專利名稱：Ic標簽存放盒的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于存放IC標簽的IC標簽存放盒。
背景技術：
目前正在實施將IC標簽(也稱作RFID標簽)安裝在想要進行信息管理 的制品或物體等對象物(下文稱作"對象物")上，由計算機對通過讀寫器 而來自IC標簽的對象物信息進行管理，實現工作高效化。所謂的IC標簽就 是將ID (識別信息)記錄在小的IC芯片上，由無線電波在IC標簽和讀寫器 之間進行信息交流(信息的寫入或讀取)的標簽(貨簽)。IC標簽接收包含 來自讀寫器的信號的電磁波，將電功率轉換為電源電壓，施加到設置有IC 標簽的IC芯片上，同時進行信息的寫入或讀出。如果具有小的空間，則這 種IC標簽能夠輕易地導入，并具有難以復制或偽造的特征、因為以非接觸 電力傳送而操作從而不需要電源的特征。而且在將IC標簽安裝在多個對象 物上時，還能夠一起讀取多個對象物的信息。
作為避免大氣濕度或灰塵等損害這種IC標簽的裝置的一個示例，具有 圖1所示的IC標簽存放盒10。圖1是存放IC標簽的現有IC標簽存放盒的 分解立體圖。
如圖1所示，IC標簽存放盒l(wèi)O為具有中板ll、上板12和下板13的結 構。在中板11上形成有貫通部11A。該貫通部IIA用于存放由天線線圈16 以及與天線線圈16相連的IC芯片17構成的IC標簽15。上板12從中板11 的上表面?zhèn)?1a以堵住貫通部11A的方式而安裝在中板11上。下板13從中 板11的下表面?zhèn)萳ib以堵住貫通部11A的方式而安裝在中板11上。中板 11、上板12和下板13均具有可撓性，即使針對安裝面不是平面的對象物， 也能將其較為容易地安裝在IC標簽存放盒10內(例如參考專利文獻l)。
專利文獻1: JP特開2002—245430號公報

發(fā)明內容
發(fā)明想要解決的課題
圖2是顯示將IC標簽存放在現有IC標簽存放盒內，并安裝在金屬制的 對象物上的場合下的磁場分布的圖。
然而如圖2所示，使IC標簽15接近金屬制的對象物22 (或接觸)時， 在金屬制的對象物22的表面因磁場而產生渦流損耗(eddy current loss)，由 于磁通A沒有通過IC標簽15，在應用于金屬制的對象物22的場合下，存 在IC標簽15和讀寫器21之間不能進行信息交流的問題。
為了解決這種問題，有在IC標簽15上設置高磁導率材料的情況(參考 JP特開2003—46321號公報)。此時，由于必須在每個IC標簽15上設置高 磁導率材料，所以存在IC標簽成本增大的問題。
用于解決課題的方法
為了解決上述現有技術的問題，本發(fā)明的總目的是提供一種改良的有用 的IC標簽存放盒。
本發(fā)明的更詳細的其它目的是提供一種IC標簽存放盒，不增加IC標簽 成本，能夠精度良好地在IC標簽和讀寫器之間進行信息交流。
為了實現上述目的，在本發(fā)明中，在用于存放IC標簽的IC標簽存放盒 中，在存放了上述IC標簽的情況下與上述IC標簽相對置一側,設置有由高磁 導率材料構成的高磁導率構件。
根據這種IC標簽存放盒，設置有由高磁導率材料構成的高磁導率構件， 通過以高磁導率構件與金屬制的對象物相對置的方式將IC標簽存放盒安裝 在金屬制的對象物上，從而使由來自讀寫器的電磁波所形成的磁通集中在被 存放于IC標簽存放盒內的IC標簽上(通過IC標簽)，能夠確保電動勢， 從而不依靠對象物的材質，就能夠在IC標簽和讀寫器之間進行精度良好的 信息交換。而且此時所謂的"高磁導率材料"就是相對磁導率高的材料。
而且，雖然一般來說，將相對磁導率大于或等于100的磁性材料稱作高 磁導率材料，但是在上述發(fā)明中，上述高磁導率材料的相對磁導率為1000 800000。
在作為該結構的情況下，能夠不依靠對象物的材質，在IC標簽和讀寫
