專利名稱：電子元件制造用的濕法處理方法
發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明涉及電子元件和例如用于集成電路的半導(dǎo)體晶片等電子元件前體制造用的濕法處理方法。具體說，本發(fā)明涉及利用與濕法化學(xué)處理技術(shù)結(jié)合的干燥置換技術(shù)的清洗、剝離、和腐蝕電子元件前體的方法。發(fā)明的背景集成電路的制造中廣泛地采用濕法處理，所說集成電路一般包括例如半導(dǎo)體晶片、平板等電子元件前體和其它電子元件前體。一般說，電子元件前體置于槽或容器中，然后與一系列活性化學(xué)處理液和漂洗液接觸。處理液可用于電子元件前體的腐蝕、光刻膠剝離、預(yù)擴散清洗和其它清洗步驟，但不限于這些步驟。請參見例如已轉(zhuǎn)讓給共同受讓人的美國專利4,577,650、4,740,249、4,738,272、4,856,544、4,633,893、4,775,532、4,917,123和EPO0233184，Burkman等人在《半導(dǎo)體晶片清洗技術(shù)手冊》第111-151頁的“濕法化學(xué)處理—水溶液清洗處理”(Werner Kern編輯，Noyes Pulication Parkridge出版，新澤西1993)，這里全文引用這些公開物。
按典型的濕法處理技術(shù)，電子元件前體暴露于活性化學(xué)處理液中，從而去掉(即，清洗)電子元件前體上的沾污或腐蝕表面的某些部分。進(jìn)行該清洗或腐蝕后，化學(xué)試劑會附著在電子元件前體的表面上。在用接下來的活性化學(xué)處理液處理電子元件前體之前，必須去掉所附著的化學(xué)試劑，從而使化學(xué)試劑殘留物不污染接下來的活性化學(xué)處理。
因此，按目前的濕法處理技術(shù)，無論化學(xué)處理是在槽內(nèi)、還是全流容器(full flow vessel)中還是利用其它濕法工作臺(wet bench)技術(shù)進(jìn)行，每個化學(xué)處理步驟后，都要用DI水漂洗電子元件前體，從而去掉電子元件前體表面上的化學(xué)試劑。有時，會在漂洗水中加入微量化學(xué)試劑，使漂洗液具有某種有益的特性。即便用微量化學(xué)試使漂洗液(即水)改性，其作用也不會改變。在用于進(jìn)行例如電子元件前體的清洗或腐蝕的化學(xué)試劑與用于去掉電子元件前體表面上的化學(xué)試劑的漂洗液之間存在本質(zhì)區(qū)別(盡管這種水可以不是純水，而是可以含有一定量的附加化學(xué)試劑)。
按常規(guī)技術(shù)，無論是化學(xué)處理在槽內(nèi)、還是全流容器中還是利用其它濕法工作臺技術(shù)進(jìn)行，在最后的化學(xué)處理步驟后和晶片干燥前，總是要用去離子水(DI)水漂洗。
盡管化學(xué)試劑發(fā)揮其作用(例如清洗或腐蝕)后，DI漂洗從電子元件前體表面上去掉了特定的化學(xué)試劑，但該漂洗步驟對半導(dǎo)體元件的制造有許多限制。例如，工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)是在兩化學(xué)處理步驟之間用DI水漂洗電子元件前體，直到所溶解的化學(xué)試劑的水平達(dá)到約10p.p.b.(即，4-16 Mohm-cm)。這要求充分地漂洗。由于DI水很貴，漂洗實際上提高了制造電子元件前體的成本。DI漂洗還要花很長時間，有時耗費總濕法處理時間的60％之多，因此降低了電子元件前體的產(chǎn)率。
