本發(fā)明涉及噴墨打印領(lǐng)域，特別涉及一種用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、噴墨打印為目前全球產(chǎn)品市占最大的打印技術(shù)之一，為了記錄與區(qū)別各種信息，在提供打印所需墨水或液體的墨盒或液匣中，或是在打印的噴墨頭等噴液裝置中，都會(huì)設(shè)置有各種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(non-volatile?memory，以下簡(jiǎn)稱nvm或存儲(chǔ)器)，來(lái)辨識(shí)與記錄液匣或噴墨頭的物性、電性參數(shù)、產(chǎn)品型號(hào)、生產(chǎn)序號(hào)、墨容量、耗墨量、有效時(shí)間等信息。圖1所示為美國(guó)專利us6019449所記載的現(xiàn)有技術(shù)，揭示了一臺(tái)打印機(jī)10內(nèi)各部系統(tǒng)的架構(gòu)，包含至少一個(gè)負(fù)責(zé)噴墨打印的噴墨頭12和供應(yīng)墨水的墨盒20，噴墨頭12內(nèi)設(shè)有噴頭存儲(chǔ)器16，墨盒20內(nèi)也設(shè)有墨盒存儲(chǔ)器28。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，這些存儲(chǔ)器設(shè)置在墨盒的外加芯片上、噴墨頭的外加芯片上、或直接設(shè)計(jì)在噴墨頭芯片中，打印機(jī)10內(nèi)的打印機(jī)電子系統(tǒng)和控制程序34分別經(jīng)由噴墨頭信號(hào)線18和墨盒信號(hào)線22來(lái)讀取或?qū)懭雵婎^存儲(chǔ)器16和墨盒存儲(chǔ)器28里的信息。這樣的架構(gòu)多年來(lái)已實(shí)施在噴墨打印的各項(xiàng)市售墨盒或噴墨頭產(chǎn)品中，已廣泛應(yīng)用。

2、近年來(lái)另一種應(yīng)用是含存儲(chǔ)器的外接電路板，如圖2a和圖2b所示，為記載于美國(guó)專利us9421783b2和us9573378b2的現(xiàn)有技術(shù)，其技術(shù)是針對(duì)一噴墨頭12設(shè)計(jì)一符合打印機(jī)電氣規(guī)格的外接電路板42，外接電路板42包含至少一外接電路板芯片43，并有多個(gè)外接電路板電氣接點(diǎn)44，此多個(gè)外接電路板電氣接點(diǎn)44對(duì)位貼合于噴墨頭12上的多個(gè)噴墨頭電氣接點(diǎn)45，對(duì)位貼合后如圖2b所示，貼合后以外接電路板芯片43里的存儲(chǔ)器取代噴墨頭12里的存儲(chǔ)器，可以達(dá)到更新或更換原本記錄于噴墨頭12內(nèi)存儲(chǔ)器里的數(shù)據(jù)的目的。

3、前述無(wú)論是設(shè)于墨盒、噴墨頭、或外接電路板里的存儲(chǔ)器必須是非揮發(fā)性(non-volatile)，實(shí)際應(yīng)用時(shí)依需求會(huì)有掩模式只讀存儲(chǔ)器(mask?read-only?memory，以下簡(jiǎn)稱mask?rom或掩模存儲(chǔ)器)、可編程只讀存儲(chǔ)器(programmable?read-only?memory，以下簡(jiǎn)稱prom或可編程存儲(chǔ)器)、或電可編程只讀存儲(chǔ)器(electrically?programmable?read-onlymemory，簡(jiǎn)稱eprom)等不同非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。掩模存儲(chǔ)器mask?rom和可編程存儲(chǔ)器prom同為寫(xiě)入后斷路式，掩模存儲(chǔ)器因是在晶圓制造階段以光罩(mask)來(lái)決定斷路或短路(open/short)，優(yōu)點(diǎn)是元件需要面積小，而且寫(xiě)入數(shù)據(jù)不易被改變或被破壞，適用于必須被保護(hù)的數(shù)據(jù)，但缺點(diǎn)是只能在晶圓制造階段就寫(xiě)入，無(wú)法在產(chǎn)品完成后再依需求寫(xiě)入，實(shí)際生產(chǎn)時(shí)非常欠缺彈性?？删幊檀鎯?chǔ)器恰好相反，若為了寫(xiě)入后為斷路式，通常是使用熔絲(fuse)式的可編程存儲(chǔ)器，寫(xiě)入時(shí)提供電流將欲寫(xiě)的該位元的熔絲燒斷，優(yōu)點(diǎn)是可在芯片封裝后或產(chǎn)品完成后依需求再自定義寫(xiě)入，但缺點(diǎn)是不需被寫(xiě)入的位元仍可以被寫(xiě)入或被破壞，無(wú)法用于必須被保護(hù)的數(shù)據(jù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，可以在芯片封裝后或產(chǎn)品完成后依需求再自定義寫(xiě)入數(shù)據(jù)，且已寫(xiě)入數(shù)據(jù)后不易再被改變，故而數(shù)據(jù)可以被保護(hù)。

