專利名稱：：接合方法、接合體、液滴噴出頭及液滴噴出裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及接合方法、接合體、液滴噴出頭及液滴噴出裝置。
背景技術(shù)：
：以往，在接合(粘接)兩個部件(基材)之間時，多使用使用環(huán)氧系粘接劑、尿烷系粘接劑、硅酮系粘接劑等粘接劑來進(jìn)行的方法。粘接劑可以不取決于部件的材質(zhì)而顯示粘接性。因此，可以將包括各種材料的部件之間以各種組合來粘接。例如，噴墨打印機(jī)具備的液滴噴出頭(噴墨式記錄頭)通過使用粘接劑粘接由樹脂材料、金屬材料、硅系材料等異種材料構(gòu)成的部件之間而構(gòu)成。在這樣使用粘接劑粘接部件之間時，將液態(tài)或糊劑狀粘接劑涂敷于粘接面，經(jīng)由涂敷的粘接劑，貼合部件之間。然后，若通過熱量或光的作用，使粘接劑固化，則部件之間基于錨定效果之類的物理相互作用、或化學(xué)鍵之類的化學(xué)相互作用來粘接。可是，在部件的粘接面涂敷粘接劑時，需要使用印刷法等煩雜的方法。另外，在對粘接面的一部分的區(qū)域有選擇地涂敷粘接劑的情況下，極其難以控制涂敷的粘接劑的位置精度或厚度。因此，例如，在所述液滴噴出頭中，存在不能通過粘接劑來有選擇地以高的尺寸精度粘接部件的粘接面的一部分的問題。其結(jié)果，可能引起對打印機(jī)的印字結(jié)果產(chǎn)生壞影響的問題等。另外，粘接劑的固化時間非常長，因此，還存在粘接需要長時間的問題。進(jìn)而，在大部分的情況下，為了提高粘接強(qiáng)度，需要使用預(yù)聚物，用于此的成本和勞力和時間導(dǎo)致粘接工序復(fù)雜化。另一方面，作為不使用粘接劑的接合方法，有基于固體接合的方法。5固體接合是不間介粘接劑等中間層，直接接合部件之間的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。根據(jù)這樣的固體接合可知，不使用粘接劑之類的中間層，因此，能夠得到尺寸精度高的接合體。然而，存在部件的材質(zhì)受到限制的問題。具體來說，通常，固體接合只能進(jìn)行同種材料之間的接合。另外，能夠接合的材料限于硅系材料或一部分金屬材料等。另外，由于進(jìn)行固體接合的氣氛限于減壓氣氛，還存在需要高溫(70080(TC左右)的熱處理等接合工序中的問題。進(jìn)而，在固體接合中，兩個部件的各接合面中相互接觸的面整體接合，不能進(jìn)行所謂有選擇地接合一部分的控制。因此，在接合熱膨脹率不同的異種材料之間的情況下，伴隨熱膨脹率，在接合界面產(chǎn)生大的應(yīng)力，可能引起接合體的翹起或剝離等問題。受到這樣的問題，正在尋求將兩個部件之間在接合面的一部分的區(qū)域有選擇地以高的尺寸精度牢固地接合的方法。專利文獻(xiàn)1:特開平5—82404號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)蓚€部件之間在接合面的一部分的區(qū)域有選擇地以高的尺寸精度牢固地接合的接合方法、將兩個部件之間在接合面的一部分的區(qū)域有選擇地以高的尺寸精度牢固地接合而成的接合體、具備所述接合體的可靠性高的液滴噴出頭、及具備所述液滴噴出頭的液滴噴出裝置。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明是一種接合方法，其特征在于，包括第一工序，其中，準(zhǔn)備在基材上具備等離子體聚合膜的第一粘附體；第二工序，其中，向所述等離子體聚合膜的表面中一部分的規(guī)定區(qū)域有選擇地賦予能量，使所述等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域活化；第三工序，其中，準(zhǔn)備第二粘附體，并且使所述已活化的等離子體聚合膜的表面與所述第二粘附體密接，由此得到所述第一粘附體和所述第二粘附體在所述等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域中部分地接合的接合體。根據(jù)這樣的本發(fā)明可知，能夠?qū)蓚€部件之間在接合面的一部分的區(qū)域有選擇地以高的尺寸精度牢固地接合。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述第二粘附體在其表面存在羥基及所述第二粘附體中的結(jié)合被切斷而成的活性的結(jié)合鍵的至少一方，在所述第三工序中，使所述等離子體聚合膜與所述第二粘附體的所述表面密接。由此，第二粘附體和等離子體聚合膜的接合強(qiáng)度提高，能夠更牢固地接合兩個粘附體。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述第二粘附體的表面被氧化膜覆蓋。由此，即使不實(shí)施羥基與第二粘附體的表面結(jié)合的處理，也能夠更牢固地接合兩個粘附體。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述第二粘附體具有基材，在該基材上設(shè)置且與所述第一粘附體具備的所述等離子體聚合膜相同的等離子體聚合膜；對于所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜，對其表面賦予能量，使該表面活化。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體中的接合強(qiáng)度的提高。另外，即使第二粘附體具備的基材為包括降低接合強(qiáng)度的材料的基材，也由于在該基材預(yù)先形成等離子體聚合膜，因此，能夠更牢固地接合第一粘附體和第二粘附體。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，對于所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜，對其表面的一部分的規(guī)定區(qū)域有選擇地賦予能量，使所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域活化。由此，僅通過在第一粘附體具備的等離子體聚合膜的表面和第二粘附體具備的等離子體聚合膜的表面分別形成簡單的形狀的各規(guī)定區(qū)域，就能夠作為接合第一粘附體和第二粘附體的接合部形成復(fù)雜的形狀的接合部。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述第一粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域及所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域的各自的俯視形狀為處于相互交叉的關(guān)系的條紋狀。由此，能夠效率良好地形成多個島狀復(fù)雜的形狀的接合部。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，在所述第三工序中，在所述第一粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域、和所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述活化的區(qū)域重疊的部分，所述第一粘附體和所述第二粘附體部分地接合。由此，與個別地形成所述重疊的部分即第一粘附體和第二粘附體的接合部的情況相比，能夠簡單且正確地控制該接合部的位置及形狀。其結(jié)果，能夠更簡單且正確地控制接合體的接合強(qiáng)度。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，通過對所述等離子體聚合膜的表面照射能量射線，進(jìn)行所述等離子體聚合膜的表面的所述活化。由此，能夠使等離子體聚合膜的表面效率良好地活化。另外，不以必要以上切斷等離子體聚合膜中的分子結(jié)構(gòu)，因此，能夠避免等離子體聚合膜的特性降低。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述光為波長150300nm的紫外光。由此，能夠防止等離子體聚合膜的特性的顯著的降低，同時，能夠?qū)V的范圍沒有不均地在更短時間內(nèi)處理。因此，能夠效率良好地進(jìn)行等離子體聚合膜的表面的活化。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，在大氣氣氛中進(jìn)行所述能量射線的照射。由此，不需要在控制氣氛時花費(fèi)勞力和時間或成本，能夠更簡單地進(jìn)行活化處理。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述等離子體聚合膜以聚有機(jī)硅氧烷或有機(jī)金屬聚合物為主材料構(gòu)成。由此，能夠更牢固地接合第一粘附體和第二粘附體。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述聚有機(jī)硅氧垸以八甲基三硅氧烷的聚合物為主成分。由此，得到粘接性優(yōu)越的等離子體聚合膜。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述聚有機(jī)硅氧烷包含Si—H鍵。認(rèn)為Si—H鍵阻礙硅氧烷鍵的生成有序地進(jìn)行的情況。因此，硅氧烷鍵避開Si—H鍵地形成，聚有機(jī)硅氧烷中的Si骨架的有序性降低。其結(jié)果，以聚有機(jī)硅氧烷為主材料的等離子體聚合膜的結(jié)晶性降低，接合強(qiáng)度、耐藥品性及尺寸精度高。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，在所述包含Si—H鍵的聚有機(jī)硅氧烷的紅外光吸收光譜中，將歸屬于硅氧垸鍵的峰強(qiáng)度設(shè)為1時，歸屬于Si—H鍵的峰強(qiáng)度為0.0010.2。由此，利用硅氧烷鍵構(gòu)成等離子體聚合膜中的骨架部分，由此能夠高度地同時實(shí)現(xiàn)膜強(qiáng)度變高的作用、和基于Si—H鍵的聚有機(jī)硅氧垸的結(jié)晶性降低的作用。其結(jié)果，等離子體聚合膜在接合強(qiáng)度、耐藥品性及尺寸精度上尤其優(yōu)越。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，在關(guān)于所述聚有機(jī)硅氧垸的紅外光吸收光譜中，歸屬于硅氧垸鍵的峰強(qiáng)度設(shè)為1時，歸屬于甲基的峰強(qiáng)度為0.050.45。由此，防止甲基以必要以上阻礙硅氧垸鍵的生成的情況，同時，在聚有機(jī)硅氧烷中產(chǎn)生必要且充分的數(shù)量的活性鍵，因此，在等離子體聚合膜產(chǎn)生充分的粘接性。另外，在等離子體聚合膜顯示甲基引起的充分的耐氣候性及耐藥品性。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述有機(jī)金屬聚合物以三甲基鎵或三甲基鋁的聚合物為主成分。由此，尤其能夠牢固地接合第一粘附體和第二粘附體，并且，能夠向等離子體聚合膜賦予導(dǎo)電性。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述等離子體聚合膜的平均厚度為1010000nm。由此，能夠防止接合了第一粘附體和第二粘附體的接合體的尺寸精度顯著降低的情況，同時，能夠更牢固地接合。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，在所述第三工序后，具有對所述接合體實(shí)施熱處理的工序。由此，能夠進(jìn)一步提高接合體中的接合強(qiáng)度。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，在所述第三工序后，具有對所述9接合體加壓的工序。