專利名稱：一種新的氧化亞鐵硫桿菌固體培養(yǎng)基-dlw培養(yǎng)基的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新的能夠使氧化亞鐵硫桿菌快速形成菌落的固體培養(yǎng)基-DLW培 養(yǎng)基的配制方法。
背景技術(shù)：
氧化亞鐵硫桿菌(Acidithiobacillus ferrooxidans, Τ. f)是重要的浸礦微生物 之一，以氧化二價(jià)鐵、元素硫以及還原態(tài)硫的化合物等來獲得能量，在生長(zhǎng)過程中產(chǎn)生三價(jià) 鐵、硫酸等浸出劑，因此能降低生產(chǎn)成本，同時(shí)，氧化亞鐵硫桿菌能自我繁殖擴(kuò)增，可以循環(huán) 利用，這樣就進(jìn)一步降低了消耗。因此，利用氧化亞鐵硫桿菌浸出金、銀、銅、鈾等的研究越 來越受到重視。雖然氧化亞鐵硫桿菌有著上述優(yōu)點(diǎn)，但其缺點(diǎn)同樣明顯，主要體現(xiàn)在生長(zhǎng)速度緩 慢，尤其是其在固體培養(yǎng)基上生長(zhǎng)并形成肉眼可見的菌落一般需要15天以上，這嚴(yán)重制約 了氧化亞鐵硫桿菌的研究工作，所以亟需研制一種新的能夠使氧化亞鐵硫桿菌快速形成菌 落的固體培養(yǎng)基。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠使氧化亞鐵硫桿菌快速形成菌落的固體培養(yǎng) 基-DLW培養(yǎng)基，氧化亞鐵硫桿菌能在這種培養(yǎng)基上快速生長(zhǎng)，從而縮短氧化亞鐵硫桿菌的 培養(yǎng)周期，促進(jìn)氧化亞鐵硫桿菌的相關(guān)研究。這種培養(yǎng)基配制簡(jiǎn)單，不需要特別的試劑和方 法。本發(fā)明的技術(shù)方案為此新的氧化亞鐵硫桿菌固體培養(yǎng)基-DLW培養(yǎng)基配方由 A, B 禾口 C 三部分組成，A 為16. 7g FeSO4 · 7H20 溶于 50mLH20 ；B 為(NH4)2SO4Ig · Λ KCl 0. 05g · Λ MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · L-1 溶于 350mLH20，調(diào) PH 至 4. 0-5. 0 ;C 為瓊 脂7. 5g溶于IOOmLH2O15將A過濾除菌，B和C高壓蒸汽滅菌，121°C 30min。最后等B和C 冷卻至60°C后加入A，倒平板，在平板上均勻涂布菌液或使用接種環(huán)進(jìn)行平板劃線接種，置 30°C恒溫培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。固體培養(yǎng)基變?yōu)辄S色，3天左右可見少許氧化亞鐵硫桿菌菌落，5 天左右可見較多菌落。將采集的酸性礦坑水樣品用9K無機(jī)鹽液培養(yǎng)基富集培養(yǎng)一代，9K培養(yǎng)基成分為 (NH4) 2S043g 'T1jKCI 0. Ig · L-1，K2HPO4O. 5g 'T1jMgSO4 ·7Η20 0. 5g 'L1, Ca (NO3)2O. Olg .L-1， FeSO4 · 7H20 44. 7g · L—1，pH值1. 8 2. 0。并設(shè)定其培養(yǎng)溫度為30°C。傳代培養(yǎng)3-4次且 每次稀釋10倍傳代，最后將處于生長(zhǎng)期的培養(yǎng)物取100 μ L在改良的固體培養(yǎng)基平板上均 勻涂布。此培養(yǎng)基可用于氧化亞鐵硫桿菌的分離、氧化亞鐵硫桿菌的培養(yǎng)、氧化亞鐵硫桿 菌的保種。本發(fā)明使氧化亞鐵硫桿菌在固體培養(yǎng)基上形成菌落的時(shí)間大大縮短，且簡(jiǎn)單易行。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 采集的酸性礦坑水樣品用9K無機(jī)鹽液培養(yǎng)基富集培養(yǎng)一代，9K培 養(yǎng)基成分為(NH4) 2S043g · Γ1，KCl 0. Ig · ΙΛ K2HPO4O. 5g · Λ MgSO4 · 7Η20 0. 5g · Λ Ca(NO3)2O. Olg ·Γ1 ,FeSO4 ·7Η20 44. 7g .Γ1，ρΗ值 1· 8 2· 0。并設(shè)定其培養(yǎng)溫度為 30°C。傳 代培養(yǎng)3-4次且每次稀釋5-10倍傳代，最后將處于生長(zhǎng)期的培養(yǎng)物取100 μ L在改良的固 體培養(yǎng)基平板上均勻涂布或取一環(huán)細(xì)菌劃線接種。此固體培養(yǎng)基配方由Α，Β和C三部分組 成 A :16· 7gFeS04 · 7Η20 溶于 50mLH20 ；B (NH4) 2S04lg · Γ1，KCl 0. 05g · Γ1，MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · Γ1 溶于 350mLH20，調(diào) PH 至 4. 0-5. 0 ；C 瓊脂 7. 5g 溶于 IOOmLH2O0 將 A 過 濾除菌，B和C高壓蒸汽滅菌，121°C 30min。