專利名稱：可生物蝕解的內(nèi)置假體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可生物蝕解的內(nèi)置假體(bioerodible endoprosthesis)，更特別 地涉及一種可生物蝕解的支架。
背景技術(shù)：
身體包括多種通道，例如動(dòng)脈、其它血管，和其它身體內(nèi)腔。有時(shí)這些通道會(huì)被堵 塞或變?nèi)?。例如，通道可被腫瘤堵塞，被斑塊狹窄，或由于動(dòng)脈瘤而變?nèi)?。?dāng)這些情況發(fā)生 時(shí)，通道可以使用醫(yī)用內(nèi)置假體再打開或增強(qiáng)，或甚至替換。內(nèi)置假體通常為放置在體內(nèi)的 管腔中的管狀構(gòu)件。內(nèi)置假體的實(shí)例包括支架、被覆假體、移植支架和血管閉合銷。內(nèi)置假體可通過(guò)支承內(nèi)置假體的導(dǎo)管遞送到體內(nèi)，當(dāng)內(nèi)置假體轉(zhuǎn)移到所需位置 時(shí)，其為壓縮或縮小尺寸的形式。到達(dá)位置后，內(nèi)置假體膨脹，例如，由此其可以接觸到管腔 壁。膨脹機(jī)理可以包含迫使所述內(nèi)置假體徑向膨脹。例如，膨脹機(jī)理可以包含攜帶球 囊的導(dǎo)管，其攜帶一個(gè)球囊擴(kuò)張內(nèi)置假體。球囊能夠充氣變形并且將膨脹的內(nèi)置假體固定 在與管腔壁接觸的預(yù)定位置。然后球囊可以放氣，導(dǎo)管縮回。在另一種遞送技術(shù)中，內(nèi)置假體由可以可逆壓縮和膨脹(例如彈性地或通過(guò)材料 相變)的彈性材料形成。在導(dǎo)入體內(nèi)期間，將內(nèi)置假體控制在壓縮狀態(tài)。當(dāng)?shù)竭_(dá)所需植入 位置時(shí)，去掉控制，例如，通過(guò)收回限制裝置如(外鞘)，從而使內(nèi)置假體通過(guò)其本身內(nèi)部的 彈性回復(fù)力能夠自膨脹。內(nèi)置假體能夠攜帶藥物，例如抗增殖藥物，以減少再狹窄(即，因治療位置的體內(nèi) 免疫反應(yīng)而產(chǎn)生的血管再閉合)的可能性。發(fā)明概述公開的內(nèi)置假體包含一個(gè)含基底部分和覆蓋于基底部分之上的表面部分的主體。 基底部分包含基體形式的生物蝕解性金屬和基體中的腐蝕促進(jìn)沉積物。表面部分包含基體 的生物蝕解性金屬。當(dāng)暴露于生理環(huán)境時(shí)，表面部分具有第一蝕解速率，并且當(dāng)暴露于生理 環(huán)境時(shí)基底部分具有大于第一蝕解速率的第二蝕解速率。腐蝕促進(jìn)沉積物包含惰性氣體(例如，氦氣、氬氣、氖氣、氪氣或它們的組合)的納 米氣泡。納米氣泡的平均直徑可以為Inm至600nm之間。在一些實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉 積物可包含銀、錳或它們的組合。在其它實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物可包含與生物蝕解性 金屬相同的元素，并通過(guò)增強(qiáng)表面張力來(lái)提高蝕解速率。在一些實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積 物可比生物蝕解性金屬更稀有或不如生物蝕解性金屬稀有，并且當(dāng)腐蝕促進(jìn)沉積物暴露于 生理環(huán)境中時(shí)，其與生物蝕解性金屬形成電偶。在一些實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物更加稀 有，并且作為陽(yáng)極以加速生物蝕解性金屬的蝕解速率。在其它實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物 較不稀有，并且比生物蝕解性金屬更快腐蝕，并且一旦腐蝕促進(jìn)沉積物腐蝕掉，使基體材料 的表面積增加，其加快生物蝕解性金屬的蝕解速率。表面部分可以基本不具有腐蝕促進(jìn)沉積物。表面部分的厚度可為0. 2微米至3微米之間。在一些實(shí)施方案中，表面部分可基本由生物蝕解性金屬組成。表面部分可具有基 本光滑的上表面。在此使用的術(shù)語(yǔ)“基本光滑”要求0. 5μπι或更小的Ra。生物蝕解性金屬可包含鐵或其合金。