器之間進行精度良好的信息交換。
此外在上述發(fā)明中，上述高磁導率材料由下組中的至少一種物質組成， 該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
在作為這種結構的情況下，可以使用由下組中的至少一種物質組成的高 磁導率材料，該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
此外在上述發(fā)明中，在沒有設置上述高磁導率構件的一側設置有天線， 該天線由從動部件構成。
在作為該結構的情況下，由從動部件構成的天線接收來自讀寫器的電磁 波，通過使IC標簽和天線之間電磁結合，能夠延長IC標簽和讀寫器之間的 通信距離，能夠在IC標簽和讀寫器之間進行精度良好的通信。
此外為了實現上述目的，在其它發(fā)明中，其特征在于IC標簽存放盒包 括盒主體，其具有存放IC標簽的槽部；蓋體，其以堵塞上述槽部的方式 設置在上述盒主體上,而且能夠使電磁波能夠進入，由高磁導率材料構成上述 盒主體。
根據這種IC標簽存放盒，由高磁導率材料構成盒主體，通過以盒主體 與金屬制的對象物相對置的方式將IC標簽存放盒安裝在金屬制的對象物上， 從而使由來自讀寫器的電磁波所形成的磁通集中在存放于IC標簽存放盒內 的IC標簽上(通過IC標簽)，能夠確保電動勢，能夠不依靠對象物的材質， 在IC標簽和讀寫器之間進行精度良好的信息交換。
而且在上述發(fā)明中，上述高磁導率材料的相對磁導率為1000 800000。 在作為該結構的情況下，能夠不依靠對象物的材質，在IC標簽和讀寫
器之間進行精度良好的信息交換。
此外在上述發(fā)明中，上述高磁導率材料由下組中的至少一種物質組成， 該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
在作為該結構的情況下，可以使用由下組中的至少一種物質組成的高磁 導率材料,該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
還有在上述發(fā)明中，上述蓋體采用相對于盒主體可裝卸的結構。
在作為該結構的情況下，能夠將存放于IC標簽存放盒內的IC標簽與其 它IC標簽交換，針對多個IC標簽，1個IC標簽存放盒能夠通用。
還有，在上述發(fā)明中，在上述蓋體上設置有天線,該天線由從動部件構成。 在作為該結構的情況下，由從動部件構成的天線接收來自讀寫器的電磁
波。通過使IC標簽和天線之間電磁結合，能夠延長IC標簽和讀寫器之間的 通信距離，能夠在ic標簽和讀寫器之間進行精度良好的通信。
此外為了實現上述目的，在其它發(fā)明中，其特征在于,IC標簽存放盒包 括盒主體，其具有存放IC標簽的槽部;蓋體,其以堵塞上述槽部的方式設置在 上述盒主體上而且能夠使電磁波能夠進入，在與上述IC標簽相對置的盒主
體上,設置有由高磁導率材料構成的高磁導率構件。
根據這種IC標簽存放盒，由高磁導率材料組成的高磁導率構件設置在 盒主體上，通過以盒主體與金屬制的對象物相對置的方式將IC標簽存放盒 安裝在金屬制的對象物上，從而使由來自讀寫器的電磁波所形成的磁通集中 在被存放于IC標簽存放盒內的IC標簽上(通過IC標簽)，能夠確保電動 勢，能夠不依靠對象物的材質，在IC標簽和讀寫器之間進行精度良好的信 息交換。
而且在上述發(fā)明中，上述高磁導率材料的相對磁導率為1000 800000。 在作為該結構的情況下，能夠不依靠對象物的材質，在IC標簽和讀寫
器之間進行精度良好的信息交換。
此外在上述發(fā)明中，上述高磁導率材料由下組中的至少一種物質組成，
該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
在作為該結構的情況下，可以使用由下組中的至少一種物質構成的高磁
