體系多層陶瓷電容器及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器及其制備方法。該方法使用氧化銅(CuO)、碳酸鈣(CaCO3)、氧化鈦(TiO2)為原料，添加一定量的有機(jī)物(PVB、PAG、BBP等)，采用固相法以及流延成型的方法，制備出高質(zhì)量的厚度為100μm～10mm薄片，然后通過(guò)切割、排膠、高溫?zé)Y(jié)、器件制備等步驟得到高介電常數(shù)、低介電損耗、高穩(wěn)定性的多層陶瓷電容器。本發(fā)明的CCTO陶瓷材料介電常數(shù)達(dá)到1.0×104，介電損耗在0.2以下，適合于制備大電容陶瓷材料電容器。
【專利說(shuō)明】CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于材料領(lǐng)域，具體涉及陶瓷領(lǐng)域，更具體涉及一種CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]CaCu3Ti4O12體系由于其超高的介電常數(shù)以及低介電損耗，屬于巨介電材料，而陶瓷具有優(yōu)良的機(jī)械性能以及化學(xué)穩(wěn)定性，所以CaCu3Ti4O12體系陶瓷被認(rèn)為是制備大電容器的理想材料。目前國(guó)內(nèi)外的陶瓷電容器采用的是BaT13體系，介電常數(shù)在1000左右，并且居里溫度在100°C左右，在使用過(guò)程中容易改性，不適合制備低損耗、高穩(wěn)定性的大電容器。在《一種殼-芯結(jié)構(gòu)CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制備方法》的專利中提到了采用溶膠法制備CCTO陶瓷材料，介電常數(shù)達(dá)到9 X 103，介電損耗達(dá)到0.3。而在目前國(guó)內(nèi)外關(guān)于CCTO陶瓷材料的研究報(bào)導(dǎo)中，已經(jīng)能夠把介電常數(shù)提高到1.0X 14左右量級(jí)，同時(shí)介電常數(shù)在0.2以下，更好地適用于制備大電容器。
[0003]流延成型技術(shù)具有工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高、方法穩(wěn)定等特點(diǎn)，可以制備大面積的超薄材料，被廣泛應(yīng)用在電子、材料、能源等領(lǐng)域。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器及其制備方法。
[0005]本發(fā)明提供的CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器，是由至少兩層陶瓷片組成的陶瓷片組、電極層和作為兩極的導(dǎo)線組成；
[0006]構(gòu)成所述陶瓷片的材料為CaCu3Ti4O12 ；
[0007]每片陶瓷片上表面和下表面均設(shè)置有電極層；
[0008]所述電極層位于陶瓷片表面的左端或右端，且同一陶瓷片的上表面和下表面上的電極層不在同一端，相鄰兩陶瓷片相接觸的兩表面的電極層位于同一端；
[0009]在所述陶瓷片組的兩側(cè)立面設(shè)置有與最外側(cè)陶瓷片表面的電極層相連接的電極層；
[0010]所述導(dǎo)線為兩根，分別與陶瓷片組的兩側(cè)相連。
[0011]上述CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)如圖3所示。其中，構(gòu)成所述電極的材料為銀膠、銀或銅；
[0012]所述陶瓷片的厚度為100 μ m?1mm,具體為0.15mm-1mm ；
[0013]所述CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器的介電常數(shù)不小于1.0X 104，介電損耗低于0.2 ;
[0014]每片陶瓷片上表面或下表面上所述電極層的面積均不小于所述陶瓷片上表面或下表面面積的一半，但小于所述陶瓷片上表面或下表面的總面積。