在其它實(shí)施方案中，生物蝕解性金屬可包含 鎂、鋅、鎢和它們的合金。內(nèi)置假體可以為支架。在其它實(shí)施方案中，內(nèi)置假體為血管閉合銷。另一方面，公開了制備內(nèi)置假體的方法。所述方法包括在包含生物蝕解性金屬的 主體中注入離子以生成基底部分和覆蓋于基底部分之上包含生物蝕解性金屬的表面部分， 所述基底部分含有在生物蝕解性金屬基體中的腐蝕促進(jìn)沉積物。當(dāng)暴露在生理環(huán)境中時(shí)， 基底部分具有大于生物蝕解性金屬主體表面部分的蝕解速率。注入的離子可以為，在生物蝕解性金屬基體內(nèi)形成惰性氣體納米氣泡的腐蝕促進(jìn) 沉積物的惰性離子和/或與生物蝕解性金屬反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕促進(jìn)沉積物的離子。在一些實(shí)施 方案中，離子可以使用IBAD或PIII離子注入工藝注入。在一些實(shí)施方案中，離子可以小于 IX IO16個(gè)離子/cm2的劑量注入。離子可以至少IOkeV(例如，在IOkeV至IOOkeV范圍內(nèi)) 的最小能量注入。在一些實(shí)施方案中，離子注入工藝期間的溫度范圍為100°C至500°C之 間。在一些實(shí)施方案中，溫度為生物蝕解性金屬熔化溫度的0.2倍(例如，對(duì)于大多數(shù)鎂基 生物蝕解性合金為100-150°C，對(duì)于大多數(shù)鐵基生物蝕解性合金為200-350°C )。表面部分可以基本不含腐蝕促進(jìn)沉積物。在一些實(shí)施方案中，在腐蝕促進(jìn)沉積物 注入后，內(nèi)置假體可包含沉積在表面部分上的其它表面層。生物蝕解性金屬主體可以為支架或支架前體。在其它實(shí)施方案中，生物蝕解性金 屬主體可以為血管閉合銷或血管閉合銷前體。下述的附圖和描述給出了一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案的詳述。其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將 通過(guò)說(shuō)明書和附圖，以及權(quán)利要求書顯而易見。


圖1為一個(gè)膨脹的支架的實(shí)施例的透視圖。圖2A-2C描繪了根據(jù)不同實(shí)施方案的具有植入的離子皮下層的支架枝干的剖面 圖。圖3描繪了支架支桿的腐蝕曲線圖。圖4表述了將離子注入到支架的示例性環(huán)境。不同附圖中相同的附圖標(biāo)記代表相同的部分。發(fā)明詳述參照?qǐng)D1，支架20具有由多個(gè)支桿所限定的管狀構(gòu)件的形式。支桿可包含多個(gè)帶 22和多個(gè)延伸并連接在相鄰的帶之間的連接體M。使用時(shí)，帶22可以從最初的小直徑膨 脹到較大直徑以使支架20接觸血管壁，從而保持血管開放。連接體M可以為支架20提供 柔韌性和適應(yīng)性，從而使支架適應(yīng)血管的外形。支架包含生物蝕解性金屬。生物蝕解性金屬的實(shí)例包括鐵、鎂、鎢、鋅以及它們的 合金。例如，生物蝕解性金屬可以為生物蝕解鐵合金，其包含最高達(dá)20%的錳，最高達(dá)10% 的銀以及最高達(dá)5%的碳。生物蝕解性金屬還可以是一種生物蝕解性鎂合金，其包括最高 達(dá)9%的鋁、最高達(dá)5%的稀土金屬、最高達(dá)5%的鋅、最高達(dá)5%的鋰、最高達(dá)5%的錳、最高達(dá)10%的銀、最高達(dá)5%的鉻、最高達(dá)5%的硅、最高達(dá)5%的錫、最高達(dá)6%的釔以及最高 達(dá)10%的鋅。合適的鎂生物蝕解性合金包含131，其包含3%的鋅和的鋯，ZK61，其包 含6%的鋅和的鋯，ADl，其包含3%的鋁和的鋅，AZ91，其包含9%的鋁和的鋅， WE43，其包含4 %的釔和3 %的稀土金屬，和TOM，其包含5 %的釔和4 %的稀土金屬。包含 生物蝕解性金屬的支架可以再打開和/或增強(qiáng)體內(nèi)通道，還可以在超過(guò)時(shí)間后分解從而在 治療過(guò)程完畢之后使支架不再存在于身體通道之內(nèi)。當(dāng)暴露于生理環(huán)境中時(shí)，不同的生物 蝕解性金屬和支架支桿結(jié)構(gòu)體可具有不同的蝕解速率。相應(yīng)地，支架可以基于支架支桿的 蝕解特性設(shè)計(jì)以在所需時(shí)間內(nèi)保持所需結(jié)構(gòu)性質(zhì)。