由此，能夠進(jìn)一步提高接合體中的接合強(qiáng)度。另外，優(yōu)選在本發(fā)明的接合方法中，所述第一粘附體是預(yù)先在所述第一基材上實(shí)施了基于等離子體的襯底處理后，在實(shí)施了該襯底處理的區(qū)域形成所述等離子體聚合膜而成的。由此，清潔化及活化基材的接合面，在接合面上形成了等離子體聚合膜時，能夠提高接合面和等離子體聚合膜的接合強(qiáng)度。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明是一種接合體，其特征在于，具有第一基材及第二基材，以及等離子體聚合膜；所述第一基材和所述第二基材經(jīng)由所述等離子體聚合膜中的一部分的規(guī)定區(qū)域部分地接合。根據(jù)這樣的本發(fā)明可知，得到將兩個部件之間在接合面的一部分的區(qū)域有選擇地以高的尺寸精度牢固地接合而成的接合體。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明是一種液滴噴出頭，其特征在于，具備本發(fā)明的接合體。根據(jù)這樣的本發(fā)明可知，得到可靠性高的液滴噴出裝置。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明是一種液滴噴出裝置，其特征在于，具備本發(fā)明的液滴噴出頭。根據(jù)這樣的本發(fā)明可知，得到可靠性高的液滴噴出裝置。圖1是以示意性表示在本發(fā)明的接合方法中使用的等離子體聚合裝置的縱向剖面圖。圖2是用于說明本發(fā)明的接合方法的第一實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。圖3是用于說明本發(fā)明的接合方法的第一實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。圖4是用于說明本發(fā)明的接合方法的第二實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。圖5是用于說明本發(fā)明的接合方法的第二實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。圖6是用于說明本發(fā)明的接合方法的第三實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。圖7是表示適用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴出頭)的分解立體圖。圖8是表示圖7所示的噴墨式記錄頭的主要部的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖9是表示具備圖7所示的噴墨式記錄頭的噴墨打印機(jī)的實(shí)施方式的概略圖。具體實(shí)施例方式以下，基于附圖所示的適當(dāng)實(shí)施方式，詳細(xì)說明本發(fā)明的接合方法、接合體、液滴噴出頭及液滴噴出裝置。<接合方法〉本發(fā)明的接合方法為將兩個基材(第一基材21及第二基材22)經(jīng)由等離子體聚合膜3在接合面的一部分的區(qū)域位置有選擇地接合的方法。根據(jù)所述方法可知，能夠?qū)蓚€基材21、22在接合面的一部分的區(qū)域位置有選擇地以高的尺寸精度牢固地接合。在此，在說明本發(fā)明的接合方法之前，首先，說明在形成所述等離子體聚合膜時使用的等離子體聚合裝置。圖1是以示意性表示在本發(fā)明的接合方法中使用的等離子體聚合裝置的縱向剖面圖。還有，在以下的說明中，將圖1中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。圖1所示的等離子體聚合裝置100具備腔室101;支撐第一基材21的第一電極130;第二電極140;向各電極130、140之間施加高頻電壓的電源回路180;向腔室101內(nèi)供給氣體的氣體供給部190;排出腔室101內(nèi)的氣體的排氣泵170。這些各部中第一電極130及第二電極140設(shè)置于腔室101內(nèi)。以下，詳細(xì)說明各部。腔室101為能夠保持內(nèi)部的氣密的容器，將內(nèi)部形成為減壓(真空)狀態(tài)而使用，因此，使其具有能夠經(jīng)得住內(nèi)部和外部的壓差的耐壓性能。圖1所示的腔室101包括軸線沿水平方向配置的呈大致圓筒形的腔室主體；密封腔室主體的左側(cè)開口部的圓形的側(cè)壁；密封右側(cè)開口部的圓形的側(cè)壁。在腔室101的上方設(shè)置有供給口103，在下方設(shè)置有排氣口104。還有，在供給口103連接有氣體供給部190，在排氣口104連接有排氣泵170。還有，在本實(shí)施方式中，腔室101包括導(dǎo)電性高的金屬材料，經(jīng)由接地線102電方面接地。供給口103呈板狀，支撐第一基材21。該第一電極130在腔室101的側(cè)壁的內(nèi)壁面沿鉛垂方向設(shè)置，由此，第一電極130經(jīng)由腔室101電方面接地。還有，第一電極130如圖1所示，設(shè)置為與腔室主體同心狀。在第一電極130的支撐第一基材21的面設(shè)置有靜電卡盤(吸附機(jī)構(gòu))139。利用該靜電卡盤139，如圖l所示，能夠沿鉛垂方向支撐第一基材21。另外，即使在第一基材21存在少量的翹起，也能夠通過吸附于靜電卡盤139，以矯正了所述翹起的狀態(tài)將第一基材21供給于等離子體處理。第二電極140經(jīng)由第一基材21與第一電極130對置而設(shè)置。還有，第二電極140以從腔室101的側(cè)壁的內(nèi)壁面遠(yuǎn)離(被絕緣)的狀態(tài)設(shè)置。在該第二電極140經(jīng)由配線184連接有高頻電源182。另外，在配線184的中途設(shè)置有匹配盒183(耦合器)。利用這些配線184、高頻電源182及匹配盒183，構(gòu)成電源回路180。根據(jù)這樣的電源回路180可知，第一電極130接地，因此，向第一電極130和第二電極140之間施加高頻電壓。由此，在第一電極130和第二電極140的間隙之間感應(yīng)高的頻率且朝向反轉(zhuǎn)的電場。氣體供給部190向腔室101內(nèi)供給規(guī)定的氣體。圖l所示的氣體供給部190具有貯存液態(tài)的膜材料(原料液)的液體貯存部191;將液態(tài)的膜材料氣化，使其變化為氣體狀的氣化裝置192;貯存載體氣體的氣體容器193。另外，這些各部和腔室101的供給口103分別由配管194連接，將氣態(tài)膜材料(原料氣體)和載體氣體的混合氣體從供給口103向腔室101內(nèi)供給。在液體貯存部191貯存的液態(tài)膜材料通過等離子體聚合裝置100，聚合而成為在第一基材21的表面形成聚合膜的原材料。這樣的液態(tài)膜材料利用氣化裝置192氣化，成為氣態(tài)的膜材料(原料氣體)，供給于腔室101內(nèi)。還有，關(guān)于原料氣體，在后詳述。在氣體容器193貯存的載體氣體是通過電場的作用來放電，且為了維持該放電而導(dǎo)入的氣體。作為這樣的載體氣體，例如，可以舉出Ar氣體、He氣體等。另外，在腔室101內(nèi)的供給口103的附近設(shè)置有擴(kuò)散板195。擴(kuò)散板195具有促進(jìn)向腔室101內(nèi)供給的混合氣體的擴(kuò)散。由此，混合氣體可以在腔室101內(nèi)以大致均勻的濃度分散。排氣泵170將腔室101內(nèi)排氣，例如，由油旋轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等。這樣，通過將腔室101內(nèi)排氣而減壓，能夠容易地將氣體等離子體化。另外，能夠防止與大氣氣氛的接觸引起的第一基材21的污染*氧化等，并且，能夠從腔室101內(nèi)有效地除去等離子體處理引起的反應(yīng)產(chǎn)物。另外，在排氣口104設(shè)置有調(diào)節(jié)腔室101內(nèi)的壓力的壓力控制機(jī)構(gòu)171。由此，根據(jù)氣體供給部190的工作狀況，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定腔室101內(nèi)的壓力?！兜谝粚?shí)施方式》其次，關(guān)于本發(fā)明的接合方法的第一實(shí)施方式，將使用了上述等離子體聚合裝置100的情況作為例子來進(jìn)行說明。圖2及圖3是用于說明本發(fā)明的接合方法的第一實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖2及圖3中的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。本實(shí)施方式的接合方法具有準(zhǔn)備第一基材21，在第一基材21的表面上形成等離子體聚合膜3的工序(第一工序)；對等離子體聚合膜3的表面中一部分的規(guī)定區(qū)域有選擇地賦予能量，使該表面的規(guī)定區(qū)域有選擇地活化的工序(第二工序)；準(zhǔn)備第二基材22(第二粘附體)，使第二基材22和活化的等離子體聚合膜3的表面接觸地貼合第一基材21和第二基材22，得到接合體的工序(第三工序)；加熱接合體的同時加壓的工序。以下，依次說明各工序。13[l]首先，準(zhǔn)備第一基材21。這樣的第一基材21的構(gòu)成材料不特別限定，但可以舉出聚苯硫醚、芳族聚酰胺系樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、環(huán)烯烴聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚烯丙基酯之類的樹脂材料、不銹鋼、鋁、鉭、鈦、氧化銦錫(ITO)之類的金屬材料、單晶硅、多晶硅、石英玻璃之類的硅系材料、鋁之類的陶瓷材料、或組合這些材料的一種或兩種以上的復(fù)合材料等。其次，根據(jù)需要對第一基材21的接合面23實(shí)施襯底處理。由此，將接合面23清潔化及活化。其結(jié)果，在后述的工序中，在接合面23形成了等離子體聚合膜3時，能夠提高接合面23和等離子體聚合膜3的接合強(qiáng)度。作為該襯底處理，不特別限定，但例如，可以舉出氧等離子體處理、蝕刻處理、電子射線處理、紫外線照射處理等。還有，實(shí)施襯底處理的第一基材21包括樹脂材料(高分子材料)的情況下，尤其適合使用電暈放電處理、氮等離子體處理等。其次，如圖2(a)(c)所示，在第一基材21的接合面23形成等離子體聚合膜3(第一工序)。由此，形成具有第一基材21和等離子體聚合膜3的第一粘附體。所述等離子體聚合膜3可以通過在強(qiáng)電場中，供給原料氣體和載體氣體的混合氣體，將原料氣體中的分子聚合而得到。具體來說，首先，在腔室101內(nèi)收容第一基材21，形成為密封狀態(tài)后，通過排氣泵170的工作，將腔室101內(nèi)形成為減壓狀態(tài)。其次，使氣體供給部l卯工作，向腔室101內(nèi)供給原料氣體和載體氣體的混合氣體。被供給的混合氣體填充于腔室101內(nèi)(參照圖2(a))?；旌蠚怏w中的原料氣體所占的比例(混合比)根據(jù)原料氣體或載體氣體的種類或作為目的的成膜速度等而略不同，但例如，優(yōu)選將混合氣體中的原料氣體的比例設(shè)定為2070%左右，更優(yōu)選設(shè)定為3060%左右。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)聚合膜的形成(成膜)的條件的最佳化。另外，根據(jù)氣體的種類或作為目的的成膜速度、膜厚等而適當(dāng)?shù)卮_定供給的氣體的流量，不特別限定，但通常優(yōu)選將原料氣體及載體氣體的流說明書第ll/40頁量分別設(shè)定為1100ccm左右，更優(yōu)選設(shè)定為1060ccm左右。