專利名稱：晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶體硅塊切割過程中漿料噴射設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置。
背景技術(shù)：
太陽能晶體硅塊是由多晶硅料熔鑄成硅錠，然后由破錠機切割而成。太陽能晶體硅塊一般采用線鋸切割方法，通過鋼線的高速運動來對晶體硅塊進行切割。但是，鋼線在高速運動中，要完成對硅塊的切割，必須向鋼線噴灑漿料，使得漿料對鋼線進行冷卻，并使得鋼線攜帶漿料切割晶體硅塊。噴嘴裝置是均勻噴灑漿料的主要裝置。漿料的流量是否均勻、流量是否達到切割的要求，對鋼線的切割能力和切割效率起著關(guān)鍵的作用。 目前，現(xiàn)有的噴嘴裝置為側(cè)面設(shè)有出料孔的漿料管，出料孔為條形孔，從漿料管的首端延伸至漿料管的尾端。漿料泵將漿料從儲料箱輸送至漿料管，再由漿料管通過出料孔將漿料噴到鋼線上，使得漿料管噴出的漿料形成一條瀑布，均勻的噴灑在待切割的硅塊上，鋼線攜帶漿料進行切割。由于硅塊的尺寸和鋼線的布置形式，切割硅塊的鋼線相間隔125mm或者156mm，所以只有落在鋼線上和落在硅塊被鋼線切割的位置上的漿料起到了作用。但是，現(xiàn)有漿料管的出料孔為條形孔，從漿料管的首端延伸至漿料管的尾端，使得硅塊的切割處和非切割處均會被噴灑到漿料，那么漿料管噴出的未落于鋼線上的、位于非切割處的漿料沒有起到任何作用，被完全浪費掉，增加了漿料的使用量，最終增加了晶體硅塊的切割成本。另外，現(xiàn)有的噴嘴裝置沒有對漿料的溫度進行控制。冬季時，由于室內(nèi)溫度較低，使得漿料的溫度也較低，常常出現(xiàn)漿料凝固的現(xiàn)象，影響了鋼線的正常切割，從而降低了晶體硅塊的切割質(zhì)量；同時，漿料凝固也不便于鋼線進行切割，較易導致鋼線發(fā)生斷線現(xiàn)象。綜上所述，如何提供一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，以減少漿料的使用量，進而降低晶體硅塊的切割成本，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供了一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，減少了漿料的使用量，進而降低了晶體硅塊的切割成本。為了達到上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔的漿料管，所述出料孔自所述漿料管的首端延伸至所述漿料管的尾端；與所述漿料管固定貼合相連的擋板，所述擋板上設(shè)有若干與所述出料孔相連通，且與切割所述晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個所述導流孔的孔心距為 1 25mm 或者 156mm。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述導流孔為條形孔，所述導流孔的長度為4cm。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述擋板位于所述漿料管的內(nèi)部。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述導流孔包括兩排若干相互平行的第一導流孔和第二導流孔，且所述第一導流孔和第二導流孔均能夠與所述出料孔相連通；所述漿料管的側(cè)壁上設(shè)有沿垂直于所述出料孔延伸方向的方向延伸的，且呈條形狀的導向孔；
·[0016]所述擋板上設(shè)置有與所述導向孔相配合的導向柱，所述擋板可沿所述導向孔的延伸方向移動，以實現(xiàn)所述第一導流孔和第二導流孔與所述出料孔切換連通；套設(shè)在所述導向柱的外側(cè)，固定所述擋板和漿料管的鎖母。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述導向孔和導向柱的數(shù)目均為兩個，兩個所述導向孔分別位于所述漿料管的兩端。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個所述第一導流孔的孔心距為125mm,相鄰的兩個所述第二導流孔的孔心距為156mm。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括設(shè)置在所述漿料管內(nèi)，對所述漿料進行加熱的加熱器和測量所述漿料溫度的測溫器。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括均與所述測溫器和加熱器相連，并接收所述測溫器測量的溫度數(shù)據(jù)，且根據(jù)接收到的所述溫度數(shù)據(jù)控制所述加熱器的控制器。優(yōu)選的，上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，所述加熱器具體為加熱絲和與所述加熱絲相連的可控硅；所述測溫器為熱電偶；所述擋板為不銹鋼板。本實用新型提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔的漿料管，出料孔自漿料管的首端延伸至漿料管的尾端；與漿料管固定貼合相連的擋板，擋板上設(shè)有若干與出料孔相連通，且與切割晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔。上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，由于擋板上設(shè)有若干與出料孔相連通且與切割晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔，擋板與出料孔相對的部位未設(shè)置導流孔的部分阻擋了部分多余的漿料被噴出，即限制了多余的漿料被噴出，從而減少了漿料的浪費，最終減少了漿料的使用量，進而降低了晶體硅塊的切割成本。