如附圖2A-2C所示，支架支桿(例如，帶22和/或連接體24)包括一個(gè)表面部分 32和一個(gè)基底部分34。在一些實(shí)施方案中，如附圖2A所示，基底部分34可以沿著支架支 桿的周邊分布。在其它實(shí)施方案中，如附圖2B和2C所示，基底部分34沿著支架支桿的所 選側(cè)，例如沿著支架的內(nèi)徑和/或外徑分布。在一些實(shí)施方案中，如附圖2C所示，支架支桿 可具有沿著支架支桿外徑分布的基底部分34和沿著內(nèi)徑分布的其它涂層38。表面部分32覆蓋在基底部分34上。表面部分32包含生物蝕解性金屬，而基底部 分34包含在生物蝕解性金屬基體中的腐蝕促進(jìn)沉積物28。當(dāng)植入生理環(huán)境中時(shí)，表面部 分32以第一速率得以蝕解。當(dāng)表面部分蝕解至將基底部分暴露在生理環(huán)境中時(shí)，基底部分 34以快于第一速率的第二速率得以蝕解。該蝕解曲線的實(shí)例描述于圖3中。如所示的，支 架的厚度隨時(shí)間的消逝而減少。在最初的蝕解期42內(nèi)，表面部分32以第一速率得以蝕解。 在這個(gè)最初的蝕解期42內(nèi)，生物蝕解支架提供了機(jī)械支撐功能。一旦表面部分32蝕解掉 之后使基底部分34暴露于生理環(huán)境中，由于生物蝕解性金屬基體中的腐蝕促進(jìn)沉積物觀 的存在，可以產(chǎn)生加快的蝕解期44。通過(guò)具有慢于第二蝕解速率的第一蝕解速率的支架，支 架支桿可以設(shè)計(jì)成比具有恒定蝕解速率的支架更小的原始尺寸，因?yàn)樵谧畛跷g解期42中 第一蝕解速率保護(hù)了最初治療過(guò)程中支架的機(jī)械性能。然后加快的蝕解期44減少了削弱 后的支架支桿在體內(nèi)通道中存在的時(shí)間。表面部分32的厚度可為0. 1微米至3微米之間。表面部分32包括一個(gè)基本光滑 的上表面。在此使用的術(shù)語(yǔ)“基本光滑”要求0.5μπι或更小的Ra。表面部分32可以包含 與包含于基底部分的生物蝕解性金屬相同的生物蝕解性金屬。表面部分32可以基本不含 有任何腐蝕促進(jìn)沉積物觀。在一些實(shí)施方案中，表面部分32可以基本不含除了生物蝕解 性金屬之外的其它成分。在一些實(shí)施方案中，支架20可以包含在腐蝕促進(jìn)沉積物沉積后沉 積的其它表面層。例如，其它表面層可以通過(guò)由蒸汽沉積或脈沖激光沉積工藝，在表面部分 32上沉積生物蝕解性金屬形成。這些其它表面層的厚度為10微米或更大?；撞糠?4包含腐蝕促進(jìn)沉積物觀。在一些實(shí)施方案中，基底部分的厚度可至少 為1微米。在一些實(shí)施方案中，厚度為2微米至3微米之間。腐蝕促進(jìn)沉積物觀可以通過(guò) 采用在基底部分注入離子而使表面部分基本不具有腐蝕促進(jìn)沉積物觀的能量注入離子而 置于基底部分中。注入時(shí)離子的能級(jí)決定了注入的深度。例如，腐蝕促進(jìn)沉積物觀可以通 過(guò)IOkeV的最小能量注入離子而產(chǎn)生。在一些實(shí)施方案中，離子可以在IOkeV至IOOkeV之 間的能量范圍內(nèi)注入。表面部分32和基底部分34的厚度可以通過(guò)注入離子所用的能量范 圍來(lái)確定?；撞糠值暮穸群蜕疃纫膊糠秩Q于生物蝕解性金屬中包埋離子的擴(kuò)散。包埋 的離子可以產(chǎn)生垂直于表面的壓力梯度，其迫使離子進(jìn)一步進(jìn)入支架支桿。該壓力梯度能夠迫使離子進(jìn)一步進(jìn)入生物降解材料。注入離子以形成腐蝕促進(jìn)沉積物可以通過(guò)在每個(gè)腐 蝕促進(jìn)沉積物觀周圍產(chǎn)生高應(yīng)力區(qū)域和/或壓縮區(qū)域來(lái)提高基底部分34的蝕解速率。在 一些實(shí)施方案中，可以使用離子束輔助沉積技術(shù)(“IBAD”)或等離子體浸沒(méi)離子注入技術(shù) (“PIII”)注入離子。在一些實(shí)施方案中，離子注入工藝中的溫度范圍為100°C至500°C之 間。在一些實(shí)施方案中，該溫度約為生物蝕解性金屬熔解溫度的0.2倍(例如，對(duì)于大多數(shù) 鎂基生物蝕解性合金為100-150°C，對(duì)于大多數(shù)鐵基生物蝕解性合金為200-350°C )。圖4舉例說(shuō)明了進(jìn)行PIII的典型環(huán)境。為了進(jìn)行PIII，將支架20的前體插入室 體50中。