導率材料，該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
還有在上述發(fā)明中，上述蓋體采用相對于盒主體可裝卸的結構。 在作為該結構的情況下，能夠將存放于IC標簽存放盒內的IC標簽與其
它IC標簽交換，針對多個IC標簽，能夠通用1個IC標簽存放盒。
還有在上述發(fā)明中，在上述蓋體上設置有天線，該天線由從動部件構成。 在作為該結構的情況下，以由從動部件構成的天線接收來自讀寫器的電
磁波，通過使天線和IC標簽之間電磁結合，從而能夠延長IC標簽和讀寫器
之間的通信距離，能夠在IC標簽和讀寫器之間進行精度良好的通信。
發(fā)明效果
根據本發(fā)明，能夠獲得不增加IC標簽成本而就能精度良好地在IC標簽
和讀寫器之間進行信息交流的效果。


圖1是存放IC標簽的現有IC標簽存放盒的分解立體圖。
圖2是顯示將IC標簽存放在現有的IC標簽存放盒內，安裝在金屬制的
對象物上時的磁場分布的圖。
圖3是存放有IC標簽的本發(fā)明第一實施例的IC標簽存放盒的立體圖。 圖4是沿圖3所示結構體(IC標簽和IC標簽存放盒)的B-B線方向的
剖視圖。
圖5是圖3所示結構體的分解立體圖。
圖6是示意地顯示將存放有IC標簽的第一實施例的IC標簽存放盒配置 在金屬制的對象物上時IC標簽和讀寫器之間磁通分布的圖。
圖7是具有用于安裝在對象物上的粘結材料的IC標簽存放盒。 圖8是存放有IC標簽的本發(fā)明第二實施例的IC標簽存放盒的立體圖。 圖9是沿圖8所示結構體(IC標簽和IC標簽存放盒)的E-E線方向的 剖視圖。
圖10是圖8所示結構體的分解立體圖。
圖11是存放有IC標簽的本發(fā)明第三實施例的IC標簽存放盒的立體圖。 圖12是沿圖11所示結構體(IC標簽和IC標簽存放盒)的F-F線方向 的剖視圖。
圖13是圖11所示結構體的分解立體圖。
圖14是存放有IC標簽的本發(fā)明第四實施例的IC標簽存放盒的立體圖。 圖15是圖14所示結構體的分解立體圖。
圖16是具有導波天線的其它IC標簽存放盒的立體圖(其l)。 圖17是具有導波天線的其它IC標簽存放盒的立體圖(其2)。
附圖標記的說明
10、 30、 60、 70、 80、 90、 95 IC標簽存放盒 11中板 11A貫通部 Ua81A上表面
11b81B下表面 12上板 13下板
15、 41 IC標簽 16天線線圈 17、 44 IC芯片
21、 47讀寫器
22、 48金屬制的對象物
31、 71盒主體 31B、 71A底板部
32、 72槽部
33、 65、 67、 74螺紋孔 35、 81蓋體
36凹部
37、 82通孔
39螺絲
42基材
43天線
45密封樹脂
61框架
62底板
64貫通部
73高磁導率構件
85導波天線
86電容部(共振頻率調整用) 87天線部 A、 C磁通 D1 D2深度 T1 T5厚度
具體實施例方式
下文將結合附圖對用于實施本發(fā)明的最佳實施方式進行介紹。 第一實施例
下文將參照圖3 5，對本發(fā)明第一實施例即IC標簽存放盒30進行介紹。 圖3是存放有IC標簽的本發(fā)明第一實施例的IC標簽存放盒的立體圖。圖4 是沿圖3所示結構體(IC標簽和IC標簽存放盒)的B-B線方向的剖視圖。 圖5是圖3所示結構體的分解立體圖。此外，在圖4中，Tl表示盒主體的底 板部31B的厚度(下文稱作"厚度Tl" ) ， Dl表示槽部32的深度(下文 稱作"深度D1")。
在存放有IC標簽41的狀態(tài)下，IC標簽存放盒30安裝在想要管理信息 的制品或物體等對象物上(下文稱作"對象物")。IC標簽存放盒30大致 由來自讀寫器的電磁波進入的蓋體35、盒主體31構成。存放有IC標簽41 的IC標簽存放盒30安裝在對象物上，使得盒主體31和對象物相對置。