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中漿料管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I的局部放大圖；圖3為圖I的A向結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中擋板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4的局部放大圖；圖6為圖4的B向結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7的局部放大圖；圖9為圖7的C向結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。 上圖I-圖10中漿料管I、導向孔11、出料孔12、擋板2、加熱絲21、第一導流孔22、導向柱23、第二導流孔24、熱電偶25。
具體實施方式
本實用新型提供了一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，減少了漿料的使用量，進而降低了晶體硅塊的切割成本。下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參考附圖1-10，圖I為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中漿料管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I的局部放大圖；圖3為圖I的A向結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中擋板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4的局部放大圖；圖6為圖4的B向結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7的局部放大圖；圖9為圖7的C向結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔12的漿料管1，出料孔12自漿料管I的首端延伸至漿料管I的尾端；與漿料管I固定貼合相連的擋板2，擋板2上設(shè)有若干與出料孔12相連通，且與切割晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔。本實用新型實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，擋板2上設(shè)有若干與出料孔12相連通且與切割晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔，擋板2與出料孔12相對的部位未設(shè)置導流孔的部分阻擋了部分多余的漿料被噴出，即限制了多余的漿料被噴出，從而減少了漿料的浪費，最終減少了漿料的使用量，進而降低了晶體硅塊的切割成本。由于切割晶體硅塊的鋼線一般布置時相間隔125mm或者156mm，為了進一步減少漿料的浪費，減少漿料的使用量，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個導流孔的孔心距為125mm或者156mm。當然，本實用新型對此不作具體地限定，只要保證導流孔與鋼線相對應即可。[0043]優(yōu)選的，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，導流孔為條形孔，導流孔的長度為4cm。當然，本實用新型對導流孔的形狀和長度不作具體地限定，只要保證由導流孔噴出的漿料可滿足鋼線切割晶體硅塊所需漿料量即可。為了便于噴射漿料，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，擋板2位于漿料管I的內(nèi)部。當然，擋板2也可位于漿料管I的外部，本實用新型對此不作具體地限定。為了進一步優(yōu)化上述技術(shù)方案，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，導流孔包括兩排若干相互平行的第一導流孔22和第二導流孔24，且第一導流孔22和第二導流孔24均能夠與出料孔12相連通；漿料管I的側(cè)壁上設(shè)有沿垂直于出料孔12延伸 方向的方向延伸的，且呈條形狀的導向孔11 ;擋板2上設(shè)置有與導向孔11相配合的導向柱23，擋板2可沿所述導向孔11的延伸方向移動，以實現(xiàn)第一導流孔22和第二導流孔24與出料孔12切換連通；套設(shè)在導向柱23的外側(cè)，固定擋板2和漿料管I的鎖母。在使用上述晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置過程中，可根據(jù)鋼線的間隔來選擇使用第一導流孔22還是使用第二導流孔24。若使用第一導流孔22，則將擋板2向漿料管I的底端移動，使得第一導流孔22與出料孔12相連通，通過鎖母固定導向柱23，來實現(xiàn)對擋板2和漿料管I的固定；若使用第二導流孔24，則將擋板2向漿料管I的頂端移動，使得第二導流孔24與出料孔12相連通，通過鎖母固定導向柱23，來實現(xiàn)對擋板2和漿料管I的固定，方便了晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置的使用。為了更加穩(wěn)固地固定擋板2和漿料管1，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，導向孔11和導向柱23的數(shù)目均為兩個，兩個導向孔11分別位于漿料管I的兩端。