支架20的前體包含一種生物蝕解性金屬(例如，市售純鐵)。室體50是由含有 等離子體56的真空M產(chǎn)生的真空室。等離子體56含有待注入支架20以形成腐蝕促進(jìn)沉 積物觀的離子。支架20的前體使用脈沖發(fā)生器58產(chǎn)生的負(fù)電壓重復(fù)脈沖。負(fù)電壓脈沖 導(dǎo)致電子從支架20中排斥出，而陽(yáng)離子60被吸引到帶負(fù)電荷的支架20上。因此，陽(yáng)離子 將撞擊支架20的所有表面，并且被包埋入支架20和/或沉積到支架20上。腐蝕促進(jìn)沉積物28可以包含惰性氣體的納米氣泡。惰性氣體的納米氣泡可以通 過(guò)增加生物蝕解性金屬的表面積而提高生物蝕解性金屬的蝕解速率。惰性氣體的納米氣 泡可以通過(guò)注入惰性氣體離子而形成于生物蝕解性金屬的基體之中。例如，腐蝕促進(jìn)沉積 物28可以包含氦氣、氬氣、氖氣和/或氪氣的納米氣泡。納米氣泡的平均直徑可在Inm至 600nm之間。當(dāng)注入惰性氣體離子以在基底部分34中產(chǎn)生惰性氣體的納米氣泡時(shí)，可以控 制劑量以防止納米氣泡遷移到表面部分32。在一些實(shí)施方案中，惰性氣體離子的劑量保持 在小于IXlO"5個(gè)離子/cm2。腐蝕促進(jìn)沉積物觀可以包含加速腐蝕解過(guò)程的固體材料。例如，可以注入離子與 生物蝕解性金屬反應(yīng)或形成合金以形成腐蝕促進(jìn)沉積物觀。例如，腐蝕促進(jìn)沉積物可以包 含銀、銅和/或錳。在其它實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物可以包含與生物蝕解性金屬相同的 元素，并且通過(guò)增強(qiáng)表面張力來(lái)提高增加蝕解速率。在一些實(shí)施方案中，得到的腐蝕促進(jìn)沉 積物觀可以通過(guò)在暴露于生理環(huán)境中時(shí)從剩余基體中分離，以而提高增加基底部分34的 蝕解速率。在一些實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物或多或少的比可比生物蝕解性金屬更稀有 或更不稀有，并且當(dāng)腐蝕促進(jìn)沉積物暴露于生理環(huán)境中時(shí)，其與生物蝕解性金屬形成電偶。 在一些實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物更加稀有，并且作為陽(yáng)極(anode)以加速提高生物蝕 解性金屬的蝕解速率。在其它實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物較不稀有，并且比生物蝕解性金 屬腐蝕解得更的快，從而當(dāng)腐蝕促進(jìn)沉積物腐蝕解掉之后，在基體材料上增加大表面積，以 加速提高生物蝕解性金屬的蝕解速率。例如，銀和銅可以形成電偶，從而加速鐵的腐蝕。在一些實(shí)施方案中，腐蝕促進(jìn)沉積物28可以不滲透進(jìn)入支架支桿的中心部分36。 如圖3所示，當(dāng)含有腐蝕促進(jìn)沉積物觀的基底部分蝕解后，剩余的支架支桿可在大量蝕解 期(bulk erosion period)46中繼續(xù)得以蝕解。由于因支架蝕解的變化而導(dǎo)致的支架支桿 表面積增加，大量蝕解期46中的蝕解速率可以慢于加速蝕解期44中的蝕解速率，但是快于 最初蝕解期42中的蝕解速率。支架20可以是任意所需形狀和尺寸(例如，股淺動(dòng)脈支架、冠狀動(dòng)脈支架、大動(dòng) 脈支架、外周血管支架、胃腸支架、泌尿支架和神經(jīng)支架)。根據(jù)應(yīng)用，支架直徑可以為例如 Imm至46mm之間。在特定實(shí)施方案中，冠狀動(dòng)脈支架的膨脹后直徑可以為2mm至6mm之間。 在一些實(shí)施方案中，外周血管支架的膨脹后直徑可以為5mm至24mm之間。在某些實(shí)施方案中，胃腸支架和/或泌尿支架的膨脹后直徑可以為6mm至大約30mm之間。在一些實(shí)施方案 中，神經(jīng)支架的膨脹后直徑可以為大約1毫米至大約12mm之間。腹主動(dòng)脈瘤(AAA)支架和 胸主動(dòng)脈瘤(TAA)支架的直徑可以為大約20mm至大約46mm之間。支架20可包含一個(gè)或多個(gè)包含表面部分32和基底部分34的支桿。在一些實(shí)施 方案中，支架可以為完全生物降蝕解的。在其它實(shí)施方案中，支架可以包括生物降蝕解性和 非生物降蝕解性部分。