本申請(qǐng)屬于加熱不燃燒設(shè)備，尤其涉及設(shè)備控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著技術(shù)發(fā)展，氣溶膠生成設(shè)備應(yīng)用逐漸廣泛，氣溶膠生成設(shè)備由內(nèi)置電源、加熱系統(tǒng)、霧化液以及過濾嘴等組成，在使用時(shí)通過內(nèi)置電源提供電能，通過加熱系統(tǒng)對(duì)霧化液進(jìn)行加熱霧化，以產(chǎn)生氣溶膠從而實(shí)現(xiàn)卷煙模仿，當(dāng)用戶抽吸設(shè)備后，設(shè)備需要進(jìn)行溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)持續(xù)供能。

2、在相關(guān)技術(shù)中，在運(yùn)行氣溶膠設(shè)備的過程中，當(dāng)氣溶膠生成設(shè)備的抽吸次數(shù)達(dá)到指定數(shù)量的情況下，停止對(duì)氣溶膠生成設(shè)備加熱，直至氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行溫度恢復(fù)加熱前溫度后結(jié)束運(yùn)行。

3、然而，由于不同用戶存在抽吸習(xí)慣的不同，因此會(huì)存在即使氣溶膠生成設(shè)備的抽吸次數(shù)達(dá)到指定數(shù)量的情況下，氣溶膠生成基質(zhì)并未完全使用完畢的情況，導(dǎo)致氣溶膠生成設(shè)備的降溫時(shí)機(jī)產(chǎn)生偏差，進(jìn)而使得設(shè)備溫度控制的準(zhǔn)確度降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了設(shè)備控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，通過在運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備的過程中，對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座的連接情況進(jìn)行檢測，確保對(duì)設(shè)備基座進(jìn)行降溫時(shí)氣溶膠生成基質(zhì)已斷開連接，提高降溫時(shí)機(jī)控制的準(zhǔn)確度。

2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種設(shè)備控制方法，包括：

3、運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備，所述氣溶膠生成設(shè)備中包括氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座，所述氣溶膠生成基質(zhì)通過連接接口與所述設(shè)備基座連接；

4、在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到第一檢測結(jié)果，所述第一檢測結(jié)果用于指示所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

5、在第一檢測結(jié)果符合連接斷開條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。

6、可選地，所述連接接口中包括第一檢測位置，所述第一檢測位置用于檢測所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

7、所述對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到第一檢測結(jié)果，包括：

8、通過所述第一檢測位置向所述連接接口的接口內(nèi)壁發(fā)送檢測信號(hào)；

9、接收所述檢測信號(hào)對(duì)應(yīng)的信號(hào)反饋結(jié)果，所述信號(hào)反饋結(jié)果是指所述檢測信號(hào)在傳輸過程中從碰撞位置反射回來的信號(hào)，所述碰撞位置是所述檢測信號(hào)碰撞后反射的位置；

10、基于所述檢測信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測結(jié)果。

11、可選地，所述基于所述檢測信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測結(jié)果，包括：

12、獲取所述檢測信號(hào)對(duì)應(yīng)的第一時(shí)刻，所述第一時(shí)刻用于指示發(fā)送所述檢測信號(hào)時(shí)所對(duì)應(yīng)的時(shí)刻；

13、獲取所述信號(hào)反饋結(jié)果對(duì)應(yīng)的第二時(shí)刻，所述第二時(shí)刻用于指示接收所述信號(hào)反饋結(jié)果對(duì)應(yīng)的時(shí)刻；

14、基于所述第一時(shí)刻和所述第二時(shí)刻之間的時(shí)間差得到所述第一檢測結(jié)果。

15、可選地，所述在第一檢測結(jié)果符合連接斷開條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

16、在所述時(shí)間差大于預(yù)設(shè)時(shí)差閾值的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的所述設(shè)備基座。

17、可選地，所述基于所述檢測信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測結(jié)果，包括：