由于引起殘留材料的沉積或形成不需要的氧化物、硅石和/或金屬沉積，所以用DI水漂洗還會損害濕法處理技術(shù)的集成度。甚至在漂洗液是純DI水時，漂洗液有時也會與例如硅等半導(dǎo)體材料反應(yīng)，會氧化半導(dǎo)體材料表面上的某些硅原子。
除了漂洗用活性化學(xué)處理液處理后的電子元件前體外，電子元件前體一般還需要干燥。由于在干燥工藝中不產(chǎn)生沾污很重要，所以這可能是一種賦有挑戰(zhàn)性的工藝。由于蒸發(fā)常常會導(dǎo)致麻點或斑紋，所以不希望蒸發(fā)。甚至是超高純水的蒸發(fā)，也會造成問題，因為這種水對于水表面具有很強的侵蝕性，在水接觸的很短時間內(nèi)會溶解微量的硅和二氧化硅。隨后的蒸發(fā)會在晶片表面上留下溶解材料的殘留物。例如，J.Schadel的“集成電路失效機制”中討論了沾污和半導(dǎo)體失效的其它原因，該文發(fā)表于Solid State Device 1983 Conf.Ser.No.69(Instiute Physics，London 1984)105-120。
一般情況下，半導(dǎo)體在旋轉(zhuǎn)—漂洗—干燥機中通過離心力干燥。由于這些器件依靠離心力甩掉晶片表面上的水，使用它們導(dǎo)致了數(shù)個問題。第一，存在作用于晶片上會導(dǎo)致晶片破裂的機械應(yīng)力，特別是大尺寸晶片。第二，由于旋轉(zhuǎn)—漂洗—干燥機內(nèi)有許多運動部件，沾污控制變成難題。第三，由于晶片通常以高速度通過干燥氮氣，靜電荷在晶片表面上產(chǎn)生。由于在旋轉(zhuǎn)—漂洗—干燥機打開時，帶相反電荷的空間顆?？焖俑街骄砻嫔希栽斐闪颂厥庹次邸５谒?，難以避免旋轉(zhuǎn)過程中水從晶片表面上蒸發(fā)，因此伴隨有上述討論過的缺點。
近來，已開發(fā)出了蒸汽或化學(xué)干燥晶片的方法和設(shè)備，包括美國專利4,778,532中公開的方法和設(shè)備?；瘜W(xué)干燥一般包括兩個步驟。首先，從晶片上驅(qū)散漂洗液，該漂洗液最好是水，用無水干燥液代替之。第二，用低流速的最好是例如氮等惰性氣體的預(yù)干燥氣體蒸發(fā)無水干燥液。
目前日本采用的另一種化學(xué)干燥工藝包括將晶片承載容器浸入去離子水箱，然后，將晶片懸浮于沸騰的異丙醇箱之上。然后，晶載承載容器慢慢地從異丙醇蒸汽上提起，從晶片表面上拉脫水滴。
有效晶片干燥技術(shù)的一個最重要特征是使晶片制造得超潔凈(即，帶有最少量顆粒沾污和最少量化學(xué)試劑殘留物)。
所以，所屬領(lǐng)域需要簡單且有效的方法，能夠安全地化學(xué)處理電子元件前體，同時避免和降低與化學(xué)處理步驟后的DI漂洗有關(guān)的問題和成本，避免與利用常規(guī)技術(shù)干燥電子元件前體有關(guān)的問題。本發(fā)明滿足這些要求及其它要求。發(fā)明概述本發(fā)明尤其涉及在例如用于集成電路的半導(dǎo)體晶片和平板等電子元件前體制造中有用的濕法處理方法。這些新穎的方法可用于例如半導(dǎo)體晶片等電子元件前體的清洗、剝離和/或腐蝕。