在一些實(shí)施方案中，支架20可以包含選擇處理各種帶22和/或連 接體M的選擇性處理，以產(chǎn)生在預(yù)定區(qū)域和預(yù)定式樣中以較快速率腐蝕解的支架，以從而 控制支架的整體腐蝕解過(guò)程。。例如，連接體M的優(yōu)先腐蝕解可以減少帶22中的應(yīng)力。優(yōu) 先腐蝕解區(qū)域可以通過(guò)如下方式產(chǎn)生使不同區(qū)域具有不同含量和/或類型的腐蝕促進(jìn)沉 積物觀，或者通過(guò)使不同區(qū)域具有不同表面部分厚度，和/或通使一些部分過(guò)缺少腐蝕促 進(jìn)沉積物觀。在某些實(shí)施方案中，支架20可適于釋放一種或多種治療劑。術(shù)語(yǔ)“治療劑”包含 一種或多種“治療劑”或“藥物”。術(shù)語(yǔ)“治療劑”或“藥物”互換使用，并且包括藥物活性化 合物，具有或不具有載體媒介(例如脂類)的核酸，致密劑(例如組蛋白)，病毒(例如腺病 毒，腺伴隨病毒，逆轉(zhuǎn)錄病毒，慢病毒和a-病毒)，聚合物，抗生素，透明質(zhì)酸，基因治療劑， 蛋白質(zhì)，細(xì)胞，干細(xì)胞等，或它們的組合，具有或不具有導(dǎo)向序列。由于需要保持細(xì)胞功能和 活性配制介導(dǎo)的傳遞。常見的治療劑實(shí)例包含紫杉醇(Paclitaxel)。在一些實(shí)施方案中，支架20還包含覆蓋于表面部分32之上的一個(gè)或多個(gè)涂層。在 一些實(shí)施方案中，表面涂層可以進(jìn)一步延緩表面部分32的蝕解。在一些實(shí)施方案中，涂層 可以為包含治療劑的藥物釋放涂層。支架20使用導(dǎo)管傳遞系統(tǒng)而使用，例如傳遞和膨脹。在例如WangU. S. 5，195，969， Hamlin U. S. 5，270, 086，和 Raeder-Devens，U. S. 6，726，712 中描述了導(dǎo)管系統(tǒng)。支架和支 架傳遞還以從波士頓科學(xué)公司(BostonScientific kimed，槭樹林(Maple Grove) ,MN)得 到的Sentinol 系統(tǒng)為代表。在一些實(shí)施方案中，支架還可以為被覆支架或移植支架中的一部分。在其它實(shí)施 方案中，支架可以包含和/或連接到生物相容的，無(wú)孔或半孔的聚合物基體上，所述聚合物 基體由聚四氟乙烯(PTFE)，膨脹PTEF，聚乙烯，氨基甲酸乙酯或聚丙烯制成。在一些實(shí)施方案中，支架可以通過(guò)制備具有覆蓋于基底部分之上的表面部分的絲 (所述基底部分包含腐蝕促進(jìn)沉積物)，并且編結(jié)和/或編織所述絲成管狀構(gòu)件得到。在此涉及的所有出版物、參考文獻(xiàn)、申請(qǐng)和專利全部引入本文作為參考。其它實(shí)施方案包括在權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)置假體，其包含主體，所述主體包含(a)基底部分，其包含基體形式的生物蝕解性金屬和基體中的腐蝕促進(jìn)沉積物；和(b)表面部分，其覆蓋在基底部分之上，包含基體的生物蝕解性金屬；當(dāng)暴露于生理環(huán)境時(shí)，所述表面部分具有第一蝕解速率，且當(dāng)暴露于生理環(huán)境時(shí)，所述 基底部分具有大于第一蝕解速率的第二蝕解速率。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述腐蝕促進(jìn)沉積物包含惰性氣體的 納米氣泡。
3.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述納米氣泡包含氦氣、氬氣、氖氣、氪 氣或它們的組合。
4.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述納米氣泡的平均直徑為Inm至 600nm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述腐蝕促進(jìn)沉積物包含銀。
6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述腐蝕促進(jìn)沉積物包含錳。
