專利名稱：：表面具有紋理的微孔拋光墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的拋光墊，其包括具有均勻的孔徑分布和紋理化的表面的多孔發(fā)泡體。
背景技術(shù)：
：化學(xué)機(jī)械拋光("CMP")工藝用于微電子器件的制造，以在半導(dǎo)體晶片、場發(fā)射顯示器及許多其它微電子基板上形成平坦的表面。例如，半導(dǎo)體器件的制造通常涉及形成各種處理層的形成、選擇性移除或圖案化這些層的一部分、以及在半導(dǎo)體基板的表面上沉積其它額外的處理層以形成半導(dǎo)體晶片。這些處理層可包括例如絕緣層、柵極氧化物層、導(dǎo)電層以及金屬層或玻璃層等。在晶片加工的某些步驟中，通常期望處理層的最上表面是平面的(即是平坦的)，以用于隨后各層的沉積。CMP被用于拋光及從晶片移除經(jīng)沉積的材料(例如導(dǎo)電或絕緣材料)的一部分以制備用于后續(xù)處理步驟的晶片。在典型的CMP工藝中，將晶片正面朝下安裝在CMP設(shè)備中的夾持器(carrier)上。一個力將夾持器及晶片向下推向拋光墊。夾持器及晶片在CMP設(shè)備的拋光臺上旋轉(zhuǎn)的拋光墊上方旋轉(zhuǎn)。在拋光工藝過程中，通常將拋光組合物(也稱為拋光漿料)引入到旋轉(zhuǎn)的晶片與旋轉(zhuǎn)的拋光墊之間。拋光組合物通常包含與最上面的一層或多層晶片相互作用或?qū)⑵淙芙獾幕瘜W(xué)藥品以及以物理方式去除這一層或這些層的一部分的研磨材料。根據(jù)所實施的特定拋光工藝的需要，晶片與拋光墊可在相同方向或相反方向上旋轉(zhuǎn)。夾持器還可在拋光臺上的整個拋光墊上振蕩。用于化學(xué)機(jī)械拋光工藝的拋光墊是使用柔性及剛性墊材料兩者制造的，所述材料包括以聚合物浸漬過的織物、微孔膜、多孔聚合物發(fā)泡體、非多孔聚合物板(sheet)及經(jīng)燒結(jié)的熱塑性顆粒。以聚合物浸漬過的織物拋光墊的實例為包含浸漬到聚酯非紡織織物中的聚氨酯樹脂的墊。微孔拋光墊包括涂覆在基底材料上的微孔聚氨酯膜，其通常為經(jīng)浸漬過的織物墊。這些拋光墊為閉合單元(closedcell)多孔膜。多孔聚合物發(fā)泡體拋光墊包含隨機(jī)且不均勻地分布在所有三維空間中的閉合單元結(jié)構(gòu)。非多孔聚合物板拋光墊包括由實心聚合物板制成的拋光表面，其本質(zhì)上不具有輸送漿料顆粒的能力(參見例如美國專利5489233)。這些實心拋光墊的拋光表面用大凹槽(groove)和/或小凹槽進(jìn)行外部修飾，所述凹槽刻意地切入墊的表面，以在化學(xué)機(jī)械拋光過程中為漿料的通過提供通道。這樣的非多孔聚合物拋光墊公開在美國專利6203407中，其中該拋光墊的拋光表面包括經(jīng)定向以便刻意地改善在化學(xué)機(jī)械拋光中的選擇性的凹槽。此外，美國專利6022268、6217434和6287185公開了不具有吸收或輸送漿料顆粒的內(nèi)在能力的親水性拋光墊。該拋光表面意欲具有不規(guī)則的表面形貌，包括具有10微米或更小尺寸且通過固化拋光表面而形成的微粗糙以及具有25微米或更大尺寸的切入該表面的大缺陷(或大紋理)。包括多孔開放單元結(jié)構(gòu)的經(jīng)燒結(jié)的拋光墊可由熱塑性聚合物樹脂制備。例如，美國專利6062968和6126532公開了通過燒結(jié)熱塑性樹脂制備的具有開放單元的微孔基板的拋光墊。所得拋光墊優(yōu)選具有25%至50%的空隙體積和0.7至0.9克/立方厘米的密度。類似地，美國專利6017265、6106754及6231434公開了具有均勻的連續(xù)互連的孔結(jié)構(gòu)的拋光墊，其是通過在超過689.5kPa(100psi)的高壓下在具有所需最終墊尺寸的模型中燒結(jié)熱塑性聚合物而制得的。理。例如，美國專利5609517公開了一種復(fù)合拋光墊，其包括支撐層、節(jié)點和上層，所有這些皆具有不同的硬度。美國專利5944583公開了一種具有交替的可壓縮性的圓周環(huán)的復(fù)合拋光墊。美國專利6168508公開了一種具有第一拋光區(qū)域和第二拋光區(qū)域的拋光墊，該第一拋光區(qū)域具有第一數(shù)值的物理性質(zhì)(例如，硬度、比重、壓縮率、磨耗性、高度等)，該第二拋光區(qū)域具有第二數(shù)值的所述物理性質(zhì)。美國專利6287185公開了一種具有通過熱成形方法制備的表面形貌的拋光墊。在壓力或應(yīng)力下加熱該拋光墊的表面，導(dǎo)致形成表面特征。具有微孔發(fā)泡體結(jié)構(gòu)的拋光墊是本領(lǐng)域中公知的。例如，美國專利4138228公開了一種微孔且親水的拋光物件。美國專利4239567公開了一種用于拋光硅晶片的扁平微孔聚氨酯拋光墊。美國專利6120353公開了一種拋光方法，其使用具有低于9%的壓縮率和150個孔/平方厘米或更高的高孔密度的類似絨面革的發(fā)泡體聚氨酯拋光墊。歐洲專利1108500A1公開了一種至少為80的微橡膠A型硬度的拋光墊，其具有平均直徑小于1000微米且密度為0.4至1.1克/毫升的閉合單元。盡管上述若干拋光墊通常適用于其預(yù)期目的，但仍需要提供有效的平面拋光墊。另外，需要具有改善的拋光效率、改善的穿過拋光墊或在拋光墊內(nèi)的漿料流、改善的對腐蝕性蝕刻劑的抵抗性、和/或改善的拋光均勻性的拋光墊。最后，需要可使用相對低成本的方法制造且在使用前僅需要略加處理(conditioning)或不需處理的拋光墊。本發(fā)明提供這樣的經(jīng)改善的拋光墊。本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點以及額外的發(fā)明特征將從本文所提供的對本發(fā)明的描述中變得明晰。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供適用于化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用的表面具有紋理的(surface-textured)拋光墊。本發(fā)明的表面具有紋理的拋光墊包括多孔發(fā)泡體，該多孔發(fā)泡體具有在60微米Oim)或更小范圍內(nèi)的平均孔單元尺寸，其中該該墊具有至少一個紋理化的表面，其包括深度為25微米(1密耳)至1150微米(45密耳)、寬度為0.25微米(O.Ol密耳)至380微米(15密耳)、以及縱橫比(aspectratio)(即長度與寬度之比)為1至1000的凹痕(divot)。該墊的紋理化的表面包括至少10個凹痕/平方厘米表面積，并且具有至少為5微米的平均表面粗糙度。優(yōu)選地，該發(fā)泡體具有至少104個單元/立方厘米的孔單元密度。該多孔發(fā)泡體可包括任何適用于化學(xué)機(jī)械拋光工藝的材料。優(yōu)選地，該多孔發(fā)泡體包括熱塑性聚氨酯。優(yōu)選的熱塑性聚氨酯發(fā)泡體具有在60微米或更小范圍內(nèi)、更優(yōu)選在50微米或更小范圍內(nèi)的平均孔徑。優(yōu)選的熱塑性聚氨酯具有20或更小的熔體流動指數(shù)(MFI)、20000克/摩爾至600000克/摩爾的分子量以及1.1至6的多分散性指數(shù)。在一個實施方式中，該墊的至少一個紋理化的表面具有大于25^t米(即大于1密耳)、優(yōu)選不超過60微米(2.4密耳)的平均表面粗糙度(Ra)。在另一實施方式中，該墊的至少一個紋理化的表面具有5至25微米(0.2密耳至1密耳)、更優(yōu)選8至15微米(0.3密耳至0.6密耳)的平均表面粗糙度。在另一優(yōu)選實施方式中，該拋光墊的至少一個紋理化的表面具有壓印在其上的凹槽的紋理化圖案。優(yōu)選該凹槽的紋理化圖案為網(wǎng)狀(mesh)圖案，其包括相間隔的、平行的凹槽的第一圖案以及與該相間隔的、平行的凹槽的第一圖案相交的相間隔的、平行的凹槽的第二圖案。這些凹槽的圖案可在用于制備這些墊的擠出工藝過程中壓印在該表面中。所述凹槽優(yōu)選具有3密耳(75微米)至7密耳(175微米)的寬度。優(yōu)選地，所述凹槽具有1密耳(25微米)至5密耳(125微米)的深度。所述凹槽的第一和第二圖案的平行凹槽優(yōu)選彼此相隔10密耳(250微米)至40密耳(IOOO微米)的距離。若需要，該墊的紋理化的表面可經(jīng)打磨(buff)以降低表面粗糙度，同時仍保存壓印于其上的凹槽圖案。優(yōu)選該墊的至少一個紋理化的表面具有75肖氏(Shore)A至75肖氏D、更優(yōu)選85肖氏A至55肖氏D的硬度。