在此，首先對IC標簽41的結構進行說明。IC標簽41大致上由基材42、 天線43、 IC芯片44、密封樹脂45構成(參考圖4)。天線43設置在基材 42上。IC芯片44設置在基材42上，并與天線43相連。密封樹脂45以覆 蓋設置在基材42上的天線43和IC芯片44的方式來設置。密封樹脂45用 于保護天線43和IC芯片44。這種結構的IC標簽41以天線43和蓋體35相 對置的方式而存放在IC標簽存放盒30內。
蓋體35具有可撓性，分別在4個角部上形成了凹部36。在該凹部36上 形成有用于插入螺釘39的通孔37。通過插入通孔37內的螺釘39，蓋體35 以覆蓋盒主體31的槽部32的方式安裝在盒主體31上。因此，在相對于盒 主體31可裝卸狀態(tài)下，蓋體35被安裝。
這樣，通過由螺釘39在相對于盒主體31可裝卸狀態(tài)下安裝蓋體35，從 而能夠將被存放在IC標簽存放盒30內的IC標簽41與其它IC標簽交換， 針對多個IC標簽，IC標簽存放盒30能夠通用。因而，與具有高磁導率材 料的現有的IC標簽15相比，能夠降低IC標簽41的制造成本。
蓋體35用于防止被存放在IC標簽存放盒30內的IC標簽41突出到IC 標簽存放盒30的外面，同時使由來自讀寫器47的電磁波產生的磁通C(磁力
線)到達IC標簽41。因而，最好蓋體35的材料為容易使磁通C通過。作為 蓋體35的材料，例如使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)、 合成高分子聚酰胺(尼龍)、聚苯乙烯(PS)、聚丙稀(PP)等樹脂、合成 橡膠即可。通過使用這種材料，能夠使蓋體35具有可撓性。
高磁導率構件即盒主體31具有可撓性，,構成為具有槽部32和螺紋孔33。 槽部32用于存放IC標簽41。槽部32的深度Dl取決于存放的IC標簽41 的厚度，例如可以為0.5 5.0毫米。
螺紋孔33設置在與蓋體35的通孔37相對置的位置上。用于在將蓋體 35安裝在盒主體31上時使所使用的螺釘39與螺紋孔33嚙合。
此外，盒主體31由高磁導率材料形成。所謂的高磁導率材料就是具有 通過從外部稍微施加磁場就能感應較大的磁通密度的高磁導率特性的材料。 具體地說，就是磁導率ix高，飽和磁通密度Bs高，頑磁力Hc小,磁滯損耗 小的材料。而且這種高磁導率材料具有吸引磁通(磁力線)的性質。
作為高磁導率材料，例如可以使用坡莫合金(Permalloy)、鐵硅鋁磁合 金、鐵氧體、非結晶合金、鎳、鈷等。坡莫合金就是在鐵鎳合金中添加了 Mo、 Mn、 Cu、 Cr等后的材料。鐵硅鋁磁合金就是Si-Al-Fe合金，飽和磁通 密度大的合金。鐵氧體就是包含鐵離子F^+的磁性氧化物。在本實施例中， 優(yōu)選地，使用坡莫合金、鎳、鈷等高磁導率材料。
坡莫合金的直流磁導率非常高，比較柔軟并具有優(yōu)良的加工性。因而作 為高磁導率材料，通過使用坡莫合金，能夠使盒主體31具有可撓性，即使 針對安裝面為非平面形狀的對象物，也能夠輕易地安裝IC標簽存放盒30。 更具體地說，作為坡莫合金，能夠使用SMS-PA、 PB、 PC(均由住友金屬礦 山株式會社制造)或鎳鐵鉬超導磁合金等。鎳鐵鉬超導磁合金是相對磁導率為 800000的材料。作為鎳，可以使用在腐蝕巧境氣體下具有優(yōu)良耐腐蝕性的純 鎳。作為純鎳，更具體地說，可以使用SMS-200、 201、 HNi(均由住友金屬 礦山株式會社制造)。作為鈷，可以使用具有強磁性的純鈷。作為純鈷，更具 體地說，可以使用SMS-HCo(由住友金屬礦山株式會社制造)。此外，作為其 它高磁導率材料，可以使用新高磁導率材料1380 (住友3M株式會社制造)。 新高磁導率材料1380 (住友3M株式會社制造)是相對磁導率為100000的 非常高的材料，輕且柔軟，并具有優(yōu)良加工性的材料。