[0015]本發(fā)明提供的制備CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的方法，包括如下步驟:
[0016]I)按照CaCu3Ti4O12的化學(xué)計(jì)量比將CaCO3、CuO、T12混合，再加入球磨介質(zhì)和溶劑A進(jìn)行球磨，將球磨所得漿料烘干后進(jìn)行煅燒，再降溫至室溫，得到中間產(chǎn)物a ；
[0017]2)將步驟I)所得中間產(chǎn)物a研磨成粉末后，加入球磨介質(zhì)、溶劑B和分散劑進(jìn)行第一次球磨；
[0018]再將第一次球磨后所得漿料與塑性劑、粘結(jié)劑和除泡劑混勻進(jìn)行第二次球磨，得到中間產(chǎn)物b ；
[0019]3)將步驟2)所得中間產(chǎn)物b脫泡后進(jìn)行流延成型，得到單層流延片后排膠，得到脫脂后的陶瓷坯體；
[0020]4)將步驟3)所得脫脂后的陶瓷坯體進(jìn)行燒結(jié)，得到陶瓷片后，將至少兩片陶瓷片疊在一起得到陶瓷片組，在每片陶瓷片上表面和下表面分別制備一層電極層；所述電極層位于陶瓷片表面的左端或右端，且同一陶瓷片的上表面和下表面上的電極層不在同一端，相鄰兩陶瓷片相接觸的兩表面的電極層位于同一端；再在所述陶瓷片組的兩側(cè)立面設(shè)置有與最外側(cè)陶瓷片表面的電極層相連接的電極層，再?gòu)奶沾善M的兩側(cè)分別引出一根導(dǎo)線，作為所述CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的兩極，得到所述CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器。
[0021]上述方法的步驟I)中，球磨介質(zhì)為Zr2O3磨球；
[0022]所述球磨介質(zhì)與CaC03、CuO和T12總質(zhì)量的比例為1_5:1，具體為3:1;
[0023]所述溶劑A選自乙醇、丁酮和丙酮中的至少一種；
[0024]所述溶劑A與CaC03、CuO和T12總質(zhì)量的比例為1_3:1，具體為2:1;
[0025]所述球磨步驟中，球磨轉(zhuǎn)速為30-500r/min,具體為230r/min ;環(huán)境溫度為10-40°C，具體為220C ;球磨時(shí)間為5-40小時(shí)，具體為24h ；
[0026]所述煅燒步驟中，升溫速率為1-10°C /min，具體為5°C /min ;終溫為700-1000°C，具體為900°C ;保溫時(shí)間為1-50小時(shí)，具體為5小時(shí)；
[0027]所述降溫步驟中，降溫速率為1_10°C /min,具體為10°C /min。
[0028]所述步驟2)研磨步驟中，研磨后所得粉末的目數(shù)為50-150目；
[0029]所述第一次球磨步驟中,球磨介質(zhì)為Zr2O3磨球；
[0030]所述球磨介質(zhì)與CaC03、CuO和T12總質(zhì)量的比例為1_5:1，具體為3:1;
[0031]所述溶劑B由乙醇和二甲苯組成；所述乙醇和二甲苯的質(zhì)量比為1:3?3:1，具體為 2:3 ;
[0032]所述溶劑B與CaCO3> CuO和T12總質(zhì)量的比例為1:3 ~ 3:1，具體為35:65 ；
[0033]所述分散劑選自鯡魚(yú)油、蓖麻油和明膠中的至少一種；所述分散劑的用量為所述CaC03、CuO和T12總質(zhì)量的1-10%，具體為4% ；
[0034]所述第一次球磨步驟中，球磨轉(zhuǎn)速為50_350r/min,具體為230r/min ;環(huán)境溫度為10-50°C，具體為22°C ;球磨時(shí)間為5-40小時(shí)，具體為12h ；
[0035]所述步驟2)第二次球磨步驟中，塑性劑由聚亞烷基乙二醇(PAG)和鄰苯二甲酸丁芐酯(BBP)組成；所述PAG和BBP的質(zhì)量比具體為1:1 ；
[0036]所述塑性劑的用量為第一次球磨所得漿料質(zhì)量的1_10%，具體為3% ；
[0037]所述粘結(jié)劑為PVB ;所述粘結(jié)劑的用量為第一次球磨所得漿料質(zhì)量的1_10%，具體為6% ；