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種用于制造表面具有紋理的拋光墊的方法，其包括使聚合物樹脂與超臨界氣體組合(combine)以產(chǎn)生單相溶液，其中該超臨界氣體是通過使氣體經(jīng)受提高的溫度和壓力而產(chǎn)生的，該方法包括(a)使聚合物樹脂與氣體組合以產(chǎn)生單相溶液；(b)由該單相溶液擠出聚合物發(fā)泡體板；(c)壓制該擠出板；以及(d)由該經(jīng)壓制的擠出聚合物發(fā)泡體板形成具有至少一個紋理化的表面的拋光墊。在優(yōu)選實施方式中，該方法包括在形成該拋光墊之前，在該擠出聚合物發(fā)泡體板的該至少一個紋理化的表面上壓印至少一種紋理化的凹槽圖案的額外步驟，并任選地打磨該墊的紋理化的表面以降低其粗糙度。當(dāng)本發(fā)明的拋光墊用于晶片拋光工藝(例如CMP)中時，可有利地提供低的晶片內(nèi)不均勻度(WIWNU)、高的移除速率以及低的缺陷率。圖1為以1.26%的C02濃度和212。C(414。F)的熔體溫度制備的擠出多孔發(fā)泡體棒(rod)的剖面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(100倍的放大倍率)。圖2為二氧化碳濃度對密度的圖，其說明在聚合物樹脂的單相溶液中的co2濃度與由其制備的所得多孔發(fā)泡體的密度之間的關(guān)系。圖3為擠出多孔發(fā)泡體板的剖面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(80倍的放大倍率)，該擠出多孔發(fā)泡體板具有8微米的平均孔徑、0.989克/立方厘米的密度、以及大于106個單元/立方厘米的單元密度。圖4為擠出多孔發(fā)泡體板的頂表面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(50倍的放大倍率)，該擠出多孔發(fā)泡體板具有15微米的平均孔徑、0.989克/立方厘米的密度、大于106個單元/立方厘米的單元密度，并且無表面大紋理。圖5為使用微孔發(fā)泡體拋光墊拋光的二氧化硅移除速率對所拋光的二氧化硅晶片數(shù)量的曲線圖。圖6為二氧化硅移除速率對所拋光的二氧化硅晶片數(shù)量的曲線圖，其對微孔發(fā)泡體拋光墊和實心非多孔拋光墊進(jìn)行比較，其中所述拋光墊是經(jīng)開槽(grooved)及打磨過的。圖7a為具有開槽出的大紋理的實心非多孔聚合物板的頂表面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(20倍的放大倍率)，該大紋理在拋光20個二氧化硅晶片后變光滑并阻塞有拋光碎屑，其中所述拋光墊是經(jīng)打磨及處理過的(conditioned)。圖7b為擠出多孔發(fā)泡體板的頂表面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(20倍的放大倍率)，該發(fā)泡體板具有15微米的平均孔徑、0.989克/立方厘米的密度、大于106個單元/立方厘米的單元密度、以及開槽出的在拋光20個二氧化硅晶片后無拋光碎屑的大紋理(經(jīng)打磨及處理過)。圖7c為擠出多孔發(fā)泡體板的頂表面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像(20倍的放大倍率)，該發(fā)泡體板具有15微米的平均孔徑、0.989克/立方厘米的密度、大于106個單元/立方厘米的單元密度以及開槽出的在拋光20個二氧化硅晶片后無拋光碎屑的大紋理(經(jīng)打磨，未經(jīng)處理)。圖8a、8b和8c為實心拋光墊(圖8a)、微孔發(fā)泡體拋光墊(圖8b)以及常規(guī)的閉合單元拋光塾(圖8c)的能量色散X-射線(EDX)二氧化硅映像圖像，其示出了在拋光20個二氧化硅趙覆式晶片(blanketwafer)之后二氧化硅研磨劑滲透穿過所述拋光墊厚度的程度。圖9為比較使用實心非多孔拋光墊、微孔發(fā)泡體拋光墊和常規(guī)的微孔閉合單元拋光墊的40%致密特征的圖案化二氧化硅晶片的時間(秒)對剩余階梯高度(remainingstepheight)(以埃表示)的曲線圖。圖10為比較使用實心非多孔拋光墊、微孔發(fā)泡體拋光墊和常規(guī)的微孔閉合單元拋光墊的70%致密特征的圖案化二氧化硅晶片的時間(秒)對剩余階梯高度(以埃表示)的曲線圖。圖11為實心熱塑性聚氨酯板的SEM圖像，放大倍率為350倍。圖12為已通過加壓氣體注射(pressurizedgasinjection)進(jìn)4亍處理以制造平均單元尺寸為0.1微米的發(fā)泡體的實心熱塑性聚氨酯板SEM圖像，放大倍率為7500倍。圖13為已通過加壓氣體注射進(jìn)行處理以制造平均單元尺寸為0.1微米的發(fā)泡體的實心熱塑性聚氨酯板的SEM圖像，放大倍率為20000倍。圖14為已通過加壓氣體注射進(jìn)行處理以制備平均單元尺寸為4微米的發(fā)泡體的實心熱塑性聚氨酯板的SEM圖像，放大倍率為350倍。圖15為已通過加壓氣體注射進(jìn)行處理以制備平均單元尺寸為4微米的發(fā)泡體的實心熱塑性聚氨酯板的SEM圖像，放大倍率為IOOO倍。圖16示出了本發(fā)明的表面具有紋理的拋光墊的SEM圖像。(底部)的光學(xué)圖像。具體實施方式寸在60微米或更小范圍內(nèi)的多孔發(fā)泡體，其中該發(fā)泡體中至少75%的孔具有在所述平均孔單元尺寸的30微米以內(nèi)的孔單元尺寸。優(yōu)選地，該發(fā)泡體具有大于104個單元/立方厘米的孔單元密度。該墊具有至少一個包括至少10個凹痕/平方厘米表面積的紋理化的表面，所述凹痕具有25微米(l密耳)至1150微米(45密耳)的深度、0.25微米(0.01密耳)至380微米(15密耳)的寬度、以及1至1000的縱橫比(即長度與寬度之比)。該墊的至少一個紋理化的表面具有至少為5微米的平均表面粗糙度。在一個實施方式中，該墊的至少一個紋理化的表面具有大于25微米(即大于1密耳)、優(yōu)選不超過60微米(2.4密耳)的平均表面粗糙度(Ra)。在另一實施方式中，該墊的至少一個紋理化的表面具有5至25微米(0.2至1密耳)、更優(yōu)選8至15微米(0.3至0.6密耳)的平均表面粗糙度。在優(yōu)選的實施方式中，該拋光墊的至少一個紋理化的表面具有壓印在其上的凹槽的紋理化圖案。優(yōu)選所述凹槽的紋理化圖案為網(wǎng)狀圖案，其包括相間隔的、平行的凹槽的第一圖案以及與該相間隔的、平行的凹槽的第一圖案相交的相間隔的、平行的凹槽的第二圖案。這些凹槽圖案可在用于制備這些墊的擠出工藝過程中壓印在該表面中。所述凹槽優(yōu)選具有1密耳(25微米)至20密耳(500微米)，例如，3密耳至7密耳的寬度。優(yōu)選所述凹槽具有1密耳(25微米)至20密耳(500微米)，例如，l密耳至20密耳的深度。所述凹槽的第一和第二圖案的平行凹槽優(yōu)選彼此相隔10密耳(250微米)至40密耳(IOOO微米)的距離。若需要，該墊的紋理化的表面可經(jīng)打磨以降低表面粗糙度，同時仍保存壓印于其上的凹槽圖案。優(yōu)選地，該墊的至少一個紋理化的表面具有75肖氏A至75肖氏D、更優(yōu)選85肖氏A至55肖氏D的硬度。在一個實施方式中，該拋光墊的至少一個紋理化的表面具有75肖氏A至90肖氏D的硬度。米或更小的多孔發(fā)泡體。優(yōu)選地，該多孔發(fā)泡體具有50微米或更小、更優(yōu)選40微米或更小(例如，20微米或更小)的平均孔徑。通常，該多孔發(fā)泡體具有至少為l微米(例如，3微米或更大、或5微米或更大)的平均孔徑。優(yōu)選地，該多孔發(fā)泡體具有1微米至20樣i米、更優(yōu)選1微米至15微米(例如，1微米至IO微米)的平均孔單元尺寸。本文所述的拋光墊的多孔發(fā)泡體具有高度均勻的孔徑(即單元尺寸)分布。通常，該多孔發(fā)泡體中至少75%(例如，80%或更多，或85%或更多)的孔(即單元)具有在所述平均孔徑的士20微米(例如，士10微米、更優(yōu)選士5微米或更小、最優(yōu)選士2微米)以內(nèi)的孔徑分布。換句話說，優(yōu)選該多孔發(fā)泡體中至少75%(例如，至少80%或至少85%)的孔具有在所述平均孔徑的2(H敖米以內(nèi)的孔徑。優(yōu)選地，該多孔發(fā)泡體中至少90%(例如，至少93。