2、本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其包括：多個(gè)可編程存儲(chǔ)器；至少一讀寫(xiě)端，用以讀取和寫(xiě)入所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器；至少一讀取回路，用以控制由所述讀寫(xiě)端提供的電流來(lái)讀取所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器；至少一寫(xiě)入回路；至少一寫(xiě)入致動(dòng)端，所述寫(xiě)入致動(dòng)端接受到寫(xiě)入致動(dòng)信號(hào)時(shí)，所述讀寫(xiě)端提供的電流經(jīng)所述寫(xiě)入回路對(duì)所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入。

3、根據(jù)本發(fā)明的前述實(shí)施方式，所述至少一讀取回路和所述至少一寫(xiě)入回路，并聯(lián)于所述讀寫(xiě)端與所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器之間。

4、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，所述至少一讀取回路包括至少一讀取致動(dòng)晶體管，所述讀取致動(dòng)晶體管用以控制由所述讀寫(xiě)端提供的讀取電流。

5、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，所述讀取致動(dòng)晶體管連接于所述讀寫(xiě)端與所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器之間，所述讀取致動(dòng)晶體管與所述讀寫(xiě)端連接。

6、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，所述至少一讀取回路還包括致低晶體管以及分壓器件，所述讀取致動(dòng)晶體管的柵極經(jīng)由所述分壓器件連接至所述讀寫(xiě)端，所述致低晶體管的第一極連接所述讀取致動(dòng)晶體管的柵極，所述致低晶體管的第二極接地，所述致低晶體管的柵極連接所述讀寫(xiě)端。

7、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，所述分壓器件為負(fù)載電阻。

8、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，所述分壓器件為負(fù)載晶體管，所述負(fù)載晶體管的第一極連接所述讀取致動(dòng)晶體管的柵極，所述負(fù)載晶體管的第二極以及柵極連接所述讀寫(xiě)端。

9、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，所述至少一寫(xiě)入回路包括至少一寫(xiě)入致動(dòng)晶體管，所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管受所述寫(xiě)入致動(dòng)端的寫(xiě)入致動(dòng)信號(hào)而開(kāi)啟，使得由所述讀寫(xiě)端提供的寫(xiě)入電流通過(guò)。

10、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，所述至少一寫(xiě)入回路還包括至少一寫(xiě)入致動(dòng)端負(fù)載電阻，所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管連接于所述讀寫(xiě)端與所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器之間，所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管的柵極與所述寫(xiě)入致動(dòng)端連接，所述寫(xiě)入致動(dòng)端負(fù)載電阻的一端與所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管的柵極連接，另一端接地。

11、根據(jù)本發(fā)明的前述任一實(shí)施方式，在所述讀寫(xiě)端接收讀取電流時(shí)，所述寫(xiě)入致動(dòng)端被配置接地或接收低電位信號(hào)。

