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加熱組件及氣溶膠生成裝置的制作方法

文檔序號:40635789發(fā)布日期:2025-01-10 18:41閱讀:3來源:國知局
加熱組件及氣溶膠生成裝置的制作方法

本技術(shù)實(shí)施例涉及氣霧產(chǎn)生,特別涉及加熱組件及氣溶膠生成裝置。


背景技術(shù):

1、氣溶膠生成裝置是一種包含加熱組件,并通過加熱組件加熱煙制品,以使煙制品在不燃燒的情況下產(chǎn)生煙氣的裝置。

2、在一些示例性現(xiàn)有技術(shù)中,加熱組件包括兩個(gè)加熱層和電連接該兩個(gè)加熱層的電極層,還包括支撐所述加熱層和所述電極層的基體,電極層上具有用于與電源電連接的耦接部;基體上具有加熱區(qū),加熱層設(shè)置在加熱區(qū)上,從而加熱組件在工作時(shí),加熱區(qū)具有相對較高的溫度,加熱區(qū)的大小和熱量分布的均勻性影響對煙制品的加熱效果。在將加熱漿料和電極漿料采用厚膜印刷或者pvd、cvd設(shè)置在基體上后,都需要進(jìn)行燒結(jié)。然而,加熱漿料形成加熱層的燒結(jié)溫度不能夠超過400℃,而電極漿料形成電極層的燒結(jié)溫度需要高達(dá)800℃。因此,需要先形成電極層,然后再形成加熱層,這樣就導(dǎo)致加熱層需要覆蓋電極層的至少局部,為了使電極層與電源電連接,需要使耦接部暴露出來,為了防止電源的電極接觸加熱層造成較大的接觸電阻,耦接部需要具有較大的暴露面積。

3、若使耦接部位于兩個(gè)加熱層之間的加熱區(qū),則會導(dǎo)致兩個(gè)加熱層之間的間距較大,使得加熱區(qū)上有大片區(qū)域未覆蓋加熱層,造成加熱區(qū)上熱量分布不均勻;若使電極層的局部設(shè)置在加熱區(qū),并被加熱層覆蓋,同時(shí)延伸電極層使得耦接部設(shè)置在加熱層之外,從而耦接部相對加熱層更加靠近基體的端部,則需要在基體上設(shè)置較大面積的非加熱區(qū)來接納耦接部,使得加熱層在基體上的覆蓋面積占比減小,這依然會導(dǎo)致基體上熱量分布不均勻,不利于對煙制品進(jìn)行均勻和充分地加熱。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提供一種加熱組件及氣溶膠生成裝置,能夠減小基體上未被加熱層覆蓋的區(qū)域的面積。

2、本技術(shù)實(shí)施例提供的一種加熱組件,包括:

3、基體;

4、第一導(dǎo)電層,被所述基體支撐,所述第一導(dǎo)電層上具有第一耦接區(qū);

5、第一加熱層,被所述基體支撐,包括第一覆蓋區(qū)和界定所述第一覆蓋區(qū)至少部分邊界的第一側(cè)邊;

6、第二加熱層,被所述基體支撐,包括第二覆蓋區(qū)和界定所述第二覆蓋區(qū)至少部分邊界的第二側(cè)邊;

7、所述第一覆蓋區(qū)和所述第二覆蓋區(qū)間隔設(shè)置且分別覆蓋所述第一導(dǎo)電層的不同區(qū)域,使得所述第一加熱層和所述第二加熱層均與所述第一導(dǎo)電層電連接;

8、其中,所述第一耦接區(qū)未被所述第一覆蓋區(qū)及第二覆蓋區(qū)覆蓋且界定在所述第一側(cè)邊和所述第二側(cè)邊之間,所述第一側(cè)邊和第二側(cè)邊中的至少一個(gè)的局部朝向遠(yuǎn)離另一者的方向凹陷,從而增大所述第一耦接區(qū)的暴露面積。

9、作為一個(gè)示例,所述第一側(cè)邊包括第一區(qū)段和第二區(qū)段,所述第一區(qū)段與所述第二側(cè)邊之間的平均間距小于所述第二區(qū)段與所述第二側(cè)邊之間的平均間距;

10、其中,所述第一區(qū)段與所述第二側(cè)邊之間的平均間距小于或者等于1mm。

11、作為一個(gè)示例,所述第一側(cè)邊還包括第三區(qū)段,所述第二區(qū)段位于所述第三區(qū)段與所述第一區(qū)段之間,且所述第一區(qū)段與所述第二側(cè)邊之間的平均間距基本等于所述第三區(qū)段與所述第二側(cè)邊之間的平均間距。

12、作為一個(gè)示例,所述第一側(cè)邊的凹陷部分和所述第二側(cè)邊的凹陷部分均相切于一公切圓,所述公切圓的直徑大于或者等于2mm,且該公切圓的直徑小于或者等于所述第一導(dǎo)電層的寬度;或者

13、所述第一側(cè)邊的凹陷部分和所述第二側(cè)邊的凹陷部分位于同一個(gè)圓周上,該圓的直徑大于或者等于2mm,且該圓的直徑小于或者等于所述第一導(dǎo)電層的寬度。