/0、至少95%、或至少97%)的孔(例如，單元)具有在所述平均值的士2(H鼓米以內(nèi)(例如，±10微米、±5《效米或士2微米以內(nèi))的孔徑分布。通常，該多孔發(fā)泡體主要包括閉合單元；然而，該多孔發(fā)泡體還可包括開放單元。優(yōu)選地，該多孔發(fā)泡體包括至少5%(例如，至少10%)的閉合單元。更優(yōu)選地，該多孔發(fā)泡體包括至少20%(例如，至少40%、或至少60%)的閉合單元。該多孔發(fā)泡體通常具有0.5克/立方厘米或更大(例如，0.7克/立方厘米或更大、或甚至0.9克/立方厘米或更大)的密度、以及25%或更小(例如，15%或更小、或甚至5%或更小)的空隙體積。通常，該多孔發(fā)泡體具有105個單元/立方厘米或更大(例如，106個單元/立方厘米或更大)的單元密度。該單元密度可通過用圖像分析軟件程序(例如均由MediaCybernetics提供的OPTIMAS⑧成像軟件及IMAGEPRO⑧成像軟件、或由ClemexTechnologies提供的CLEMEXVISION成像軟件)分析多孔發(fā)泡體材料的剖面圖像(例如，SEM圖像)來確定。該多孔發(fā)泡體可包括任何合適的材料，通常包括聚合物樹脂。該多孔發(fā)泡體優(yōu)選包括選自以下的聚合物樹脂熱塑性彈性體、熱塑性聚氨酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚乙烯醇、尼龍、彈性體橡膠、苯乙烯類聚合物、聚芳族化合物(polyaromatics)、含氟聚合物、聚酰亞胺、交聯(lián)聚氨酯、交聯(lián)聚烯烴、聚醚、聚酯、聚丙烯酸酯、彈性體聚乙烯、聚四氟乙烯、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚芳酰胺、聚亞芳基(polyarylene)、聚苯乙烯、聚曱基丙烯酸甲酯、其共聚物及嵌段共聚物、以及其混合物和共混物。優(yōu)選地，該聚合物樹脂為熱塑性聚氨酯。該聚合物樹脂通常為預(yù)形成的聚合物樹脂；然而，該聚合物樹脂還可根據(jù)任何合適的方法原位形成，這些方法中的許多是本領(lǐng)域中已知的(參見例如,Szycher'sHandbookofPolyurethanesCRCPress:NewYork，1999,Chapter3)。例如，熱塑性聚氨酯可通過氨基曱酸酯預(yù)聚物(例如異氰酸酯、二異氰酸酯、以及三異氰酸酯預(yù)聚物)與含有對異氰酸酯具有反應(yīng)性的部分的預(yù)聚物反應(yīng)原位形成。合適的對異氰酸酯具有反應(yīng)性的部分包括胺及多元醇。對聚合物樹脂的選擇將部分地取決于該聚合物樹脂的流變性。流變性是聚合物熔體的流動特性。對于牛頓流體，粘度是由剪切應(yīng)力(即切向應(yīng)力a)與剪切速率(即速率梯度dy/dt)之比所定義的常數(shù)。然而，對于非牛頓流體，可出現(xiàn)剪切速率變稠(膨脹性)或剪切速率變稀(假塑性)。在剪切速率變稀的情況下，粘度隨剪切速率的增加而降低。正是該特性使得聚合物樹脂可用于熔體制造(例如，擠出、注射成型)工藝。為確定剪切速率變稀的臨界區(qū)域，必須確定聚合物樹脂的流變性?？赏ㄟ^毛細(xì)管技術(shù)確定流變性，在該技術(shù)中，在固定壓力下迫使熔融聚合物樹脂通過特定長度的毛細(xì)管。通過繪制在不同溫度下的表觀剪切速率對粘度的曲線，可確定粘度與溫度之間的關(guān)系。流變加工指數(shù)(RheologyProcessingIndex)(RPI)是確定聚合物樹脂的臨界范圍的參數(shù)。RPI是在固定的剪切速率下，在參考溫度下的粘度與在溫度改變等于20。C后的粘度的比值。當(dāng)該聚合物樹脂為熱塑性聚氨酯時，當(dāng)在150升/秒的剪切速率和205。C的溫度下測量時，RPI優(yōu)選為2至IO(例如，3至8)。另一聚合物粘度的量度是熔體流動指數(shù)(MFI),其記錄在給定的溫度及壓力下在固定量的時間內(nèi)從毛細(xì)管擠出的熔融聚合物的量(克數(shù))。例如，當(dāng)該聚合物樹脂為熱塑性聚氨酯或聚氨酯共聚物(例如，基于聚碳酸酯聚硅氧烷的共聚物、基于聚氨酯含氟聚合物的共聚物、或聚氨酯硅氧烷-多嵌段共聚物)時，在210。C的溫度和2160克的負(fù)載下，在10分鐘內(nèi)的MFI優(yōu)選為20或更小(例如，15或更小)。當(dāng)該聚合物樹脂為彈性體聚烯烴或聚烯烴共聚物(例如，包括乙烯a-烯烴的共聚物(例如彈性體或普通乙烯-丙烯、乙烯-己烯、乙烯-辛烯共聚物等)、由基于茂金屬的催化劑制得的彈性體乙烯共聚物、或聚丙烯-苯乙烯共聚物)時，在210。C的溫度和2160克的負(fù)載下在10分鐘內(nèi)的MFI優(yōu)選為5或更小(例如，4或更小)。當(dāng)該聚合物樹脂為尼龍或聚碳酸酯時，在210。C的溫度和2160克的負(fù)載下在IO分鐘內(nèi)的MFI優(yōu)選為8或更小C例如，5或更小)。聚合物樹脂的流變性可取決于聚合物樹脂的分子量、多分散性指數(shù)(PDI)、長鏈支化或交聯(lián)的程度、玻璃化溫度(Tg)及熔融溫度(Tm)。當(dāng)該聚合物樹脂為熱塑性聚氨酯或聚氨酯共聚物(例如上述共聚物)時，重均分子量(Mw)通常為20000克/摩爾至600000克/摩爾，優(yōu)選50000克/摩爾至300000克/摩爾，更優(yōu)選70000克/摩爾至150000克/摩爾，同時PDI為1.1至6，優(yōu)選為2至4。通常，該熱塑性聚氨酯具有20。C至110。C的玻璃化溫度和120。C至25(TC的熔融轉(zhuǎn)變溫度。當(dāng)該聚合物樹脂為彈性體聚烯烴或聚烯烴共聚物(例如上述共聚物)時，重均分子量(Mw)通常為50000克/摩爾至400000克/摩爾，優(yōu)選70000克/摩爾至300000克/摩爾，同時PDI為1.1至12,優(yōu)選為2至10。當(dāng)該聚合物樹脂為尼龍或聚碳酸酯時，重均分子量(Mw)通常為50000克/摩爾至150000克/摩爾，優(yōu)選為70000克/摩爾至100000克/摩爾，同時PDI為1.1至5,優(yōu)選為2至4。所選擇的用于多孔發(fā)泡體的聚合物樹脂優(yōu)選具有某些機(jī)械性能。例如，當(dāng)該聚合物樹脂為熱塑性聚氨酯時，撓曲模量(ASTMD790)優(yōu)選為350Mpa(約50000psi)至1000MPa(約150000psi),平均壓縮百分率(average%compressibility)為8或更小，平均回彈百分率(average%rebound)為35或更大，并且肖氏D硬度(ASTMD2240-95)為40至90(例如，50至80)。在優(yōu)選實施方式中，該拋光墊包括多孔熱塑性聚氨酯發(fā)泡體，其中該多孔發(fā)泡體具有60微米或更小(例如，40微米或更小，或25微米或更小)的平均孔徑，并且其中該熱塑性聚氨酯具有20或更小的MFI、2至IO(例如，3至8)的RPI、以及20000克/摩爾至600000克/摩爾的分子量(MW),同時PDI為1.1至6(例如，2至4)。優(yōu)選地，該熱塑性聚氨酯具有350MPa(約50000psi)至1000MPa(約150000psi)的撓曲模量，至少為8(例如，7或更小)的平均壓縮百分率，至少為35%、更優(yōu)選為至少30%、最優(yōu)選為至少20%的平均回彈百分率，以及75肖氏A至卯肖氏D、優(yōu)選為75肖氏A至55肖氏D的硬度。這種拋光墊可具有一種或多種本文所述的物理性質(zhì)(例如，孔徑及聚合物性質(zhì))以用于本發(fā)明的其它實施方式。優(yōu)選地，該多孔發(fā)泡體包括熱塑性聚氨酯。優(yōu)選熱塑性聚氨酯發(fā)泡體具有60微米或更小、更優(yōu)選小于50微米的平均孔徑。當(dāng)該多孔發(fā)泡體包括熱塑性聚氨酯時，在沒有任何外部所產(chǎn)生的表面紋理以及在沒有嵌入的研磨劑顆粒的情況下，該拋光墊的至少一個紋理化的表面可以至少600埃/分鐘的拋光速率拋光二氧化硅晶片，其中夾持器的下壓力為0.028MPa(4psi)，漿料流速為100毫升/分鐘，工作臺旋轉(zhuǎn)速度為60rpm,以及夾持器旋轉(zhuǎn)速度為55rpm至60rpm。該實施方式的拋光墊優(yōu)選與含有金屬氧化物顆粒的拋光組合物(即漿料)，尤其是與由CabotMicroelectronicsCorporation出售的SEMI-SPERSED7300拋光組合物結(jié)合使用。通常，該拋光墊可使用以上所列舉的拋光參數(shù)以至少800埃/分鐘或者甚至是至少1000埃/分鐘的拋光速率拋光二氧化硅晶片。