專利名稱：像素架構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素架構(gòu)，特別涉及一種雙重掃描線架構(gòu)下的像素架構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，雙重掃描線(Dual gate)架構(gòu)下的像素結(jié)構(gòu)因每根數(shù)據(jù)線兩側(cè)的兩列子像素通過薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)均連接該數(shù)據(jù)線，如圖1和圖2所示，數(shù)據(jù)線D1、D2、……、 D6兩側(cè)的兩列子像素均通過TFT連接該數(shù)據(jù)線，圖2僅示出了 Dl和D2局部的TFT連接情況。因此，為了顯示交錯正負(fù)極性不同，數(shù)據(jù)線需要正負(fù)極性切換，如此一來會使得消耗功率增加。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的針對上述現(xiàn)有存在的問題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種節(jié)省功耗的像素架構(gòu)。技術(shù)方案為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種像素架構(gòu)，包括若干個排列成矩陣的子像素、若干條掃描線、若干條數(shù)據(jù)線、若干薄膜場效應(yīng)晶體管；所述掃描線橫排成行并相互平行，每排子像素設(shè)有兩條掃描線；所述數(shù)據(jù)線豎排成列并相互平行， 每兩列子像素設(shè)有一條數(shù)據(jù)線；各薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極連接子像素電極，柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，且每列相鄰的兩個子像素電極通過薄膜場效應(yīng)晶體管分別連接不同的數(shù)據(jù)線。有益效果本發(fā)明通過使同一條數(shù)據(jù)線保持同一極性，無需進行正負(fù)極性切換，減少顯示器的消耗功率，達(dá)到省電節(jié)能的效果。


圖1為傳統(tǒng)的像素架構(gòu)示意圖；圖2為圖1框部的放大示意圖，該圖示出了 TFT的連接關(guān)系；圖3為2個子像素反轉(zhuǎn)顯示下的第一種像素架構(gòu)示意圖；圖4為圖3框部的放大示意圖，該圖示出了 TFT的連接關(guān)系；圖5為2個子像素反轉(zhuǎn)顯示下的第二種像素架構(gòu)示意圖；圖6為1+2個子像素反轉(zhuǎn)顯示下的第三種像素架構(gòu)示意圖；圖7為1+2個子像素反轉(zhuǎn)顯示下的第四種像素架構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。實施例1
如圖3和圖4所示，每列相鄰的兩個子像素電極通過薄膜場效應(yīng)晶體管分別連接
不同的數(shù)據(jù)線，圖3中的各波浪形“ -“與各子像素的交點為各子像素對應(yīng)TFT(圖3
未示出，參見圖4)的柵極與對應(yīng)掃描線的連接點；此外，圖3中各子像素中的“ + ”、“-”分別表示該子像素的極性為正極和負(fù)極，GTl至GT8為掃描線，數(shù)據(jù)線DO至D7上的“ + ”、“-” 分別表示該數(shù)據(jù)線的極性為正極和負(fù)極，各子像素對應(yīng)TFT的漏極連接該子像素電極，源極連接與該子像素相鄰的同極性的數(shù)據(jù)線，例如，紅色子像素Rll對應(yīng)的TFT漏極連接Rll 的電極，柵極連接掃描線GTl，源極連接數(shù)據(jù)線Dl (因為子像素Rl 1的極性是正極，與Rl 1相鄰的數(shù)據(jù)線有極性為負(fù)的DO和極性為正的D1，因此Rll對應(yīng)的TFT源極應(yīng)連接同為正極的 Dl)。從圖4可以看出，數(shù)據(jù)線Dl左側(cè)的紅色子像素Rll通過第一薄膜場效應(yīng)晶體管1連接數(shù)據(jù)線Dl和掃描線GT1，Rll下面的子像素R12通過第二薄膜場效應(yīng)晶體管2連接數(shù)據(jù)線DO和掃描線GT4，可見Rll和R12通過不同的TFT分別連接不同的數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)線Dl右側(cè)的綠色子像素Gll通過第三薄膜場效應(yīng)晶體管3連接數(shù)據(jù)線Dl和掃描線GT2，Gll下面的子像素G12通過第四薄膜場效應(yīng)晶體管4連接數(shù)據(jù)線D2和掃描線GT3，可見Gll和G12 通過不同的TFT分別連接不同的數(shù)據(jù)線。其它子像素的接法類似，不再贅述。如圖3所示， 本實施例依次將極性為負(fù)的子像素Bl 1、R21、G12、G22、B13、R23、G14、G24(如圖3中的箭頭方向所示)通過各自的數(shù)據(jù)線送至源極驅(qū)動器(圖中未示出)，接著將對應(yīng)的掃描線作致能，圖3中的箭頭走向呈“Z”字形，其它子像素的順序以此類推。實施例2:如圖5所示，原理同上實施例(未示出TFT)，但箭頭方向相反。實施例3:如圖6所示，原理同實施例1 (未示出TFT)，所不同的是，實施例1和2中的子像素極性為“正正負(fù)負(fù)正正負(fù)負(fù)”的順序(橫排)，而本實施例中的子像素極性為“正負(fù)負(fù)正正負(fù)負(fù)正”的順序(橫排)。本實施例依次將子像素611、811、622、1 22、613、813、624、1 24(如圖6中的箭頭方向所示)通過各自的數(shù)據(jù)線送至源極驅(qū)動器(圖中未示出)，接著將對應(yīng)的掃描線作致能。實施例4 如圖7所示，原理同上實施例(未示出TFT)，但箭頭方向相反。由以上4個實施例可以看出，通過對各TFT組件與數(shù)據(jù)線連接方式的設(shè)計，使得同一條數(shù)據(jù)線始終保持同一極性，無需進行正負(fù)極性切換，減少顯示器的消耗功率，達(dá)到省電節(jié)能的效果。
權(quán)利要求
1. 一種像素架構(gòu)，包括若干個排列成矩陣的子像素、若干條掃描線、若干條數(shù)據(jù)線、若干薄膜場效應(yīng)晶體管；所述掃描線橫排成行并相互平行，每排子像素設(shè)有兩條掃描線；所述數(shù)據(jù)線豎排成列并相互平行，每兩列子像素設(shè)有一條數(shù)據(jù)線；各薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極連接子像素電極，柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，其特征在于每列相鄰的兩個子像素電極通過薄膜場效應(yīng)晶體管分別連接不同的數(shù)據(jù)線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素架構(gòu)，包括若干個排列成矩陣的子像素、若干條掃描線、若干條數(shù)據(jù)線、若干薄膜場效應(yīng)晶體管；所述掃描線橫排成行并相互平行，每排子像素設(shè)有兩條掃描線；所述數(shù)據(jù)線豎排成列并相互平行，每兩列子像素設(shè)有一條數(shù)據(jù)線；各薄膜場效應(yīng)晶體管的漏極連接子像素電極，柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，每列相鄰的兩個子像素電極通過薄膜場效應(yīng)晶體管分別連接不同的數(shù)據(jù)線。本發(fā)明通過使同一條數(shù)據(jù)線保持同一極性，無需進行正負(fù)極性切換，減少顯示器的消耗功率，達(dá)到省電節(jié)能的效果。
文檔編號G09G3/20GK102290026SQ20111020113
公開日2011年12月21日 申請日期2011年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者劉文雄 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司