(gè)人計(jì)算機(jī)中所包括的監(jiān)視器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA) 、移動(dòng)電話、智能電話、便攜式音樂(lè)播放器、游戲機(jī)、電子書(shū)及電子詞典中的各種顯示單元、電子取景器(electronic view finder ;EVF)、以及頭戴式顯示器(head mounted display ;HMD)。換言之,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置的示例包括電視機(jī)接收器、數(shù)字照相機(jī)、攝像機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、移動(dòng)電話、智能電話、便攜式音樂(lè)播放器、游戲機(jī)、電子書(shū)、電子詞典、電子取景器以及頭戴式顯示器。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器件設(shè)置于這些電子裝置中。盡管在示例中闡述了有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部作為顯示單元，然而發(fā)光部也可為其他類(lèi)型的自發(fā)光型發(fā)光部，例如為無(wú)機(jī)電致發(fā)光發(fā)光部、LED發(fā)光部及半導(dǎo)體激光發(fā)光部。
[0218]本發(fā)明可具有以下構(gòu)造:
[0219][I] 一種發(fā)光元件，其包括發(fā)光部及用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光部的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路至少包括:
[0220](A)驅(qū)動(dòng)晶體管，其為p溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，
[0221](B)圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管，
[0222](C)發(fā)光控制晶體管，以及
[0223](D)電容器，其中，
[0224]所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管及所述發(fā)光控制晶體管中的每一者均設(shè)置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半導(dǎo)體基板中，以及
[0225]所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括:[0226](A-1)第一源極/漏極區(qū)域，其電連接至其中形成有所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述n型阱。
[0227][2]如上述[I]所述的發(fā)光元件，其中，
[0228]所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域連接至所述發(fā)光控制晶體管的第二源極/漏極區(qū)域，
[0229]所述驅(qū)動(dòng)晶體管還包括:
[0230](A-2)第二源極/漏極區(qū)域，其連接至所述發(fā)光部，以及
[0231](A-3)門(mén)電極，其連接至所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管的第二源極/漏極區(qū)域，所述門(mén)電極也連接至所述電容器的第二端部以形成第一節(jié)點(diǎn)，
[0232]所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管包括:
[0233](B-1)第一源極/漏極區(qū)域，其連接至數(shù)據(jù)線，以及
[0234](B-2)門(mén)電極，其連接至掃描線，
[0235]所述發(fā)光控制晶體管包括:
[0236](C-1)第一源極/漏極區(qū)域，其連接至電流供應(yīng)線，以及
[0237](C-2)門(mén)電極，其連接至發(fā)光控制線，以及
[0238]所述電容器包括連接至第二電流供應(yīng)線的第一端部。
[0239][3]如上述[2]所述的發(fā)光元件，還包括第二電容器，其中，
[0240]所述電容器的所述第一端部通過(guò)所述第二電容器連接至所述第二電流供應(yīng)線，所述電容器的所述第一端部也連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域及所述發(fā)光控制晶體管的所述第二源極/漏極區(qū)域。
[0241][4]如上述[I]?[3]中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域通過(guò)導(dǎo)電材料層電連接至所述n型阱。
[0242][5]如上述[4]所述的發(fā)光元件，在所述n型阱的表面區(qū)域上設(shè)有連接區(qū)域，并且所述導(dǎo)電材料層形成于所述連接區(qū)域以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域的表面上方。
[0243][6]如上述[I]?[3]中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域通過(guò)接觸孔和布線電連接至所述n型阱。
[0244][7]如上述[6]所述的發(fā)光元件，所述布線是所述電容器的所述第一端部。
[0245][8]如上述[I]?[3]中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管以及所述發(fā)光控制晶體管中的至少一個(gè)是P溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0246][9] 一種顯示器件，其包括多個(gè)如上述[I]?[8]中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件以二維矩陣排列。
[0247][10] 一種電子裝置，其包括如上述[9]所述的顯示器件。
[0248]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0249]本申請(qǐng)主張于2012年11月14日提出的日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)案JP2012-249942的權(quán)利，所述日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)案的全部?jī)?nèi)容以引用方式并入本文中。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光元件，其包括發(fā)光部及用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光部的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路至少包括: (A)驅(qū)動(dòng)晶體管，其為p溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管， (B)圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管， (C)發(fā)光控制晶體管，以及 (D)電容器，其中， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管及所述發(fā)光控制晶體管中的每一者均設(shè)置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半導(dǎo)體基板中，以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括: (A-1)第一源極/漏極區(qū)域，其電連接至其中形成有所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述n型阱。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域連接至所述發(fā)光控制晶體管的第二源極/漏極區(qū)域， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管還包括: (A-2)第二源極/漏極區(qū)域，其連接至所述發(fā)光部，以及 (A-3)門(mén)電極，其連接至所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管的第二源極/漏極區(qū)域，所述門(mén)電極也連接至所述電容器的第二端部以形成第一節(jié)點(diǎn)， 所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管包括: (B-1)第一源極/漏極區(qū)域，其連接至數(shù)據(jù)線，以及 (B-2)門(mén)電極，其連接至掃描線， 所述發(fā)光控制晶體管包括: (C-1)第一源極/漏極區(qū)域，其連接至電流供應(yīng)線，以及 (C-2)門(mén)電極，其連接至發(fā)光控制線，以及 所述電容器包括連接至第二電流供應(yīng)線的第一端部。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，還包括第二電容器，其中， 所述電容器的所述第一端部通過(guò)所述第二電容器連接至所述第二電流供應(yīng)線，所述電容器的所述第一端部也連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域及所述發(fā)光控制晶體管的所述第二源極/漏極區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域通過(guò)導(dǎo)電材料層電連接至所述n型阱。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，在所述n型阱的表面區(qū)域上設(shè)有連接區(qū)域，并且所述導(dǎo)電材料層形成于所述連接區(qū)域以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域的表面上方。
6.如權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一源極/漏極區(qū)域通過(guò)接觸孔和布線電連接至所述n型阱。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件，所述布線是所述電容器的所述第一端部。
8.如權(quán)利要求 1~3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，所述圖像信號(hào)寫(xiě)入晶體管以及所述發(fā)光控制晶體管中的至少一個(gè)是P溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
9.一種顯不器件,其包括多個(gè)如權(quán)利要求1~8中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光兀件,所述發(fā)光元件以二維矩陣排列。
10.一種電子裝置，其包 括如權(quán)利要求9所述的顯示器件。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK103810967SQ201310495174
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月14日
【發(fā)明者】外園伸秋, 山下淳一, 小野山有亮 申請(qǐng)人:索尼公司