該拋光墊具有25%或更小的空隙體積，并且包括平均孔徑為50微米或更小(例如，40微米或更小)的孔。該拋光墊還可拋光二氧化硅毯覆式晶片，使得所述二氧化硅毯覆式晶片具有僅2%至4%的低的晶片內(nèi)不均勻度(WIWNU)值。這種拋光墊可具有一種或多種本文所述的物理性質(zhì)(例如，孔徑及聚合物性質(zhì))以用于本發(fā)明的其它實施方式。該拋光墊還可包括具有多峰(multi-modal)分布的孔徑的多孔發(fā)泡體。術(shù)語"多峰"是指該多孔發(fā)泡體具有包括至少2個或更多個(例如，3個或更多、5個或更多、或甚至10個或更多)孔徑最大值的孔徑分布。通常，孔徑最大值的數(shù)目為20個或更少(例如，15或更少)?？讖阶畲笾档亩x是在孔徑分布中其面積在數(shù)量上占孔的總數(shù)量的5%或更多的峰值。優(yōu)選地，該孔徑分布為雙峰(即，具有兩個孔徑最大值)。該多峰孔徑分布可在任何合適的孔徑值處具有孔徑最大值。例如，該多峰孔徑分布可具有50微米或更小(例如，40微米或更小、30微米或更小、或20微米或更小)的第一孔徑最大值以及大于50微米(例如，70微米或更大、90微米或更大、或甚至120微米或更大)的第二孔徑最大值。或者，該多峰孔徑分布可具有20微米或更小(例如，10微米或更小、或5微米或更小)的第一孔徑最大值以及大于20微米(例如，35微米或更大、50微米或更大、或甚至75微米或更大)的第二孔徑最大值。本文所述拋光墊的表面具有紋理的多孔發(fā)泡體任選地進(jìn)一步包括吸水性聚合物。合意的是該吸水性聚合物選自非晶形、結(jié)晶或交聯(lián)聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、聚乙烯醇、其鹽、及其組合。優(yōu)選地，該吸水性聚合物選自交聯(lián)聚丙烯酰胺、交聯(lián)聚丙烯酸、交聯(lián)聚乙烯醇及其混合物。合意的是這些交聯(lián)聚合物是吸水性的，但不會融化或溶解在常用的有機(jī)溶劑中。更確切地，當(dāng)該吸水性聚合物接觸水(例如，拋光組合物的液體載體)時發(fā)生溶脹。本文所述拋光墊的多孔發(fā)泡體可任選地包含引入到該墊的主體中的顆粒。優(yōu)選地，這些顆粒分散在整個多孔發(fā)泡體中。這些顆?？蔀檠心╊w粒、聚合物顆粒、復(fù)合顆粒(例如，經(jīng)包覆的顆粒)、有機(jī)顆粒、無機(jī)顆粒、澄清的顆粒、及其混合物。所述研磨劑顆粒可為任何合適的材料，例如研磨劑顆?？砂ń饘傺趸?例如選自二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鉻、氧化鐵及其組合的金屬氧化物)、或碳化硅、氮化硼、金剛石、石榴石或陶瓷研磨材料。該研磨劑顆粒可為金屬氧化物與陶瓷的雜合體或無機(jī)材料與有機(jī)材料的雜合體。這些顆粒還可為聚合物顆粒，這些聚合物顆粒中的許多描述在美國專利5314512中，例如聚苯乙烯顆粒、聚曱基丙烯酸曱酯顆粒、液晶聚合物(LCP，例如，由CibaGeigy獲得的VECTRA⑧聚合物)、聚醚醚酮(PEEK)、微粒狀熱塑性聚合物(例如，微粒狀熱塑性聚氨酯)、微粒狀交聯(lián)聚合物(例如，微粒狀交聯(lián)聚氨酯或聚環(huán)氧化物)、或其組合。若該多孔發(fā)泡體包括聚合物樹脂，則合意的是該聚合物顆粒的熔點高于該多孔發(fā)泡體的聚合物樹脂的熔點。該復(fù)合顆?？蔀槿魏伟ê思巴馔繉拥暮线m的顆粒。例如，該復(fù)合顆?？砂▽嵭牡暮?例如，金屬氧化物、金屬、陶瓷或聚合物)及聚合物殼(例如，聚氨酯、尼龍或聚乙烯)。該澄清的顆?？蔀閷訝罟杷猁}(例如，云母(如氟化云母)、及粘土(例如滑石粉、高嶺土、蒙脫土、鋰蒙脫石))、玻璃纖維、玻璃珠、金剛石顆粒、碳纖維等。本文所述的拋光墊的多孔發(fā)泡體任選地包含引入到該墊的主體中的可溶性顆粒。優(yōu)選地，該可溶性顆粒分散在整個多孔發(fā)泡體中。該可溶性顆粒常，該可溶性顆粒為水溶性顆粒。例如，該可溶顆?？蔀槿魏魏线m的水溶性顆粒，例如選自以下材料的顆粒糊精、環(huán)糊精、甘露糖醇、乳糖、羥丙基纖維素、曱基纖維素、淀粉、蛋白質(zhì)、非晶非交聯(lián)聚乙烯醇、非晶非交聯(lián)聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚環(huán)氧乙烷、水溶性光敏樹脂、磺化聚異戊二烯及磺化聚異戊二烯共聚物。該可溶性顆粒還可為選自乙酸鉀、硝酸鉀、碳酸鉀、碳酸氫鉀、氯化鉀、溴化鉀、磷酸鉀、硝酸鎂、碳酸鈣及苯曱酸鈉的材料的無機(jī)水溶性顆粒。當(dāng)所述可溶性顆粒溶解時，該拋光墊可留下相應(yīng)于該可溶性顆粒尺寸的開放單元。這些顆粒優(yōu)選在形成為發(fā)泡的拋光基板之前與該聚合物樹脂共混。引入到該拋光墊中的這些顆?？蔀槿魏魏线m的尺寸(例如，直徑、長度或?qū)挾?或形狀(例如，球形、橢圓形(oblong))，并且可以任何合適的量引入到該拋光墊中。例如，這些顆?？删哂?納米或更大和/或2毫米或更小(例如，0.5微米至2毫米直徑)的顆粒尺寸(例如，直徑、長度或?qū)挾?。優(yōu)選地，這些顆粒具有10納米或更大和/或500孩t米或更小(例如，100納米至10孩i米直徑)的尺寸。所述顆粒還可以共價方式結(jié)合到該多孔發(fā)泡體的聚合物樹脂上。本文所述拋光墊的多孔發(fā)泡體任選地包含引入到該墊的主體中的固體催化劑。優(yōu)選地，這些固體催化劑分散在整個多孔發(fā)泡體中。該催化劑可為金屬、非金屬或其組合。優(yōu)選地，該催化劑選自具有多個氧化態(tài)的金屬化合物，例如(但不限于)包括Ag、Co、Ce、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti及V的金屬化合物。本文所述拋光墊的多孔發(fā)泡體任選地包含螯合劑和/或氧化劑。優(yōu)選地，該螯合劑及氧化劑分散在整個多孔發(fā)泡體中。該螯合劑可為任何合適的螯合劑。例如，該螯合劑可為羧酸、二元羧酸、膦酸、聚合物螯合劑、其鹽等。這些氧化劑可為氧化性鹽或氧化性金屬絡(luò)合物，包括鐵鹽、鋁鹽、過氧化物、氯酸鹽、高氯酸鹽、高錳酸鹽、過疏酸鹽等。本文所述拋光墊具有拋光表面，該拋光表面任選地進(jìn)一步包括凹槽、溝道和/或穿孔，其便利于拋光組合物在整個拋光墊表面上的橫向輸送。這些凹槽、溝道或穿孔可為任何合適的圖案并且可具有任何合適的深度和寬度。該拋光墊可具有兩種或更多種不同的凹槽圖案，例如如美國專利5489233中所述的大凹槽與小凹槽的組合。該凹槽可為斜凹槽、同心凹槽、螺旋狀或圓形凹槽、XY交叉陰影線(crosshatch)圖案的形式，并且在連通性上可為連續(xù)的或非連續(xù)的。優(yōu)選地，該拋光墊至少包括通過標(biāo)準(zhǔn)墊修整方法制造的小凹槽。本文所述拋光墊具有拋光表面，其任選地進(jìn)一步包括不同密度、孔隙率、硬度、模量和/或壓縮率的區(qū)域。所述不同區(qū)域可具有任何合適的形狀或尺寸。通常，通過離位(exsitu)方法(即，在拋光墊形成之后)在拋光墊上形成成對比的密度、孔隙率、硬度和/或壓縮率的區(qū)域。本文所述拋光墊任選地進(jìn)一步包括一個或多個開口(aperture)、透明區(qū)域或半透明區(qū)域(例如，如美國專利5893796中所述的窗口)。當(dāng)該拋光墊與原位CMP工藝監(jiān)控技術(shù)結(jié)合使用時，合意的是包括這樣的開口或半透明區(qū)域。該開口可具有任何合適的的形狀，并且可與排放溝道組合使用，以使拋光表面上過量的拋光組合物減至最少或消除。該半透明區(qū)域或窗口可為任何合適的窗口，這些窗中的許多是本領(lǐng)域中已知的。例如，該半透明區(qū)域可包括插入在該拋光墊開口中的玻璃或基于聚合物的塞子，或者可包括與用于該拋光墊的其余部分的聚合物材料相同的聚合物材料。本發(fā)明的拋光墊可使用任何合適的技術(shù)制造，這些技術(shù)中的許多是本領(lǐng)域中已知的。例如，所述拋光墊可通過"孩i孔泡沫注塑(mucell)"法、相反轉(zhuǎn)法、旋節(jié)/雙節(jié)分解(spinodal/bimodaldecomposition)法、加壓氣體注射法制造。優(yōu)選地，所述拋光墊使用微孔泡沫注塑法或加壓氣體注射法等制造。微孔泡沫注塑法包括(a)使聚合物樹脂與超臨界氣體組合以產(chǎn)生單相溶液，以及(b)由該單相溶液形成本發(fā)明的拋光墊基板。該聚合物樹脂可為上述任何聚合物樹脂。