12、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其包括至少一讀取回路、至少一寫(xiě)入回路以及至少一寫(xiě)入致動(dòng)端。在需要對(duì)多個(gè)可編程存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入時(shí)，寫(xiě)入致動(dòng)端接受到寫(xiě)入致動(dòng)信號(hào)，讀寫(xiě)端提供的電流經(jīng)寫(xiě)入回路對(duì)多個(gè)可編程存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入。在需要對(duì)多個(gè)可編程存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取時(shí)，寫(xiě)入致動(dòng)端不再接受到寫(xiě)入致動(dòng)信號(hào)，此時(shí)讀寫(xiě)端提供的電流經(jīng)讀取回路對(duì)多個(gè)可編程存儲(chǔ)器進(jìn)行讀取。上述噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)可以在芯片封裝后或產(chǎn)品完成后依需求再對(duì)可編程存儲(chǔ)器自定義寫(xiě)入數(shù)據(jù)，且已寫(xiě)入數(shù)據(jù)后不易再被改變，故而數(shù)據(jù)可以被保護(hù)。

技術(shù)特征：

1.一種用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少一讀取回路和所述至少一寫(xiě)入回路，并聯(lián)于所述讀寫(xiě)端與所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器之間。

3.如權(quán)利要求1所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少一讀取回路包括至少一讀取致動(dòng)晶體管，所述讀取致動(dòng)晶體管用以控制由所述讀寫(xiě)端提供的讀取電流。

4.如權(quán)利要求3所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述讀取致動(dòng)晶體管連接于所述讀寫(xiě)端與所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器之間，所述讀取致動(dòng)晶體管與所述讀寫(xiě)端連接。

5.如權(quán)利要求4所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少一讀取回路還包括致低晶體管以及分壓器件，所述讀取致動(dòng)晶體管的柵極經(jīng)由所述分壓器件連接至所述讀寫(xiě)端，所述致低晶體管的第一極連接所述讀取致動(dòng)晶體管的柵極，所述致低晶體管的第二極接地，所述致低晶體管的柵極連接所述讀寫(xiě)端。

6.如權(quán)利要求5所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述分壓器件為負(fù)載電阻。

7.如權(quán)利要求5所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述分壓器件為負(fù)載晶體管，所述負(fù)載晶體管的第一極連接所述讀取致動(dòng)晶體管的柵極，所述負(fù)載晶體管的第二極以及柵極連接所述讀寫(xiě)端。

8.如權(quán)利要求1所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少一寫(xiě)入回路包括至少一寫(xiě)入致動(dòng)晶體管，所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管受所述寫(xiě)入致動(dòng)端的寫(xiě)入致動(dòng)信號(hào)而開(kāi)啟，使得由所述讀寫(xiě)端提供的寫(xiě)入電流通過(guò)。

9.如權(quán)利要求8所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少一寫(xiě)入回路還包括至少一寫(xiě)入致動(dòng)端負(fù)載電阻，所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管連接于所述讀寫(xiě)端與所述多個(gè)可編程存儲(chǔ)器之間，所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管的柵極與所述寫(xiě)入致動(dòng)端連接，所述寫(xiě)入致動(dòng)端負(fù)載電阻的一端與所述寫(xiě)入致動(dòng)晶體管的柵極連接，另一端接地。

10.如權(quán)利要求8所述的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述讀寫(xiě)端接收讀取電流時(shí)，所述寫(xiě)入致動(dòng)端被配置接地或接收低電位信號(hào)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，其包括：多個(gè)可編程存儲(chǔ)器；至少一讀寫(xiě)端，用以讀取和寫(xiě)入多個(gè)可編程存儲(chǔ)器；至少一讀取回路，用以控制由讀寫(xiě)端提供的電流來(lái)讀取多個(gè)可編程存儲(chǔ)器；至少一寫(xiě)入回路；至少一寫(xiě)入致動(dòng)端，寫(xiě)入致動(dòng)端接受到寫(xiě)入致動(dòng)信號(hào)時(shí)，讀寫(xiě)端提供的電流經(jīng)寫(xiě)入回路對(duì)多個(gè)可編程存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于噴液裝置的存儲(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，可以在芯片封裝后或產(chǎn)品完成后依需求再對(duì)可編程存儲(chǔ)器自定義寫(xiě)入數(shù)據(jù)，且已寫(xiě)入數(shù)據(jù)后不易再被改變，故而數(shù)據(jù)可以被保護(hù)。

技術(shù)研發(fā)人員：簡(jiǎn)欣堂,林敬博,唐永謀,曾滄琪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海奔彩電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9