按常規(guī)的濕法處理技術(shù)，用漂洗液，例如DI水等，去掉電子元件前體表面上的活性化學(xué)處理液。已發(fā)現(xiàn)，可以利用干燥液，例如異丙醇，代替漂洗液置換半導(dǎo)體晶片表面上的活性化學(xué)處理液，從而可以避免電子元件前體的最后DI漂洗。還打算在兩化學(xué)處理步驟間使用干燥液，從而避免或使兩化學(xué)處理步驟間的DI漂洗的需要最少。通過避免最后的DI漂洗和使兩化學(xué)處理步驟間DI水的使用最少，即便不可以避免，也可以使例如硅石、金屬的沉積和/或氧化沉積等與其使用有關(guān)的問題最少。
還發(fā)現(xiàn)，干燥液起到了干燥電子元件前體的附加作用，所以避免了象常規(guī)濕法處理技術(shù)中的附加干燥步驟。
具體說，本發(fā)明涉及制造電子元件前體的方法，包括以下步驟將電子元件前體置于反應(yīng)室中；使所說電子元件前體的表面至少與一種活性化學(xué)處理液接觸選定的時間；在電子元件前體暴露于最后的活性化學(xué)處理液中后，使電子元件前體暴露于干燥液選定的時間。
按本發(fā)明的一個方面，電子元件前體在整個化學(xué)處理工藝期間留在一個反應(yīng)室中。按本發(fā)明的該方面，電子元件前體置于反應(yīng)室中，電子元件前體的表面與一種或幾種活性化學(xué)處理液接觸選定的時間，但不從該反應(yīng)室中取出電子元件前體。如果使用一種以上活性化學(xué)處理液處理電子元件前體，處理液可以順序引入到反應(yīng)室中，從而一種處理液直接置換電子元件前體表面上的前一種處理液，因而避免了DI漂洗，或通過在電子元件前體暴露于另一活性化學(xué)處理液之前，排出這種活性化學(xué)處理液。還可以在兩化學(xué)處理步驟間使用DI漂洗。DI漂洗可直接置換電子元件前體表面上的活性化學(xué)試劑，或在該室引入DI漂洗前排空該室。也可以在兩化學(xué)處理步驟間使用干燥液代替DI漂洗。這種情況下，干燥液引入到反應(yīng)室中，從而直接置換電子元件前體表面上的活性化學(xué)處理液。
按本發(fā)明的另一方面，電子元件前體從一個反應(yīng)室移到另一個反應(yīng)室，每個反應(yīng)室含有不同的活性化學(xué)處理液。根據(jù)本發(fā)明的該方面，用一種活性化學(xué)處理液處理了電子元件前體后，電子元件前體立即浸入容納于另一反應(yīng)室中的下一活性化學(xué)處理液，而不用漂洗液漂洗電子元件前體去掉電子元件前體表面上的前一種活性化學(xué)處理液。然而，也可以在兩化學(xué)處理步驟間，將電子元件前體浸入含有漂洗液的室中。也可以在兩化學(xué)處理步驟間將電子元件前體浸入含有干燥液的室中。
不管用于處理電子元件前體的反應(yīng)室如何，在優(yōu)選實施例中，將電子元件前體暴露于最后的活性化學(xué)處理液中后，向反應(yīng)室提供干燥液，從而置換電子元件前體表面上的最后活性化學(xué)處理液，置換的速率較好是保證在用干燥液置換活性化學(xué)處理液后，表面上基本上不留下液滴。也可以在兩化學(xué)處理步驟間將電子元件前體暴露于干燥液中，從而避免每個化學(xué)處理步驟間的DI漂洗步驟。