通過使氣體經(jīng)受足以產(chǎn)生其中氣體的行為類似于液體(即，超臨界流體，SCF)的超臨界狀態(tài)的提高的溫度和壓力來產(chǎn)生超臨界氣體。該氣體可為烴、氯氟烴、氫氯氟碳化物(例如，氟利昂)、氮氣、二氧化碳、一氧化碳或其組合。優(yōu)選地，該氣體為不可燃的氣體，例如不含C-H鍵的氣體。更優(yōu)選地，該氣體為氮氣、二氧化碳、或其組合。最優(yōu)選地，該氣體包括二氧化碳或為二氧化碳。該氣體可在與該聚合物樹脂組合之前或之后轉(zhuǎn)變成超臨界氣體。優(yōu)選地，該氣體在與該聚合物樹脂組合之前轉(zhuǎn)變成超臨界氣體。通常，該氣體經(jīng)受IO(TC至300。C的溫度和5MPa(約800psi)至40MPa(約6000psi)的壓力。當(dāng)該氣體為二氧化碳時，該溫度為15(TC至250。C,并且該壓力為7MPa(約1000psi)至35MPa(約5000psi)(例如，19MPa(約2800psi)至26MPa(約3800psi))。該聚合物樹脂與該超臨界氣體的單相溶液可以任何合適的方式制備。例如，可將該超臨界氣體與熔融聚合物樹脂在機(jī)筒中共混以形成單相溶液。然后可將該單相溶液注射到模型中，其中該氣體膨脹以在該熔融聚合物樹脂內(nèi)形成具有高均勻性的孔結(jié)構(gòu)。在該單相溶液中該超臨界氣體的濃度通常為該單相溶液總體積的0.01%至5%(例如，0.1%至3%)。該超臨界流體的濃度將決定該多孔發(fā)泡體的密度和孔徑。隨著該超臨界氣體的濃度增加，所得多孔發(fā)泡體的密度增加，并且平均孔徑減小。該超臨界氣體的濃度還可影響所得多孔發(fā)泡體中開放單元與閉合單元的比例。這些及額外的工藝特征進(jìn)一步詳細(xì)描述于美國專利6284810中。通過在該單相溶液中產(chǎn)生足以產(chǎn)生大于105個成核位置/立方厘米溶液的熱力學(xué)不穩(wěn)定性來形成該拋光墊。該熱力學(xué)不穩(wěn)定性可由溫度的快速變化、壓力的快速下降或其組合導(dǎo)致。通常，該熱力學(xué)不穩(wěn)定性在包含該單相溶液的模型或模頭(die)的出口處誘發(fā)。成核位置為在此處超臨界氣體的溶解了的分子形成簇的位置，該多孔發(fā)泡體中的單元自所述簇生長。成核位置的數(shù)量通過假設(shè)成核位置的數(shù)量約等于該聚合物發(fā)泡體中所形成的單元的數(shù)量來確定。該拋光墊可由該單相溶液通過任何合適的4支術(shù)形成。例如，該拋光墊可使用選自以下的技術(shù)形成擠出成為聚合物板、多層板的共擠出、注射成型、壓塑、吹塑、吹塑薄膜、多層吹塑薄膜、流延膜、熱成型、以及層壓。優(yōu)選地，該拋光墊是通過擠出成為聚合物板或通過注射成型形成的。該相反轉(zhuǎn)法涉及將已經(jīng)加熱至高于該聚合物的熔融溫度(TJ或玻璃化溫度(Tg)的聚合物樹脂的極細(xì)顆粒分散于劇烈攪拌的非溶劑(non-solvent)中。該聚合物樹脂可為上述任何聚合物樹脂。當(dāng)添加到該非溶劑中的細(xì)聚合物樹脂顆粒的數(shù)量增加時，所述細(xì)聚合物樹脂顆粒連接以最初形成巻須狀物并且最終形成為三維聚合物網(wǎng)絡(luò)。然后將該非溶劑混合物冷卻，導(dǎo)致該非溶劑在該三維聚合物網(wǎng)絡(luò)中形成離散的液滴。所得材料為具有亞微米孔徑的聚合物發(fā)泡體。所述旋節(jié)或雙節(jié)分解法包括控制聚合物-聚合物混合物、或聚合物-溶劑混合物的溫度和/或體積分?jǐn)?shù)，以便使該混合物自單相區(qū)域移至兩相區(qū)域中。在該兩相區(qū)域中，可發(fā)生該聚合物混合物的旋節(jié)分解或雙節(jié)分解。分解是指聚合物混合物通過其由非平衡相變成平衡相的方法。在該旋節(jié)區(qū)域中，混合曲線的自由能是負(fù)的，使得所述聚合物的相分離(即形成兩相材料)、或所述聚合物與所述溶劑的相分離是響應(yīng)體積分?jǐn)?shù)的小波動而自發(fā)產(chǎn)生的。在該雙節(jié)區(qū)域中，該聚合物混合物對于體積分?jǐn)?shù)的小波動是穩(wěn)定的，因而需要成核及生長以獲得相分離材料。溫度及體積分?jǐn)?shù)處于該兩相區(qū)域(即所述雙節(jié)或旋節(jié)區(qū)域)中的聚合物混合物的沉淀可導(dǎo)致形成具有兩相的聚合物材料。若該聚合物混合物負(fù)載有溶劑或氣體，則該兩相聚合物材料將包含在相分離的界面處的亞微米孔。這些聚合物優(yōu)選包括上述聚合物樹脂。所述加壓氣體注射法包括利用高的溫度和壓力迫使超臨界流體氣體進(jìn)入到包括非晶聚合物樹脂的實心聚合物板中。該聚合物樹脂可為上述任何聚合物樹脂。在室溫下將該實心擠出板置于壓力容器中。向該容器中添加超臨界氣體(例如，N2或C02)，并將該容器加壓至足以迫使合適量的氣體進(jìn)入到聚合物板的自由體積的程度。根據(jù)亨利定律(Henry，slaw),溶解在聚合物中的氣體的量與所施加的壓力成正比。增加聚合物板的溫度使氣體擴(kuò)散到該聚合物中的速率增加，但也使溶解在聚合物板中的氣體的量減少。一旦氣體已經(jīng)使聚合物徹底飽和，便從該加壓的容器中取出該板。若想要，可將該聚合物板快速加熱至軟化或熔融狀態(tài)(若需要)以促進(jìn)單元成核及生長。美國專利5182307和5684055描述了所述加壓氣體注射法的這些及額外特征。優(yōu)選地，本發(fā)明的表面具有紋理的拋光墊是通過微孔泡沫注塑法或氣體注射法，最優(yōu)選微孔泡沫注塑法制備的。在方法角度，本發(fā)明提供一種用于制造表面具有紋理的拋光墊的方法。該方法包括(a)將聚合物樹脂與氣體、優(yōu)選通過使氣體經(jīng)受提高的溫度和壓力所產(chǎn)生的超臨界氣體組合，以產(chǎn)生單相溶液，(b)由該單相溶液擠出發(fā)泡板，并在該發(fā)泡體固化之前壓制該擠出板以在該板的至少一個表面上壓印圖案。優(yōu)選地，該擠出發(fā)泡體板在至少兩個軋輥(其至少一個具有紋理化的表面)之間進(jìn)行壓制。優(yōu)選地，該紋理化的軋輥具有壓花于該輥的表面上的棒(bar)圖案(例如網(wǎng)狀圖案中的交叉棒)。該輥上所壓花的紋理優(yōu)選包括一定大小的棒以在接觸該紋理化的輥的發(fā)泡的板的表面上留下該圖案的壓痕。本發(fā)明的拋光墊特別適于與化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)裝置結(jié)合使用。通常，該裝置包括工作臺，其在使用時處于運(yùn)動中，并且具有由軌道、線性或圓周運(yùn)動所導(dǎo)致的速度；本發(fā)明的拋光墊，其與該工作臺接觸，并且當(dāng)其處于運(yùn)動中時，其與工作臺一起移動；以及夾持器，其夾持待拋光的基板，所述基板通過與意在與待拋光的基板接觸的拋光墊的表面接觸并相對于該拋光墊的表面移動而進(jìn)行拋光。通過以下步驟實施對該基板的拋光將該基板放置成與該拋光墊接觸；然后使該拋光墊相對于該基板移動，在其間通常有拋光組合物，以便磨損該基板的至少一部分基板以拋光該基板。該CMP裝置可為任何合適的的CMP裝置，其中的許多在本領(lǐng)域中是已知的。本發(fā)明的拋光墊還可與線性拋光工具一起使用。本文所述的拋光墊可單獨使用或者可任選地作為多層堆疊拋光墊的一層使用。例如，該拋光墊可與副墊(subpad)組合使用。該副墊可為任何合適的的副墊。合適的副墊包括聚氨酯泡沫體副墊、浸漬的氈副墊、微孔聚氨酯副墊或燒結(jié)的聚氨酯副墊。該副墊通常比本發(fā)明的拋光墊軟，因此更易壓縮，并且具有比本發(fā)明的拋光墊低的肖氏硬度值。例如，該副墊的肖氏A硬度可為35至50。在某些實施方式中，與所述拋光墊相比，所述副墊更硬，可壓縮性更低，并且具有更高的肖氏硬度。該副墊任選地包括凹槽、溝道、中空部分、窗口、開口等。當(dāng)本發(fā)明的拋光墊與副墊組合使用時，通常存在與該拋光墊和該副墊共同擴(kuò)張并且處于該拋光墊與該副墊之間的中間背襯層(例如，聚對苯二曱酸乙二醇酯膜)?；蛘?，本發(fā)明的多孔發(fā)泡體還可作為副墊與常規(guī)的拋光墊結(jié)合使用。本文所述的拋光墊適用于拋光多種類型的基板及基板材料。例如，這些拋光墊可用于拋光包括存儲器儲存裝置、半導(dǎo)體基板和玻璃基板的各種基板。適于用所述拋光墊拋光的基板包括內(nèi)存磁盤、硬盤、磁頭、MEMS裝置、半導(dǎo)體晶片、場發(fā)射顯示器和其它微電子基板，特別是包括絕緣層(例如，二氧化硅、氮化硅或低介電材料)和/或含金屬的層(例如，銅、鉭、鎢、鋁、鎳、鈦、鉑、釕、銠、銥或其它貴金屬)的基板。