18、獲取所述檢測信號(hào)對(duì)應(yīng)的第一信號(hào)強(qiáng)度；

19、獲取所述信號(hào)反饋結(jié)果對(duì)應(yīng)的第二信號(hào)強(qiáng)度；

20、基于所述第一信號(hào)強(qiáng)度和所述第二信號(hào)強(qiáng)度之間的信號(hào)差，得到所述第一檢測結(jié)果。

21、可選地，所述在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到第一檢測結(jié)果，包括：

22、在所述氣溶膠生成基質(zhì)的使用次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)數(shù)量閾值的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到所述第一檢測結(jié)果；或者，

23、在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行時(shí)長達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)長閾值的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到所述第一檢測結(jié)果。

24、可選地，所述在第一檢測結(jié)果符合連接斷開條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

25、在所述第一檢測結(jié)果符合所述連接斷開條件的情況下，獲取所述設(shè)備基座對(duì)應(yīng)的第一運(yùn)行溫度；

26、獲取所述第一運(yùn)行溫度和預(yù)先設(shè)置得到的第二運(yùn)行溫度之間的運(yùn)行溫度差，所述第二運(yùn)行溫度是指所述設(shè)備基座通過降溫處理后對(duì)應(yīng)的運(yùn)行溫度；

27、根據(jù)運(yùn)行溫度差確定所述設(shè)備基座對(duì)應(yīng)的降溫模式，所述降溫模式用于確定所述基座設(shè)備在降溫時(shí)的降溫速度；

28、基于所述降溫模式對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。

29、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種設(shè)備控制裝置，包括：

30、運(yùn)行模塊，用于運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備，所述氣溶膠生成設(shè)備中包括氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座，所述氣溶膠生成基質(zhì)通過連接接口與所述設(shè)備基座連接；

31、檢測模塊，用于在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到第一檢測結(jié)果，所述第一檢測結(jié)果用于指示所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

32、降溫模塊，用于在第一檢測結(jié)果符合連接斷開條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。

33、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括：存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述第一方面中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

34、第四方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)第一方面中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

35、第五方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，當(dāng)計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品在計(jì)算機(jī)設(shè)備上運(yùn)行時(shí)，使得計(jì)算機(jī)設(shè)備執(zhí)行上述第一方面中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

36、可以理解的是，上述第二方面至第五方面的有益效果可以參見上述第一方面中的相關(guān)描述，在此不再贅述。

37、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果至少包括：

38、在氣溶膠生成設(shè)備中包括具有連接狀態(tài)氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座的情況下，運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備，在氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座之間的連接接口進(jìn)行連接情況檢測，若檢測得到氣溶膠生成基質(zhì)和設(shè)備基座不連接，表明氣溶膠生成設(shè)備當(dāng)前不再處于可抽吸狀態(tài)，因此可對(duì)設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，保證在設(shè)備基座降溫時(shí)，氣溶膠生成設(shè)備中不再連接有氣溶膠生成基質(zhì)，提高了設(shè)備溫度控制的準(zhǔn)確度，延長設(shè)備使用壽命。

技術(shù)特征：

1.一種設(shè)備控制方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述連接接口中包括第一檢測位置，所述第一檢測位置用于檢測所述設(shè)備基座與所述氣溶膠生成基質(zhì)之間的連接情況；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述檢測信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測結(jié)果，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述在第一檢測結(jié)果符合連接斷開條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述檢測信號(hào)和所述信號(hào)反饋結(jié)果之間的信號(hào)差異，得到所述第一檢測結(jié)果，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到第一檢測結(jié)果，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述在第一檢測結(jié)果符合連接斷開條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座，包括：

8.一種設(shè)備控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：

9.一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)設(shè)備包括存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法。

11.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被運(yùn)行時(shí)，使得如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備控制方法被執(zhí)行。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)適用于加熱不燃燒設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供了設(shè)備控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備；在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合抽吸完成條件的情況下，對(duì)所述連接接口進(jìn)行連接情況檢測，得到第一檢測結(jié)果；在第一檢測結(jié)果符合連接斷開條件的情況下，對(duì)所述設(shè)備基座進(jìn)行降溫處理，得到降溫后的設(shè)備基座。保證在設(shè)備基座降溫時(shí)，氣溶膠生成設(shè)備中不再連接有氣溶膠生成基質(zhì)，提高了設(shè)備溫度控制的準(zhǔn)確度，延長設(shè)備使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：王登軍,孫冬平,陳士江
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市基克納科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9