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包裝一體化的核徑跡防偽盤帶及其制造方法

文檔序號:2473522閱讀:160來源:國知局
專利名稱:包裝一體化的核徑跡防偽盤帶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于核徑跡防偽技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶及其制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的核徑跡防偽標(biāo)簽大都是將核徑跡防偽膜與紙張或塑料底襯材料復(fù)合制作而成,在用戶檢驗防偽性能時需要將核徑跡防偽膜與底襯材料剝離,存在揭膜困難問題, 同時現(xiàn)有的定位標(biāo)識是靠精確對印方式制作的,所用的設(shè)備非常昂貴,制作成本高,工藝復(fù)雜;因此存在只能應(yīng)用于制作防偽標(biāo)簽,而不能實現(xiàn)防偽材料與標(biāo)的物包裝一體化的缺點, 故在許多需要精美包裝產(chǎn)品上難以推廣應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶及其制造方法,其特征在于,所述包裝一體化的核徑跡防偽盤帶為在塑料膜底帶上依次層疊有膠層、離型層、單層核徑跡防偽膜標(biāo)簽、激光層或鍍金屬層;在單層核徑跡防偽膜標(biāo)簽的膜上設(shè)置有圖案區(qū)和非圖案區(qū),同時在非圖案區(qū)部分的膜的一面涂覆熱熔膠層,在熱熔膠層上的局部面積或全部面積上熱(或冷)轉(zhuǎn)移有一激光層或鍍金屬層,激光層即作為工業(yè)化自動燙貼時的定位標(biāo)志,利用轉(zhuǎn)移激光層具有熱熔轉(zhuǎn)移的特點,即可實現(xiàn)核徑跡防偽膜的工業(yè)化自動定位熱轉(zhuǎn)移至任何包裝材料上,很好地解決了工業(yè)化生產(chǎn)核徑跡防偽膜與包裝材料的一體化問題, 同時用這種方法制作的防偽膜具有美觀、使用適用性廣泛的優(yōu)點。所述圖案區(qū)由核徑跡微孔構(gòu)成。所述核徑跡微孔的孔徑在0. 1微米至20微米之間。所述防偽膜材料為絕緣材料,是聚酯PET、聚酯BET、聚碳酸酯PC、雙向拉伸聚丙烯 BOPP(Β0ΡΡ是“Biaxially Oriented Polypropylene”的簡稱,即雙向拉伸聚丙烯薄膜)、聚乙烯、聚偏氟乙烯PVDF和聚酰亞胺Kappton中一種。所述膠層2為具有抗強堿蝕刻的熱熔膠或多混樹脂。一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶的制造方法,具體步驟如下1)照射加速器加速的具有5 25MeV/u能量的重離子(A > 12)或反應(yīng)堆引起的裂變碎片照射塑料膜,根據(jù)所需圖案制印刷版,在塑料薄膜上形成重離子輻照潛徑跡的蝕刻微孔,得到照射潛徑跡的薄膜;2)成像在照射后的薄膜上印刷一層離形層3,印刷厚度0. 5-1. 