其次，使電源回路180工作，向一對電極130、140之間施加高頻電壓。由此，在一對電極130、140之間存在的氣體的分子電離，產(chǎn)生等離子體。通過該等離子體的能量，原料氣體中的分子聚合，如圖2(b)所示，聚合物附著，堆積在第一基材21上。由此，在第一基材21上形成等離子體聚合膜3(參照圖2(c))。作為原料氣體，例如，可以舉出甲基硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧垸、十甲基環(huán)五硅氧垸、八甲基環(huán)四硅氧烷、甲基苯基硅氧垸之類的有機(jī)硅氧垸、三甲基鎵、三乙基鎵、三甲基鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基銦、三乙基銦、三甲基鋅、三乙基鋅之類的有機(jī)金屬系化合物、各種烴系化合物、各種氟系化合物等。使用這樣的原料氣體得到的等離子體聚合膜3包括這些原料聚合而成的物質(zhì)(聚合物)即聚有機(jī)硅氧垸、有機(jī)金屬聚合物、烴系聚合物、氟系聚合物等。其中，等離子體聚合膜3尤其優(yōu)選以聚有機(jī)硅氧烷或有機(jī)金屬聚合物為主材料。由此，等離子體聚合膜3能夠更牢固地接合第一基材21和第二基材22。另外，其中，聚有機(jī)硅氧烷通常顯示疏水性，但通過實(shí)施各種活化處理，能夠使有機(jī)基等脫離基容易地脫離，能夠變化為親水性。即，具有能夠容易地進(jìn)行等離子體聚合膜3的疏水性和親水性的控制的優(yōu)點(diǎn)。另外，包括顯示疏水性的聚有機(jī)硅氧垸的等離子體聚合膜3在后述的工序中，即使與第二基材接觸，也由于在等離子體聚合膜3的表面存在的有機(jī)基等脫離基，粘接被阻礙，極其難以粘接。另一方面，包括顯示親水性的聚有機(jī)硅氧烷的等離子體聚合膜3在與第二基材接觸的情況下，能夠進(jìn)行兩者的粘接。即，能夠容易地進(jìn)行疏水性和親水性的控制的優(yōu)點(diǎn)與能夠容易地進(jìn)行粘接性的控制的優(yōu)點(diǎn)息息相關(guān)，因此，包括聚有機(jī)硅氧烷的等離子體聚合膜3在本發(fā)明的接合方法中適當(dāng)?shù)厥褂谩Ａ硗?，聚有機(jī)硅氧垸比較富有彈性，因此，例如，在第一基材21和第二基材22的各構(gòu)成材料相互不同的情況下，也能夠緩和伴隨在各基材21、22之間產(chǎn)生的熱膨脹的應(yīng)力。由此，在最終得到的接合體l中，能夠可靠地防止剝離。進(jìn)而，聚有機(jī)硅氧浣的耐藥品性優(yōu)越，因此，在長期暴露于藥品類等的部件的接合時能夠有效地使用。具體來說，例如，在制造使用容易侵蝕樹脂材料的有機(jī)系墨液的工業(yè)用噴墨打印機(jī)的液滴噴出頭時，通過使用以聚有機(jī)硅氧垸為主材料的等離子體聚合膜3，能夠提高其耐久性。另外，在聚有機(jī)硅氧烷中，尤其優(yōu)選以八甲基三硅氧烷的聚合物為主成分。以八甲基三硅氧烷的聚合物為主成分的等離子體聚合膜的粘接性特別優(yōu)越，因此，在本發(fā)明的接合方法中，尤其適合使用。另外，以八甲基三硅氧垸為主成分的原料在常溫下呈液態(tài)，具有適度的粘度，因此，還具有容易處理的優(yōu)點(diǎn)。另外，聚有機(jī)硅氧烷優(yōu)選包含Si—H鍵。認(rèn)為在適度地包含該Si—H鍵的聚有機(jī)硅氧垸中，Si—H鍵阻礙硅氧烷鍵的生成有序地進(jìn)行。由此，硅氧烷鍵避開Si—H鍵地形成，聚有機(jī)硅氧烷中的Si骨架的有序性降低。其結(jié)果，以聚有機(jī)硅氧垸為主材料的等離子體聚合膜3的結(jié)晶性低。這樣的結(jié)晶性低的等離子體聚合膜難以發(fā)生結(jié)晶材料特有的晶界中的轉(zhuǎn)位或偏移等缺陷。因此，等離子體聚合膜3自身成為接合強(qiáng)度、耐藥品性及尺寸精度高的膜，在最終得到的接合體中，也得到接合強(qiáng)度、耐藥品性及尺寸精度高的接合體。另一方面，不是聚有機(jī)硅氧垸中的Si—H鍵的含量越多，越提高所述等離子體聚合膜3的特性，而是Si—H鍵的含量優(yōu)選在規(guī)定的范圍內(nèi)。即，在聚有機(jī)硅氧烷的紅外光吸收光譜中，歸屬于硅氧烷鍵的峰的強(qiáng)度設(shè)為1時，歸屬于Si—H鍵的峰的強(qiáng)度優(yōu)選0.0010.2左右，更優(yōu)選0.0020.05左右，進(jìn)而優(yōu)選0.0050.02左右。通過使Si—H鍵的相對于硅氧烷鍵的比例為所述范圍內(nèi)，利用硅氧烷鍵構(gòu)筑等離子體聚合膜3的骨架部分，由此能夠高度地同時實(shí)現(xiàn)膜強(qiáng)度變高的作用、和基于Si—H鍵的聚有機(jī)硅氧烷的結(jié)晶性降低的作用。其結(jié)果，等離子體聚合膜3在接合強(qiáng)度、耐藥品性及尺寸精度上尤其優(yōu)越。另外，通過對聚有機(jī)硅氧烷實(shí)施活化處理，從等離子體聚合膜3脫離的所述脫離基從聚有機(jī)硅氧垸中的Si骨架脫離，由此在等離子體聚合膜3產(chǎn)生活性鍵。從而，需要通過對脫離基賦予能量，比較簡單且均勻地脫離，但在不賦予能量時，與Si骨架可靠地結(jié)合以不脫離。作為這樣的脫離基，例如，優(yōu)選使用選自由H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子及鹵素系原子、或包含這些各原子且這些各原子與聚有機(jī)硅氧垸中的Si骨架結(jié)合的方式配置的原子團(tuán)的組中的至少一種。所述脫離基的基于能量的賦予的結(jié)合/脫離的選擇性比較優(yōu)越。因此，這樣的脫離基能夠充分地滿足如上所述的必要性，能夠使帶有接合膜的基材的粘接性變得更高度。另外，作為如上所述的各原子與聚有機(jī)硅氧烷中的Si骨架結(jié)合的方式配置的原子團(tuán)(基團(tuán))，例如，可以舉出甲基、乙基之類的烷基、乙烯基、烯丙基之類的鏈烯基、醛基、酮基、羧基、氨基、酰胺基、硝基、鹵化烷基、巰基、磺酸基、氰基、異氰酸酯基等。在這些各基團(tuán)中，所述有機(jī)基尤其優(yōu)選垸基。烷基的化學(xué)穩(wěn)定性高，因此，包含烷基的等離子體聚合膜3的耐氣候性及耐藥品性優(yōu)越。在此，所述有機(jī)基為甲基(一CH"的情況下，根據(jù)紅外光吸收光譜中的峰強(qiáng)度，如下所述地規(guī)定其優(yōu)選的含量。艮P，在聚有機(jī)硅氧垸的紅外光吸收光譜中，歸屬于硅氧烷鍵的峰的強(qiáng)度設(shè)為1時，歸屬于甲基的峰的強(qiáng)度優(yōu)選0.050.45左右，更優(yōu)選0.10.4左右，進(jìn)而優(yōu)選0.20.3左右。通過甲基的峰強(qiáng)度相對于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度的比例在所述范圍內(nèi)，防止甲基以必要以上阻礙硅氧烷鍵的生成，同時，在聚有機(jī)硅氧烷中產(chǎn)生必要且充分的數(shù)量的活性鍵，因此，在等離子體聚合膜3產(chǎn)生充分的粘接性。另外，在等離子體聚合膜3顯示甲基引起的充分的耐氣候性及耐藥品性。另一方面，有機(jī)金屬聚合物能夠通過經(jīng)過活化處理，顯示優(yōu)越的導(dǎo)電性，并且，能夠更牢固地接合兩個基材21、22。從而，包括有機(jī)金屬聚合物的等離子體聚合膜3通過經(jīng)過后述的活化處理，能夠構(gòu)成可以作為能夠可靠地防止剝離等的可靠性高的配線等的接合體1。另外，在有機(jī)金屬聚合物中，也尤其優(yōu)選以三甲基鎵或三甲基鋁的聚合物為主成分。這些成分在有機(jī)金屬聚合物中，也尤其牢固地接合兩個基材21、22，并且，通過經(jīng)過活化處理，能夠使等離子體聚合膜顯示高的導(dǎo)電性。17在等離子體聚合時，向一對電極130、140之間施加的高頻的頻率不特別限定，但優(yōu)選lkHz100MHz，更優(yōu)選1060MHz左右。另夕卜，高頻的輸出密度不特別限定，但優(yōu)選0.01100W/cm2左右，更優(yōu)選0.150W/cn^左右，進(jìn)而優(yōu)選140W/cr^左右。通過將高頻的輸出密度設(shè)為所述范圍內(nèi)，能夠防止高頻的輸出密度過高，對原料氣體賦予必要以上的等離子體能量的情況，同時，能夠可靠地形成等離子體聚合膜3。即，在高頻的輸出密度小于所述下限值的情況下，不能使原料氣體中的分子發(fā)生聚合反應(yīng)，可能不能形成等離子體聚合膜3。另一方面，在高頻的輸出密度大于所述上限值的情況下，原料氣體發(fā)生分解等，能夠成為脫離基的結(jié)構(gòu)從聚有機(jī)硅氧垸中的Si骨架分離，在得到的等離子體聚合膜3中脫離基的含量顯著降低，因此，等離子體聚合膜3的接合強(qiáng)度可能降低。另外，成膜時的腔室101內(nèi)的壓力優(yōu)選133.3X10—51333Pa(lX10—510Torr)左右，更優(yōu)選133.3Xl(T4133,3Pa(1X10-4lTorr)左右。原料氣體流量優(yōu)選0.5200sccm左右，更優(yōu)選1100sccm左右。另一方面，載體氣體流量優(yōu)選5750sccm左右，更優(yōu)選10500sccm左右。處理時間優(yōu)選110分鐘左右，更優(yōu)選47分鐘左右。另外，第一基材21的溫度優(yōu)選25"以上，更優(yōu)選2510(TC左右。通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定這樣的條件，能夠沒有不均地形成致密的等離子體聚合膜3。還有，在本實(shí)施方式中，說明使用等離子體聚合裝置，在第一基材21上形成等離子體聚合膜3的步驟，但預(yù)先準(zhǔn)備具備等離子體聚合膜的基材(粘附體)，使用所述粘附體也可。另外，等離子體聚合膜3的平均厚度優(yōu)選1010000nm左右，更優(yōu)選505000nm左右。通過將等離子體聚合膜3的平均厚度設(shè)為所述范圍內(nèi)，能夠防止接合了第一基材21和第二基材22的接合體的尺寸精度顯著降低的情況，同時，能夠更可靠地接合。艮口，在等離子體聚合膜3的平均厚度小于所述下限值的情況下，可能得不到充分的接合強(qiáng)度。另一方面，在等離子體聚合膜3的平均厚度大于所述上限值的情況下，接合體的尺寸精度可能顯著降低。進(jìn)而，在等離子體聚合膜3的平均厚度為所述范圍內(nèi)的情況下，對等離子體聚合膜3確保某種程度的形狀追隨性。因此，例如，在第一基材21的接合面(與等離子體聚合膜3鄰接的面)存在凹凸的情況下，雖然取決于所述凹凸的高度，但也可以追隨凹凸的形狀地使等離子體聚合膜3粘附。其結(jié)果，等離子體聚合膜3能夠吸收凹凸，緩和在其表面產(chǎn)生的凹凸的高度。還有，如上所述的形狀追隨性的程度是等離子體聚合膜3的厚度越厚而越顯著。從而，為了充分地確保形狀追隨性，盡量增大等離子體聚合膜3的厚度即可。其次，對得到的等離子體聚合膜3的表面31中一部分的規(guī)定區(qū)域賦予能量。由此，表面31附近的結(jié)合的一部分被切斷，活化表面31(第二工序)。作為向等離子體聚合膜3的表面31賦予能量的方法，只要是能夠活化表面31的方法，就可以為任意的方法，但優(yōu)選照射能量射線的方法。根據(jù)所述方法可知，不以必要以上切斷等離子體聚合膜3中的分子結(jié)構(gòu)，(例如，到達(dá)與第一基材21的界面為止)，因此，能夠避免等離子體聚合膜3的特性降低。作為能量射線，例如，可以舉出紫外光、激光之類的光、電子射線、粒子射線等。另外，對能量射線，尤其如圖2(d)所示，優(yōu)選使用照射波長150300nm左右的紫外光的方法。根據(jù)所述紫外光可知，能夠防止等離子體聚合膜3的特性的顯著的降低，同時，能夠?qū)V的范圍沒有不均地更短時間內(nèi)處理。因此，能夠更效率良好地進(jìn)行等離子體聚合膜3的表面31的活化。