而且，本發(fā)明中的"高磁導率材料"就是相對磁導率高的材料(高相對 磁導率材料)。而且在下文說明中，將相對磁導率高的材料(高相對磁導率 材料)稱作"高磁導率材料"。此外，盒主體31的厚度T1取決于高磁導率 材料的種類，例如可以為1.0 11.0毫米。
圖6是示意地顯示將存放有IC標簽的第一實施例的IC標簽存放盒配置 在金屬制的對象物上時ic標簽和讀寫器之間磁通分布的圖。
如圖6所示，根據本實施例的IC標簽存放盒30，設置了由高磁導率材 料構成的盒主體31，以盒主體31和金屬制的對象物48彼此相對置的方式將 IC標簽存放盒30安裝在金屬制的對象物48上，使由讀寫器47產生的電磁 波所形成的磁通C集中在被存放在IC標簽存放盒30內的IC標簽41上(通 過IC標簽41)，確保電動勢，能夠不依靠對象物的材質，在IC標簽41和 讀寫器47之間進行精度良好的信息交換。此外，即使在IC標簽41附近存 在金屬的情況下，也能在IC標簽41和讀寫器47之間進行精度良好的信息 交換。
此外，在高磁導率材料的相對磁導率小于1000時，由于磁通朝向高磁 導率材料的積聚力小，泄漏磁場增加，因而產生渦流損失，不能充分確保通 信的可靠性。因而，高磁導率材料的相對磁導率最好大于或等于1000。此外， 由于鎳鐵鉬超導磁合金的相對磁導率為800000，因而在權利要求書中，將相 對磁導率的上限設為800000。
而且如上所述，在由高磁導率材料構成盒主體31，并將IC標簽存放盒 30安裝在金屬制的對象物48上時，通過將盒主體31設置在IC標簽35和金 屬制的對象物48之間，能夠不依靠對象物的材質，就使由來自讀寫器47的 電磁波所形成的磁通C集中在被存放在IC標簽存放盒內的IC標簽41上(通 過IC標簽41)，確保電動勢，在IC標簽41和讀寫器47之間進行精度良好 的信息交換。
圖7是具有用于安裝在對象物上的粘結材料的IC標簽存放盒。如圖7 所示，通過在盒主體31的底板部31B上設置粘結材料49，能夠將IC標簽 存放盒30安裝在金屬制的對象物48上。
而且在本實施例中，雖然通過螺釘39使蓋體35安裝在盒主體31上， 但是，只要是將蓋體35是相對于盒主體31可裝卸的結構就行，蓋體35相
對于盒主體31的安裝方法在本實施例中沒有限制。例如也可以是采用在盒
主體31和蓋體35之間設置粘結材料而將蓋體35相對于盒主體31可裝卸的 結構。此外，本實施例的IC標簽存放盒30也可以適用于IC標簽，該IC標 簽具有與IC芯片相連的第一天線、和設置在第一天線外側的第二天線。
第二實施例
下文將參照圖8 10對本發(fā)明的第二實施例即IC標簽存放盒60進行介 紹。圖8是存放有IC標簽的本發(fā)明第二實施例的IC標簽存放盒的立體圖， 圖9是沿圖8所示結構體(IC標簽和IC標簽存放盒)的E-E線方向的剖視 圖，圖10是圖8所示結構體的分解立體圖。而且在圖8和9中，T2表示框 架61的厚度(下文稱作"厚度T2" ) ， T3表示底板62的厚度(下文稱作 "厚度T3")。在圖8 10中，與圖3所示結構體(IC標簽41和IC標簽 存放盒30)相同的結構部分由相同的附圖標記表示。
IC標簽存放盒60在存放有IC標簽41的狀態(tài)下安裝在想要管理信息的 制品或物體等對象物上(下文稱作"對象物")。IC標簽存放盒60大致由 蓋體35、螺釘39、框架61和底板62構成?？蚣?1為具有貫通部64的框 架形狀，具有可撓性。在將框架61安裝在底板62上時貫通部64成為用于 存放IC標簽41的空間。在框架61上與通孔37相對置的位置上形成有螺紋 孔65。螺紋孔65用于插入螺釘39的同時將蓋體35安裝在框架61上。框架 61的材料例如可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)、合 成高分子聚酰胺(尼龍)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)等樹脂、合成橡 膠。通過使用這種材料，框架61具有可撓性。還有，框架61的厚度T2取 決于所存放的IC標簽41的厚度，例如可以為0.5 5.0毫米。