7.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述腐蝕促進(jìn)沉積物比所述生物蝕解 性金屬更稀有，當(dāng)所述腐蝕促進(jìn)沉積物暴露于生理環(huán)境中時(shí)，其與所述生物蝕解性金屬形 成電偶，并且所述腐蝕促進(jìn)沉積物作為陽(yáng)極。
8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述腐蝕促進(jìn)沉積物比所述生物蝕解 性金屬更不稀有，當(dāng)所述腐蝕促進(jìn)沉積物暴露于生理環(huán)境中時(shí)，其與所述生物蝕解性金屬 形成電偶，并且所述腐蝕促進(jìn)沉積物作為陰極。
9.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述表面部分基本不含腐蝕促進(jìn)沉積物。
10.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述表面部分基本由生物蝕解性金屬 組成。
11.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述表面部分具有基本光滑的上表面。
12.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述表面部分的厚度為0.1微米至3 微米之間。
13.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，生物蝕解性金屬包含鐵或其合金。
14.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)置假體，其特征在于，所述內(nèi)置假體是支架。
15.一種制備內(nèi)置假體的方法，所述方法包括在包含生物蝕解性金屬的主體中注入 離子以生成基底部分和表面部分，所述基底部分包含在生物蝕解性金屬基體中的腐蝕促進(jìn) 沉積物，所述表面部分覆蓋于基底部分上且包含生物蝕解性金屬，當(dāng)暴露在生理環(huán)境中時(shí)， 所述基底部分具有比所述生物蝕解性金屬主體的表面部分更大的蝕解速率。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，注入的離子是惰性氣體離子，其在生物蝕 解性金屬基體內(nèi)形成惰性氣體納米氣泡的腐蝕促進(jìn)沉積物。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述注入的離子與所述生物蝕解性金屬 反應(yīng)生成腐蝕促進(jìn)沉積物。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，采用IBAD或PIII離子注入工藝注入所述 罔子。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，以小于IXIO"5個(gè)離子/cm2的劑量注入所 述離子。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，采用至少IOkeV的最小能量注入所述離子。
21.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，離子注入工藝期間的溫度范圍為100°C至 500°C之間。
22.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述生物蝕解性金屬主體為支架或支架 前體。
23.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述表面部分基本不含腐蝕促進(jìn)沉積物。
全文摘要
一種內(nèi)置假體，其可以包含一個(gè)含基底部分和覆蓋于基底部分之上的表面部分的主體。所述基底部分可包含基體形式的生物蝕解性金屬和在基體中的腐蝕促進(jìn)沉積物。所述表面部分包含基體的生物蝕解性金屬。當(dāng)暴露于生理環(huán)境時(shí)表面部分具有第一蝕解速率，并且當(dāng)暴露于生理環(huán)境時(shí)基底部分具有大于第一蝕解速率的第二蝕解速率。
文檔編號(hào)A61L31/14GK102056635SQ200980122076
公開日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月10日
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