使用干燥液代替DI漂洗去除表面上的活性化學(xué)處理液的優(yōu)點在于電子元件前體的產(chǎn)率提高。DI水很貴，由于消除了DI漂洗和在濕法處理技術(shù)結(jié)束時的單獨干燥步驟，所以本發(fā)明的方法顯著地節(jié)約了成本。這特別有益于半導(dǎo)體制造業(yè)。由于在電子元件前體結(jié)束時去掉例如HF等活性化學(xué)試劑，防止了操作者接觸有害化學(xué)試劑，所以本發(fā)明的方法提高了安全性。這些方法還提高了電子元件前體的工藝性能(即晶片或平板更潔凈)。發(fā)明的詳細(xì)說明這里所用的術(shù)語“活性處理液”、“活性化學(xué)處理液”、“處理液”、“化學(xué)液”、“活性化學(xué)試劑”、或“活性化學(xué)處理液”是指在制造期間電子元件前體暴露于其中，且對電子元件前體的表面產(chǎn)生某種作用的活性液，區(qū)別于例如DI水等漂洗液。這些術(shù)語可以互換使用。在術(shù)語“處理液”、“活性(reactive)”或“活性(active)”一起使用時，是指對于從電子元件前體的表面上去除例如顆粒、金屬雜質(zhì)、或有機物等沾污的具有活性的處理液，或?qū)Ωg電子元件前體的表面具有某種活性的處理液，或在電子元件前體的表面上生長氧化層方面具有活性的處理液，但不限于這些。這種活性化學(xué)處理液的例子有濃度可以大于1000∶1(H2O∶HF)的氫氟酸(HF)水溶液。
這里所用術(shù)語“化學(xué)處理步驟”是指將電子元件前體暴露于活性化學(xué)處理液。
這里所用術(shù)語“漂洗液(rinsing fluid)”或“漂洗液(rinse fluid)”是指用于在電子元件前體暴露于活性化學(xué)處理液后漂洗電子元件前體的DI水或某些其它液體，作為與化學(xué)試劑的區(qū)別。漂洗液可以是DI水，或非常稀的化學(xué)試劑(例如鹽酸)的水溶液，防止例如金屬沉積于電子元件前體的表面上(利用非常稀的鹽酸溶液)。漂洗期間可以用的另一添加劑是臭氧。這種漂洗液的化學(xué)濃度很小，一般說，該濃度不大于約100ppm。漂洗液的主要作用是去除電子元件前體表面上的化學(xué)試劑或反應(yīng)產(chǎn)物，不進(jìn)行某種“活性”過程。
這里所用術(shù)語“干燥液”包括干燥蒸汽。干燥液或蒸汽有助于去除表面上的液體。
這里所用術(shù)語“反應(yīng)室”是指對周圍環(huán)境開口的容器或具有控制的氣氛且不暴露于周圍環(huán)境的封閉容器；全流容器；槽；濕法工作臺；或其它適用于濕法處理方法的容器。
這里所用術(shù)語“全流容器”是指對周圍環(huán)境封閉的容器，用于“全流法”。
這里所用術(shù)語“電子元件前體”包括半導(dǎo)體晶片、平板、和其它用于電子元件(即集成電路)制造的元件，但不限于這些。該術(shù)語還包括“預(yù)—外延晶片”，是指在進(jìn)一步的濕法處理技術(shù)期間在其上外延生長硅的晶片。
本發(fā)明的方法一般可應(yīng)用于任何濕法處理設(shè)備，包括全流法、濕法工作臺(槽)、噴射清洗系統(tǒng)，但不限于這些。例如請參見《半導(dǎo)體晶片清洗技術(shù)手冊》(Werner Kern編輯，Noyes Publication Parkridge出版，新澤西1993年)中的第1章Wernwe Kern撰寫的“半導(dǎo)體晶片沾污的清洗技術(shù)的回顧與展望”，其中的第3章Don C.Burkman、Donald Deal、Donald C.Grant和Charlie A.Peterson撰寫的“水溶液清洗工藝”，和《超凈技術(shù)手冊》(Tadahiro.Ohmi編輯，Marcel Dekker出版)第一卷中Hiroyuki Horiki和Takao Nakazawa撰寫的“濕法腐蝕清洗”，這里全文引用這些公開出版物。