底板62為由高磁導率材料形成的板狀的高磁導率構件，具有可撓性。IC 標簽存放盒60以底板62配置在IC標簽41和對象物之間的方式被安裝在對 象物上?？梢允褂玫谝粚嵤├信e的高磁導率材料制造底板62。在底板 62上與形成在框架61上的螺紋孔65相對置位置上形成有螺紋孔67。螺紋 孔67是用于緊固螺釘39的構件，蓋體35和框架61是通過該螺釘39，相對 于底板62可裝卸的結構。底板62的厚度T3例如為0.3 5.0毫米。
這樣，通過由螺釘39將蓋體35和框架61可裝卸地安裝在底板62上。
能夠將被存放在IC標簽存放盒60內的IC標簽41與其它IC標簽交換，針 對多個IC標簽，IC標簽存放盒60能夠通用。因而，與具有高磁導率材料 的現有的IC標簽15相比，能夠降低IC標簽41的制造成本。
這樣，在由高磁導率材料構成底板62，并將IC標簽存放盒60安裝在對 象物上時，通過將底板62配置在IC標簽41和對象物之間，從而不依靠對 象物的材質，就可使由來自讀寫器47的電磁波所形成的磁通C集中在被存 放在IC標簽存放盒60內的IC標簽41上(通過IC標簽41)，確保電動勢， 能夠在IC標簽41和讀寫器47之間進行精度良好的信息交換。
此外，雖然在本實施例中，由螺釘39，將蓋體35和框架61安裝在底板 62上，但是蓋體35和框架61只要是相對于底板62能夠裝卸的結構即可， 蓋體35和框架61相對于底板62的安裝方式并不局限于本實施例的手段。 而且，也可以通過在底板62與對象物的相對面上設置粘結材料，由該粘結 材料將IC標簽存放盒60安裝在對象物上。此外，IC標簽存放盒60也可以 適用于具有的第一天線和第二天線的IC標簽，其中，該第一天線與IC芯片 相連，該第二天線設置在第一天線外側。
第三實施例
下文將參照圖11 13對本發(fā)明的第三實施例即IC標簽存放盒70進行 介紹。圖11是存放有IC標簽的本發(fā)明第三實施例的IC標簽存放盒的立體 圖，圖12是沿圖11所示結構體(IC標簽和IC標簽存放盒)的F-F線方向 的剖視圖。還有，圖13是圖11所示結構體的分解立體圖。此外，在圖12 中，D2表示槽部72的深度(下文稱作"深度D2" ) , T4表示盒主體71 的底板部71A的厚度(下文稱作"厚度T4" ) ， T5表示高磁導率構件73 的厚度(下文稱作"厚度T5")。還有，在圖11 13中，與圖3所示結構 體(IC標簽41和IC標簽存放盒30)相同的結構部分由相同的附圖標記表不。
IC標簽存放盒70在存放有IC標簽41的狀態(tài)下安裝在想要管理信息的 制品或物體等對象物上(下文稱作"對象物")。IC標簽存放盒70大致由 蓋體35、螺釘39、盒主體71、高磁導率構件73構成。IC標簽存放盒70以 盒主體71配置在對象物和IC標簽41之間的方式安裝在對象物上。 盒主體71具有可撓性，包括用于存放IC標簽41的槽部72、和用于與 螺釘39嚙合的螺紋孔74。槽部72的深度D2取決于IC標簽41的厚度，例 如可以為0.5 5.0毫米。
螺紋孔74設置在與形成在蓋體35上的通孔37相對置的位置上。螺紋 孔74用于與在將蓋體35安裝在盒主體71上時所使用的螺釘39嚙合。盒主 體71的底板部71A的厚度T4例如可以為0.3 0.5毫米。
還有，盒主體71的材料例如可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、 聚乙烯(PE)、合成高分子聚酰胺(尼龍)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP) 等樹脂、合成橡膠。