另外，紫外光還具有能夠由紫外燈等簡單的設(shè)備產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)。還有，紫外光的波長更優(yōu)選160200nm左右。另外，照射紫外光的時間只要是能夠切斷等離子體聚合膜3的表面31附近的結(jié)合的程度的時間即可，不特別限定，但優(yōu)選0.530分鐘左右，更優(yōu)選110分鐘左右。另外，對等離子體聚合膜3的能量射線的照射可以在任意的氣氛中進(jìn)行，但優(yōu)選在大氣氣氛中進(jìn)行。由此，在控制氣氛時，不需要花費(fèi)勞力和時間或成本，能夠更簡單地進(jìn)行活化處理。還有，對等離子體聚合膜3的表面31中一部分的規(guī)定區(qū)域照射能量射線的情況下，只要是激光、電子射線之類的指向性高的能量射線，就能夠通過朝向目的的方向照射，對規(guī)定區(qū)域有選擇地且簡單地照射能量射線。另外，在指向性低的能量射線的情況下，也只要覆蓋等離子體聚合膜3的表面31中規(guī)定區(qū)域以外的區(qū)域而照射，就能夠?qū)σ?guī)定區(qū)域有選擇地照射能量射線。具體來說，如圖2(d)所示，在等離子體聚合膜3的表面31上設(shè)置具有呈與應(yīng)照射紫外光的規(guī)定區(qū)域310的形狀對應(yīng)的形狀的窗部41的掩模4，隔著該掩模4，照射紫外光即可。若這樣，則能夠?qū)Φ入x子體聚合膜3的表面31中如圖2(d)所示的規(guī)定區(qū)域310有選擇地照射紫外光。通過使周圍的水分與這樣活化的等離子體聚合膜3的表面31的規(guī)定區(qū)域310接觸，羥基(OH基)自然地結(jié)合。還有，所述"活化"是指切斷表面31附近及內(nèi)部的結(jié)合，未被末端化的結(jié)合鍵(懸空鍵)產(chǎn)生的狀態(tài)或羥基結(jié)合在其被切斷的結(jié)合鍵的狀態(tài)的任一方或這些狀態(tài)混在的狀態(tài)。還有，在等離子體聚合膜3包括有機(jī)金屬聚合物的情況下，若向等離子體聚合膜3賦予能量，則從等離子體聚合膜3中除去有機(jī)成分，導(dǎo)電性成分成為支配性。其結(jié)果，被賦予能量(經(jīng)過了活化處理)的等離子體聚合膜3顯示導(dǎo)電性。其次，準(zhǔn)備第二基材22，使該第二基材22、和在所述[3]中活化的等離子體聚合膜3的表面31的規(guī)定區(qū)域310接觸地貼合兩個基材21、22(參照圖3(e))。由此，第一基材21的等離子體聚合膜3和第二基材22如圖3(f)所示，在規(guī)定區(qū)域310接合。其結(jié)果，得到接合體l(第三工序)。在此，準(zhǔn)備的第二基材22的構(gòu)成材料與第一基材21不同也可。還有，兩個基材21、22的熱膨脹率優(yōu)選大致相等，但相互不同也可。若各基材21、22的熱膨脹率大致相等，則在接合了兩個基材21、22時，在其接合界面難以產(chǎn)生伴隨熱膨脹的應(yīng)力。其結(jié)果，在最終得到的接合體1中，能夠可靠地防止剝離。另外，在后詳述，但在各基材21、22的熱膨20脹率相互不同的情況下，也在后述的工序中，最佳化貼合兩個基材21、22時的條件，由此能夠以高的尺寸精度牢固地接合兩個基材21、22之間。另外，兩個基材21、22優(yōu)選剛性相互不同。由此，能夠更牢固地接合兩個基材21、22。另外，兩個基材21、22中至少一方的構(gòu)成材料優(yōu)選包括樹脂材料。樹脂材料由于其柔軟性，在接合了兩個基材21、22時，能夠緩和在其接合界面產(chǎn)生的應(yīng)力(例如，伴隨熱膨脹的應(yīng)力等)。因此，接合界面變得難以破壞，其結(jié)果，能夠得到接合強(qiáng)度高的接合體l。在這樣得到的接合體l中，不是如在以往的接合方法中使用的粘接劑一樣，基于錨定效果之類的物理結(jié)合的粘接，而是基于如共價鍵一樣在短時間內(nèi)引起的牢固的化學(xué)鍵，接合第一基材21和第二基材22。因此，接合體l極其難以剝離，接合不均等也難以發(fā)生。另外，根據(jù)本發(fā)明的接合方法可知，不需要如以往的固體接合一樣高溫(70080(TC左右)下的熱處理，因此，還能夠?qū)蜔嵝缘偷牟牧系幕墓┙o于接合。由此，能夠擴(kuò)大基材的構(gòu)成材料的選擇的范圍。另外，根據(jù)本發(fā)明的接合方法可知，在接合第一基材21和第二基材22時，不是接合這些接合面整體，而是能夠有選擇地接合一部分的區(qū)域。在該接合時，僅通過控制對等離子體聚合膜3賦予的能量，就能夠簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如，通過控制第一基材21和第二基材22的接合面的面積，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體l的接合強(qiáng)度。其結(jié)果，例如，得到能夠容易地分離接合部的接合體1。另外，另外，通過控制第一基材21和第二基材22的接合部的面積，能夠緩和在接合部產(chǎn)生的應(yīng)力的局部集中。由此，例如，在第一基材21和第二基材22之間熱膨脹率差大的情況下，也能夠可靠地接合各基材21、22。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的接合方法可知，第一基材21具備的等離子體聚合膜3的表面31中接合的規(guī)定區(qū)域310以外的區(qū)域中，在等離子體聚合膜3和第二基材22之間產(chǎn)生微小的間隙。從而，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)規(guī)定區(qū)域310的形狀，能夠在第一基材21和第二基材22之間形成封閉空間或流路等。在此，優(yōu)選形成為第二基材22中、至少在本工序中與在第一基材21上形成的等離子體聚合膜3的規(guī)定區(qū)域310接觸的區(qū)域即應(yīng)使等離子體聚合膜3的規(guī)定區(qū)域310密接的區(qū)域的表面結(jié)合有羥基(OH基)的狀態(tài)。若第二基材22的表面成為這樣的狀態(tài)，則第二基材22和等離子體聚合膜3的接合強(qiáng)度提高，能夠更牢固地接合兩個基材21、22。還有，所述效果推測為如下的現(xiàn)象引起的。艮口，在本工序中，在使第二基材22和等離子體聚合膜3接觸(密接)時，在第二基材22表面存在的羥基、和等離子體聚合膜3的活化的表面上存在的羥基通過氫鍵相互前進(jìn)，在羥基之間產(chǎn)生引力。另外，通過該氫鍵來相互牽引的羥基之間根據(jù)溫度條件等，伴隨脫水縮合而從表面脫離。其結(jié)果，等離子體聚合膜3和第二基材22的接觸界面中，脫離的OH基結(jié)合的結(jié)合鍵之間結(jié)合。由此，化學(xué)性牢固地接合等離子體聚合膜3和第二基材22。還有，為了形成羥基結(jié)合在第二基材22中應(yīng)使等離子體聚合膜3密接的區(qū)域的表面的狀態(tài)，使用任意方法也可。舉出具體例的情況下，有在第二基材22實(shí)施氧等離子體等的等離子體處理的方法、實(shí)施蝕刻的方法、照射電子射線的方法、照射紫外光的方法、暴露于臭氧的方法、或組合這些的方法等。通過使用這樣的方法，能夠清潔化第二基材22的表面，并且，能夠切斷表面附近的結(jié)合的一部分，活化表面。通過周圍的水分與這樣的狀態(tài)的表面接觸，羥基(OH基)自然地結(jié)合。這樣，能夠形成羥基結(jié)合的狀態(tài)。另外，根據(jù)第二基材22的構(gòu)成材料，還有不實(shí)施如上所述的處理，羥基也結(jié)合在表面的材料。作為所述構(gòu)成材料，例如，可以舉出不銹鋼、鋁之類的各種金屬材料、硅、石英玻璃之類的硅系材料、氧化鋁之類的氧化物系陶瓷材料等。還有，第二基材22的整體可以不包括如上所述的材料，至少表面附近包括如上所述的材料即可。包括這樣的材料的第二基材22的表面被氧化膜覆蓋，在該氧化膜的表面結(jié)合有羥基。從而，若使用包括這樣的材料的第二基材22，則即使不實(shí)施使羥基露出的處理，也能夠牢固地結(jié)合第一基材21和第二基材22。另外，在第二基材22的表面及內(nèi)部包含第二基材22的結(jié)合被切斷而未被末端化的活性結(jié)合鍵(懸空鍵)也可。進(jìn)而，可以為羥基和懸空鍵混在的狀態(tài)。若在第二基材22的表面及內(nèi)部包含懸空鍵，則在等離子體聚合膜3的表面露出的懸空鍵之間實(shí)現(xiàn)來源于構(gòu)筑為網(wǎng)絡(luò)狀的共價鍵的更牢固的接合。其結(jié)果，能夠經(jīng)由等離子體聚合膜3更牢固地接合第一基材21和第二基材22。還有，在所述工序[3]活化的等離子體聚合膜3的表面的活性狀態(tài)經(jīng)時而緩和。因此，在所述工序[3]結(jié)束后，盡早進(jìn)行本工序[4]。具體來說，優(yōu)選在所述工序[3]結(jié)束后，在60分鐘內(nèi)進(jìn)行本工序[4]，更優(yōu)選在5分鐘內(nèi)進(jìn)行。若在所述時間內(nèi)，則等離子體聚合膜3的表面維持充分的活性狀態(tài)，因此，在貼合時能夠得到充分的接合強(qiáng)度。換而言之，活化前的等離子體聚合膜3的化學(xué)性穩(wěn)定，耐氣候性優(yōu)越。因此，在結(jié)束了所述工序[2]的時點(diǎn)的等離子體聚合膜3適合長期保存。從而，在制造或購入大量具備那樣的等離子體聚合膜3的第一基材21(粘附體)而保存時，在進(jìn)行本工序[4]的貼合臨前，僅對必要的個數(shù)進(jìn)行所述工序[3]的情況下，從接合體的制造效率的觀點(diǎn)來說有效。還有，在以往的硅直接接合之類的固體接合中，即使將表面活化，其活性狀態(tài)在大氣中也只能維持幾秒幾十秒左右的極短時間。因此，存在進(jìn)行了表面的活化后，不能充分地確保進(jìn)行貼合接合的兩個部件等的作業(yè)的時間的問題。針對此，根據(jù)本發(fā)明可知，通過等離子體聚合膜的作用，能夠?qū)⒒钚誀顟B(tài)維持幾分鐘以上的比較長的時間。因此，能夠充分地確保作業(yè)所需的時間，能夠提高接合作業(yè)的效率化。如上所述地能夠得到接合體(本發(fā)明的接合體)1。這樣得到的接合體1優(yōu)選第一基材21和第二基材22之間的規(guī)定區(qū)域310中的接合強(qiáng)度為5MPa(50kgf/cm2)以上，更優(yōu)選1OMPa(100kgf^cm2)以上。在規(guī)定區(qū)域310中，具有這樣的接合強(qiáng)度的接合體1能夠充分地防止其剝離。還有，如后所述，使用接合體1構(gòu)成液滴噴出頭的情況下，得到耐久性優(yōu)越的液滴噴出頭。另外，根據(jù)本發(fā)明的接合方法可知，能夠效率良好地制作第一基材21和第二基材22以如上所述的大的接合強(qiáng)度接合的接合體l。另外，在等離子體聚合膜3包括有機(jī)金屬聚合物的情況下，通過使該等離子體聚合膜3活化，顯示導(dǎo)電性。經(jīng)過了這樣的活化處理的等離子體聚合膜3的電阻率根據(jù)構(gòu)成材料的組成而略不同，但優(yōu)選1X10—3Qcm以下，更優(yōu)選1X10—40'cm以下。若經(jīng)過活化處理，顯示了導(dǎo)電性的等離子體聚合膜3的電阻率這樣充分地低，則所述等離子體聚合膜可以作為損失少的配線充分地利用。另外，另外，如上所述，能夠控制第一基材21和第二基材22的接合部的面積，因此，由此能夠調(diào)節(jié)接合體l的接合強(qiáng)度的同時，能夠調(diào)節(jié)分離接合體l時的強(qiáng)度(割裂強(qiáng)度)。從所述觀點(diǎn)來說，在制作能夠分離的接合體l的情況下，接合體l的接合強(qiáng)度優(yōu)選能夠用人的手分離接合體1的程度的大小。