[0038]所述除泡劑為環(huán)己酮；所述除泡劑的用量為第一次球磨所得漿料質(zhì)量的
0.5-5%，具體為 1.5% ；
[0039]所述第二次球磨步驟中，球磨轉(zhuǎn)速為50-350r/min，具體為230r/min ;環(huán)境溫度為10-50°C，具體為220C ;球磨時(shí)間為5-40小時(shí)，具體為12h。
[0040]所述步驟3)脫泡步驟中，真空度為IX 10_3?IPa，具體為0.1Pa ;攪拌速度為
10-200r/min，具體為 60r/min，除泡時(shí)間為 2_60min，具體為 20min ；
[0041]所述流延成型步驟中，溫度為20?50°C，具體為30°C ;流延刀口高度為0.2?2mm,具體為1.5mm ;流延速度為0.1?3m/min,具體為1.2m/min ;流延脫還前靜置時(shí)間為1-24小時(shí)，具體為7h。
[0042]所述步驟3)排膠步驟中，升溫速率為0.1-2°C /min，具體為1°C /min，排膠溫度為500-1000°C，具體為800°C，排膠時(shí)間為1_20小時(shí)，具體為10h，降溫速率為1_10°C /min，具體為3°C /min ；(降溫后的終溫是室溫)
[0043]所述步驟4)燒結(jié)步驟中，升溫速率為I?10°C /min,具體為5°C /min ;燒結(jié)溫度為1100?1300°C，具體為1200°C ;保溫時(shí)間為I?50小時(shí)，具體為10小時(shí)；降溫速率為I ~ 10°C /min。
[0044]所述步驟4)制備電極層的步驟中，制備方法為各種常規(guī)方法，如涂覆法、磁控濺射法或絲網(wǎng)印刷法。
[0045]上述CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器在制備大電容陶瓷材料電容器中的應(yīng)用，也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0046]本發(fā)明以商業(yè)化的氧化物粉體為原料，采用固相法以及流延成型的方法，制備出高質(zhì)量的厚度為10ym?1mm薄片，然后通過(guò)切割、排膠、高溫?zé)Y(jié)、器件制備等步驟得到高介電常數(shù)、低介電損耗、高穩(wěn)定性的多層陶瓷電容器。本發(fā)明的CCTO陶瓷材料介電常數(shù)達(dá)到1.0X 104，介電損耗在0.2以下，適合于制備大電容陶瓷材料電容器。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0047]圖1為常溫下CaCu3Ti4O12體系陶瓷材料的介電常數(shù)。
[0048]圖2為常溫下CaCu3Ti4O12體系陶瓷材料的介電損耗。
[0049]圖3為CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0050]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步闡述，但本發(fā)明并不限于以下實(shí)施例。所述方法如無(wú)特別說(shuō)明均為常規(guī)方法。所述原材料如無(wú)特別說(shuō)明均能從公開(kāi)商業(yè)途徑獲得。
[0051]實(shí)施例1、
[0052]I)按照化學(xué)計(jì)量比CaCu3Ti4O12精確稱量CaCO3 (純度為99.99% ) 10g, CuO (純度為99.99 % ) 24g, T12 (純度為99.99 % ) 16g，再根據(jù)球料質(zhì)量比3:1和溶劑A與粉體質(zhì)量比2:1，稱量Zr2O3磨球150g、溶劑A乙醇100g，球磨轉(zhuǎn)速230r/min，環(huán)境溫度設(shè)定22°C，球磨24h。待漿料烘干之后，利用氧化鋁坩堝在高溫爐中煅燒，5°C /min升溫至900°C，保溫5h，隨后10°C /min降至室溫，得到中間產(chǎn)物a ；
