一種濕法刻蝕設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及光伏設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種濕法刻蝕設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]基于晶體硅片材料的硅晶光伏技術(shù)在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)都將處于光伏市場的主流地位，但晶體硅片在擴(kuò)散過程中，即使是背靠背的單面擴(kuò)散，硅片的所有表面(包括邊緣)也不可避免地會擴(kuò)散上磷或硼。利用刻蝕工序可去除磷硅玻璃或硼硅玻璃，硅片邊緣的磷將會被去除干凈，避免p-n結(jié)短路所造成的并聯(lián)電阻降低的現(xiàn)象，從而提高電池效率。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的刻蝕設(shè)備，都是將硅片放置在輸送滾輪上向前傳送，上方同樣有滾輪壓置，以防止硅片偏移，但這會造成刻蝕后的硅片有明顯的滾輪印，嚴(yán)重影響刻蝕效果。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種濕法刻蝕設(shè)備，利用設(shè)置在傳輸滾輪上的載片框，能夠避免硅片與傳輸滾輪接觸，從而不會產(chǎn)生滾輪印，提高刻蝕的質(zhì)量。
[0005]本實用新型提供的一種濕法刻蝕設(shè)備，包括傳輸硅片的傳輸滾輪，所述傳輸滾輪上設(shè)置有正方形的載片框，所述載片框的四條邊框均固定有垂直于各自所在的邊框且與所述載片框位于同一個平面內(nèi)的硅片支撐部，所述硅片支撐部的第一端固定在所述邊框上，第二端朝向所述載片框的幾何中心，且相對設(shè)置的兩個所述硅片支撐部的第二端之間的距離小于所述硅片的邊長。
[0006]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述載片框的四條邊框還均固定有垂直于所述載片框所在的平面的硅片限位部。
[0007]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述硅片支撐部的形狀為圓柱體。
[0008]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述硅片支撐部的直徑為5毫米。
[0009]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述載片框的相對的兩條邊框的內(nèi)側(cè)的間距比所述硅片的邊長大I毫米至2毫米。
[0010]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述相對設(shè)置的兩個所述硅片支撐部的第二端之間的距離比所述硅片的邊長小I毫米至5毫米。
[0011 ] 優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述硅片限位部的形狀為圓柱體。
[0012]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述硅片限位部的直徑為5毫米。
[0013]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，所述載片框的邊長為相鄰的所述傳輸滾輪的中心的間距的二倍。
[0014]優(yōu)選的，在上述濕法刻蝕設(shè)備中，在與所述傳輸滾輪的傳輸方向相垂直的方向上并列設(shè)置有6個所述載片框，且相鄰的所述載片框共用同一個所述邊框。
[0015]從上述技術(shù)方案可以看出，本實用新型所提供的濕法刻蝕設(shè)備，由于所述傳輸滾輪上設(shè)置有正方形的載片框，所述載片框的四條邊框均固定有垂直于各自所在的邊框且與所述載片框位于同一個平面內(nèi)的硅片支撐部，所述硅片支撐部的第一端固定在所述邊框上，第二端朝向所述載片框的幾何中心，且相對設(shè)置的兩個所述硅片支撐部的第二端之間的距離小于所述硅片的邊長，因此能夠利用所述載片框容納并運(yùn)輸所述硅片，避免硅片與傳輸滾輪接觸，從而不會產(chǎn)生滾輪印，提高刻蝕的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為本申請實施例提供的第一種濕法刻蝕設(shè)備的局部的示意圖；
[0018]圖2為本申請實施例提供的第二種濕法刻蝕設(shè)備的局部的示意圖；
[0019]圖3為本申請實施例提供的濕法刻蝕設(shè)備的工作示意圖。
【具體實施方式】
[0020]本實用新型的核心思想在于提供一種濕法刻蝕設(shè)備，利用設(shè)置在傳輸滾輪上的載片框，能夠避免硅片與傳輸滾輪接觸，從而不會產(chǎn)生滾輪印，提高刻蝕的質(zhì)量。
[0021]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0022]本申請實施例提供的第一種濕法刻蝕設(shè)備的局部如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的第一種濕法刻蝕設(shè)備的局部的示意圖。該濕法刻蝕設(shè)備包括:傳輸硅片I的傳輸滾輪2，相對于現(xiàn)有技術(shù)中直接將硅片I放在傳輸滾輪2上面直接傳送的技術(shù)方案，本實施例中在所述傳輸滾輪2上設(shè)置有正方形的載片框3，所述載片框3的四條邊框均固定有垂直于各自所在的邊框且與所述載片框位于同一個平面內(nèi)的硅片支撐部4，所述硅片支撐部4的第一端固定在所述邊框上，第二端朝向所述載片框3的幾何中心，且相對設(shè)置的兩個所述硅片支撐部4的第二端之間的距離小于所述硅片I的邊長，這樣就能夠托住硅片1，將運(yùn)輸過程中的硅片I與傳輸滾輪2進(jìn)行分離，從而避免硅片I上出現(xiàn)滾輪印，需要說明的是，該實施例中硅片支撐部4與硅片I之間的接觸面積要盡可能的小，以盡可能減小在硅片上留下的印跡的面積。
[0023]從上述技術(shù)方案可以看出，本申請實施例所提供的濕法刻蝕設(shè)備，由于所述傳輸滾輪上設(shè)置有正方形的載片框，所述載片框的四條邊框均固定有垂直于各自所在的邊框且與所述載片框位于同一個平面內(nèi)的硅片支撐部，所述硅片支撐部的第一端固定在所述邊框上，第二端朝向所述載片框的幾何中心，且相對設(shè)置的兩個所述硅片支撐部的第二端之間的距離小于所述硅片的邊長，因此能夠利用所述載片框容納并運(yùn)輸所述硅片，避免硅片與傳輸滾輪接觸，從而不會產(chǎn)生滾輪印，提高刻蝕的質(zhì)量。
[0024]本申請實施例提供的第二種濕法刻蝕設(shè)備的局部如圖2所示，圖2為本申請實施例提供的第二種濕法刻蝕設(shè)備的局部的示意圖。該濕法刻蝕設(shè)備包括:傳輸硅片I的傳輸滾輪2，相對于現(xiàn)有技術(shù)中直接將硅片I放在傳輸滾輪2上面直接傳送的技術(shù)方案，本實施例中在所述傳輸滾輪2上設(shè)置有正方形的載片框3，所述載片框3的四條邊框均固定有垂直于各自所在的邊框且與所述載片框位于同一個平面內(nèi)的硅片支撐部4，所述硅片支撐部4的第一端固定在所述邊框上，第二端朝向所述載片框3的幾何中心，且相對設(shè)置的兩個所述硅片支撐部4的第二端之間的距離小于所述硅片I的邊長，這樣就