下述實施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的各方面，但當(dāng)然不應(yīng)將其理解為是在以任何方式限制其范圍。實施例1該實施例說明一種用于制備具有均勻孔徑的微孔發(fā)泡體棒的方法。通過擠出方法制備熱塑性聚氨酯(TPU)發(fā)泡體棒(1A及1B)。各TPU發(fā)泡體棒是使用重均分子量為90000克/摩爾至110000克/摩爾、同時PDI為2.2至3.3的TPU制備的。在各情況下，在提高的溫度和壓力下將該TPU放置于擠出機(jī)(LabexIIprimary,直徑為6.35厘米(2.5英寸)，L/D為32/1，單螺桿擠出機(jī))中以形成聚合物熔體。在導(dǎo)致形成與該聚合物熔體共混的超臨界流體C02的提高的溫度和壓力下，將二氧化碳?xì)怏w注射到該聚合物熔體中(使用裝備有P7微調(diào)裝置(trim)和4個標(biāo)準(zhǔn)注射器的TrexelTR30-5000G輸送系統(tǒng))，以形成單相溶液。將該CO2/聚合物溶液擠出通過收斂?？?0.15厘米(0.060英寸)的直徑，12.1。的角度)以形成多孔發(fā)泡體棒。對于棒1A和1B,C02的濃度分別為1.51%和1.26%。該擠出機(jī)的各區(qū)溫度，澆口(gate)、模頭及熔體溫度，模頭壓力，螺桿轉(zhuǎn)速以及C02濃度總結(jié)在表1中。棒樣品1B的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像示于圖1。表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>微單元技術(shù)制造。實施例2該實施例說明一種用于制備本發(fā)明的拋光墊的方法。通過擠出方法制備一系列熱塑性聚氨酯(TPU)發(fā)泡體板(2A、2B、2C和2D)。各TPU板是使用重均分子量為90000克/摩爾至110000克/摩爾、同時PDI為2.2至3.3的TPU制備的。在各情況下，在提高的溫度和壓力下將該TPU放置于擠出機(jī)(LabexIIprimary,直徑為6.35厘米(2.5英寸)，L/D為32/1,單螺桿)中以形成聚合物熔體。在導(dǎo)致形成與該聚合物熔體共混的超臨界流體C02的提高的溫度和壓力下，將二氧化碳?xì)怏w注射到該聚合物熔體中，以形成單相溶液。將該C(V聚合物溶液擠出通過平模(30.5厘米(12英寸)寬，0.005_0.0036厘米(0.002-0.0014英寸)的伸縮縫(flexgap),6。收斂)以形成多孔發(fā)泡體板。對于板2A、2B、2C和2D,CC^濃度分別為0.50%、0.80%、1.70%和1.95%。該擠出機(jī)的各區(qū)溫度，澆口、模頭及熔體溫度，模頭壓力，螺桿轉(zhuǎn)速，C02濃度以及板的尺寸總結(jié)在表2中。表2:<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>具有良好的單元尺寸均勻性(土25微米)的多孔TPU發(fā)泡體板是利用表2所示各系列的擠出參數(shù)制備的。樣品2A和2B具有大的平均單元尺寸(>100微米)。板2C和2D具有小的平均單元尺寸(<100微米)。該實施例表明具有小單元尺寸的多孔發(fā)泡體板可通過超臨界流體方法制造。實施例3該實施例說明一種用于制備本發(fā)明的拋光墊的方法。通過擠出方法制備一系列熱塑性聚氨酯(TPU)發(fā)泡體板(3A、3B、3C和3D)。各TPU板是使用重均分子量為90000克/摩爾至110000克/摩爾、同時PDI為2.2至3.3的TPU制備的。在各情況下，在提高的溫度和壓力下，將該TPU放置于擠出機(jī)(LabexIIprimary,直徑為6.35厘米(2.5英寸)，L/D為32/1,單螺桿)中以形成聚合物熔體。在導(dǎo)致形成與該聚合物熔體共混的超臨界流體co2的提高的溫度和壓力下，將二氧化碳?xì)怏w注射到該聚合物熔體中，以形成單相溶液。將該C(V聚合物溶液擠出通過平模(30.5厘米(12英寸)寬，0.005-0.0036厘米(0.002-0.0014英寸)的伸縮縫，6。收斂),以形成多孔發(fā)泡體板。對于板3A、3B、3C和3D,(302濃度分別為1.38%、1.50%、1.66%和2.05%。該擠出機(jī)的各區(qū)溫度，澆口、模頭及熔體溫度，模頭壓力，螺桿轉(zhuǎn)速以及C02濃度總結(jié)在表3中。該多孔TPU發(fā)泡體板中所產(chǎn)生的平均單元尺寸取決于C02氣體的濃度。該單相溶液中的C02濃度對所得板的密度的圖示于頁圖2。表3:<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>具有良好的單元尺寸均勻性的多孔TPU發(fā)泡體板是使用表3中所示的各系列的擠出參數(shù)制備的。樣品3D的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像示于圖3(剖面)及圖4(頂表面)。測定樣品3D的物理性質(zhì)，該數(shù)據(jù)總結(jié)在表4中。根據(jù)ASTMD795測試方法測定該拋光墊的密度。根據(jù)ASTM2240測試方法測定該拋光墊的肖氏A硬度。根據(jù)ASTMD638測試方法測定該拋光墊的峰值應(yīng)力。使用Ames計在0.031MPa(4.5psi)的壓力下測定壓縮百分率。首先將該Ames檢測器的探針調(diào)零(無樣品)，然后測量該樣品厚度(D1)。將5磅的砝碼(0.031MPa)置于該探針上，并且在1分鐘后測量樣品厚度(D2)。壓縮率為厚度差(D1-D2)與初始樣品厚度(D1)之比。所述壓縮百分率還可使用Instron技術(shù)在0.5MPa(72psi)的壓力下進(jìn)行測量。回彈百分率使用Shore彈力計(ShoreInstrument&MFG)進(jìn)行測定?；貜棸俜致室越饘賶K(metalslug)在0.031MPa(4.5psi)下回彈離開預(yù)成型的試樣時運(yùn)動的高度來度量?；貜棸俜致蕡蟮罏?次以上測量的平均值。根據(jù)ASTMD7卯測試方法測定撓曲沖莫量。透氣性使用GenuineGurley4340自動透氣度測定儀測定。DMA，使用TA2980型儀器，其操作溫度為-25。C至130°C，頻率為3Hz，加熱速率為2.5°C/min。Tg是由儲存模量對溫度的曲線的中點計算得出的。對于TMA,根據(jù)ASTME831測試方法進(jìn)行測試。通過示差掃描熱量法(DSC)測定Tm。使用TA2920型儀器，其操作溫度為-50。C至230°C,加熱速率為10°C/min。由放熱曲線的峰值熔點計算該Tj直。通過DMA在25。C下測量儲存才莫量。Taber磨耗是在1000個拋光循環(huán)中所磨掉(remove)的多孔發(fā)泡體板的量。使用放大倍率為50倍和100倍的SEM顯微照片確定各多孔發(fā)泡體板的平均孔徑及孔密度。通過數(shù)在給定單位面積中的閉合單元孔，然后使用成像軟件CLEMEXVISION⑧軟件(可從ClemexTechnologies得到)對這些孔直徑取平均值來測量平均孔徑及孔徑分布。針對反映該樣品中的孔的非球形性質(zhì)的寬度和長度二者來報告這些孔的尺寸及百分率。通過以下公式確定孔的密度單元數(shù)量/立方厘米=^P糾料^其中p^為實心熱塑性聚氨酯墊(無SCF氣體)的密度，其等于1.2克/立方厘米，p狄料為微孔熱塑性聚氨酯墊(有SCF氣體)的密度，以及d為該單元的直徑(厘米，假設(shè)為球形)。表4:<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>在25°C下的儲存模量(DMA)1000MPaTaber磨耗71.65毫克/1000個循環(huán)樣品3D的平均孔徑和孔徑分布還可在該樣品用氧化硅塊(block)處理5小時后測定。尺寸在平均值士20毫米以內(nèi)的孔的平均孔徑和百分率的數(shù)值(分別為7.7士9.3xl3.2士15.5(寬x長)和98%/91%(寬/長》基本上與在處理和研磨之前所獲得的數(shù)值相同。這些結(jié)果表明該多孔發(fā)泡體板的整個截面區(qū)域的孔徑和孔徑分布是連續(xù)的。實施例4該實施例說明本發(fā)明的微孔發(fā)泡體拋光墊具有良好的拋光性質(zhì)。根據(jù)實施例3中針對樣品3D所述的方法制備的微孔發(fā)泡體聚氨酯拋光墊具有0.989克/毫升的密度和0.107厘米(0.0423英寸)的厚度，其用于化學(xué)機(jī)械拋光毯覆式二氧化硅晶片。