在P.Gise等人的《半導(dǎo)體和集成電路制造技術(shù)》(Reston PublishingCo.Reson Va.1979)中一般性地介紹了半導(dǎo)體制造，這里全文引用該文獻(xiàn)。
適于實施本發(fā)明的活性化學(xué)處理液包括，鹽酸及含鹽酸的緩沖液，氫氧化氨及含氫氧化氨的緩沖液，過氧化氫，硫酸及含硫酸的緩沖液，硫酸和臭氧的混合物，氫氟酸及含氫氟酸的緩沖液，鉻酸及含鉻酸的緩沖液，磷酸及含磷酸的緩沖液，醋酸及含醋酸的緩沖液，硝酸及含硝酸的緩沖液，氟化氨緩沖的氫氟酸和它們的組合的水溶液，但不限于這些。所用的具體處理液、所用設(shè)備、暴露時間及實驗條件(即，處理液的溫度、濃度和流量)根據(jù)特定濕處理方法的特殊目的而改變。
適于實施本發(fā)明的干燥液包括純的或稀釋的異丙醇，但不限于這些。最好，干燥液應(yīng)基本上是純的，是飽和的和/或最好是過熱的，在接觸前，表面應(yīng)被加熱到接近但較好是低于干燥液的溫度的溫度。盡管這會導(dǎo)致干燥液一定程度地聚集于表面上，并且應(yīng)避免太多的聚集，但已發(fā)現(xiàn)加熱到干燥液的溫度以上會產(chǎn)生很差的結(jié)果。優(yōu)選的干燥液是異丙醇，更好是純異丙醇。也可以采用所屬領(lǐng)域技術(shù)人員已知的不背離本發(fā)明的精神的其它干燥液。例如請參見美國專利4,778,532和4,911,761，這里全文引用這些文獻(xiàn)。必須適當(dāng)?shù)乜刂聘稍镆旱臏囟群蛪毫?。可以用所屬領(lǐng)域已知的載體氣稀釋干燥液，優(yōu)選氮氣。在用干燥蒸汽干燥電子元件前體的步驟的某些實施例中，可以形成干燥液的液體層，用于置換漂洗或活性化學(xué)處理液。
本發(fā)明的方法可用于腐蝕半導(dǎo)體晶片的表面，從而去除硅表面上的任何不想要的氧化層。本發(fā)明還可以用于受控氧化物腐蝕。二氧化硅的典型腐蝕劑包括氫氟酸或氟化銨緩沖的氟氟酸，但不限于這些。
如上所述，要根據(jù)本發(fā)明方法處理的電子元件前體在不背離本發(fā)明精神的情況下，可以在各種反應(yīng)室中處理，例如槽、容器或其它濕法工作臺技術(shù)。
處理電子元件前體的典型處理區(qū)將具有化學(xué)試劑存儲箱，例如氫氧化銨(NH4OH)或氫氟酸(HF)。這些試劑一般以它們濃溶液的形式存儲，它們是過氧化氫(H2O2)(31％)，NH4OH(28％)，鹽酸(HCl)(37％)，HF(49％)和硫酸(H2SO4)(98％)(百分比表示水溶液)。這些處理區(qū)還將包括任何可用于實施本發(fā)明方法的干燥液或蒸汽和/或載體氣(即，異丙醇或氮氣)的存儲箱。在其中處理電子元件前體的反應(yīng)室與化學(xué)試劑存儲箱液路相連?？刂崎y和泵用作存儲箱和反應(yīng)室間的處理設(shè)備。以此方式，例如個人電腦等處理控制系統(tǒng)可用作監(jiān)測反應(yīng)條件(即流速，混合比率，暴露時間和溫度)的裝置。
根據(jù)本發(fā)明方法處理的電子元件前體最好是容納于封閉的容器(例如全流容器)中，最好是例如美國專利4,911,761、4,633,893、4,917,123、4,738,272和4,577,650中所公開的那些，這里全文引用這些文獻(xiàn)。由于全流法能夠更均勻地處理電子元件前體，并且更有效，所以優(yōu)選這種“全流法”。此外，用于電子元件前體的化學(xué)處理的化學(xué)試劑經(jīng)常是十分危險的，它們可能是強酸、強堿或揮發(fā)性溶液劑。由于全流容器避免了空氣污染和人身暴露于化學(xué)試劑中，并且使化學(xué)試劑的處理更安全，所以全流容器可以使與這些處理液有關(guān)的危害減至最小。盡管優(yōu)選上述美國專利所述的容器，但在不背離本發(fā)明的精神的情況下，也可是使用所屬領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何此類容器。