由此，在分離接合體1時，能夠在不使用裝置等的情況下簡單地進(jìn)行。另外，等離子體聚合膜3雖然取決于其厚度，但具有比較高的透光性。還有，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定等離子體聚合膜3的形成條件(等離子體聚合時的條件或原料氣體的組成等)，能夠調(diào)節(jié)等離子體聚合膜3的折射率。具體來說，通過提高等離子體聚合時的高頻的輸出密度，能夠提高等離子體聚合膜3的折射率，相反，通過降低等離子體聚合時的高頻的輸出密度，能夠降低等離子體聚合膜3的折射率。具體來說，根據(jù)硅垸系氣體為原料的等離子體聚合法可知，得到折射率的范圍為1.351.6左右的等離子體聚合膜3。這樣的等離子體聚合膜3由于其折射率接近水晶或石英玻璃的折射率，因此，例如，在光程貫通等離子體聚合膜3的結(jié)構(gòu)的光學(xué)部件時適當(dāng)?shù)厥褂?。另外，能夠調(diào)節(jié)等離子體聚合膜3的折射率，因此，能夠制作期望的折射率的等離子體聚合膜3。還有，在得到了接合體l后，對該接合體l，根據(jù)需要，進(jìn)行以下的兩個工序[5A]、[5B]中任一方或雙方也可。如圖3(g)所示，對于得到的接合體l，向第一基材21和第二基材22相互接近的方向加壓。由此，等離子體聚合膜3的表面更接近第二基材22的表面，能夠進(jìn)一步提高接合體1中的接合強(qiáng)度。此時，對接合體l加壓時的壓力優(yōu)選盡量高。由此，能夠與該壓力成比例而提高接合體1中的接合強(qiáng)度。還有，根據(jù)各基材21、22的構(gòu)成材料或厚度、接合裝置等的條件，適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)該壓力即可。具體來說，根據(jù)基材21、22的構(gòu)成材料或厚度等而略不同，但優(yōu)選110MPa左右，更優(yōu)選l5MPa左右。由此，能夠可靠地提高接合體1的接合強(qiáng)度。還有，該壓力大于所述上限值也無妨，但根據(jù)各基材21、22的構(gòu)成材料，在各基材21、22可能發(fā)生損傷等。另外，加壓的時間不特別限定，但優(yōu)選10秒30分鐘左右。還有，就加壓的時間來說，根據(jù)加壓時的壓力來適當(dāng)?shù)刈兏纯?。具體來說，對接合體1加壓時的壓力越高，越能夠縮短加壓的時間。如圖3(g)所示，加熱得到的接合體l。由此，能夠提高接合體l中的接合強(qiáng)度。此時，加熱接合體1時的溫度只要比室溫高，小于接合體1的耐熱溫度，就不特別限定，但優(yōu)選2510(TC左右，更優(yōu)選5010(TC左右。若以所述范圍的溫度加熱，則能夠可靠地防止接合體1由于熱量而變質(zhì)'劣化的情況，同時，能夠可靠地提高接合強(qiáng)度。另外，加熱時間不特別限定，但優(yōu)選130分鐘左右。另外，在進(jìn)行所述工序[5A]、[5B]的雙方的情況下，優(yōu)選同時進(jìn)行這些。即，如圖3(g)所示，優(yōu)選對接合體l加壓的同時加熱。由此，能夠相輔相成地發(fā)揮加壓引起的效果、和加壓引起的效果，能夠特別地提高接合體l的接合強(qiáng)度。還有，在兩個基材21、22的熱膨脹率大致相等的情況下，優(yōu)選如上所述地加熱接合體1，但在兩個基材21、22的熱膨脹率相互不同的情況下，優(yōu)選盡量在低溫下進(jìn)行接合。通過在低溫下進(jìn)行接合，能夠?qū)崿F(xiàn)在接合界面產(chǎn)生的熱應(yīng)力的進(jìn)一步的減少。具體來說，雖然取決于兩個基材2K22的熱膨脹率差，但優(yōu)選在2550。C左右的溫度下進(jìn)行接合，更優(yōu)選在2540。C左右的溫度下進(jìn)行接合。在這樣的溫度范圍的情況下，即使兩個基材21、22的熱膨脹率差大到某種程度，也能夠充分地減小在接合界面產(chǎn)生的熱應(yīng)力。其結(jié)果，能夠可靠地防止接合體1中的翹起或剝離等的發(fā)生。在這種情況下，兩個基材21、22的熱膨脹數(shù)的差為5X10"/K以上的25情況下，如上所述，強(qiáng)烈推薦在盡量低溫下進(jìn)行接合。通過進(jìn)行如上所述的工序[5A]、[5B]，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體1中的接合強(qiáng)度的進(jìn)一步的提高?！兜诙?shí)施方式》其次，說明本發(fā)明的接合方法的第二實(shí)施方式。圖4及圖5是用于說明本發(fā)明的接合方法的第二實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。還有，在以下的說明中，將圖4及圖5的上側(cè)稱為"上"，將下側(cè)稱為"下"。以下，說明接合方法的第二實(shí)施方式，但以與所述第一實(shí)施方式的接合方法不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于相同的事項(xiàng)，省略其說明。在本實(shí)施方式的接合方法中，接合在第一基材21具備等離子體聚合膜301的第一粘附體、和在第二基材22上具備等離子體聚合膜302的第二粘附體，除此以外，與所述第一實(shí)施方式相同。艮口，本實(shí)施方式的接合方法具有準(zhǔn)備第一基材21，在第一基材21上形成等離子體聚合膜301的工序(第一工序)；對等離子體聚合膜301的表面中一部分的規(guī)定區(qū)域有選擇地賦予能量，使該表面的規(guī)定區(qū)域有選擇地活化(第二工序)；準(zhǔn)備第二基材22，在第二基材22上形成等離子體聚合膜302的工序；對等離子體聚合膜302的表面中整個面賦予能量，使該表面活化的工序；使等離子體聚合膜301的所述規(guī)定區(qū)域和等離子體聚合膜302的表面接觸地貼合第一粘附體和第二粘附體，得到接合體的工序(第三工序)。以下，依次說明各工序。首先，與所述第一實(shí)施方式相同地，如圖4(a)(c)所示，在第一基材21上形成等離子體聚合膜301(第一工序)。其次，對得到的等離子體聚合膜301的表面303中一部分的規(guī)定區(qū)域311，與所述第一實(shí)施方式相同地賦予能量。由此，切斷表面303附近的結(jié)合的一部分，使表面303的規(guī)定區(qū)域311活化(第二工序)。具體來說，例如，如圖4(d)所示，隔著掩模4向規(guī)定區(qū)域311有選擇地照射紫外光。通過周圍的水分與活化的等離子體聚合膜301的表面303的規(guī)定區(qū)域311接觸，羥基(OH基)自然地結(jié)合。還有，所述"活化"是指切斷表面303的規(guī)定區(qū)域311附近及內(nèi)部的結(jié)合而未被末端化的結(jié)合鍵(懸空鍵)產(chǎn)生的狀態(tài)或羥基結(jié)合在其被切斷的結(jié)合鍵的狀態(tài)的任一方或這些狀態(tài)混在的狀態(tài)。其次，準(zhǔn)備第二基材22。其次，如圖4(a)(c)所示，在第二基材22的接合面24上形成等離子體聚合膜302。所述等離子體聚合膜302與等離子體聚合膜301相同地，在強(qiáng)電場中，供給原料氣體和載體氣體的混合氣體，由此能夠?qū)⒃蠚怏w的分子聚合而得到。在此，在形成等離子體聚合膜302時使用的原料氣體使用與在形成等離子體聚合膜301時使用的原料氣體同種的原料氣體。由此，能夠結(jié)合等離子體聚合膜301和等離子體聚合膜302。從而，作為等離子體聚合膜302的構(gòu)成材料，可以舉出與等離子體聚合膜301的構(gòu)成材料相同的材料，例如，可以舉出聚有機(jī)硅氧烷、有機(jī)金屬聚合物、烴系聚合物、氟系聚合物等。另外，形成等離子體聚合膜302時的各種條件與形成所述等離子體聚合膜301時的條件相同。其次，對得到的等離子體聚合膜302的表面304賦予能量。由此，切斷表面304附近的結(jié)合的一部分，使表面304活化。作為對等離子體聚合膜302的表面304賦予能量的方法，不特別限定，但優(yōu)選照射能量射線的方法。通過周圍的水分與這樣活化的表面304接觸，羥基(OH基)自然地結(jié)合。還有，所述"活化"是指切斷表面304附近及內(nèi)部的結(jié)合而未被末端化的結(jié)合鍵(懸空鍵)產(chǎn)生的狀態(tài)或羥基結(jié)合在其被切斷的結(jié)合鍵的狀態(tài)的任一方或這些狀態(tài)混在的狀態(tài)。另外，使等離子體聚合膜302的表面304活化時的各種條件與使所述等離子體聚合膜301的表面303活化時的條件相同。其次，使第一粘附體具備的等離子體聚合膜301的表面303的規(guī)定區(qū)域311、和第二粘附體具備的等離子體聚合膜302的表面304接觸地貼合第一粘附體和第二粘附體(參照圖5(e))。由此，結(jié)合等離子體聚合膜301和等離子體聚合膜302，結(jié)合兩個基材21、22之間。在此，該接合推測為基于如下所述的兩個機(jī)制(i)、(ii)的雙方或一方的接合。(i)若貼合兩個基材21、22之間，則在各等離子體聚合膜301、302的表面303、304分別存在的OH基團(tuán)之間鄰接。該鄰接的OH基團(tuán)之間通過氫鍵來相互牽引，OH基團(tuán)之間產(chǎn)生引力。另外，通過該氫鍵相互牽引的OH基團(tuán)之間根據(jù)溫度條件等，伴隨脫水縮合而從表面脫離。其結(jié)果，在兩個等離子體聚合膜301、302之間的規(guī)定區(qū)域311中的接觸界面中，脫離的OH基結(jié)合的結(jié)合鍵之間結(jié)合。艮P，構(gòu)成各等離子體聚合膜301、302的各自的母材之間在規(guī)定區(qū)域311直接結(jié)合而一體化。(ii)若貼合兩個基材21、22之間，則在各等離子體聚合膜301、302的表面303、304的規(guī)定區(qū)域311或規(guī)定區(qū)域311的內(nèi)部產(chǎn)生的未被末端化的結(jié)合鍵(懸空鍵)之間再次結(jié)合。該再次結(jié)合相互重合(絡(luò)合)地復(fù)雜地發(fā)生，因此，在接合界面形成網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)合。由此，構(gòu)成各等離子體聚合膜30K302的各自的母材之間在規(guī)定區(qū)域311直接接合而一體化。還有，等離子體聚合膜301及等離子體聚合膜302分別包括有機(jī)金屬聚合物的情況下，優(yōu)選如下所述。艮口，在這種情況下，優(yōu)選對所述工序[2]中的等離子體聚合膜301的能量射線的照射或所述工序[5]中的等離子體聚合膜302的能量射線的照射、本工序中的貼合作業(yè)分別在惰性氣體氣氛中或減壓氣氛中進(jìn)行。在這樣的氣氛中幾乎不含有水分，因此，能夠防止羥基結(jié)合于未被末端化的結(jié)合鍵的情況。其結(jié)果，在各等離子體聚合膜301、302的表面303、304附近及內(nèi)部中，未被末端化的結(jié)合鍵產(chǎn)生的狀態(tài)成為支配性。即，伴隨于此，羥基結(jié)合于未被末端化的結(jié)合鍵的狀態(tài)相對難以發(fā)生。這樣，若未被末端化的結(jié)合鍵產(chǎn)生的狀態(tài)成為支配性，則在貼合了兩個粘附體之間時，這些結(jié)合鍵之間再次結(jié)合。即，基于所述機(jī)制(ii)的接合成為支配性。在所述基于機(jī)制(ii)的接合中，羥基不參與接合，各等離子體聚合膜301、302中的導(dǎo)電性成分直接參與接合，因此，實(shí)現(xiàn)接合界面中的導(dǎo)電性的提高。換而言之，若基于機(jī)制(ii)的接合成為支配性，則羥基參與接合。該羥基在等離子體聚合膜中促進(jìn)金屬氧化物的生成，作為電阻成分發(fā)揮作用。因此，雖然得到接合界面中的導(dǎo)電性，但可能導(dǎo)致導(dǎo)電性略微降低。