[0053]2)將步驟I)所得中間產(chǎn)物a研磨成100目的粉末后，再根據(jù)球料質(zhì)量比3:1和溶劑B與粉體質(zhì)量比35:65，稱量Zr2O3磨球120g,溶劑B由質(zhì)量比2:3的乙醇29.71g和二甲苯44.57g組成，再按粉料質(zhì)量分?jǐn)?shù)4wt%稱量鯡魚(yú)油1.6g作為分散劑，然后進(jìn)行第一次球磨12h，球磨轉(zhuǎn)速230r/min，環(huán)境溫度22°C。
[0054]再按質(zhì)量分?jǐn)?shù)3被％分別稱量1.2g的PAG和1.2g的BBP作為塑性劑，按6被％質(zhì)量分?jǐn)?shù)稱量2.4g的PVB作為粘結(jié)劑,按1.5?1:%的質(zhì)量分?jǐn)?shù)稱量0.6g的環(huán)己酮作為除泡齊U，加入到第一次球磨后所得漿料中混勻進(jìn)行第二次球磨，球磨時(shí)間12h，轉(zhuǎn)速230r/min，環(huán)境溫度22°C，得到中間產(chǎn)物b ;
[0055]3)將步驟2)所得中間產(chǎn)物b置于真空環(huán)境中進(jìn)行脫泡處理，真空度0.1Pa，攪拌速度60r/min,脫泡時(shí)間20min。
[0056]除泡完的漿料置于流延機(jī)上進(jìn)行流延成型(流延速度1.2m/min,流延環(huán)境溫度30°C，流延刀口高度1.5mm，流延脫坯前靜置時(shí)間7h)，照預(yù)先設(shè)定好的尺寸，從流延片上切割成20X20mm2的單層流延片，置于氧氣氣氛的爐子中進(jìn)行排膠處理，升溫速率1°C /min,排膠溫度800°C，排膠時(shí)間10h，降溫速率3°C /min。排膠完成之后再置于高溫?zé)Y(jié)爐中燒結(jié)，5°C /min升溫至1200°C，保溫10h，然后10°C /min降溫至200°C，，再自然冷卻至室溫，得到脫脂后的陶瓷坯體；
[0057]4)將步驟3)所得脫脂后的陶瓷坯體進(jìn)行燒結(jié)，由室溫升至燒結(jié)溫度的升溫速率為5°C /min，燒結(jié)溫度為1200°C，保溫10小時(shí)后，以5°C /min的降溫速率降溫至室溫，得到陶瓷片后，將八片陶瓷片疊在一起得到陶瓷片組，在每片陶瓷片上表面和下表面分別制備一層電極層；電極層位于陶瓷片表面的左端或右端，且同一陶瓷片的上表面和下表面上的電極層不在同一端，相鄰兩陶瓷片相接觸的兩表面的電極層位于同一端，且每片陶瓷片上表面或下表面上電極層的面積均為陶瓷片上表面或下表面面積的四分之三；再在陶瓷片組的兩側(cè)立面設(shè)置有與最外側(cè)陶瓷片表面的電極層相連接的電極層，再?gòu)奶沾善M的兩側(cè)分另IJ引出一根導(dǎo)線，作為陶瓷電容器的兩極，得到本發(fā)明提供的CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器。
[0058]該CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器，是由八層陶瓷片組成的陶瓷片組、電極層和導(dǎo)線組成；
[0059]構(gòu)成陶瓷片的材料為CaCu3Ti4O12 ;每片陶瓷片的厚度為0.15mm-1mm ；
[0060]構(gòu)成電極的材料為銀膠；
[0061]每片陶瓷片上表面和下表面均設(shè)置有電極層；
[0062]電極層位于陶瓷片表面的左端或右端，且同一陶瓷片的上表面和下表面上的電極層不在同一端，相鄰兩陶瓷片相接觸的兩表面的電極層位于同一端；
[0063]在陶瓷片組的兩側(cè)立面設(shè)置有與最外側(cè)陶瓷片表面的電極層相連接的電極層；
[0064]導(dǎo)線為兩根，分別與陶瓷片組的兩側(cè)相連。
[0065]該CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的介電常數(shù)測(cè)定結(jié)果如圖1所示，介電損耗如圖2所示。由圖可知，該CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的介電常數(shù)達(dá)到1.0X 104，介電損耗在0.2以下。
[0066]實(shí)施例2:
[0067]將實(shí)施例1中分散劑鯡魚(yú)油的含量由4wt%改為5wt%，其他條件同實(shí)施例1。
[0068]該實(shí)施例所得CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的介電常數(shù)與介電損耗檢測(cè)結(jié)果與實(shí)施例1無(wú)實(shí)質(zhì)性差別，不再贅述。
[0069]實(shí)施例3:
[0070]將實(shí)施例2中的粘結(jié)劑PVB含量由6wt%改為9wt%，其他條件同實(shí)施例2。
[0071]該實(shí)施例所得CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的介電常數(shù)與介電損耗檢測(cè)結(jié)果與實(shí)施例1無(wú)實(shí)質(zhì)性差別，不再贅述。
【權(quán)利要求】
1.一種CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器，是由至少兩層陶瓷片組成的陶瓷片組、電極層和作為兩極的導(dǎo)線組成； 構(gòu)成所述陶瓷片的材料為CaCu3Ti4O12 ； 每片陶瓷片上表面和下表面均設(shè)置有電極層； 所述電極層位于陶瓷片表面的左端或右端，且同一陶瓷片的上表面和下表面上的電極層不在同一端，相鄰兩陶瓷片相接觸的兩表面的電極層位于同一端； 在所述陶瓷片組的兩側(cè)立面設(shè)置有與最外側(cè)陶瓷片表面的電極層相連接的電極層； 所述導(dǎo)線為兩根，分別與陶瓷片組的兩側(cè)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器，其特征在于:構(gòu)成所述電極的材料為銀膠、銀或銅； 所述陶瓷片的厚度為ΙΟΟμπι?1mm,具體為0.15mm-lmm。 所述CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器的介電常數(shù)不小于1.0X 104，介電損耗低于0.2。
3.一種制備權(quán)利要求1所述CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器的方法，包括如下步驟: 1)按照CaCu3Ti4O12的化學(xué)計(jì)量比將CaCO3、CuO、T12混合，再加入球磨介質(zhì)和溶劑A進(jìn)行球磨，將球磨所得漿料烘干后進(jìn)行煅燒，再降溫至室溫，得到中間產(chǎn)物a ； 2)將步驟I)所得中間產(chǎn)物a研磨成粉末后，加入球磨介質(zhì)、溶劑B和分散劑進(jìn)行第一次球磨； 再將第一次球磨后所得漿料與塑性劑、粘接劑和除泡劑混勻進(jìn)行第二次球磨，得到中間產(chǎn)物b ； 3)將步驟2)所得中間產(chǎn)物b脫泡后進(jìn)行流延成型，得到單層流延片后排膠，得到脫脂后的陶瓷還體； 4)將步驟3)所得脫脂后的陶瓷坯體進(jìn)行燒結(jié)，得到陶瓷片后，將至少兩片陶瓷片疊在一起得到陶瓷片組，在每片陶瓷片上表面和下表面分別制備一層電極層；所述電極層位于陶瓷片表面的左端或右端，且同一陶瓷片的上表面和下表面上的電極層不在同一端，相鄰兩陶瓷片相接觸的兩表面的電極層位于同一端；再在所述陶瓷片組的兩側(cè)立面設(shè)置有與最外側(cè)陶瓷片表面的電極層相連接的電極層，再?gòu)奶沾善M的兩側(cè)分別引出一根導(dǎo)線，作為所述CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器的兩極，得到所述CaCu3Ti4O12體系多層陶瓷電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于:所述步驟I)中，球磨介質(zhì)為Zr2O3磨球； 所述球磨介質(zhì)與CaC03、Cu0和T12總質(zhì)量的比例為1-5:1，具體為3:1 ; 所述溶劑A選自乙醇、丁酮和丙酮中的至少一種； 所述溶劑A與CaCO3、CuO和T12總質(zhì)量的比例為1_3:1，具體為2:1 ; 所述球磨步驟中，球磨轉(zhuǎn)速為30-500r/min，具體為230r/min ;環(huán)境溫度為10_40°C，具體為22°C ;球磨時(shí)間為5-40小時(shí)，具體為24h ； 所述煅燒步驟中，升溫速率為1-10°C /min，具體為5°C /min ;終溫為700-1000°C，具體為9000C ;保溫時(shí)間為1-50小時(shí)，具體為5小時(shí); 所述降溫步驟中，降溫速率為1-10°C /min，具體為10°C /min。