5g/m2,然后再印刷涂布2-9g/m2水溶性壓敏膠,形成所需圖案,即在不需要進行化學(xué)蝕刻的區(qū)域覆蓋起抗蝕刻作用的保護層;3)復(fù)合將具有離形層3的薄膜與另一帶膠層2的塑料膜復(fù)合形成復(fù)合膜;4)化學(xué)蝕刻用5-10N濃度的強堿NaOH ;強氧化劑高錳酸鉀或次氯酸鈉;在 50°C 90°C溫度范圍內(nèi),對上述復(fù)合膜進行化學(xué)蝕刻,使在沒有保護層區(qū)域的輻射損傷由幾納米擴大至幾微米,由大量微米量級的微孔組成肉眼可見的圖案,同時在非圖案區(qū)7的有核徑跡防偽膜標(biāo)簽4的一面涂覆熱熔膠層5 ;5)水中清洗將上述復(fù)合膜在水中清洗3次,總時間為10分鐘;6)烘干將上述清洗過的薄膜在40°C 70°C烘干3分鐘;7)定位塊在復(fù)合膜的熱熔膠層5上局部或全部面積上熱或冷轉(zhuǎn)移激光層6 ;8)沖切排廢、卷繞成盤帶按標(biāo)識尺寸大小沖切單層核徑跡防偽膜后,將沖切下的邊角膜排廢,邊沖切,邊排廢,邊卷繞成盤帶。所述水溶性壓敏膠為不干膠。本發(fā)明的有益效果是提供一種可實現(xiàn)包裝一體化的核徑跡防偽材料,利用轉(zhuǎn)移激光層具有熱熔轉(zhuǎn)移的特點,即可實現(xiàn)核徑跡防偽膜的工業(yè)化自動定位熱轉(zhuǎn)移至任何包裝材料上,很好地解決了工業(yè)化生產(chǎn)核徑跡防偽膜與包裝材料的一體化問題,同時用這種方法制作的防偽膜具有美觀、使用適用性廣泛的優(yōu)點。大大拓展核徑跡防偽技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。


圖1為核徑跡防偽膜結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的剖面圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶及其制造方法。它是一種自動定位燙印用核徑跡防偽膜盤帶,如圖1所示,該核徑跡防偽盤帶10由底帶1及核徑跡防偽膜標(biāo)簽4組成,其橫向剖面結(jié)構(gòu)圖(如圖2所示),在塑料膜底帶1上依次層疊有膠層2、離型層 3、單層核徑跡防偽膜標(biāo)簽4、熱熔膠層5和激光層或鍍金屬層6。在單層核徑跡防偽膜標(biāo)簽 4的膜上設(shè)置有圖案區(qū)8和非圖案區(qū)7,同時在非圖案區(qū)7的有核徑跡防偽膜標(biāo)簽?zāi)さ囊幻嫱扛矡崛勰z層5,在熱熔膠層5上的局部或全部面積上熱(或冷)轉(zhuǎn)移激光層6或鍍金屬層。所述圖案區(qū)8由核徑跡微孔9構(gòu)成。下面列舉實施例予以進一步說明。實施例1激光核徑跡防偽熱轉(zhuǎn)移膜盤帶1)用反應(yīng)堆裂變碎片照射15 μ m厚的PET膜;2)在經(jīng)過照射的PET膜上,根據(jù)所需圖案制印刷版;3)用凹版印刷機在PET薄膜上印刷膠層2 (熱溶膠);4)在有照射潛徑跡的PET薄膜上印刷丙烯酸酯離形層3,其中印刷厚度為0. Sg/ m2;5)再在離形層上涂布5. Og/m2的水溶性壓敏膠(不干膠),然后與另一帶膠層2的 PET薄膜復(fù)合形成復(fù)合膜;6)化學(xué)蝕刻采用8N NaOH 80°C,對上述復(fù)合膜進行化學(xué)蝕刻,蝕刻15分鐘,使在沒有保護層區(qū)域的輻射損傷由幾納米擴大至幾微米,由大量微米量級的微孔組成肉眼可見的圖案區(qū)8,同時在非圖案區(qū)7的有核徑跡防偽膜標(biāo)簽4的一面涂覆熱熔膠層5 ; 7)清洗水中分3次清洗10分鐘;