一般說，在實施本發(fā)明的優(yōu)選實施例時，電子元件前體將置于全流容器中，活性化學(xué)處理液將通過閥門或注入口引入到容器中。電子元件前體可以用任意數(shù)種活性化學(xué)處理液處理。兩化學(xué)處理步驟間，電子元件前體可以進(jìn)行DI漂洗或暴露于干燥液，或一種活性化學(xué)處理液可置換前一種活性化學(xué)處理液。用最后一種活性化學(xué)處理液處理了電子元件前體后，用干燥液代替漂洗液，置換電子元件前體表面上的處理液。干燥液從容器的上部引入到反應(yīng)室中，同時活性化學(xué)處理液被置換，以控制的速率從反應(yīng)室的底部排出。電子元件前體暴露于干燥液并被干燥后，可以從反應(yīng)室中取出。
在用濕法工作臺進(jìn)行本發(fā)明的方法時，電子元件前體可以移到含有干燥液的不同反應(yīng)室，或可以從最后的反應(yīng)室提出電子元件前體，并用干燥液涂敷，直到去除活性化學(xué)處理液，并且干燥了電子元件前體為止。
利用本發(fā)明的方法，電子元件前體可以用任意數(shù)種處理液處理。
例如，電子元件前體可用三種處理液處理，其中第一處理液是水、過氧化氫和氫氧化銨的溶液(80∶3∶1)的溶液，第二種處理液是水、過氧化氫和鹽酸的溶液(80∶1∶1)的溶液；第三種處理液是氫氟酸(約10∶1至約1000∶1(水∶HF))的溶液。該順序也可以反過來。該方法特別適用于清洗和腐蝕(即，去除晶片表面的氧化物)。
在本發(fā)明的其它實施例中，可以用被臭氧飽和的硫酸溶液處理電子元件前體，然后用HF溶液處理。該方法特別適用于去除有機物和某些顆粒，而留下疏水表面。硫酸的濃度大約是按重量計98％，臭氧的量為可以產(chǎn)生的量(即，1.74g/分鐘)。HF的濃度范圍從約10∶1到約1000∶1(水∶HF)。
在本發(fā)明的其它實施例中，可以用另外一系列的處理液處理電子元件前體，例如用臭氧飽和的硫酸溶液，然后是過氧化氫和氫氧化銨的溶液；然后是過氧化氫、鹽酸和水的溶液。該方法特別適用于去除有機物及一般的清洗(即，去除顆粒，具有最小金屬沉積)，留下親水表面。上述濃度這里也是適用的。
不管可用于處理電子元件前體的各種處理液如何，最后的活性處理液一般是HF，以提供適于進(jìn)一步處理的裸硅表面。用HF對電子元件前體的最后處理分兩步進(jìn)行。第一步，用HF的200∶1(水∶HF)水溶液處理。第二步，用HF的400∶1(水∶HF)的水溶液處理。利用這兩步處理，避免了HF在電子元件前體的表面上聚積，不會極大地改變化學(xué)試劑的濃度，所以避免了析出、沾污或沉積等問題。
本發(fā)明的方法特別適用于具有疏水表面例如預(yù)外延晶片的電子元件前體的處理。
權(quán)利要求
1.一種制造電子元件前體的方法，包括a)將電子元件前體置于反應(yīng)室中；b)使所說電子元件前體的表面至少與一種活性化學(xué)處理液接觸選定的時間；c)在電子元件前體暴露于最后的活性化學(xué)處理液中后，使步驟b)的電子元件前體暴露于干燥液選定的時間。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中干燥液選自異丙醇和稀釋異丙醇構(gòu)成的組。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中干燥液是蒸汽。