由此可知，通過在惰性氣體氣氛中或減壓氣氛中進(jìn)行對各等離子體聚合膜、301、302的能量射線的照射或所述貼合作業(yè)，能夠進(jìn)一步提高接合界面中的導(dǎo)電性。根據(jù)以上的機(jī)制，如圖5(f)所示，得到第一基材21和第二基材22在規(guī)定區(qū)域311中部分地接合的接合體1(第三工序)。在這樣得到的接合體1中，得到與所述第一實(shí)施方式的接合體1相同的作用效果。另外，在各基材分別預(yù)先形成等離子體聚合膜，并接合這些等離子體聚合膜，因此，與所述第一實(shí)施方式相比，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體l中的接合強(qiáng)度的提高。另外，在與所述第一實(shí)施方式相比的情況下，在第二基材上預(yù)先形成等離子體聚合膜，因此，接合體l中的接合強(qiáng)度不會受到由第二基材的構(gòu)成材料引起的影響。因此，例如，在所述第一實(shí)施方式的接合方法中，即使在包括降低接合強(qiáng)度的材料的第二基材的情況下，也能夠根據(jù)本實(shí)施方式的接合方法，更牢固地接合第一基材和第二基材。還有，在所述工序[6]活化的各等離子體聚合膜301、302的表面303、304分別經(jīng)時而緩和其活性狀態(tài)。因此，優(yōu)選在所述工序[2]和所述工序[4]的結(jié)束后，盡早進(jìn)行所述工序[6]。另外，在得到了接合體l后，對該接合體l，根據(jù)需要，進(jìn)行以下的兩個工序[7A]、[7B]中任一方或雙方也可。如圖5(g)所示，對于得到的接合體1，向第一基材21和第二基材22相互接近的方向加壓。由此，等離子體聚合膜301的表面303和等離子體聚合膜302的表面304更接近，能夠進(jìn)一步提高接合體1中的接合強(qiáng)度。還有，在對接合體1加壓時的各種條件與在所述第一實(shí)施方式中對接合體l加壓時的條件相同。如圖5(g)所示，加熱得到的接合體l。由此，能夠進(jìn)一步提高接合體1中的接合強(qiáng)度。29還有，加熱接合體1時的各種條件與在所述第一實(shí)施方式中加熱接合體l時的條件相同。另外，在進(jìn)行所述工序[7A]、[7B]的雙方的情況下，優(yōu)選同時進(jìn)行這些。g卩，如圖5(g)所示，優(yōu)選對接合體1加壓的同時加熱。由此，有效地發(fā)揮基于加壓的效果、和基于加熱的效果，能夠特別提高接合體l的接合強(qiáng)度。通過進(jìn)行如上所述的工序[7A]、[7B]，能夠?qū)崿F(xiàn)接合體1中的接合強(qiáng)度的進(jìn)一步的提高。《第三實(shí)施方式》其次說明本發(fā)明的接合方法的第三實(shí)施方式。圖6是用于說明本發(fā)明的接合方法的第三實(shí)施方式的圖(縱向剖面圖)。以下，說明接合方法的第三實(shí)施方式，但以與所述第一及所述第二實(shí)施方式的接合方法不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明，關(guān)于相同的事項(xiàng)，省略其說明。在本實(shí)施方式的接合方法中，在第一粘附體具備的等離子體聚合膜301的表面303的一部分的規(guī)定區(qū)域311、與第二粘附體具備的等離子體聚合膜302的表面304的一部分的規(guī)定區(qū)域312重疊的部分，結(jié)合第一粘附體和第二粘附體，除此以外，與所述第二實(shí)施方式相同。在本實(shí)施方式的接合方法中，第一粘附體具備的等離子體聚合膜301的表面303的規(guī)定區(qū)域311的俯視形狀為條紋狀。即，對等離子體聚合膜301的表面303中條紋狀規(guī)定區(qū)域311有選擇地賦予能量，有選擇地活化該規(guī)定區(qū)域311。另一方面，第二粘附體具備的等離子體聚合膜302的表面304的規(guī)定區(qū)域312的俯視形狀也為條紋狀。即，對等離子體聚合膜302的表面304中條紋狀規(guī)定區(qū)域312有選擇地賦予能量，有選擇地活化該規(guī)定區(qū)域312。還有，條紋狀規(guī)定區(qū)域311、和條紋狀規(guī)定區(qū)域312處于相互交叉的關(guān)系(參照圖6(a))。在這樣的第一粘附體及第二粘附體中，在規(guī)定區(qū)域311和規(guī)定區(qū)域312重疊的部分，第一粘附體和第二粘附體部分接合。由此，得到圖6(b)所示的接合體l。根據(jù)如上所述的本實(shí)施方式的接合方法可知，例如，僅通過準(zhǔn)備具有條紋狀窗部的掩模，僅使用該掩模，在第一粘附體及第二粘附體分別形成簡單的形狀的規(guī)定區(qū)域311及規(guī)定區(qū)域312，就能夠效率良好地形成多個圖6(b)所示的島狀的復(fù)雜的接合部313。另外，與個別地形成島狀的各接合部313(重疊的部分)的情況相比，能夠簡單且正確地控制各接合部313的位置及形狀。由此，能夠更簡單且正確地控制接合體1的接合強(qiáng)度。在這樣得到的接合體l中，得到與所述第一及所述第二實(shí)施方式的接合體1相同的作用效果。另外，接合部313中的接合強(qiáng)度大，因此，能夠進(jìn)一步減小接合部313的面積。因此，在第一基材21和第二基材22分別包括不同的材料，兩者的熱膨脹率差大的情況下，也能夠降低伴隨在接合界面產(chǎn)生的熱膨脹率差的應(yīng)力。從而，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定接合部313的位置及形狀，能夠可靠地防止接合體l的剝離，并且，還能夠可靠地防止接合體1的變形(翹起)。<液滴噴出頭〉其次，說明將本發(fā)明的接合體適用于噴墨式記錄頭的情況下的實(shí)施方式。圖7是表示適用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴出頭)的分解立體圖，圖8是表示圖7所示的噴墨式記錄頭的主要部的結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖9是表示具備圖7所示的噴墨式記錄頭的噴墨打印機(jī)的實(shí)施方式的概略圖。還有，圖7中與通常使用的狀態(tài)上下倒置而示出。圖7所示的噴墨式記錄頭(本發(fā)明的液滴噴出頭)10搭載于圖9所示的噴墨打印機(jī)(本發(fā)明的液滴噴出裝置)9。圖9所示的噴墨打印機(jī)9具備裝置主體92，設(shè)置有在上部后方設(shè)置記錄紙張P的托架921、向下部后方排出記錄紙張P的排紙口922、和上部面上的操作面板97。操作面板97具備例如包括液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、LED燈等，顯示錯誤消息等的顯示部(未圖示)；包括各種開關(guān)等的操作部(未圖示)。另外，在裝置主體92的內(nèi)部主要具有具備往返移動的頭單元93的印刷裝置(印刷機(jī)構(gòu))94;將記錄紙張P—張張送入印刷裝置94的供紙裝置(供紙機(jī)構(gòu))95;控制印刷裝置94及供紙裝置95的控制部(控制機(jī)構(gòu))96。通過控制部96的控制，供紙裝置95將記錄紙張P—張張間歇輸送。該記錄紙張P通過頭單元93的下部附近。此時，頭單元93在與記錄紙張P的輸送方向大致正交的方向上往返移動，進(jìn)行對記錄紙張P的印刷。艮P，頭單元93的往返移動及記錄紙張P的間歇輸送成為印刷中的主掃描及副掃描，進(jìn)行噴墨方式的印刷。印刷裝置94具備頭單元93;成為頭單元93的驅(qū)動源的滑架電動機(jī)941;接受滑架電動機(jī)941的旋轉(zhuǎn)，使頭單元93往返移動的往返移動機(jī)構(gòu)942。頭單元93在其下部具有具備多個噴嘴孔111的噴墨式記錄頭IO(以下，簡稱為"頭10");對頭10供給墨液的墨盒931;搭載了頭10及墨盒931的滑架932。還有，作為墨盒931，使用填充有黃色、青色、品紅色、黑色(黑)的四色的墨液的墨盒，由此能夠進(jìn)行彩色印刷。往返移動機(jī)構(gòu)942具有其兩端支撐于框架(未圖示)的滑架引導(dǎo)軸943;與滑架引導(dǎo)軸943平行地延伸的正時(夕一^y夕、》皮帶944。滑架932往返移動自如地支撐于滑架引導(dǎo)軸943，并且，固定于正時皮帶944的一部分。通過滑架電動機(jī)941的工作，通過滑輪使正時皮帶944正反行進(jìn)的情況下，頭單元93被滑架引導(dǎo)軸943引導(dǎo)而往返移動。還有，在該往返移動時，從頭10適當(dāng)?shù)貒姵瞿海M(jìn)行對記錄紙張P的印刷。供紙裝置95具有成為其驅(qū)動源的供紙電動機(jī)951;通過供紙電動機(jī)951的工作而旋轉(zhuǎn)的供紙滾筒952。供紙滾筒952包括夾著記錄紙張P的輸送路徑(記錄紙張P)而上下對置的從動滾筒952a和驅(qū)動滾筒952b，驅(qū)動滾筒952b與供紙電動機(jī)951連結(jié)。由此，供紙滾筒952將在托架921設(shè)置的多張記錄紙張P向印刷裝置94一張張送入。還有，代替托架921，形成為能夠?qū)⑹杖萦涗浖垙圥的供紙盒裝卸自如地裝配的結(jié)構(gòu)也可?？刂撇?6例如基于從個人計算機(jī)或數(shù)碼相機(jī)等的主機(jī)輸入的印刷數(shù)據(jù)，控制印刷裝置94或供紙裝置95等，由此進(jìn)行印刷。控制部96雖然均為圖示，但主要具備驅(qū)動控制存儲各部的控制程序等的存儲器、壓電元件(振動源)14，控制墨液的噴出時序的壓電元件驅(qū)動回路、驅(qū)動印刷裝置(滑架電動機(jī)941)94的驅(qū)動驅(qū)動回路、驅(qū)動供紙裝置95(供紙電動機(jī)951)的驅(qū)動回路、及輸入來自主機(jī)的印刷數(shù)據(jù)的通信回路、與這些電連接，進(jìn)行各部中的各種控制的CPU。另外，CPU例如與能夠檢測墨盒931的墨液殘量、頭單元93的位置等的各種傳感器等分別電連接?？刂撇?6經(jīng)由通信回路，輸入印刷數(shù)據(jù)，儲存于存儲器中。CPU處理該印刷數(shù)據(jù)，基于該處理數(shù)據(jù)及來自各種傳感器的輸入數(shù)據(jù)，向各驅(qū)動回路輸出驅(qū)動信號。利用該驅(qū)動信號，使壓電元件14、印刷裝置94及供紙裝置95分別工作。由此，對記錄紙張P進(jìn)行印刷。以下，參照圖7及圖8的同時詳述頭10(本發(fā)明的液滴噴出頭)。頭10具有具備噴嘴板ll、墨液室基板12、振動板13、和與振動板13接合的壓電元件(振動源)14的頭主體17;收容該頭主體17的機(jī)體16。還有，該頭IO構(gòu)成按需形壓電噴射式頭。噴嘴板11例如包括Si02、SiN、石英玻璃之類的硅系材料、Al、Fe、Ni、Cu或含有這些的合金之類的金屬系材料、氧化鋁、氧化鐵之類的氧化物系材料、炭黑、石墨之類的碳系材料等。在該噴嘴板11形成有用于噴出墨液滴的多個噴嘴孔111。根據(jù)印刷精度，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定這些噴嘴孔111之間的間距。在噴嘴板11固著(固定)有墨液室基板12。該墨液室基板12通過噴嘴板11、側(cè)壁(隔壁)122及后述的振動板13，劃分形成為多個墨液室(腔室、壓力室)121、貯存從墨盒931供給的墨液的貯存室123、從貯存室123向各墨液室121分別供給墨液的供給□124。各墨液室121分別形成為長方形狀(長方體狀)，對應(yīng)于各噴嘴孔111而配設(shè)。各墨液室121通過后述的振動板13的振動，可以改變?nèi)莘e，通過該容積變化，噴出墨液。另一方面，在墨液室基板12的噴嘴板11的相反側(cè)接合振動板13，進(jìn)而，在振動板13的墨液室基板12的相反側(cè)設(shè)置有多個壓電元件14。