8)烘干40°C下烘干5分鐘;9)在熱熔膠層5除膜邊緣的定位部分上,全復(fù)合熱轉(zhuǎn)移激光層6 ;10)根據(jù)按標(biāo)識所需大小沖切PET復(fù)合膜,排廢除去沖切下的邊角;11)按一個標(biāo)識的寬度分切復(fù)合膜,形成帶有標(biāo)簽的單條復(fù)合膜;12)單條復(fù)合膜卷繞成盤帶。實施例2 局部激光核徑跡防偽熱轉(zhuǎn)移膜盤帶1)加速器加速的lOMeV/u Ar-40照射50 μ PVDF聚偏氟乙烯膜;2)根據(jù)所需圖案制印刷版;3)在PVDF上凹板印刷熱溶膠;4)在照射的PVDF聚偏氟乙烯上印刷丙烯酸酯離形層,印刷厚度lg/m2 ;幻再在離形層上涂布8. Og/m2的水溶性壓敏膠(不干膠),然后與印刷熱溶膠PVDF 薄膜復(fù)合形成復(fù)合膜;6)化學(xué)蝕刻8N NaOH 80°C,對上述復(fù)合膜進行化學(xué)蝕刻,蝕刻12分鐘,使在沒有保護層區(qū)域的輻射損傷由幾納米擴大至幾微米,由大量微米量級的微孔組成肉眼可見的圖案區(qū)8,同時在非圖案區(qū)7的有核徑跡防偽膜標(biāo)簽4的一面涂覆熱熔膠層5 ;7)清洗水中分3次清洗10分鐘;8)烘干40°C下烘干5分鐘;9)在熱熔膠層,在核徑跡微孔圖案上局部熱轉(zhuǎn)移激光鍍鋁層;10)以局部激光定位,根據(jù)按標(biāo)識所需大小沖切復(fù)合膜,排廢除去沖切下的邊角;11)按一個標(biāo)識的寬度分切復(fù)合膜,形成帶有標(biāo)簽的單條復(fù)合膜;12)單條復(fù)合膜卷繞成盤帶。實施例3:局部激光核徑跡防偽熱轉(zhuǎn)移膜盤帶1)加速器加速的20MeV/u Kr_84照射50 μ BET聚酯膜;2)根據(jù)所需圖案制印刷版;3)在20 μ PETT上凹板印刷熱溶膠,印刷厚度lg/m2 ;4)在照射的BET印刷丙烯酸酯離形層,印刷厚度lg/m2 ;5)再在離形層上涂布3. Og/m2的水溶性壓敏膠(不干膠);然后與印刷熱溶膠的 PETT薄膜復(fù)合形成復(fù)合膜;6)化學(xué)蝕刻8N NaOH 80°C,對上述復(fù)合膜進行化學(xué)蝕刻,蝕刻20分鐘,使在沒有保護層區(qū)域的輻射損傷由幾納米擴大至幾微米,由大量微米量級的微孔組成肉眼可見的圖案區(qū)8,同時在非圖案區(qū)7的有核徑跡防偽膜標(biāo)簽4的一面涂覆熱熔膠層5 ;7)清洗水中分3次清洗10分鐘;8)烘干40°C下烘干5分鐘;9)在熱熔膠層,在核徑跡微孔圖案邊緣局部熱轉(zhuǎn)移激光鍍鋁層;10)以局部激光定位,根據(jù)按標(biāo)識所需大小沖切復(fù)合膜,排廢除去沖切下的邊角;11)按一個標(biāo)識的寬度分切復(fù)合膜,形成帶有標(biāo)簽的單條復(fù)合膜;12)單條復(fù)合膜卷繞成盤帶。
權(quán)利要求
1.一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶,其特征在于,所述包裝一體化的核徑跡防偽盤帶為在塑料膜底帶上依次層疊有膠層、離型層、單層核徑跡防偽膜標(biāo)簽、激光層或鍍金屬層;在單層核徑跡防偽膜標(biāo)簽的膜上設(shè)置有圖案區(qū)和非圖案區(qū),同時在非圖案區(qū)部分的膜的一面涂覆熱熔膠層,在熱熔膠層上局部面積或全部面積上熱或冷轉(zhuǎn)移有一激光層或鍍金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶,其特征在于,所述圖案區(qū)由核徑跡微孔構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶,其特征在于,所述核徑跡微孔的孔徑在0. 1微米至20微米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶,其特征在于,所述防偽膜材料為絕緣材料,是所述防偽膜材料為絕緣材料,是聚酯PET、聚酯BET、聚碳酸酯PC、雙向拉伸聚丙烯Β0ΡΡ、聚乙烯、聚偏氟乙烯PVDF和聚酰亞胺Kappton中一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶,其特征在于,所述膠層為具有抗強堿蝕刻的熱熔膠或多混樹脂。