該拋光墊在無任何處理(即形成微凹槽或微結(jié)構(gòu))、打磨、或外部大凹槽(即大紋理)的情況下使用。測定該拋光墊的移除速率和晶片內(nèi)不均勻度作為所拋光的二氧化硅晶片數(shù)量的函數(shù)。連續(xù)測量4個晶片的移除速率，隨后拋光4個"模型(dummy)"二氧化硅晶片，但未記錄其移除速率。移除速率對所拋光的二氧化硅晶片的數(shù)量的曲線圖示于圖5。拋光參數(shù)為夾持器下壓力為0.028MPa(4psi)、漿料流速為100毫升/分鐘、工作臺轉(zhuǎn)速為60rpm、夾持器轉(zhuǎn)速為55-60rpm。圖5中所示數(shù)據(jù)表明即使在沒有任何處理、打磨或凹槽大紋理的情況下，所述包括具有均勻單元尺寸分布的微孔發(fā)泡體的拋光墊也產(chǎn)生對二氧化硅毯覆式晶片的相當(dāng)大的(substantial)拋光移除速率。而且，所述拋光墊產(chǎn)生非常低的晶片內(nèi)不均勻度。實施例使用不同的拋光墊在相同的拋光組合物(即由CabotMicroelectronics出售的SEMI-SPERSED7300拋光組合物)的存在下拋光二氧化硅趁覆式晶片。拋光墊5A(對照)為具有微凹槽及大凹槽的實心非多孔聚氨酯拋光墊。拋光墊5B(本發(fā)明)為具有20士10微米或更小的均勻孔徑的微孔發(fā)泡體聚氨酯拋光墊，其#4居在實施例3中針對樣品3D所述的方法制備，并且具有0.989克/毫升的密度和0.107厘米(0.0423英寸)的厚度，其是經(jīng)打磨、處理(以形成微凹槽)及開槽(大凹槽)過的。測定各拋光墊的移除速率和不均勻度作為所拋光的二氧化硅晶片數(shù)量的函數(shù)。拋光墊5A和5B各自的移除速率對所拋光的二氧化硅晶片的數(shù)量的曲線圖示于圖6。拋光參數(shù)為夾持器下壓力為0.028MPa(4psi)、漿料流速為100毫升/分鐘、工作臺轉(zhuǎn)速為60rpm、夾持器轉(zhuǎn)速為55-60rpm。所述實心拋光墊和本發(fā)明的微孔發(fā)泡體拋光墊頂部具有凹槽的表面的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像分別示于圖7a和圖7b-7c。圖6的曲線圖表明，與實心非多孔拋光墊相比，具有均勻的單元尺寸分布的微孔發(fā)泡體拋光墊對二氧化硅毯覆式晶片具有更優(yōu)良的移除速率。而且，本發(fā)明的微孔拋光墊在拋光20個或更多個晶片的過程中具有非常一致的移除速率和低的不均勻度，表明該拋光墊未隨時間推移而變得光滑。圖7a-c中的SEM圖像說明本發(fā)明的微孔發(fā)泡體拋光墊(圖7b和7c)在拋光過程中不易于像用常規(guī)的拋光墊(圖7a)所觀察到的那樣^皮磨光。實施例6輸送該拋光組合物，并且可以輸送該拋光組合物。將實心聚氨酯拋光墊(墊6A,比較)、微孔發(fā)泡體聚氨酯拋光墊(墊6B,本發(fā)明)、以及常規(guī)的閉合單元聚氨酯拋光墊(墊6C,比較)用在使用pH為11的含水的蒸氣沉積二氧化硅(fomedsilica)研磨劑的化學(xué)機(jī)械拋光實驗中。在拋光20個二氧化硅晶片后，通過SEMX-射線影像技術(shù)、能量色散X-射線(EDX)光譜研究各拋光墊，以確定基于二氧化硅的拋光組合物的滲透程度。墊6A、6B和6C的EDX圖像分別示于圖8a、8b和8c中。對于實心拋光墊(墊6A)，二氧化硅研磨劑的滲透程度僅為該墊厚度的10%或15%,如圖8a所示。對于微孔發(fā)泡體拋光墊(墊6B),該二氧化硅研磨劑滲透穿過該墊厚度的至少40%。對于常規(guī)的閉合單元拋光墊(墊6C)，該二氧化硅研磨劑僅滲透穿過該墊厚度的20%至25%。該實施例表明本發(fā)明的微孔發(fā)泡體拋光墊能夠?qū)伖饨M合物研磨劑顆粒良好地輸送到該拋光墊的主體中，而常規(guī)的實心和閉合單元拋光墊不能將該拋光組合物輸送到該拋光墊的主體中。實施例7該實施例顯示本發(fā)明的微孔發(fā)泡體拋光墊具有比常規(guī)的閉合單元微孔拋光墊更優(yōu)良的拋光速率。使用不同的拋光墊(拋光墊7A、7B和7C)用PH為11的含水的蒸氣沉積二氧化硅拋光類似的圖案化的二氧化硅晶片。拋光墊7A(比較)為實心非多孔聚氨酯拋光墊。拋光墊7B(本發(fā)明)為本發(fā)明的微孔發(fā)泡體聚氨酯拋光墊。拋光墊7C(比較)為常規(guī)的微孔閉合單元聚氨酯拋光墊。各拋光墊皆經(jīng)打磨、處理及開槽。用各拋光墊拋光代表具有8000埃的階梯高度的40%密度區(qū)域和具有8000埃的階梯高度的70%密度區(qū)域的圖案化的二氧化硅晶片，并在30、60、90、120和150秒后測定所述特征的剩余階梯高度。40%致密特征和70%致密特征的結(jié)果分別繪制于圖9和圖10中。圖9和圖10中描述的結(jié)果顯示，對于40%密度的區(qū)域，所有這些拋光墊(拋光墊7A-7C)在60秒后皆具有小于1000埃的剩余階梯高度。然而，對于70%密度的區(qū)域，在90秒后僅拋光墊7A和7B具有小于1000埃的剩余階梯高度。因此，本發(fā)明的微孔發(fā)泡體拋光墊具有比常規(guī)的微孔發(fā)泡體閉合單元拋光墊更優(yōu)良的拋光速率。實施例8該實施例說明一種使用加壓氣體注射法制備本發(fā)明的拋光墊的方法。在室溫下將兩個實心擠出TPU板的樣品放置于具有5MPaC02氣體的加壓容器中30小時。各實心TPU板皆吸收5重量％的C02。然后在5MPa的飽和壓力下將各TPU樣品(樣品8A和8B)分別加熱至50。C和97.6°C,以制備平均單元尺寸分別為0.1微米和4微米(計數(shù)99個單元，最小值為2微米，最大值為8微米，標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.5)的板。平均單元尺寸使用圖像分析軟件來確定。未經(jīng)處理的實心TPU板的SEM圖像示于圖11。經(jīng)發(fā)泡的TPU板(樣品8A和8B，本發(fā)明)的SEM圖像示于圖12-15。圖12和13的放大倍率分別為7500倍和20000倍。圖14和15的方法倍率分別為350倍和1000倍。該實施例表明，該加壓氣體注射法可用于制備具有小于20微米的平均孔徑和高度均勻的孔徑分布的多孔發(fā)泡體拋光墊材料。實施例9該實施例說明本發(fā)明的具有60微米或更小范圍內(nèi)的平均孔單元尺寸的拋光墊的制備，其中該發(fā)泡體中至少75%的孔具有在所述平均孔單元尺寸的20微米以內(nèi)的孔單元尺寸；該墊具有至少一個紋理化的表面，其包括深度為25微米至1150微米、寬度為0.25微米至380微米、以及長比寬的縱橫比為1至1000的凹痕；該墊的該至少一個紋理化的表面包括至少10個凹痕/平方厘米表面積，并且具有至少為5微米的平均表面粗糙度。通過擠出方法制備一系列熱塑性聚氨酯(TPU)發(fā)泡體板(9A、9B和9C)。各TPU板皆使用重均分子量為60000克/摩爾至170000克/摩爾、同時PDI為2.2至3.3的TPU制備。在各情況下，在提高的溫度和壓力下，將該TPU放置于擠出機(jī)(螺桿直徑為8.89厘米(3.5")，L/D為32/1，單螺桿)中以形成聚合物熔體。在導(dǎo)致形成與該聚合物熔體共混的超臨界流體C02的提高的溫度和壓力下，將二氧化碳?xì)怏w注射到該聚合物熔體中，以形成單相溶液。將該C02/聚合物溶液擠出通過平模(94厘米(37英寸)寬)以形成多孔發(fā)泡體板。在該板固化之前使其通過一對軋輥以壓制該板。對于板9A、9B和9C,C02濃度分別為1.9%、1.67%和1.82%。該擠出機(jī)各區(qū)的溫度，澆口、模口及熔體的溫度，模頭壓力，螺桿轉(zhuǎn)速以及C02濃度總結(jié)在表5中。各塾的物理性質(zhì)總結(jié)在表6中。表5:<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>所有這些墊9A、9B和9C每平方厘米皆具有大于IO個的凹痕。像實施例4、5和7中所描述的那樣對這些墊進(jìn)行評價以評估其拋光特性，其顯示出低的WIWNU值、高的移除速率和低的偏離(deflectivity)。實施例10該實施例說明本發(fā)明的具有60微米或更小范圍內(nèi)的平均孔單元尺寸的拋光墊的制備，其中該發(fā)泡體中至少75%的孔具有在所述平均孔單元尺寸的20微米以內(nèi)的孔單元尺寸；該墊具有至少一個紋理化的表面，其包括深度為25微米至1150微米、寬度為0.25微米至380微米、以及長比寬的縱橫比為1至1000的凹痕；該墊的該至少一個紋理化的表面包括至少10個凹痕/平方厘米表面積，其具有至少為5微米的平均表面粗糙度，并且具有壓印于其上的凹槽的紋理化圖案。