另外，在振動板13的規(guī)定位置沿振動板13的厚度方向貫通而形成有連通孔131。能夠經(jīng)由該連通孔131從所述墨盒931向貯存室123供給墨液。各壓電元件14分別在下部電極142和上部電極141之間間介插入有壓電體層143，對應(yīng)于各墨液室121的大致中央部而配設(shè)。各壓電元件14與壓電元件驅(qū)動回路電連接，基于壓電元件驅(qū)動回路的信號而工作(振動、變形)。各壓電元件14分別作為振動源發(fā)揮功能，振動板13通過壓電元件14的振動來振動，發(fā)揮瞬間提高墨液室121的內(nèi)部壓力的功能。機(jī)體16例如包括各種樹脂材料、各種金屬材料等，在該機(jī)體16固定、支撐有噴嘴板ll。即，在機(jī)體16具備的凹部161收容了頭主體17的狀態(tài)下，利用在凹部161的外周部形成的臺階162支撐噴嘴板11的緣部。在如上所述的噴嘴板11和墨液室基板12的接合、墨液室基板12和振動板13的接合、及噴嘴板11和機(jī)體16的接合中至少一處中適用本發(fā)明的接合方法。換言之，噴嘴板11和墨液室基板12的接合體、墨液室基板12和振動板13的接合體、及噴嘴板11和機(jī)體16的接合中至少一處中適用本發(fā)明的接合體。在這樣的頭10中，在上述接合界面間介插入接合有等離子體聚合膜。因此，接合界面的接合強(qiáng)度及耐藥品性變高，由此，對在各墨液室121貯存的墨液的耐久性的液密性變高，其結(jié)果，頭10的可靠性高。另外，能夠在非常低的溫度下進(jìn)行可靠性高的接合，因此，在用線膨脹系數(shù)不同的材料也能夠形成大面積的頭這一點(diǎn)上有利。另在頭10的一部分中適用本發(fā)明的接合體，則能夠構(gòu)筑尺寸精度高的頭IO。因此，能夠高度地控制從頭IO噴出的墨液滴的噴出方向或頭10和記錄紙張P的遠(yuǎn)離距離，能夠提高基于噴墨打印機(jī)9的印字結(jié)果的品味。另外，通過適當(dāng)?shù)乜刂聘鹘雍象w中的接合部的面積、其配置，能夠緩和在各接合體的接合界面產(chǎn)生的應(yīng)力的局部集中。由此，例如，在噴嘴板11和墨液室基板12之間、墨液室基板12和振動板13之間、及噴嘴板11和機(jī)體16之間，分別兩者的熱膨脹率差大的情況下，也能夠可靠地接合兩者的部件。進(jìn)而，通過緩和在接合界面產(chǎn)生的應(yīng)力的局部集中，能夠可靠地防止接合體的剝離或變形(翹起)等。由此，得到可靠性高的頭10及噴墨打印機(jī)9。在這樣的頭10中，在未經(jīng)由壓電元件驅(qū)動回路被輸入規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)即在壓電元件14的下部電極142和上部電極141之間未施加電壓的狀態(tài)下，在壓電體層143不發(fā)生變形。因此，在振動板13也不發(fā)生變形，在墨液室121不發(fā)生容積變化。從而，從噴嘴孔111不噴出墨液滴。另一方面，在經(jīng)由壓電元件驅(qū)動回路輸入了規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)即在壓電元件14的下部電極142和上部電極141之間施加了一定電壓的狀態(tài)系，在壓電體層143發(fā)生變形。由此，振動板13大幅度撓曲，發(fā)生墨液室121的容積變化。此時，墨液室121內(nèi)的壓力瞬間地變高，從噴嘴孔111噴出墨液滴。若一次墨液的噴出結(jié)束，則壓電元件驅(qū)動回路停止向下部電極142和上部電極141之間的電壓的施加。由此，壓電元件14恢復(fù)為大致原來的形狀，墨液室121的容積增大。還有，此時，從墨盒931朝向噴嘴孔111的壓力(向正向的壓力)作用于墨液。因此，防止空氣從噴嘴孔lll進(jìn)入墨液室121，與墨液的噴出量相稱的量的墨液從墨盒931(貯存室123)供給于墨液室121。這樣，在頭10中，向欲印刷的位置的壓電元件14經(jīng)由壓電元件驅(qū)動回路依次輸入噴出信號，由此能夠印刷任意(期望的)文字或圖形等。還有，在頭10中，代替壓電元件14，具有電熱變換元件也可。艮P，頭10可以為利用基于電熱變換元件的材料的熱膨脹噴出墨液的結(jié)構(gòu)(所謂"泡沫噴射方式"(泡沫噴射)為注冊商標(biāo))。出的墨液滴可靠地著落于作為目的的區(qū)域。以上，基于圖示的實(shí)施方式，說明了本發(fā)明的接合方法、接合體、液滴噴出頭及液滴噴出裝置，但本發(fā)明不限定于這些。例如，在本發(fā)明的接合方法中，根據(jù)需要，追加一個以上的任意的目的的工序也可。另外，本發(fā)明的接合體當(dāng)然可以適用于液滴噴出頭以外的結(jié)構(gòu)。具體來說，本發(fā)明的接合體例如可以適用于半導(dǎo)體裝置、MEMS、微型反應(yīng)器等。;次，說明本發(fā)明的具體的實(shí)施例。l.接合體的制造以下，在各實(shí)施例及各比較例中，分別制作20個接合體。(實(shí)施例1)首先，作為第一基材，準(zhǔn)備了縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板，作為第二基材，準(zhǔn)備了縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm的玻璃基板。其次，將硅基板和玻璃基板的雙方收容于圖l所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，進(jìn)行了基于氧等離子體的襯底處理。其次，在硅基板和玻璃基板的進(jìn)行了襯底處理的各面分別形成了平均厚度200nm的等離子體聚合膜。還有，成膜條件如下所述。<成膜條件>，原料氣體的組成八甲基三硅氧烷原料氣體的流量50sccm，載體氣體的組成氬載體氣體的流量100sccm高頻電力的輸出100W高頻輸出密度25W/cm2，腔室內(nèi)壓力1Pa(低真空)處理時間15分鐘'基板溫度20°C其次，對得到的等離子體聚合膜分別以以下所示的條件照射紫外線。還有，照射了紫外線的區(qū)域?yàn)樵诓ＡЩ逍纬傻牡入x子體聚合膜的表面整體、和在硅基板形成的等離子體聚合膜的表面中周緣部的寬度3mm的框狀的區(qū)域。<紫外線照射條件>*氣氛氣體的組成大氣(空氣)*氣氛氣體的溫度20°C'氣氛氣體的壓力大氣壓(100kPa).紫外線的波長172nm*紫外線的照射時間5分鐘其次，使各等離子體聚合膜的照射了紫外線的面之間接觸地重疊硅基板和玻璃基板。還有，對于硅基板和玻璃基板，以3MPa加壓的同時在8(TC下加熱，維持了15分鐘。由此，在周緣部的寬度3mm的框狀的區(qū)域部分地結(jié)合硅基板和玻璃基板，得到了接合體。(實(shí)施例2)將加熱的溫度從8(TC變更為25°C，除此以外，與所述實(shí)施例1相同地得到了接合體。(實(shí)施例3、79、1112)將第一基材的構(gòu)成材料及第二基材的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料以外，與所述實(shí)施例1相同地得到了接合體。(實(shí)施例4)首先，作為第一基材，準(zhǔn)備了縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板，作為第二基材，準(zhǔn)備了縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm的不銹鋼基板。其次，將硅基板收容于圖1所示的等離子體聚合裝置100的腔室101內(nèi)，進(jìn)行了基于氧等離子體的襯底處理。其次，在進(jìn)行了襯底處理的面上成膜了平均厚度為200nm的等離子體聚合膜。其中，成膜條件與實(shí)施例l相同。再次，與所述實(shí)施例l相同地，向等離子體聚合膜照射了紫外線。還有，照射了紫外線的區(qū)域?yàn)樵诠杌逍纬傻牡入x子體聚合膜的表面中周緣部的寬度3mm的框狀的區(qū)域。其次，對不銹鋼基板，也與硅基板相同地，進(jìn)行了基于氧等離子體的襯底處理。其次，使等離子體聚合膜的照射了紫外線的面、和不銹鋼基板的進(jìn)行了襯底處理的面接觸地重疊了硅基板和不銹鋼基板。還有，對于各基板，以3MPa加壓的同時在8(TC下加熱，維持了15分鐘。由此，結(jié)合各基材，得到了接合體。(實(shí)施例5)將加熱的溫度從8(TC變更為25°C，除此以外，與所述實(shí)施例4相同地得到了接合體。(實(shí)施例6、10、13)將第一基材的構(gòu)成材料及第二基材的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料以外，與所述實(shí)施例4相同地得到了接合體。(實(shí)施例14)將高頻電力的輸出變更為150W(高頻輸出密度設(shè)為37.5W/cm2)，除此以外，與所述實(shí)施例1相同地得到了接合體。(實(shí)施例15)將高頻電力的輸出變更為200W(高頻輸出密度設(shè)為50W/cm2),除此以外，與所述實(shí)施例1相同地得到了接合體。(實(shí)施例1618)將原料氣體變更為表1所示的組成的氣體，將等離子體聚合膜的組成變更，除此以外，分別與所述實(shí)施例l、3、4相同地得到了接合體。(比較例13)將第一基材的構(gòu)成材料及第二基材的構(gòu)成材料分別設(shè)為表1所示的材料，用環(huán)氧系粘接劑粘接了各基材之間，除此以外，分別與所述實(shí)施例l、3、4相同地得到了接合體。(比較例4)代替等離子體聚合膜，如下所述地形成接合膜，除此以外，與所述實(shí)施例l相同地得到了接合體。首先，作為硅酮材料，準(zhǔn)備了含有具有聚二甲基硅氧垸骨架的物質(zhì)，作為溶媒，準(zhǔn)備了含有甲苯及異丁醇的液態(tài)材料(信越化學(xué)工業(yè)公司制"KR—251":粘度(25°C)18.0mPa's)。其次，在單晶硅基板的表面進(jìn)行了基于氧等離子體的表面處理后，在該面涂敷了液態(tài)材料。其次，將得到的液態(tài)被膜在常溫(25°C)下干燥25小時。由此，得到了接合膜。另外，與此相同地，在玻璃基板進(jìn)行了基于氧等離子體的表面處理后，在該面得到了接合膜。還有，向各接合膜的周緣部的寬度3mm的框狀的區(qū)域有選擇地照射了紫外線。其次，使接合膜之間密接地對硅基板和玻璃基板加壓的同時加熱。由此，得到了硅基板和玻璃基板經(jīng)由接合膜接合的接合體。(比較例510)將第一基材的構(gòu)成材料及第二基材的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料，除此以外，與所述比較例4相同地得到了接合體。(比較例11)代替等離子體聚合膜，如下所述地形成接合膜，除此以外，與所述實(shí)施例1相同地得到了接合體。首先，在單晶硅基板的表面進(jìn)行了基于氧等離子體的表面處理后，使六甲基二硅氨垸(HMDS)的蒸汽與該面的周緣部的寬度3mm的框狀的區(qū)域有選擇地接觸，由此得到了包括HMDS的接合膜。另外，與此相同地，在玻璃基板進(jìn)行了基于氧等離子體的表面處理后，在該面得到了包括HMDS的接合膜。還有，向各接合膜的周緣部的寬度3mm的框狀的區(qū)域有選擇地照射了紫外線。其次，使接合膜之間密接地對硅基板和玻璃基板加壓的同時加熱。由此，得到了硅基板和玻璃基板經(jīng)由接合膜接合的接合體。(參考例13)變更照射紫外線的區(qū)域，向在玻璃基板形成的等離子體聚合膜、和在硅基板形成的等離子體聚合膜的各表面整體分別照射了紫外線，除此以外，與所述實(shí)施例l、3、4相同地得到了接合體。2.接合體的評價2.1接合強(qiáng)度(割裂強(qiáng)度)的評價關(guān)于在各實(shí)施例、各比較例及各參考例中得到的接合體，分別測定了接合強(qiáng)度。其結(jié)果，在各實(shí)施例得到的接合體的接合強(qiáng)度均比在各參考例中的得到的接合體的接合強(qiáng)度小。