4.如權(quán)利要求3的方法，其中所說蒸汽選自異丙醇和稀釋異丙醇構(gòu)成的組。
5.如權(quán)利要求2的方法，其中干燥液是用氮稀釋的異丙醇。
6.如權(quán)利要求4的方法，其中所說蒸汽是用氮稀釋的異丙醇。
7.如權(quán)利要求1的方法，其中，活性化學(xué)處理液從包括鹽酸及含鹽酸的緩沖液，氫氧化氨及含氫氧化氨的緩沖液，過氧化氫，硫酸及含硫酸的緩沖液，硫酸和臭氧的混合物，氫氟酸及含氫氟酸的緩沖液，鉻酸及含鉻酸的緩沖液，磷酸及含磷酸的緩沖液，醋酸及含醋酸的緩沖液，硝酸及含硝酸的緩沖液，氟化氨緩沖的氫氟酸和它們的組合的水溶液組成的組中選擇。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中反應(yīng)室是全流容器。
9.如權(quán)利要求1的方法，其中反應(yīng)室是封閉容器。
10.如權(quán)利要求7的方法，其中活性化學(xué)處理液是鹽酸。
11.如權(quán)利要求7的方法，其中活性化學(xué)處理液是過氧化氫。
12.如權(quán)利要求7的方法，其中活性化學(xué)處理液是氫氟酸。
13.如權(quán)利要求7的方法，其中活性化學(xué)處理液是氫氟酸緩沖液。
14.如權(quán)利要求7的方法，其中活性化學(xué)處理液是氫氟酸和硝酸緩沖液。
15.一種制造電子元件前體的方法，包括a)將電子元件前體置于反應(yīng)室中；b)使所說電子元件前體的表面按順序步驟與一系列活性化學(xué)處理液接觸選定的時間；c)在使電子元件前體與活性化學(xué)處理液接觸的至少所說順序步驟的兩步驟間，將步驟b)的電子元件前體暴露于干燥液選定的時間；及d)在所說電子元件前體與系列中最后的活性化學(xué)處理液接觸后，干燥所說電子元件前體。
16.如權(quán)利要求15的方法，其中干燥液選自異丙醇和稀釋異丙醇構(gòu)成的組。
17.如權(quán)利要求15的方法，其中干燥液是蒸汽。
18.如權(quán)利要求17的方法，其中所說蒸汽選自異丙醇和稀釋異丙醇構(gòu)成的組。
19.如權(quán)利要求16的方法，其中干燥液是用氮稀釋的異丙醇。
20.如權(quán)利要求18的方法，其中所說蒸汽是用氮稀釋的異丙醇。
21.如權(quán)利要求15的方法，其中，活性化學(xué)處理液從由鹽酸及含鹽酸的緩沖液，氫氧化氨及含氫氧化氨的緩沖液，過氧化氫，硫酸及含硫酸的緩沖液，硫酸和臭氧的混合物，氫氟酸及含氫氟酸的緩沖液，鉻酸及含鉻酸的緩沖液，磷酸及含磷酸的緩沖液，醋酸及含醋酸的緩沖液，硝酸及含硝酸的緩沖液，氟化氨緩沖的氫氟酸和它們的組合的水溶液組成的組中選擇。
22.如權(quán)利要求15的方法，其中反應(yīng)室是全流容器。
23.如權(quán)利要求15的方法，其中反應(yīng)室是封閉容器。
24.一種制造電子元件前體的方法，包括a)將電子元件前體置于反應(yīng)室中；b)使所說電子元件前體的表面與氫氧化銨和過氧化氫水溶液接觸選定的時間；c)將步驟b)的電子元件前體暴露于干燥液中選定的時間；d)使所說步驟c)的所說電子元件前體與鹽酸和過氧化氫的水溶液接觸選定的時間；e)將步驟d)的所說電子元件前體暴露于干燥液中選定的時間；f)使所說步驟e)的所說電子元件前體與氫氟酸的水溶液接觸選定的時間；g)干燥步驟f)的所說電子元件前體。