通過擠出方法制備一系列熱塑性聚氨酉旨(TPU)發(fā)泡體板(10A-10F)。各TPU板皆使用重均分子量為60000克/摩爾至170000克/摩爾、同時PDI為2.2至3.3且RPI為2-10的TPU制備。在各情況下，在提高的溫度和壓力下，將該TPU放置于擠出機(jī)(螺桿直徑為8.89厘米(3.5")，L/D為32/1,單螺桿)中以形成聚合物熔體。在導(dǎo)致形成與該聚合物熔體共混的超臨界流體co2的提高的溫度和壓力下，將二氧化碳?xì)怏w注射到該聚合物熔體中，以形成單相溶液。將該C(V聚合物溶液擠出通過平模(37英寸寬)以形成多孔發(fā)泡體板。使該板通過其中一個輥的表面上具有金屬絲網(wǎng)狀圖案的一對軋輥，以在固化之前壓制該板并將圖案壓印在該發(fā)泡體的表面上。如表7中所示，金屬絲網(wǎng)尺寸不同。在各情況下，所述輥之間的縫隙為50-55密耳的數(shù)量級。對于板10A、IOB、IOC、IOD、IOE和IOF,在所有樣品中C02濃度保持相同，分別為1.8%。墊10A-10F的一些樣品的紋理化表面經(jīng)打磨(任意處2至6次)以進(jìn)一步降低其表面粗糙度。不出所料，Ra隨著打磨次數(shù)的增加而減小。各墊皆具有小于30微米的平均單元尺寸。該擠出機(jī)各區(qū)的溫度，澆口、?？诩叭垠w溫度，?？趬毫?，螺桿轉(zhuǎn)速以及C02濃度總結(jié)在表7和表8中。各墊的物理性質(zhì)總結(jié)在表9和表10中。表7:<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>用于制備墊IOA至10F的軋輥上的金屬絲網(wǎng)篩如下30x30金屬絲網(wǎng)，金屬絲直徑為6.5密耳(10A、IOB、10C);80x80金屬絲網(wǎng)，金屬絲直徑為3.7密耳(10D、10E);以及44x44金屬絲網(wǎng)，金屬絲直徑為5.5密耳(10F)。圖16示出了樣品IOA(左上部)、IOB(右上部)、IOE(左下部)和IOF(右下部)的掃描電子顯微照片，其圖示了通過紋理化的軋輥壓印在該紋理化的表面中的網(wǎng)狀圖案。令人驚奇的是，在這些墊的紋理化表面上的網(wǎng)狀圖案的印痕顯著降低了這些墊的紋理化表面的表面粗糙度，如圖17所示。權(quán)利要求1.一種適用于化學(xué)機(jī)械拋光的表面具有紋理的拋光墊，其包括平均孔單元尺寸在60微米或更小范圍內(nèi)的多孔聚合物發(fā)泡體，其中該發(fā)泡體中至少75％的孔具有在該平均孔單元尺寸的30微米以內(nèi)的孔單元尺寸；該墊具有至少一個紋理化的表面，其包括深度為25微米至1150微米、寬度為0.25微米至380微米、以及深度對寬度的縱橫比為1至1000的凹痕；該墊的該至少一個紋理化的表面包括至少10個凹痕/平方厘米表面積，并且具有至少為5微米的平均表面粗糙度。2.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該多孔聚合物發(fā)泡體具有至少為104個單元/立方厘米的孔單元密度。3.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該多孔聚合物發(fā)泡體具有至少為0.5克/立方厘米的密度。4.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該多孔聚合物發(fā)泡體中的大多數(shù)單元為閉合單元。5.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該多孔聚合物發(fā)泡體包括熱塑性聚氨酯。6.權(quán)利要求5的拋光墊，其中該熱塑性聚氨酯具有20000克/摩爾至600000克/摩爾的重均分子量(Mw)。7.權(quán)利要求6的拋光墊，其中該熱塑性聚氨酯具有20或更小的熔體流動指lt(MFI)。8.權(quán)利要求6的拋光墊，其中該熱塑性聚氨酯具有1.1至6的多分散性指數(shù)(PDI)。9.權(quán)利要求6的拋光墊，其中該熱塑性聚氨酯具有2至10的流變加工指數(shù)(RPI)。10.權(quán)利要求5的拋光墊，其中該多孔聚合物發(fā)泡體具有不超過8%的平均壓縮百分率。11.權(quán)利要求5的拋光墊，其中該熱塑性聚氨酯發(fā)泡體具有至少為20%的平均回彈百分率。12.權(quán)利要求1的拋光墊，其中至少一個紋理化的表面具有75肖氏A至90肖氏D的硬度。13.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該至少一個紋理化的表面進(jìn)一步包括壓印于其上的凹槽的紋理化圖案。14.權(quán)利要求12的拋光墊，其中所述各凹槽皆具有25微米至500微米的寬度。15.權(quán)利要求12的拋光墊，其中所述凹槽具有25微米至500微米的深度。16.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該至少一個紋理化的表面包括壓印于其上的凹槽的網(wǎng)狀圖案，該網(wǎng)狀圖案包括相間隔的、平行的凹槽的第一圖案和與該相間隔的、平行的凹槽的第一圖案相交的相間隔的、平行的凹槽的第二圖案。17.權(quán)利要求15的拋光墊，其中所述各凹槽皆具有25微米至500微米的寬度。18.權(quán)利要求15的拋光墊，其中該相間隔的、平行的凹槽的第一和第二圖案的平行凹槽彼此相隔250微米至1000微米的距離。19.權(quán)利要求15的拋光塾，其中所述凹槽具有25微米至500微米的深度。20.權(quán)利要求1的拋光墊，其中該多孔聚合物發(fā)泡體具有1微米至30微米的平均孔徑。21.—種用于制備權(quán)利要求1的拋光墊的方法，其包括(a)使聚合物樹脂與超臨界氣體組合以產(chǎn)生單相溶液，其中該超臨界氣體是通過使氣體經(jīng)受提高的溫度和壓力而產(chǎn)生的；(b)由該單相溶液擠出聚合物發(fā)泡體板；(c)壓制該才反，以及(d)由如此擠出壓制的聚合物發(fā)泡體板形成具有至少一個紋理化的表面的拋光墊。22.權(quán)利要求20的方法，其中與該聚合物樹脂組合的超臨界氣體的量為該單相溶液總體積的0.01%至5%。23.權(quán)利要求20的方法，其進(jìn)一步包括在形成該拋光墊之前，在該經(jīng)壓制的擠出聚合物發(fā)泡體板的表面上壓印至少一種凹槽的紋理化圖案的額外步驟。24.權(quán)利要求20的方法，其中所述各凹槽皆具有25微米至500微米的寬度。25.權(quán)利要求20的方法，其中所述凹槽具有25微米至500微米的深度。26.權(quán)利要求20的方法，其進(jìn)一步包括打磨該墊的至少一個紋理化的表面以降低其表面粗糙度的額外步驟。27.—種化學(xué)機(jī)械拋光裝置，其包括(a)旋轉(zhuǎn)的工作臺，(b)權(quán)利要求1的拋光墊，以及(c)夾持器，其夾持待通過使工件與該旋轉(zhuǎn)的拋光墊接觸而進(jìn)行拋光的所述工件。28.權(quán)利要求27的化學(xué)機(jī)械拋光裝置，其進(jìn)一步包括原位終點監(jiān)測系統(tǒng)。29.—種拋光工件的方法，其包括(i)提供權(quán)利要求1的拋光墊，(ii)使工件與該拋光墊接觸，以及(iii)相對于該工件移動該拋光墊以磨損該工件，并且由此拋光該工件。全文摘要一種適用于化學(xué)機(jī)械拋光的表面具有紋理的拋光墊，其包括平均孔單元尺寸在60米或更小范圍內(nèi)的多孔聚合物發(fā)泡體。該發(fā)泡體中至少75％的孔具有在所述平均孔單元尺寸的30米以內(nèi)的孔單元尺寸。該墊具有至少一個紋理化的表面，其包括深度為25米至1150米、寬度為0.25米至380米、以及長比寬的縱橫比為1至1000的凹痕。此外，該墊的該至少一個紋理化的表面包括至少10個凹痕/平方厘米表面積，并且具有至少為5米的平均表面粗糙度。優(yōu)選地，該至少一個紋理化的表面具有至少一種壓印于其上的相間隔的、平行的凹槽的圖案。文檔編號B32B3/26GK101282818SQ200680037844公開日2008年10月8日申請日期2006年8月8日優(yōu)先權(quán)日2005年8月19日發(fā)明者阿巴內(nèi)什沃·普拉薩德申請人:卡伯特微電子公司