6.一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶的制造方法,其特征在于,具體步驟如下1)照射加速器加速的具有5 25MeV/u能量的A> 12的重離子或反應(yīng)堆引起的裂變碎片照射塑料膜,根據(jù)所需圖案制印刷版,在塑料薄膜上形成重離子輻照潛徑跡的蝕刻微孔,得到照射潛徑跡的薄膜;2)成像在照射后的薄膜上印刷一層離形層(3),印刷厚度0.5-1.5g/m2,然后再印刷涂布2-9g/m2水溶性壓敏膠,形成所需圖案,即在不需要進行化學(xué)蝕刻的區(qū)域覆蓋起抗蝕刻作用的保護層;3)復(fù)合將具有離形層(3)的薄膜與另一帶膠層O)的塑料膜復(fù)合形成復(fù)合膜;4)化學(xué)蝕刻用5-10N濃度的強堿NaOH;強氧化劑高錳酸鉀或次氯酸鈉;在50°C 90°C溫度范圍內(nèi),對上述復(fù)合膜進行化學(xué)蝕刻,使在沒有保護層區(qū)域的輻射損傷由幾納米擴大至幾微米,由大量微米量級的微孔組成肉眼可見的圖案區(qū)(8),同時在非圖案區(qū)(7)的有核徑跡防偽膜標(biāo)簽的一面涂覆熱熔膠層(5);5)水中清洗將上述復(fù)合膜在水中清洗3次,總時間為10分鐘;6)烘干將上述清洗過的薄膜在40°C 70°C烘干3分鐘;7)定位塊在復(fù)合膜的熱熔膠層( 上局部或全部面積上熱或冷轉(zhuǎn)移激光層6;8)沖切排廢、卷繞成盤帶按標(biāo)識尺寸大小沖切單層核徑跡防偽膜后,將沖切下的邊角膜排廢,邊沖切,邊排廢,邊卷繞成盤帶。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述包裝一體化的核徑跡防偽盤帶的制造方法,其特征在于,所述水溶性壓敏膠為不干膠。
全文摘要
本發(fā)明公開了屬于核徑跡防偽技術(shù)領(lǐng)域的一種包裝一體化的核徑跡防偽盤帶及其制造方法。核徑跡防偽盤帶為在塑料膜底帶上依次層疊有膠層、離型層、單層核徑跡防偽膜標(biāo)簽、激光層或鍍金屬層;在熱熔膠層上局部面積或全部面積上熱或冷轉(zhuǎn)移有一激光層或鍍金屬層。按防偽圖案大小沖切單層核徑跡防偽膜后排廢,將復(fù)合材料收卷整齊,即制作完成可實現(xiàn)包裝一體化的核徑跡防偽盤帶。激光層即作為工業(yè)化自動燙貼時的定位標(biāo)志,利用轉(zhuǎn)移激光層具有熱熔轉(zhuǎn)移的特點,即可實現(xiàn)核徑跡防偽膜的工業(yè)化自動定位熱轉(zhuǎn)移至任何包裝材料上,解決了工業(yè)化生產(chǎn)核徑跡防偽膜與包裝材料的一體化問題,本防偽膜具有美觀、使用及適用性廣泛。
文檔編號B32B15/20GK102303439SQ201110190
公開日2012年1月4日 申請日期2011年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
發(fā)明者徐世平, 王建晨, 王玉蘭, 陳靖 申請人:清華大學(xué)
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