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于:所述步驟2)研磨步驟中，研磨后所得粉末的目數(shù)為50-150目； 所述第一次球磨步驟中，球磨介質(zhì)為Zr2O3磨球； 所述球磨介質(zhì)與CaC03、Cu0和T12總質(zhì)量的比例為1-5:1，具體為3:1; 所述溶劑B由乙醇和二甲苯組成；所述乙醇和二甲苯的質(zhì)量比為1:3?3:1，具體為2:
3 ； 所述溶劑B與CaC03、CuO和T12總質(zhì)量的比例為1:3?3:1，具體為35:65 ； 所述分散劑選自鯡魚(yú)油、蓖麻油和明膠中的至少一種；所述分散劑的用量為所述CaC03、CuO和T12總質(zhì)量的1-10%，具體為4% ； 所述第一次球磨步驟中，球磨轉(zhuǎn)速為50-350r/min,具體為230r/min ;環(huán)境溫度為10-50°C，具體為22°C ;球磨時(shí)間為5-40小時(shí)，具體為12h ； 所述步驟2)第二次球磨步驟中，塑性劑由聚亞烷基乙二醇和鄰苯二甲酸丁芐酯組成；所述聚亞烷基乙二醇和鄰苯二甲酸丁芐酯的質(zhì)量比具體為1:1 ; 所述塑性劑的用量為第一次球磨所得漿料質(zhì)量的1_10%，具體為3% ； 所述粘接劑為PVB ;所述粘接劑的用量為第一次球磨所得漿料質(zhì)量的1_10%，具體為6% ； 所述除泡劑為環(huán)己酮；所述除泡劑的用量為第一次球磨所得漿料質(zhì)量的0.5-5%，具體為1.5% ; 所述第二次球磨步驟中，球磨轉(zhuǎn)速為50-350r/min,具體為230r/min ;環(huán)境溫度為10-50°C，具體為220C ;球磨時(shí)間為5-40小時(shí)，具體為12h。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一所述的方法，其特征在于:所述步驟3)脫泡步驟中，真空度為IXlO-3?IPa，具體為0.1Pa;攪拌速度為10_200r/min，具體為60r/min，脫泡時(shí)間為2-60min，具體為 20min ； 所述流延成型步驟中，溫度為20?50°C，具體為30°C ;流延刀口高度為0.2?2mm，具體為1.5mm ;流延速度為0.1?3m/min，具體為1.2m/min ;流延脫坯前靜置時(shí)間為1_24小時(shí)，具體為7h。
7.根據(jù)權(quán)利要求3-6任一所述的方法，其特征在于:所述步驟3)排膠步驟中，升溫速率為0.1-20C /min，具體為I。。/min，排膠溫度為500-1000°C，具體為800°C，排膠時(shí)間為1-20小時(shí)，具體為1h,降溫速率為1-1O0C /min，具體為3°C /min ； 所述步驟4)燒結(jié)步驟中，升溫速率為I?10°C /min，具體為5°C /min ;燒結(jié)溫度為1100?1300°C，具體為1200°C;保溫時(shí)間為I?50小時(shí)，具體為10小時(shí)；降溫速率為I?10°C /min。
8.權(quán)利要求1或2所述CaCu3Ti4O12體系陶瓷電容器在制備大電容陶瓷材料電容器中的應(yīng)用。
【文檔編號(hào)】C04B35/622GK104261817SQ201410479777
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月18日
【發(fā)明者】曹永革, 王文超, 朱辰, 唐飛, 袁軒一, 王方宇, 麻朝陽(yáng) 申請(qǐng)人:中國(guó)人民大學(xué)