因此，明確的是，通過將接合的區(qū)域設(shè)為接合面的一部分或全部即改變接合部的面積，能夠調(diào)節(jié)接合強(qiáng)度。另外，在各實(shí)施例得到的接合體的接合強(qiáng)度均比在各比較例得到的接合體的接合強(qiáng)度大。2.2尺寸精度的評價關(guān)于在各實(shí)施例、各比較例及各參考例中得到的接合體，分別測定了厚度方向的尺寸精度。在尺寸精度的測定中，測定正方形的接合體的各角部的厚度，算出四個部位的厚度的最大值和最小值之差來進(jìn)行。還有，按以下的基準(zhǔn)，評價了該差。<尺寸精度的評價基準(zhǔn)>〇小于10,X:lOjum以上2.3耐藥品性的評價將在各實(shí)施例、各比較例及各參考例中得到的接合體中各10個在以下的條件下浸漬于維持為8(TC的噴墨打印機(jī)用墨液(愛普生公司制、HQ4)中三周。另外，將接合體的剩余的IO個浸漬于同樣的墨液中50天。還有，剝離各基材，確認(rèn)了墨液是否浸入了接合界面。還有，按以下的基準(zhǔn)，評價了其結(jié)果。<耐藥品性的評價基準(zhǔn)>2.4紅外線吸收(FT—IR)的評價關(guān)于在各實(shí)施例、各比較例及各參考例中得到的接合體中的接合膜，分別獲得了紅外光吸收光譜。還有，關(guān)于各光譜，算出了(1)相對于歸屬于硅氧烷(Si—O)鍵的峰的歸屬于Si—H鍵的峰的相對強(qiáng)度、和(2)相對于歸屬于硅氧垸鍵的峰的歸屬于甲基的峰的相對強(qiáng)度。2.5折射率的評價關(guān)于在各實(shí)施例、各比較例及各參考例中得到的接合體中的接合膜分別測定了折射率。2.6光透過率的評價關(guān)于在各實(shí)施例、各比較例及各參考例中得到的接合體中能夠測定光透過率的接合體，測定了光透過率。還有，按以下的評價基準(zhǔn)，評價了得到的光透過率。<光透過率的評價基準(zhǔn)>超過95%〇超過90%且小于95%超過85%且小于90%X:小于85%2.7形狀變化的評價關(guān)于在各實(shí)施例、各比較例及各參考例中得到的接合體，測定了各自的接合體的接合前后的形狀變化。具體來說，在接合前后測定了接合體的翹起量，按以下的基準(zhǔn)進(jìn)行了評價。<翹起量的評價基準(zhǔn)>在接合前后，翹起量幾乎不變化〇在接合前后，翹起量略微變化△:在接合前后，翹起量略大幅度變化X:在接合前后，翹起量大幅度變化[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>*PET:聚對苯二甲酸乙二醇酯PI:聚酰亞胺評價結(jié)果中，例如"〇◎"表示〇和混在的情況。從表l明確可知，在各實(shí)施例得到的接合體在尺寸精度及耐藥品性的項(xiàng)目中均比在各比較例得到的接合體顯示優(yōu)越的特性。另外，在各實(shí)施例得到的接合體的翹起量比在各參考例得到的接合體小。另外，在實(shí)施例5中，將加熱溫度設(shè)定為比實(shí)施例4低，由此能夠抑制得到的接合體的翹起量。由此可以明確，在各實(shí)施例得到的接合體在接合強(qiáng)度、尺寸精度、耐藥品性及翹起量的項(xiàng)目中均顯示優(yōu)越的特性。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的接合方法包括第一工序，其準(zhǔn)備在基材上具備等離子體聚合膜的第一粘附體；第二工序，其向所述等離子體聚合膜的表面中一部分的規(guī)定區(qū)域有選擇地賦予能量，使所述等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域活化；第三工序，其準(zhǔn)備第二粘附體，使所述活化的等離子體聚合膜的表面、和所述第二粘附體密接，由此得到所述第一粘附體和所述第二粘附體在所述等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域中部分地接合的接合體。因此，能夠?qū)⒌谝徽掣襟w和第二粘附體在接合面的一部分的區(qū)域有選擇地以高的尺寸精度牢固地接合。另外，在接合第一粘附體和第二粘附體時，不是接合這些接合面增提，而是有選擇地僅接合一部分區(qū)域，因此，通過控制該接合部的面積，能夠容易地調(diào)節(jié)接合體的接合強(qiáng)度。由此，能夠緩和在接合部產(chǎn)生的應(yīng)力的局部集中。從而，本發(fā)明的接合方法具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。權(quán)利要求1.一種接合方法，其特征在于，包括第一工序，其中，準(zhǔn)備在基材上具備等離子體聚合膜的第一粘附體；第二工序，其中，向所述等離子體聚合膜的表面中的一部分規(guī)定區(qū)域有選擇地賦予能量，使所述等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域活化；第三工序，其中，準(zhǔn)備第二粘附體，并且使所述已活化的等離子體聚合膜的表面與所述第二粘附體密接，由此得到所述第一粘附體和所述第二粘附體在所述等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域部分地接合的接合體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合方法，其中，所述第二粘附體的表面存在羥基及所述第二粘附體中的結(jié)合被切斷而成的活性的結(jié)合鍵的至少一方，在所述第三工序中，使所述等離子體聚合膜與所述第二粘附體的所述表面密接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合方法，其中，所述第二粘附體的表面被氧化膜覆蓋。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合方法，其中，所述第二粘附體具有基材，在該基材上設(shè)置且與所述第一粘附體具備的所述等離子體聚合膜相同的等離子體聚合膜；其中，所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜，其表面被賦予能量并被活化。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的接合方法，其中，對于所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜，對其表面的一部分規(guī)定區(qū)域有選擇地賦予能量，使所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域活化。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的接合方法，其中，所述第一粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域及所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域的各自的俯視形狀為處于相互交叉的關(guān)系的條紋狀。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的接合方法，其中，在所述第三工序中，在所述第一粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述規(guī)定區(qū)域和所述第二粘附體具備的等離子體聚合膜的表面的所述已活化的區(qū)域重疊的部分，所述第一粘附體和所述第二粘附體部分地接合。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合方法，其中，通過對所述等離子體聚合膜的表面照射能量射線，進(jìn)行所述等離子體聚合膜的表面的所述活化。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的接合方法，其中，所述光為波長150300nm的紫外光。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的接合方法，其中，在大氣氣氛中進(jìn)行所述能量射線的照射。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合方法，其中，所述等離子體聚合膜是以聚有機(jī)硅氧垸或有機(jī)金屬聚合物為主材料構(gòu)成的。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接合方法，其中，所述聚有機(jī)硅氧垸是以八甲基三硅氧烷的聚合物為主成分的。13.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的接合方法，其中，所述聚有機(jī)硅氧烷包含Si—H鍵。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的接合方法，其中，在所述包含Si—H鍵的聚有機(jī)硅氧垸的紅外光吸收光譜中，歸屬于硅氧烷鍵的峰強(qiáng)度設(shè)為1時，歸屬于Si—H鍵的峰強(qiáng)度為0.0010.2。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接合方法，其中，在所述聚有機(jī)硅氧烷的紅外光吸收光譜中，歸屬于硅氧浣鍵的峰強(qiáng)度設(shè)為1時，歸屬于甲基的峰強(qiáng)度為0.050.45。16.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的接合方法，其中，所述有機(jī)金屬聚合物是以三甲基鎵或三甲基鋁的聚合物為主成分的。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合方法，其中，所述等離子體聚合膜的平均厚度為1010000nm。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合方法，其中，在所述第三工序后，具有對所述接合體實(shí)施熱處理的工序。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合方法，其中，在所述第三工序后，具有對所述接合體加壓的工序。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的接合方法，其中，所述第一粘附體是預(yù)先在所述第一基材上實(shí)施利用等離子體的襯底處理后，在實(shí)施了該襯底處理的區(qū)域形成所述等離子體聚合膜而成的。21.—種接合體，其特征在于，具有第一基材及第二基材，以及等離子體聚合膜；其中，所述第一基材和所述第二基材經(jīng)由所述等離子體聚合膜中的一部分的規(guī)定區(qū)域部分地接合。22.—種液滴噴出頭，其特征在于，具備權(quán)利要求21所述的接合體。23.—種液滴噴出裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求22所述的液滴噴出頭。全文摘要本發(fā)明的接合方法具有在兩個基材的表面上分別形成等離子體聚合膜的工序；向各等離子體聚合膜的表面的一部分的規(guī)定區(qū)域分別有選擇地照射紫外光，使表面活化的工序；使各等離子體聚合膜的表面的活化的區(qū)域之間密接地貼合兩個基材，由此在一方的等離子體聚合膜的紫外光照射區(qū)域和另一方的等離子體聚合膜的紫外光照射區(qū)域重合的部分將兩個基材部分地接合，得到接合體的工序。文檔編號B41J2/045GK101678611SQ20088002050公開日2010年3月24日申請日期2008年6月16日優(yōu)先權(quán)日2007年6月18日發(fā)明者松尾泰秀申請人:精工愛普生株式會社