14、作為一個(gè)示例,所述第一導(dǎo)電層的寬度小于或者等于3mm;其中

15、所述第一覆蓋區(qū)的最大寬度大于或者等于1mm;和/或

16、所述第二覆蓋區(qū)的最大寬度大于或者等于1mm。

17、作為一個(gè)示例,所述第一加熱層和所述第二加熱層設(shè)置在所述基體的同一表面,且所述第一加熱層和所述第二加熱層在第一方向上間隔排布;

18、其中,所述第一導(dǎo)電層沿所述第一方向延伸或者沿不同于所述第一方向的第二方向延伸。

19、作為一個(gè)示例,所述第一加熱層和所述第二加熱層設(shè)置在所述基體的同一表面,且所述第一導(dǎo)電層沿第一方向延伸;

20、其中,所述第一加熱層和所述第二加熱層在不同于所述第一方向的第二方向上間隔排布。

21、作為一個(gè)示例,所述第一加熱層和所述第二加熱層均為弧形且相對設(shè)置。

22、作為一個(gè)示例,所述加熱組件還包括第二導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層上具有不被所述第一加熱層和所述第二加熱層覆蓋的第二耦接區(qū);

23、其中,所述第二導(dǎo)電層電連接所述第一加熱層和所述第二加熱層。

24、作為一個(gè)示例,所述第一加熱層還包括第三覆蓋區(qū)和界定所述第三覆蓋區(qū)至少部分邊界的第三側(cè)邊;

25、所述第二加熱層還包括第四覆蓋區(qū)和界定所述第四覆蓋區(qū)至少部分邊界的第四側(cè)邊;

26、所述第三覆蓋區(qū)和所述第四覆蓋區(qū)間隔設(shè)置且分別覆蓋所述第二導(dǎo)電層的不同區(qū)域,使得所述第一加熱層和所述第二加熱層均與所述第二導(dǎo)電層電連接;

27、其中,所述第二耦接區(qū)界定在所述第三側(cè)邊和所述第四側(cè)邊之間。

28、作為一個(gè)示例,所述第三側(cè)邊和第四側(cè)邊中的至少一個(gè)的局部朝向遠(yuǎn)離另一者的方向凹陷,從而增大所述第二耦接區(qū)的暴露面積。

29、作為一個(gè)示例,所述加熱組件還包括具有第二耦接區(qū)的第二導(dǎo)電層和具有第三耦接區(qū)的第三導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層與所述第一加熱層電連接,所述第三導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層電連接。

30、作為一個(gè)示例,所述第一加熱層沿不同于所述第一方向的第二方向形成閉合的環(huán)形;和/或

31、所述第二加熱層沿不同于所述第一方向的第二方向形成閉合的環(huán)形;和/或

32、所述第一導(dǎo)電層沿不同于所述第一方向的第二方向形成閉合的環(huán)形。

33、作為一個(gè)示例,所述基體被構(gòu)造成管狀,其內(nèi)部具有用于容納所述氣溶膠生成制品至少局部的容納腔。

34、本技術(shù)實(shí)施例提供的一種氣溶膠生成裝置,包括電源組件和所述的加熱組件,所述電源組件包括電源和多個(gè)電極,所述電源通過所述多個(gè)電極與所述加熱組件電連接,以為所述加熱組件供電,其中一個(gè)所述電極與所述第一耦接區(qū)電連接。

35、本技術(shù)實(shí)施例提供的一種氣溶膠生成裝置,包括電源組件和所述的加熱組件,所述電源組件包括電源和多個(gè)電極,所述電源通過所述多個(gè)電極與所述加熱組件電連接,以為所述加熱組件供電,其中一個(gè)所述電極與所述第一耦接區(qū)電連接。

36、以上加熱組件及氣溶膠生成裝置,包括具有第一覆蓋區(qū)的第一加熱層、具有第二覆蓋區(qū)的第一加熱層和具有第一耦接區(qū)的第一導(dǎo)電層,第一覆蓋區(qū)和第二覆蓋區(qū)分別覆蓋第一導(dǎo)電層的不同區(qū)域,使得第一加熱層和第二加熱層均與第一導(dǎo)電層電連接,第一加熱層還具有界定第一覆蓋區(qū)至少部分邊界的第一側(cè)邊,第二加熱層還具有界定第二覆蓋區(qū)至少部分邊界的第一側(cè)邊;第一耦接區(qū)未被第一覆蓋區(qū)及第二覆蓋區(qū)覆蓋且界定在第一側(cè)邊和第二側(cè)邊之間,第一側(cè)邊和第二側(cè)邊中的至少一個(gè)的局部朝向遠(yuǎn)離另一者的方向凹陷,從而增大第一耦接區(qū)的暴露面積。從而,既能夠使得第一側(cè)邊和第二側(cè)邊至少一者上的與第一耦接區(qū)相對應(yīng)的區(qū)段與另一者之間具有較大的間距,第一耦接區(qū)因此具有較大的暴露面積來與電源組件的電極電連接,又能夠使得第一側(cè)邊和第二側(cè)邊至少一者上的未與第一耦接區(qū)相對應(yīng)的其他區(qū)段與另一者之間具有較小的間距,因此在確保第一導(dǎo)電層與第一加熱層和第二加熱層可靠電連接的同時(shí),能夠縮小基體上未被加熱層覆蓋的區(qū)域的面積。有利于促使基體上熱量分布均勻和對氣溶膠生成制品進(jìn)行均勻地加熱。

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