25.如權(quán)利要求24的方法，其中所說干燥包括用干燥液處理所說電子元件前體的步驟。
26.如權(quán)利要求25方法，其中干燥液選自異丙醇和稀釋異丙醇構(gòu)成的組。
27.如權(quán)利要求24的方法，其中干燥液選自異丙醇和稀釋異丙醇構(gòu)成的組。
28.如權(quán)利要求24的方法，其中干燥液是蒸汽。
29.如權(quán)利要求24的方法，其中所說蒸汽選自異丙醇和稀釋異丙醇構(gòu)成的組。
30.如權(quán)利要求24的方法，其中干燥液是用氮稀釋的異丙醇。
31.如權(quán)利要求24的方法，其中所說反應(yīng)室是全流容器。
32.如權(quán)利要求24的方法，其中反應(yīng)室是封閉容器。
33.一種制造電子元件前體的方法，包括a)將電子元件前體置于反應(yīng)室中；b)使所說電子元件前體的表面至少與一種活性化學(xué)處理液接觸選定的時間；及c)在電子元件前體暴露于最后的活性化學(xué)處理液后，將步驟b)的所說電子元件前體暴露于干燥液中選定的時間，從而干燥液置換電子元件前體的表面的活性化學(xué)處理液。
34.如權(quán)利要求33的方法，其中干燥液直接置換電子元件前體表面上的活性化學(xué)處理液。
35.如權(quán)利要求33的方法，其中干燥液以基本上沒有活性化學(xué)處理液殘留于電子元件前體表面上的速率，從電子元件前體的表面上置換活性化學(xué)處理液。
36.如權(quán)利要求33的方法，其中干燥液以基本上沒有液滴殘留于電子元件前體表面上的速率，從電子元件前體的表面上置換活性化學(xué)處理液。
37.如權(quán)利要求34的方法，其中干燥液以基本上沒有活性化學(xué)處理液殘留于電子元件前體表面上的速率，直接從電子元件前體的表面上置換活性化學(xué)處理液。
38.如權(quán)利要求34的方法，其中干燥液以基本上沒有液滴殘留于電子元件前體表面上的速率，直接從電子元件前體的表面上置換活性化學(xué)處理液。
39.如權(quán)利要求33的方法，其中干燥液是蒸汽。
40.如權(quán)利要求39的方法，其中所說蒸汽選自異丙醇和稀釋的異丙醇構(gòu)成的組。
41.如權(quán)利要求40的方法，其中所說蒸汽是用氮稀釋的異丙醇。
42.如權(quán)利要求33的方法，其中，活性化學(xué)處理液從由鹽酸及含鹽酸的緩沖液，氫氧化氨及含氫氧化氨的緩沖液，過氧化氫，硫酸及含硫酸的緩沖液，硫酸和臭氧的混合物，氫氟酸及含氫氟酸的緩沖液，鉻酸及含鉻酸的緩沖液，磷酸及含磷酸的緩沖液，醋酸及含醋酸的緩沖液，硝酸及含硝酸的緩沖液，氟化氨緩沖的氫氟酸和它們的組合的水溶液組成的組中選擇。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造例如用于集成電路的半導(dǎo)體晶片等電子元件前體的濕法處理法。
文檔編號A61L9/00GK1268244SQ98808586
公開日2000年9月27日 申請日期1998年12月9日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月10日
發(fā)明者史蒂文·維爾哈費爾貝克, 克里斯托弗F·麥克康奈爾 申請人:Cfmt公司