高磁導率構件73為由高磁導率材料形成的板狀構件，具有可撓性。高 磁導率構件73以與IC標簽41相對的方式內置于盒主體71的底板部71A上。 作為高磁導率材料，可以使用第一實施例列舉的高磁導率材料。高磁導率構 件73的厚度T5例如為0.3 4.0毫米。
這樣，，以與IC標簽41相對的方式使高磁導率構件73內置于盒主體 71的底板部71A上，在將IC標簽存放盒70安裝在對象物上時，使IC標簽 41和盒主體71相對置，由此不依靠對象物的材質，就能使由來自讀寫器47 的電磁波所形成的磁通C集中在被存放在IC標簽存放盒70內的IC標簽41 上(通過IC標簽41),確保電動勢，能夠在IC標簽41和讀寫器47之間進 行精度良好的信息交換。
而且雖然在本實施例中，由螺釘39,將蓋體35安裝在盒主體71上，但 是蓋體35只要是相對于盒主體71可裝卸的結構就行，將蓋體35安裝在盒 主體31上的手段并不局限于本實施例的手段。此外，IC標簽存放盒70也可 以適用于具有與IC芯片相連的第一天線、和設置在第一天線外側的第二天 線的IC標簽。
第四實施例
參考圖14和圖15對本發(fā)明的第四實施例即IC標簽存放盒80進行介紹。 圖14是存放有IC標簽的本發(fā)明第四實施例的IC標簽存放盒的立體圖，圖 15是圖14所示結構體的分解立體圖。在圖14和圖15中，與圖3所示結構 體(IC標簽41和IC標簽存放盒30)相同的結構部分由相同的附圖標記表 示。
IC標簽存放盒80在存放有IC標簽41的狀態(tài)下安裝在想要管理信息的
制品或物體等對象物上(下文稱作對象物)。IC標簽存放盒80大致由蓋體 81、螺釘39、盒主體31、導波天線85構成。
蓋體81是具有柔性的板狀構件，在與盒主體31的螺紋孔33相對置的 位置上形成了通孔82。將蓋體81安裝在盒主體31上時所使用的螺釘39插 入通孔82內。作為蓋體81的材料，例如可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚乙烯(PE)、合成高分子聚酰胺(尼龍)、聚苯乙烯(PS)、 聚丙烯(PP)等樹脂、合成橡膠。通過使用這種材料，能夠使蓋體81具有 可撓性。
導波天線85由作為從動部件的電容部86、和作為從動部件的天線部87 構成。電容部86設置在蓋體81的上表面81A上并與天線部87電相連。作 為從動部件的天線部87以包圍設置在IC標簽41上的天線43的方式設置在 蓋體81的上表面81A上。
這樣，通過將具有電容部86和天線部87的導波天線87設置在蓋體81 的上表面81A上，由導波天線85接收來自讀寫器47的電磁波。通過使IC 標簽41的天線87和導波天線85電磁結合，能夠延長IC標簽41和讀寫器 47之間的通信距離，能夠在IC標簽41和讀寫器47之間進行精度良好的通 信。
圖16和17是具有導波天線的其它IC標簽存放盒的立體圖。如圖16所 示，也可以使配置了導波天線85的蓋體81與第二實施例說明的框架61以 及底板62組合而構成IC標簽存放盒90。而且如圖17所示，也可以使配置 了導波天線85的蓋體81與第三實施例說明的內置有高磁導率構件73的盒 主體71組合而構成IC標簽存放盒95。即使在IC標簽存放盒90、 95的場合 下，也可以獲得與本實施例的IC標簽存放盒80相同的效果。而且在IC標 簽存放盒80、 90、 95場合下，替代將導波天線85設置在蓋體81的表面81A 上，也可以采用將導波天線85設置在蓋體81的背面81B上的結構。而且， IC標簽存放盒80、90、95也可以適用于具有第一天線和第二天線的IC標簽， 其中，該第一天線與IC芯片相連，該第二天線設置在第一天線外側。 此外，本發(fā)明并不局限于具體公開實施例，在不脫離權利要求所規(guī)定的本發(fā) 明的范圍內能夠想出各種變更例或實施例。