當然，導向孔11和導向柱23的數(shù)目還可為多個或者一個，只要保證能夠?qū)醢?和漿料管I固定即可，本實用新型對此不作具體地限定。優(yōu)選的，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，相鄰的兩個第一導流孔22的孔心距為125mm，相鄰的兩個第二導流孔24的孔心距為156mm。為了避免漿料由于溫度較低而凝固，堵塞導流孔和出料孔12，影響鋼線對晶體硅塊的切割，進而降低硅塊切割過程中發(fā)生斷線的幾率，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括設(shè)置在漿料管I內(nèi)并對漿料進行加熱的加熱器和測量漿料溫度的測溫器。擋板2的端部設(shè)有與加熱器和測溫器相連的加熱接口和測溫接口。為了實現(xiàn)對漿料的溫度進行自動控制，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，還包括均與測溫器和加熱器相連，并接收測溫器測量的溫度數(shù)據(jù)，且根據(jù)接收到的溫度數(shù)據(jù)控制加熱器的控制器，通過控制器實現(xiàn)了對漿料溫度的自動控制。優(yōu)選的，上述實施例提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置中，加熱器具體為加熱絲21和與加熱絲21相連的可控硅；測溫器為熱電偶25 ;擋板2為不銹鋼板。當然，加熱器和測溫器還可為其他，擋板2也可以為其他材料的擋板，本實用新型對此不作具體地限定。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔(12)的漿料管(1)，所述出料孔(12)自所述漿料管⑴的首端延伸至所述漿料管⑴的尾端；其特征在于，還包括 與所述漿料管(I)固定貼合相連的擋板(2)，所述擋板(2)上設(shè)有若干與所述出料孔(12)相連通，且與切割所述晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，相鄰的兩個所述導流孔的孔心距為125mm或者156mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述導流孔為條形孔，所述導流孔的長度為4cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述擋板(2)位 于所述漿料管(I)的內(nèi)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述導流孔包括兩排若干相互平行的第一導流孔(22)和第二導流孔(24)，且所述第一導流孔(22)和第二導流孔(24)均能夠與所述出料孔(12)相連通； 所述漿料管(I)的側(cè)壁上設(shè)有沿垂直于所述出料孔(12)延伸方向的方向延伸的，且呈條形狀的導向孔(11); 所述擋板(2)上設(shè)置有與所述導向孔(11)相配合的導向柱(23)，所述擋板(2)可沿所述導向孔(11)的延伸方向移動，以實現(xiàn)所述第一導流孔(22)和第二導流孔(24)與所述出料孔(12)切換連通； 套設(shè)在所述導向柱(23)的外側(cè)，固定所述擋板(2)和漿料管(I)的鎖母。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述導向孔(11)和導向柱(23)的數(shù)目均為兩個，兩個所述導向孔(11)分別位于所述漿料管(I)的兩端。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，相鄰的兩個所述第一導流孔(22)的孔心距為125mm，相鄰的兩個所述第二導流孔(24)的孔心距為156mm0
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述漿料管(I)內(nèi)，對所述漿料進行加熱的加熱器和測量所述漿料溫度的測溫器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，還包括均與所述測溫器和加熱器相連，并接收所述測溫器測量的溫度數(shù)據(jù)，且根據(jù)接收到的所述溫度數(shù)據(jù)控制所述加熱器的控制器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，其特征在于，所述加熱器具體為加熱絲(21)和與所述加熱絲(21)相連的可控硅；所述測溫器為熱電偶(25);所述擋板(2)為不銹鋼板。
專利摘要本實用新型提供了一種晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，包括側(cè)壁上設(shè)有出料孔的漿料管，所述出料孔自所述漿料管的首端延伸至所述漿料管的尾端；與所述漿料管固定貼合相連的擋板，所述擋板上設(shè)有若干與所述出料孔相連通，且與切割所述晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔。本實用新型提供的晶體硅塊切割用漿料噴嘴裝置，由于擋板上設(shè)有若干與出料孔相連通且與切割晶體硅塊的鋼線相對應的導流孔，擋板與出料孔相對的部位未設(shè)置導流孔的部分阻擋了部分多余的漿料被噴出，即限制了多余的漿料被噴出，從而減少了漿料的浪費，最終減少了漿料的使用量，進而降低了晶體硅塊的切割成本。
文檔編號B28D5/04GK202479981SQ201220026150
公開日2012年10月10日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者馮文宏, 朱國新 申請人:英利能源(中國)有限公司