最后等B和C冷卻至60°C后加入A，倒平板，在 平板上均勻涂布菌液，放到30°C恒溫培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。3天左右可見少許氧化亞鐵硫桿菌菌 落，5天左右可見較多菌落。實(shí)施例2 采集的酸性礦坑水樣品用9K無機(jī)鹽液培養(yǎng)基富集培養(yǎng)一代，9K培 養(yǎng)基成分為(NH4) 2S043g · Γ1，KCl 0. Ig · ΙΛ K2HPO4O. 5g · Λ MgSO4 · 7Η20 0. 5g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · ΙΛ FeSO4 · 7Η20 44. 7g · Γ1，ρΗ 值 1. 8 2. 0。并設(shè)定其培養(yǎng)溫度為 30°C。 傳代培養(yǎng)3-4次且每次稀釋5-10倍傳代，最后將處于生長(zhǎng)期的培養(yǎng)物取100 μ L在改良的 固體培養(yǎng)基平板上均勻涂布。此固體培養(yǎng)基配方由Α，B和C三部分組成A :5g Na2S2O3溶 于 50mLH20 ；B (NH4)2SO4Ig · Λ KCl 0. 05g · Λ MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · Γ1 溶于 350mLH20,調(diào)PH至4. 0-5. 0 ；C 瓊脂7. 5g溶于IOOmLH2O0將A過濾除菌，B和C高壓蒸汽滅 菌，121°C 30min。最后等B和C冷卻至60°C后加入A，倒平板，在平板上均勻涂布菌液，放到 30°C恒溫培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。15天左右可見的氧化亞鐵硫桿菌菌落，但菌落較小。實(shí)施例3 采集的酸性礦坑水樣品用9K無機(jī)鹽液培養(yǎng)基富集培養(yǎng)一代，9K培 養(yǎng)基成分為(NH4) 2S043g · Γ1，KCl 0. Ig · ΙΛ K2HPO4O. 5g · Λ MgSO4 · 7Η20 0. 5g · Λ Ca(NO3)2O. Olg ·Γ1 ,FeSO4 ·7Η20 44. 7g .Γ1，ρΗ值 1· 8 2· 0。并設(shè)定其培養(yǎng)溫度為 30°C。傳 代培養(yǎng)3-4次且每次稀釋5-10倍傳代，最后將處于生長(zhǎng)期的培養(yǎng)物取100 μ L在改良的固 體培養(yǎng)基平板上均勻涂布。此固體培養(yǎng)基配方由Α，Β和C三部分組成A :8. 35g FeSO4 ·7Η20 和 2. 5gNa2S203 溶于 50mLH20 ；B (NH4)2SO4Ig ·廠1，KCl 0. 05g ·廠1，MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · Γ1 溶于 350mLH20，調(diào) PH 至 4. 0-5. 0 ；C 瓊脂 7. 5g 溶于 IOOmLH2O0 將 A 過 濾除菌，B和C高壓蒸汽滅菌，121°C 30min。最后等B和C冷卻至60°C后加入A，倒平板， 在平板上均勻涂布菌液，放到30°C恒溫培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。10天左右可見的氧化亞鐵硫桿菌菌 落，但菌落較小。
權(quán)利要求
一種新的氧化亞鐵硫桿菌固體培養(yǎng)基-DLW培養(yǎng)基的制備方法，其特征在于此固體培養(yǎng)基的配方由A，B和C三部分組成，A為16.7g FeSO4·7H2O溶于50mLH2O；B為(NH4)2SO4 1g·L-1，KCl 0.05g·L-1，MgSO4 0.05g·L-1，Ca(NO3)2 0.01g·L-1溶于350mLH2O，調(diào)PH至4.0-5.0；C為瓊脂7.5g溶于100mLH2O；將A過濾除菌，B和C高壓蒸汽滅菌，121℃30min，等B和C冷卻至60℃后加入A，倒平板，在平板上均勻涂布菌液或使用接種環(huán)進(jìn)行平板劃線接種，置30℃恒溫培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種新的能夠使氧化亞鐵硫桿菌快速形成菌落的固體培養(yǎng)基-DLW培養(yǎng)基的制備方法。此固體培養(yǎng)基配方由A，B和C三部分組成A16.7g FeSO4·7H2O溶于50mLH2O；B(NH4)2SO4 1g·L-1，KCl 0.05g·L-1，MgSO4 0.05g·L-1，Ca(NO3)2 0.01g·L-1溶于350mLH2O，調(diào)pH至4.0-5.0；C瓊脂7.5g溶于100mLH2O。將A過濾除菌，B和C高壓蒸汽滅菌，121℃30min。最后等B和C冷卻至60℃后加入A，倒平板，在30℃恒溫培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。
文檔編號(hào)C12R1/01GK101886057SQ20101024166
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月2日
發(fā)明者丁德馨, 李廣悅, 潘文俊, 王永東, 胡南 申請(qǐng)人:南華大學(xué)