權利要求
1.一種IC標簽存放盒，用于存放IC標簽，其特征在于，在存放了上述IC標簽的情況下與上述IC標簽相對置的一側，設置有由高磁導率材料構成的高磁導率構件。
2. 根據權利要求1所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 上述高磁導率材料的相對磁導率為1000 800000。
3. 根據權利要求1所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 上述高磁導率材料由以下組中的至少一種物質組成，該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
4. 根據權利要求1所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 在沒有設置上述高磁導率構件的一側設置有天線，該天線由從動部件構成。
5. —種IC標簽存放盒，其特征在于，具有 盒主體，其具有存放IC標簽的槽部；蓋體，其以堵塞上述槽部的方式設置在上述盒主體上，而且能夠使電磁 波進入，由高磁導率材料構成上述盒主體。
6. 根據權利要求5所述IC標簽存放盒，其特征在于， 上述高磁導率材料的相對磁導率為1000 800000。
7. 根據權利要求5所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 上述高磁導率材料由以下組中的至少五種物質組成，該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
8. 根據權利要求5所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 上述蓋體采用相對上述盒主體可裝卸的結構。
9. 根據權利要求5所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 在上述蓋體上設置有天線，該天線由從動部件構成。
10. —種IC標簽存放盒，其特征在于，具有 盒主體，其具有存放IC標簽的槽部；蓋體，其以堵塞上述槽部的方式設置在上述盒主體上，而且能夠使電磁 波進入， 在與上述IC標簽相對置的盒主體，設置有由高磁導率材料構成的高磁 導率構件。
11. 根據權利要求10所述的IC標簽存放盒，其特征在于，上述高磁導率材料的相對磁導率為1000 800000。
12. 根據權利要求10所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 上述高磁導率材料由以下組中的至少五種物質組成，該組由坡莫合金、鎳、鈷組成。
13. 根據權利要求10所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 上述蓋體采用相對上述盒主體可裝卸的結構。
14. 根據權利要求10所述的IC標簽存放盒，其特征在于， 在上述蓋體上設置有天線，該天線由從動部件構成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于存放IC標簽的IC標簽存放盒，其目的在于不增加IC標簽成本，就能夠精度良好地在IC標簽和讀寫器之間進行信息交流。因而本發(fā)明的IC標簽存放盒由蓋體和盒主體構成，其中，該蓋體由能夠使電磁波通過的材料形成，該盒主體具有用于存放IC標簽的槽部且由高磁導率材料形成。
文檔編號G09F3/18GK101099165SQ20058004640
公開日2008年1月2日 申請日期2005年1月11日 優(yōu)先權日2005年1月11日
發(fā)明者古谷長久 申請人:富士通株式會社